JP5365510B2 - 半導体集積素子 - Google Patents
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Description
このような波長分割多重通信システムにおいて、柔軟かつ高度な通信システムを実現するために、広い波長範囲で高速に所望の波長を選択しうる波長可変レーザが強く求められている。
これらの波長可変レーザでは、光導波路に電流を注入した場合に光導波路の等価屈折率が変化するのを利用して発振波長を変化させるため、数nmオーダで発振波長の切り替えが可能である。
しかし、このように、光導波路への電流注入による屈折率変化を利用し、かつ、モード跳びが生じないようにすることができる、TDA−DFBレーザのような波長可変レーザは、一般に、その波長可変幅が数nm程度であるため、WDM通信システムにおいて重要なC−Band帯(1525〜1565nm)の全てカバーすることはできない。
例えば、TDA−DFBレーザの波長可変幅は5nm程度であるため、発振波長帯が5nmずつ異なるように構成された8個のTDA−DFBレーザを1つの素子の中に集積することによってC−Band帯の全域で発振可能な波長可変レーザを実現できることになる。
このようなTDA−DFBレーザでは、一般的なDFBレーザと同様に、回折格子のブラッグ波長によって発振波長が決定される。例えば、周期が均一な回折格子を用いたTDA−DFBレーザでは、利得導波路部と波長制御導波路部の等価屈折率が一致する場合に最も安定した単一モード発振が得られる。
このようなTDA−DFBレーザを複数個集積したアレイ集積型波長可変レーザでは、全てのTDA−DFBレーザを上記の条件を満たすように構成するのが望ましい。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザを同一半導体基板上に集積する場合に、全ての波長可変レーザにおいて(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるようにした、半導体集積素子を提供することを目的とする。
1A 利得導波路(活性導波路)
1B 波長制御導波路
2 回折格子(回折格子層)
2A 利得用回折格子
2B 波長制御用回折格子
3A 利得電極(p側電極)
3B 波長制御電極(p側電極)
3C 共通電極(n側電極)
4 n型InP基板(半導体基板)
5 n型InPバッファ層(n型InPクラッド層)
6 活性層(利得層,導波路コア層)
7 p型InPクラッド層
8A,8B コンタクト層
9 波長制御層(位相制御層)
10 SiO2膜
11A 利得領域(活性領域)
11B 波長制御領域
11C 分離領域
12 高抵抗InP埋込層
20A〜20H 波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)
21A〜21H 結合導波路(曲がり導波路)
22 光結合器(光合流器)
23 光増幅器(SOA)
[第1実施形態]
まず、本発明の第1実施形態にかかる半導体集積素子について、図1〜図6を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体集積素子は、図1に示すように、同一半導体基板4上に、発振波長帯が異なる複数(ここでは8つ)の波長可変レーザ[ここではTDA−DFB(Tunable Distributed Amplification-Distributed Feedback)レーザ;分布帰還形の波長可変レーザ]LD1〜LD8を備えるアレイ集積型波長可変レーザである。なお、図1中、符号12は埋込層を示している。
光導波路1は、図2に示すように、利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとを光軸方向に交互に有するものとして構成される。つまり、光導波路1は、複数の利得導波路部1Aと、複数の波長制御導波路部1Bとを備え、これらの利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとが同一平面上で周期的に交互に直列配置された構成になっている。なお、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの具体的な構成例については後述する。
回折格子2は、図2に示すように、光導波路1の下方に、光導波路1の全長にわたって、光導波路1に沿って平行に設けられている。つまり、利得導波路部1Aに対応する位置にも、波長制御導波路部1Bに対応する位置にも、連続的に回折格子2が設けられている。なお、図2に示すように、利得導波路部1Aに対応する位置に形成されている回折格子2を利得用回折格子2Aといい、波長制御導波路部1Bに対応する位置に形成されている回折格子2を波長制御用回折格子2Bという。
つまり、図2に示すように、光導波路1の利得導波路部1Aの上面にはコンタクト層8Aを介して利得電極(p側電極)3Aが形成されており、下方には共通電極(n側電極)3Cが形成されており、利得導波路部1Aの活性層(利得層,導波路コア層)6に電流Iactを注入しうるようになっている。また、光導波路1の波長制御導波路部1Bの上面にはコンタクト層8Bを介して波長制御電極(p側電極)3Bが形成されており、下方には共通電極(n側電極)3Cが形成されており、波長制御導波路部1Bの波長制御層(導波路コア層,位相制御層)9に電流Ituneを注入しうるようになっている。
なお、利得導波路部1A、利得用回折格子2A、利得電極3A、共通電極3Cからなる領域を利得領域11Aといい、波長制御導波路部1B、波長制御用回折格子2B、波長制御電極3B、共通電極3Cからなる領域を波長制御領域11Bという。
ところで、本実施形態では、図1に示すように、8つの波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8が並列に配置されて集積されている。
このため、上述のような発振波長帯の設定は、回折格子2の周期をレーザ毎に変えて、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態の発振波長が、LD1で1530nm、LD2で1535nm、LD3で1540nm、LD4で1545nm、LD5で1550nm、LD6で1555nm、LD7で1560nm、LD8で1565nmとなるように設定すれば良い。
なお、ここでは、各レーザLD1〜LD8の発振波長帯を、C−band帯をカバーしうるように設定しているが、これに限られるものではなく、各レーザLD1〜LD8の発振波長帯は任意に設定することができる。
本実施形態では、モード跳びが生じないようにし、安定した単一モード発振を維持しながら、各レーザLD1〜LD8における連続波長可変領域(モード跳びが生じることなく、連続的に単一モード発振が可能な領域)を有効に使うことができるように、波長制御導波路部1Bに電流注入又は電圧印加を行なっていない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して長波長側へずらしておき、波長制御導波路部1Bに電流注入又は電圧印加を行なうことで、波長制御導波路部1Bの等価屈折率を減少させ、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを短波長側へずらすように構成している。なお、詳細は特開2006−295103号公報参照。
このため、発振波長帯が異なる複数のTDA−DFBレーザを集積する場合、各レーザ間で利得導波路部及び波長制御導波路部の等価屈折率が異なってしまい、この結果、各レーザの利得導波路部と波長制御導波路部の等価屈折率差(=波長制御導波路部の等価屈折率−利得導波路部の等価屈折率)も異なってしまう(図11参照)。
ここで、図4に示すように、利得導波路部1Aの等価屈折率はその導波路幅の増加にしたがって増加するため、上述のように、発振波長が短波長側になるほど利得導波路部1Aの幅が広くなるようにすることで、波長制御導波路部1Bに対して等価屈折率が小さすぎる分を補償でき、全てのレーザLD1〜LD8における両導波路部の等価屈折率差を所望の範囲内(例えば0.02%以内)に設定できることになる。
本実施形態では、各レーザLD1〜LD8は、全て、同一の層構造,材料・組成,厚さの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを有し、その断面構造(図2参照)は全て同一の構造になっている。
一方、波長制御領域11Bは、図2に示すように、例えばn型InP基板(半導体基板;必要に応じてn型InPバッファ層を含むものとする)4上に、n型InGaAsP回折格子層2、n型InPバッファ層(n型InPクラッド層)5、バンドギャップ波長1.43μmのInGaAsPバルク層(厚さ250nm;波長制御層;位相制御層)9、p型InPクラッド層7、コンタクト層(p型InGaAsPコンタクト層,p型InGaAsコンタクト層)8を順に積層した層構造になっている。
ここでは、1つの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの長さは、いずれも30μmとし、1つの利得導波路部1Aと1つの波長制御導波路部1Bとからなる1周期の長さを60μmとしている。なお、素子長は例えば570μmとしている。また、利得導波路部1Aが素子端面側に配置されるようにして、光出力が低下しないようにしている。但し、波長制御導波路部1Bを素子端面側に配置しても良い。
しかしながら、図5中、実線Aで示すように、短波長側の波長になるにしたがって等価屈折率差は大きくなり、例えば1525nm付近では等価屈折率差は0.155%程度になってしまい、最適値から外れてしまう。言い換えると、1525nm付近で利得導波路部1Aの等価屈折率が最適値よりも0.04%程度小さくなってしまう。
一方、例えば波長制御導波路部1Bの幅を2.0μmにし、利得導波路部1Aの幅を2.15μmにすると、図5中、実線Dで示すように、電流を注入していない状態で、1525nm付近で等価屈折率差が安定した単一モード発振を得るための最適値(ここでは0.115%程度)となる。これにより、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な値だけ長波長側へずらすことができる。
このように、波長制御導波路部1Bの幅を2.0μmにし、利得導波路部1Aの幅を2.15μmにすることは、1525〜1530nmの発振波長帯で発振するレーザLD1においては最適な設計であるが、他の発振波長帯、特に1560〜1565nmの発振波長帯で発振するレーザLD8においては最適な設計から外れてしまう。
なお、各半導体層は、例えばMOCVD法などを用いて形成される。
まず初めに、一般的なDFBレーザの作製方法と同様の方法で、図1及び図2に示すように、n型InP基板4上の光導波路1(利得導波路部1A及び波長制御導波路部1B)が配置される箇所に回折格子層2を形成する。
次に、SiO2膜(誘電体膜)を上面に形成し、一般的なパターンニング技術を用いて、8つのレーザLD1〜LD8を構成する利得導波路部1Aを形成する領域を含んで光軸方向に直交する方向に延びる帯状の領域が残るように、光軸方向に周期的に除去してパターニングを行なう。
以上のようにして、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aを形成する領域を含んで光軸方向に直交する方向に延びる帯状の領域と、波長制御導波路部1Bを形成する領域を含んで光軸方向に直交する方向に延びる帯状の領域とが光軸方向に周期的に形成された光導波路構造が形成される。
ここでは、各レーザLD1〜LD8の波長制御導波路部1Bの幅が2.0μmで全て同一となり、利得導波路部1Aの幅が、レーザLD8,LD7,LD6,LD5,LD4,LD3,LD2,LD1のそれぞれについて、それぞれ、2.00μm、2.02μm、2.04μm、2.06μm、2.09μm、2.11μm、2.13μm、2.15μmとなるように、マスクパターンとして残されるSiO2膜の幅を設定している。
次いで、パターニングされたSiO2膜をマスクとして例えばドライエッチングを行ない、マスク直下の部分以外の利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを構成する各層を除去し、メサ形状に加工してメサ構造を形成する(図1参照)。
ここでは、利得導波路部1Aの上方にコンタクト層8Aを介して利得電極(p側電極)3Aを形成し、下方に共通電極(n側電極)3Cを形成する。また、波長制御導波路部1Bの上方にコンタクト層8Bを介して波長制御電極(p側電極)3Bを形成し、下方に共通電極(n側電極)3Cを形成する。
このようにして、光軸方向に周期的に(交互に)利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとが配置された光導波路構造を有する8つの波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8を備える半導体集積素子が形成される。
したがって、本実施形態にかかる半導体集積素子によれば、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8を同一半導体基板4上に集積する場合に、全ての波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8において(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるという利点がある。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態にかかる半導体集積素子について、図7,8を参照しながら説明する。
つまり、本実施形態では、図7に示すように、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aの幅は全て同一にし、波長制御導波路部1Bの幅は互いに異なり、最も長波長側の発振波長帯を有するレーザLD8が最も広くなり、発振波長が短波長側になるにしたがって狭くなり、最も短波長側の発振波長帯を有するレーザLD1が最も狭くなるようにしている。なお、各レーザLD1〜LD8は、全て、同一の層構造,材料・組成,厚さの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを有するものとしている。また、図7では、上述の第1実施形態(図1参照)と同一のものには同一の符号を付している。
これにより、発振波長帯が異なる複数のレーザLD1〜LD8を同一半導体基板4上に形成する場合、電流を注入していない状態で、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの等価屈折率差が所望の範囲内になり、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtが、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して所望の範囲内で長波長側へずれるようになる。この結果、どの発振波長帯においても安定した単一モード発振が得られるようになり、また、比較的広い波長可変範囲が得られるようになる。
したがって、本実施形態にかかる半導体集積素子によれば、上述の第1実施形態のものと同様に、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8を同一半導体基板4上に集積する場合に、全ての波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8において(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるという利点がある。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態にかかる半導体集積素子について、図9を参照しながら説明する。
また、SOA23は、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部と同様の層構造(上述の第1実施形態参照)を持つものとして構成される。
なお、その他の波長可変レーザについての詳細な構成及び製造方法は、上述の第1実施形態のものと同じであるため、ここでは説明を省略する。
[その他]
なお、上述の各実施形態では、波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8の利得導波路部1A及び波長制御導波路部1BをInGaAsP系材料からなる層によって構成した場合の例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、他の半導体材料(例えばInGaAlAs系、GaInNAs系等)によって形成することもでき、この場合にも同様の効果が得られる。
また、上述の各実施形態では、利得導波路部1Aの長さを30μmとし、波長制御導波路部1Bの長さを30μmとし、1対の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの長さの比率を1:1にした場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bはいかなる長さであっても良く、また、利得導波路部1Aの長さと波長制御導波路部1Bの長さとの比率も他の比率であっても良く、そのような場合であっても同様の効果が得られる。
また、上述の第1実施形態では、全てのレーザLD1〜LD8において波長制御導波路部1Bの幅を同一にし、利得導波路部1Aの幅を変化させるようにし、上述の第2実施形態では、全てのレーザLD1〜LD8において利得導波路部1Aの幅を同一にし、波長制御導波路部1Bの幅を変化させるようにして、それぞれ別個に説明しているが、これらの実施形態の構成を組み合わせても良い。つまり、短波長側で発振する波長可変レーザの利得導波路の幅を広くするのと同時に、波長制御導波路の幅を狭くするようにしても良い。
例えば、上述の第1実施形態及び第2実施形態の構成において、全てのレーザの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの幅を同一にした場合に、レーザLD1のみが等価屈折率差が許容範囲外になっているときは、それが許容範囲内になるように、波長可変レーザLD1の利得導波路部1Aの幅を広くするか、あるいは、波長制御導波路部1Bの幅を狭くするだけでも良い。
要するに、複数の波長可変レーザのうち、一の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅を利得導波路部の幅で割った値(即ち、利得導波路部の幅に対する波長制御導波路部の幅の割合)が、一の波長可変レーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他の波長可変レーザの波長制御導波路部の幅を利得導波路部の幅で割った値よりも大きくなれば良い。
Claims (9)
- 同一半導体基板上に、回折格子の周期が異なることで発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザを備え、
前記各波長可変レーザが、電流注入によって利得を発生しうる利得導波路部と、電流注入又は電圧印加によって発振波長を制御しうる波長制御導波路部とを光軸方向に交互に有する光導波路と、前記光導波路の全長にわたって前記光導波路に沿って設けられる回折格子とを備え、
前記各波長可変レーザの前記利得導波路部が、同一の層構造,材料・組成,厚さを有し、
前記各波長可変レーザの前記波長制御導波路部が、同一の層構造,材料・組成,厚さを有し、
発振波長帯が短波長になると大きくなる前記利得導波路部と前記波長制御導波路部の等価屈折率差が補償されるように、前記複数の波長可変レーザのうち、一の波長可変レーザにおける前記波長制御導波路部の幅を前記利得導波路部の幅で割った値が、前記一の波長可変レーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他の波長可変レーザにおける前記波長制御導波路部の幅を前記利得導波路部の幅で割った値よりも大きくなっていることを特徴とする、半導体集積素子。 - 前記一の波長可変レーザにおける利得導波路部の幅が、前記他の波長可変レーザにおける利得導波路部の幅よりも狭いことを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
- 前記一の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅が、前記他の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅よりも広いことを特徴とする、請求項1又は2記載の半導体集積素子。
- 前記各波長可変レーザは、前記利得導波路部の幅が互いに異なることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
- 前記各波長可変レーザは、前記波長制御導波路部の幅が全て同一であることを特徴とする、請求項4記載の半導体集積素子。
- 前記各波長可変レーザは、前記波長制御導波路部の幅が互いに異なることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
- 前記各波長可変レーザは、前記利得導波路部の幅が全て同一であることを特徴とする、請求項6記載の半導体集積素子。
- 前記各波長可変レーザは、前記利得導波路部の幅が段階的に変えられていることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
- 前記各波長可変レーザは、前記波長制御導波路部の幅が段階的に変えられていることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
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