JP2017204601A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017204601A JP2017204601A JP2016096821A JP2016096821A JP2017204601A JP 2017204601 A JP2017204601 A JP 2017204601A JP 2016096821 A JP2016096821 A JP 2016096821A JP 2016096821 A JP2016096821 A JP 2016096821A JP 2017204601 A JP2017204601 A JP 2017204601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- diffraction grating
- semiconductor layer
- dfb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】分布帰還活性領域131と、分布帰還活性領域131に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域132とを備える。分布帰還活性領域131の活性層103に分布ブラッグ反射鏡領域132のコア層113とが連続して形成されている。分布帰還活性領域131のブラッグ波長が、中央部分から両端部分にかけて増大または減少している。
【選択図】 図1A
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1における半導体レーザの斜視図である。図1B,図1Cは、本発明の実施の形態1における半導体レーザの構成を示す断面図であり、光出射方向に垂直な断面を示している。
この半導体レーザは、分布帰還活性領域131と、分布帰還活性領域131に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域132とを備える。この半導体レーザは、いわゆるDRレーザである。
実施の形態1では、ブラッグ波長分布を位相シフトにより形成したが、ブラッグ波長分布形成は、他の回折格子構造でも可能である。回折格子のブラッグ波長は、回折格子の周期長(一周期分の長さ)により規定できる。従って、回折格子の周期長を所望のブラッグ波長分布に応じて変えればよい。例えば、活性層両側のブラッグ波長を長波長化するためには、活性層両端における第1回折格子の周期長を活性層中央よりも広くすればよい。一方、活性層両側のブラッグ波長を短波長化するためには、活性層両端における第1回折格子の周期長を活性層中央よりも狭くすればよい。また、周期長は連続的に変えていくことが理想的であるが、離散的でもよい。
Claims (3)
- 基板の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成された第1回折格子と、
前記活性層に接して形成されたp型半導体層およびn型半導体層と、
前記n型半導体層に接続するn型電極と、
前記p型半導体層に接続するp型電極と
を有する分布帰還活性領域と、
前記活性層に連続して形成されたコア層と、
前記コア層の上に形成された第2回折格子と
を有して前記分布帰還活性領域に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域と
を備え、
前記分布帰還活性領域のブラッグ波長は、中央部分から両端部分にかけて増大または減少していることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1記載の半導体レーザにおいて、
前記第1回折格子の周期長は全域で均一とされ、
前記活性層は、導波方向に複数の領域に分割されて隣り合う前記領域の間に設けられた位相シフト領域を備える
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1記載の半導体レーザにおいて、
前記第1回折格子は、両端部と中央部との周期長が異なることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016096821A JP6588859B2 (ja) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016096821A JP6588859B2 (ja) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017204601A true JP2017204601A (ja) | 2017-11-16 |
JP6588859B2 JP6588859B2 (ja) | 2019-10-09 |
Family
ID=60321578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016096821A Active JP6588859B2 (ja) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6588859B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204600A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JPWO2018070432A1 (ja) * | 2016-10-12 | 2019-08-08 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP2019144448A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
JP2020098810A (ja) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
WO2023119366A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
WO2023119367A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61125187A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPS62106689A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Fujitsu Ltd | Dfbレ−ザの製造方法 |
JPS63269592A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ |
JPS63299390A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPH01239892A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH03110884A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布帰還型半導体レーザーおよびその製造方法 |
EP0439236A1 (en) * | 1990-01-23 | 1991-07-31 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Laser structure with distributed feedback and method of manufacturing same |
JPH0582889A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH10256653A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JPH11163455A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JP2000077774A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
US20050117622A1 (en) * | 2002-10-30 | 2005-06-02 | Thomas Lenosky | Distributed feedback laser with differential grating |
JP2009064837A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ及び半導体光集積素子 |
US20100260220A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Gideon Yoffe | Semiconductor laser device and circuit for and method of driving same |
JP2010251609A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2014017347A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2016051807A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 半導体レーザ |
JP2017204600A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JP6483521B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2019-03-13 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JP6510391B2 (ja) * | 2015-12-09 | 2019-05-08 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
-
2016
- 2016-05-13 JP JP2016096821A patent/JP6588859B2/ja active Active
Patent Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61125187A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPS62106689A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Fujitsu Ltd | Dfbレ−ザの製造方法 |
JPS63269592A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ |
JPS63299390A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPH01239892A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH03110884A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布帰還型半導体レーザーおよびその製造方法 |
EP0439236A1 (en) * | 1990-01-23 | 1991-07-31 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Laser structure with distributed feedback and method of manufacturing same |
JPH0582889A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH10256653A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JPH11163455A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JP2000077774A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
US20050117622A1 (en) * | 2002-10-30 | 2005-06-02 | Thomas Lenosky | Distributed feedback laser with differential grating |
JP2009064837A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ及び半導体光集積素子 |
US20100260220A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Gideon Yoffe | Semiconductor laser device and circuit for and method of driving same |
JP2010251609A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2014017347A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2016051807A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 半導体レーザ |
JP6483521B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2019-03-13 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JP6510391B2 (ja) * | 2015-12-09 | 2019-05-08 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JP2017204600A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
HENNING OLESEN, ET AL.: ""Single-Mode Stability of DFB Lasers with Longitudinal Bragg Detuning"", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 7, no. 5, JPN6019004109, May 1995 (1995-05-01), pages 461 - 463, ISSN: 0004108320 * |
JONG-IN SHIM, ET AL.: ""Lasing Characteristics of 1.5μm GaInAsP-InP SCH-BIG-DR Lasers"", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, vol. 27, no. 6, JPN6018037016, June 1991 (1991-06-01), pages 1736 - 1745, XP000229990, ISSN: 0004108321, DOI: 10.1109/3.89999 * |
K. OTSUBO, ET AL.: ""Low-Driving-Current High-Speed Direct Modulation up to 40 Gb/s Using 1.3-μm Semi-Insulating Burie", 2009 CONFERENCE ON OPTICAL FIBER COMMUNICATION, JPN6019033742, 22 March 2009 (2009-03-22), pages 6, ISSN: 0004108319 * |
M. AOKI, ET AL.: ""1.5μm GaInAsP/InP distributed reflector (DR) laser with high-low reflection grating structure"", ELECTRONICS LETTERS, vol. 25, no. 24, JPN6019004111, 23 November 1989 (1989-11-23), pages 1650 - 1651, XP000073419, ISSN: 0004108323 * |
M. OKAI, ET AL.: ""Corrugation-Pitch-Modulated MQW-DFB Laser with Narrow Spectral Linewidth (170 kHz)"", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 2, no. 8, JPN6019033755, August 1990 (1990-08-01), pages 529 - 530, XP000149718, ISSN: 0004108322, DOI: 10.1109/68.58038 * |
T. SIMOYAMA, ET AL.: ""40-Gbps Transmission Using Direct Modulation of 1.3-μm AlGaInAs MQW Distributed-Reflector Lasers", 2011 OPTICAL FIBER COMMUNICATION CONFERENCE AND EXPOSITION AND THE NATIONAL FIBER OPTIC ENGINEERS CO, JPN6019033753, 6 March 2011 (2011-03-06), pages 3, ISSN: 0004108318 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204600A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JPWO2018070432A1 (ja) * | 2016-10-12 | 2019-08-08 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP7072516B2 (ja) | 2016-10-12 | 2022-05-20 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP2019144448A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
JP2020098810A (ja) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JP7159844B2 (ja) | 2018-12-17 | 2022-10-25 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
WO2023119366A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
WO2023119367A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6588859B2 (ja) | 2019-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6588859B2 (ja) | 半導体レーザ | |
US9312663B2 (en) | Laser device, light modulation device, and optical semiconductor device | |
JP6510391B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP5182362B2 (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
JP2018006440A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4026334B2 (ja) | 半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザおよび波長可変半導体レーザ | |
JPWO2010116460A1 (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
JP5365510B2 (ja) | 半導体集積素子 | |
US20160336719A1 (en) | Integrated semiconductor laser device and semiconductor laser module | |
US20090296753A1 (en) | Semiconductor laser and optical integrated semiconductor device | |
JP6483521B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP6588858B2 (ja) | 半導体レーザ | |
Ohira et al. | Low-threshold and high-efficiency operation of distributed reflector lasers with width-modulated wirelike active regions | |
JP2006203100A (ja) | 半導体レーザおよび光送信器モジュール | |
JP2950302B2 (ja) | 半導体レーザ | |
US20170194766A1 (en) | Optical device and optical module | |
WO2019225331A1 (ja) | 半導体レーザ | |
US8929418B2 (en) | Semiconductor laser | |
JP6927153B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2019012769A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2019091806A (ja) | 半導体レーザ | |
US12027818B2 (en) | Semiconductor laser | |
JPWO2005060058A1 (ja) | 半導体レーザーおよびその製造方法 | |
WO2022259349A1 (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6588859 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |