JP5365510B2 - 半導体集積素子 - Google Patents

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Description

本発明は、光通信用の光源として用いられ、発振波長を広範囲かつ高速に変化させることができる波長可変レーザを集積した半導体集積素子に関する。
近年の通信需要の飛躍的な増大に伴い、波長の異なる複数の信号光を多重化することによって、一本の光ファイバで大容量伝送を可能とする波長分割多重通信システム(WDM通信システム)の開発が進められている。
このような波長分割多重通信システムにおいて、柔軟かつ高度な通信システムを実現するために、広い波長範囲で高速に所望の波長を選択しうる波長可変レーザが強く求められている。
例えば、高速に波長を切り替えることができる波長可変レーザとして、DBR(Distributed Bragg Reflector)レーザ、TTG−DFB(Tunable Twin Guide-Distributed Feedback)レーザ、TDA−DFB(Tunable Distributed Amplification-Distributed Feedback)レーザ(例えば特許文献1,非特許文献1参照)などが提案されている。
これらの波長可変レーザでは、光導波路に電流を注入した場合に光導波路の等価屈折率が変化するのを利用して発振波長を変化させるため、数nmオーダで発振波長の切り替えが可能である。
特に、TDA−DFBレーザは、モード跳びが生じないようにすることができ、単純な制御で高速に波長制御を行なうことが可能であり、さらに、素子の作製が容易であるため、通信用の波長可変レーザとして有望である。
しかし、このように、光導波路への電流注入による屈折率変化を利用し、かつ、モード跳びが生じないようにすることができる、TDA−DFBレーザのような波長可変レーザは、一般に、その波長可変幅が数nm程度であるため、WDM通信システムにおいて重要なC−Band帯(1525〜1565nm)の全てカバーすることはできない。
そこで、このような波長可変レーザを1つの素子の中に複数個アレイ状にモノリシックに集積することによって、上記の波長帯を1つの素子でカバーするアレイ集積型の波長可変レーザが提案されている(例えば特許文献1参照)。
例えば、TDA−DFBレーザの波長可変幅は5nm程度であるため、発振波長帯が5nmずつ異なるように構成された8個のTDA−DFBレーザを1つの素子の中に集積することによってC−Band帯の全域で発振可能な波長可変レーザを実現できることになる。
特開2006−295103号公報 Hiroyuki Ishii et al, "A Tunable Distributed Amplification DFB Laser Diode (TDA-DFB-LD)", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL. 10, NO. 1, JANUARY 1998, pp. 30-32
ところで、TDA−DFBレーザは、電流注入によって利得を発生する利得導波路部と、電流注入によって屈折率が変化し、レーザの発振波長を変化させうる波長制御導波路部とを光軸方向に交互に有する光導波路を備え、この光導波路の近傍に回折格子が形成されている。
このようなTDA−DFBレーザでは、一般的なDFBレーザと同様に、回折格子のブラッグ波長によって発振波長が決定される。例えば、周期が均一な回折格子を用いたTDA−DFBレーザでは、利得導波路部と波長制御導波路部の等価屈折率が一致する場合に最も安定した単一モード発振が得られる。
上記の特許文献1では、最も広い範囲で安定した単一モード発振が得られるようにするために、波長制御導波路部に電流注入を行なっていない状態で、波長制御領域のブラッグ波長が、利得領域のブラッグ波長に対して長波長側になるように構成することが提案されている。
このようなTDA−DFBレーザを複数個集積したアレイ集積型波長可変レーザでは、全てのTDA−DFBレーザを上記の条件を満たすように構成するのが望ましい。
しかしながら、以下のような理由で、アレイ集積型波長可変レーザを構成する全てのTDA−DFBレーザにおいて、波長制御導波路部に電流注入を行なっていない状態で、波長制御領域のブラッグ波長が、利得領域のブラッグ波長に対して所定範囲内で長波長側になるように構成すること、即ち、波長制御導波路部の等価屈折率が利得導波路部の等価屈折率よりも所定範囲内で大きくなるように等価屈折率差をつけることは困難である。
まず、アレイ集積型波長可変レーザでは、一般に、集積される全てのTDA−DFBレーザは同一の半導体材料からなり、同一の導波路構造を有するものとして構成される。つまり、各TDA−DFBレーザは、全て、同一の導波路構造(層構造),材料・組成,厚さ,幅の利得導波路部及び波長制御導波路部を有するものとして構成される。これは、一般に、半導体光導波路を形成する場合、例えばMOCVD法などによって半導体基板上に均一に半導体材料を堆積させるため、同一基板上に異なる層構造を形成するのが困難なためである。
また、アレイ集積型波長可変レーザでは、集積される各TDA−DFBレーザの発振波長帯は少しずつずらして設計される。例えば、C−Band帯の全域で発振可能なアレイ集積型波長可変レーザを実現するには、8つのTDA−DFBレーザを集積し、図10に示すように、各TDA−DFBレーザLD1〜LD8の発振波長帯が、それぞれ、1525〜1530nm、1530〜1535nm、1535〜1540nm、1540〜1545nm、1545〜1550nm、1550〜1555nm、1555〜1560nm、1560〜1565nmとなるように設計される。
ここで、図11中、点線Aで示すように、TDA−DFBレーザの利得導波路部の等価屈折率は波長依存性があり、図11中、実線Bで示すように、TDA−DFBレーザの波長制御導波路部の等価屈折率も波長依存性があるため、上述のように、各TDA−DFBレーザを同一の半導体材料及び導波路構造の利得導波路部及び波長制御導波路部を有するものとし、各TDA−DFBレーザの発振波長帯を少しずつずらして設計すると、各TDA−DFBレーザの利得導波路部及び波長制御導波路部の等価屈折率は異なるものとなってしまう。この結果、図11中、破線Cで示すように、各TDA−DFBレーザの利得導波路部と波長制御導波路部の等価屈折率差(=波長制御導波路部の等価屈折率−利得導波路部の等価屈折率)も異なるものとなってしまう。
このため、同一基板上に集積される全てのTDA−DFBレーザにおいて、利得導波路部と波長制御導波路部の等価屈折率差を最適値に設定するのが難しく、この結果、全てのTDA−DFBレーザにおいて安定した単一モード発振を得るのが困難であった。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザを同一半導体基板上に集積する場合に、全ての波長可変レーザにおいて(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるようにした、半導体集積素子を提供することを目的とする。
このため、本発明の半導体集積素子は、同一半導体基板上に、回折格子の周期が異なることで発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザを備え、各波長可変レーザが、電流注入によって利得を発生しうる利得導波路部と、電流注入又は電圧印加によって発振波長を制御しうる波長制御導波路部とを光軸方向に交互に有する光導波路と、光導波路の全長にわたって光導波路に沿って設けられる回折格子とを備え、各波長可変レーザの利得導波路部が、同一の層構造,材料・組成,厚さを有し、各波長可変レーザの波長制御導波路部が、同一の層構造,材料・組成,厚さを有し、発振波長帯が短波長になると大きくなる前記利得導波路部と前記波長制御導波路部の等価屈折率差が補償されるように、複数の波長可変レーザのうち、一の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅を利得導波路部の幅で割った値が、一の波長可変レーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅を利得導波路部の幅で割った値よりも大きくなっていることを特徴としている。
したがって、本発明の半導体集積素子によれば、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザを同一半導体基板上に集積する場合に、全ての波長可変レーザにおいて(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるという利点がある。
本発明の第1実施形態にかかる半導体集積素子を構成する複数の波長可変レーザを示す模式図であって、図2のA−A′線に沿う断面図である。 本発明の第1実施形態にかかる半導体集積素子を構成する波長可変レーザの構成を示す模式的断面図である。 本発明の第1実施形態にかかる半導体集積素子を構成する波長可変レーザの電極の構成を示す模式的平面図である。 波長可変レーザの利得導波路部の幅と等価屈折率との関係を示す図である。 波長可変レーザの利得導波路部の幅を変えた場合の等価屈折率差と波長との関係を示す図である。 本発明の第1実施形態にかかる半導体集積素子を構成する各波長可変レーザの利得導波路及び波長制御導波路の幅を示す図である。 本発明の第2実施形態にかかる半導体集積素子を構成する複数の波長可変レーザを示す模式断面図である。 本発明の第2実施形態にかかる半導体集積素子を構成する各波長可変レーザの利得導波路及び波長制御導波路の幅を示す図である。 本発明の第3実施形態にかかる半導体集積素子(アレイ集積型波長可変レーザ)の構成を示す模式図である。 アレイ集積型波長可変レーザを構成する各レーザの発振波長帯(波長可変範囲)の設定例を説明するための図である。 TDA−DFBレーザの利得導波路部及び波長制御導波路部の等価屈折率及び等価屈折率差の波長依存性を説明するための図である。
符号の説明
1 光導波路
1A 利得導波路(活性導波路)
1B 波長制御導波路
2 回折格子(回折格子層)
2A 利得用回折格子
2B 波長制御用回折格子
3A 利得電極(p側電極)
3B 波長制御電極(p側電極)
3C 共通電極(n側電極)
4 n型InP基板(半導体基板)
5 n型InPバッファ層(n型InPクラッド層)
6 活性層(利得層,導波路コア層)
7 p型InPクラッド層
8A,8B コンタクト層
9 波長制御層(位相制御層)
10 SiO2
11A 利得領域(活性領域)
11B 波長制御領域
11C 分離領域
12 高抵抗InP埋込層
20A〜20H 波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)
21A〜21H 結合導波路(曲がり導波路)
22 光結合器(光合流器)
23 光増幅器(SOA)
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体集積素子について説明する。
[第1実施形態]
まず、本発明の第1実施形態にかかる半導体集積素子について、図1〜図6を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体集積素子は、図1に示すように、同一半導体基板4上に、発振波長帯が異なる複数(ここでは8つ)の波長可変レーザ[ここではTDA−DFB(Tunable Distributed Amplification-Distributed Feedback)レーザ;分布帰還形の波長可変レーザ]LD1〜LD8を備えるアレイ集積型波長可変レーザである。なお、図1中、符号12は埋込層を示している。
ここで、各波長可変レーザ(電流制御型波長可変レーザ)LD1〜LD8は、図1及び図2に示すように、電流注入によって利得を発生しうる利得導波路部1Aと、電流注入による屈折率変化によって発振波長を制御しうる波長制御導波路部1Bとを有する光導波路(光導波路層)1と、光導波路1の近傍に設けられた回折格子(回折格子層)2とを備えるものとして構成される。
そして、各波長可変レーザLD1〜LD8では、利得導波路部1Aに電流(利得制御電流)Iactを注入することによって、回折格子2の周期に応じた波長で発振するようになっている。また、波長制御導波路部1Bに電流(波長制御電流)Ituneを注入することによって発振波長を制御しうるようになっている。
光導波路1は、図2に示すように、利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとを光軸方向に交互に有するものとして構成される。つまり、光導波路1は、複数の利得導波路部1Aと、複数の波長制御導波路部1Bとを備え、これらの利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとが同一平面上で周期的に交互に直列配置された構成になっている。なお、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの具体的な構成例については後述する。
なお、利得導波路部1Aは、電流注入によって光利得を発生しうる半導体材料によって構成された活性導波路であり、波長制御導波路部1Bは、電流注入によって屈折率が変化し、レーザの発振波長を変化させうる半導体材料によって構成された導波路(利得を発生しない導波路)である。
回折格子2は、図2に示すように、光導波路1の下方に、光導波路1の全長にわたって、光導波路1に沿って平行に設けられている。つまり、利得導波路部1Aに対応する位置にも、波長制御導波路部1Bに対応する位置にも、連続的に回折格子2が設けられている。なお、図2に示すように、利得導波路部1Aに対応する位置に形成されている回折格子2を利得用回折格子2Aといい、波長制御導波路部1Bに対応する位置に形成されている回折格子2を波長制御用回折格子2Bという。
このように、各波長可変レーザLD1〜LD8では、TTG−DFBレーザとは異なり、図2に示すように、利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとが同一平面上に並べられているため、一般的な素子作製技術を用いることができ、素子の作製が容易である。特に、発振波長が異なる複数の波長可変レーザLD1〜LD8を集積する場合にも、素子の作製が容易である。
また、各波長可変レーザLD1〜LD8は、一般的なDFBレーザと同様の構成になっており、DFBレーザの一種であるため、DBRレーザのように波長可変制御時に位相制御を行なう必要がなく、波長制御電流Ituneのみによる単純な波長制御が可能である。なお、各波長可変レーザLD1〜LD8では、回折格子2が光導波路1の全長にわたって設けられているため、初期位相の制御も不要である。
各波長可変レーザLD1〜LD8では、図2に示すように、光導波路1の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとに独立に電流注入を行なえるように、それぞれの領域に対して独立に電極3A,3Bが設けられている。
つまり、図2に示すように、光導波路1の利得導波路部1Aの上面にはコンタクト層8Aを介して利得電極(p側電極)3Aが形成されており、下方には共通電極(n側電極)3Cが形成されており、利得導波路部1Aの活性層(利得層,導波路コア層)6に電流Iactを注入しうるようになっている。また、光導波路1の波長制御導波路部1Bの上面にはコンタクト層8Bを介して波長制御電極(p側電極)3Bが形成されており、下方には共通電極(n側電極)3Cが形成されており、波長制御導波路部1Bの波長制御層(導波路コア層,位相制御層)9に電流Ituneを注入しうるようになっている。
ここでは、利得電極3A及び波長制御電極3Bは、図3に示すように、いずれもくし型電極として構成されている。
なお、利得導波路部1A、利得用回折格子2A、利得電極3A、共通電極3Cからなる領域を利得領域11Aといい、波長制御導波路部1B、波長制御用回折格子2B、波長制御電極3B、共通電極3Cからなる領域を波長制御領域11Bという。
また、図2に示すように、コンタクト層8A,8B、波長制御電極(p側電極)3B及び利得電極(p側電極)3Aが形成されていない領域には、SiO2膜(パッシベーション膜)10が形成されている。つまり、コンタクト層8A,8Bを形成した後、全面にSiO2膜10を形成し、コンタクト層8A,8B上のSiO2膜10のみを除去し、コンタクト層8A,8B上にp側電極3A,3Bを形成することで、コンタクト層8A,8B、p側電極3A,3Bが形成されていない領域にSiO2膜10を形成している。
特に、図2,図3に示すように、利得領域11Aと波長制御領域11Bとを電気的に分離するため、利得電極3Aと波長制御電極3Bとの間には分離領域(分離部)11Cを設けている。つまり、利得領域11Aと波長制御領域11Bとの接合界面近傍の上方の領域には、波長制御電極(p側電極)3B及び利得電極(p側電極)3A及びコンタクト層8A,8Bを形成しないようにすることで分離部11Cを形成している。
なお、ここでは、波長制御導波路部1Bに電流注入を行なうことによって発振波長を制御しているが、これに限られるものではなく、例えば波長制御導波路部1Bに波長制御電極3Bを介して電圧印加を行なうことによって発振波長の制御を行なうように構成しても良い。
ところで、本実施形態では、図1に示すように、8つの波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8が並列に配置されて集積されている。
各レーザLD1〜LD8の発振波長帯は、例えば図10に示すようになっている。つまり、各レーザLD1〜LD8の発振波長帯は、最も短波長側の発振波長帯を有するレーザLD1から最も長波長側の発振波長帯を有するレーザLD8まで、5nm間隔で、それぞれ、1525〜1530nm、1530〜1535nm、1535〜1540nm、1540〜1545nm、1545〜1550nm、1550〜1555nm、1555〜1560nm、1560〜1565nmのように設定されている。
ここで、各レーザLD1〜LD8は、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、発振波長が最も長波長側になり、波長制御導波路部1Bに電流を注入していくと、発振波長が短波長側にシフトしていくようになっている。
このため、上述のような発振波長帯の設定は、回折格子2の周期をレーザ毎に変えて、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態の発振波長が、LD1で1530nm、LD2で1535nm、LD3で1540nm、LD4で1545nm、LD5で1550nm、LD6で1555nm、LD7で1560nm、LD8で1565nmとなるように設定すれば良い。
このようにして、8つのレーザLD1〜LD8の発振波長帯を設定することによって、波長分割多重通信システムにおいて重要なC−band帯(1525〜1565nm)の全ての波長において発振する波長可変レーザを実現することができる。
なお、ここでは、各レーザLD1〜LD8の発振波長帯を、C−band帯をカバーしうるように設定しているが、これに限られるものではなく、各レーザLD1〜LD8の発振波長帯は任意に設定することができる。
ところで、各レーザLD1〜LD8では、利得領域11Aのブラッグ波長を一定にし、波長制御領域11Bの波長制御導波路部1Bの等価屈折率を変化させ、波長制御領域11Bのブラッグ波長を変えることによって波長可変動作を行なう。
本実施形態では、モード跳びが生じないようにし、安定した単一モード発振を維持しながら、各レーザLD1〜LD8における連続波長可変領域(モード跳びが生じることなく、連続的に単一モード発振が可能な領域)を有効に使うことができるように、波長制御導波路部1Bに電流注入又は電圧印加を行なっていない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して長波長側へずらしておき、波長制御導波路部1Bに電流注入又は電圧印加を行なうことで、波長制御導波路部1Bの等価屈折率を減少させ、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを短波長側へずらすように構成している。なお、詳細は特開2006−295103号公報参照。
ところで、一般に、TDA−DFBレーザの利得導波路部及び波長制御導波路部の等価屈折率は波長依存性があり、波長が短くなるほど等価屈折率が増加する。また、その増加の度合いは波長制御導波路部の方が大きい(図11参照)。
このため、発振波長帯が異なる複数のTDA−DFBレーザを集積する場合、各レーザ間で利得導波路部及び波長制御導波路部の等価屈折率が異なってしまい、この結果、各レーザの利得導波路部と波長制御導波路部の等価屈折率差(=波長制御導波路部の等価屈折率−利得導波路部の等価屈折率)も異なってしまう(図11参照)。
この場合、例えば、最も長波長側の発振波長帯を有するレーザLD8において、両者の等価屈折率差が最適値になり、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtが、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な値だけ長波長側へずれるように、同一半導体基板4上に形成される全てのレーザLD1〜LD8を設計すると、レーザLD8の発振波長帯よりも短波長側の発振波長帯を有する他のレーザLD1〜LD7では、利得導波路部1Aの等価屈折率が波長制御導波路部1Bの等価屈折率に対して小さすぎる状態になってしまい、利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの等価屈折率差は最適値よりも大きくなってしまい(図11参照)、この結果、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtが、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な値だけ長波長側へずれないことになる。
そこで、本実施形態では、図1に示すように、各レーザLD1〜LD8の波長制御導波路部1Bの幅は全て同一にし、利得導波路部1Aの幅は互いに異なり、最も長波長側の発振波長帯を有するレーザLD8が最も狭くなり、発振波長が短波長側になるにしたがって広くなり、最も短波長側の発振波長帯を有するレーザLD1が最も広くなるようにしている。なお、各レーザLD1〜LD8は、全て、同一の層構造,材料・組成,厚さの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを有するものとしている。
要するに、本実施形態では、複数のレーザLD1〜LD8のうち、一のレーザにおける利得導波路部1Aの幅が、一のレーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他のレーザにおける利得導波路部1Aの幅よりも狭くなり、複数のレーザLD1〜LD8のうち、一のレーザにおける波長制御導波路部1Bの幅を利得導波路部1Aの幅で割った値(即ち、利得導波路部1Aの幅に対する波長制御導波路部1Bの幅の割合)が、一のレーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他のレーザにおける波長制御導波路部1Bの幅を利得導波路部1Aの幅で割った値よりも大きくなるようにしている。
なお、本明細書では、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aの幅、波長制御導波路部1Bの幅として説明しているが、具体的には、利得導波路部1Aの幅は利得導波路部1Aのコア層6の幅であり、波長制御導波路部1Bの幅は波長制御導波路部1Bのコア層9の幅である。
ここで、図4に示すように、利得導波路部1Aの等価屈折率はその導波路幅の増加にしたがって増加するため、上述のように、発振波長が短波長側になるほど利得導波路部1Aの幅が広くなるようにすることで、波長制御導波路部1Bに対して等価屈折率が小さすぎる分を補償でき、全てのレーザLD1〜LD8における両導波路部の等価屈折率差を所望の範囲内(例えば0.02%以内)に設定できることになる。
これにより、発振波長帯が異なる複数のレーザLD1〜LD8を同一半導体基板4上に形成する場合、電流を注入していない状態で、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの等価屈折率差が所望の範囲内になり、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtが、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して所望の範囲内で長波長側へずれるようになる。この結果、どの発振波長帯においても安定した単一モード発振が得られるようになり、また、比較的広い波長可変範囲が得られるようになる。
以下、各波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8の具体的な構成例について説明する。
本実施形態では、各レーザLD1〜LD8は、全て、同一の層構造,材料・組成,厚さの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを有し、その断面構造(図2参照)は全て同一の構造になっている。
まず、利得領域(活性領域)11Aは、図2に示すように、例えばn型InP基板(半導体基板;必要に応じてn型InPバッファ層を含むものとする)4上に、n型InGaAsP回折格子層2、n型InPバッファ層(n型InPクラッド層)5、利得ピーク波長(バンドギャップ波長)が1.55μm帯になるように設計された1.55μm帯InGaAsP歪MQW層(Multiple Quantum Well;多重量子井戸層;厚さ200nm)及び上下のSCH(Separate Confinement Heterostructure;分離閉じ込めヘテロ構造)層(光閉じ込め層;いずれも厚さ50nm)からなる活性層6、p型InPクラッド層7、コンタクト層(p型InGaAsPコンタクト層,p型InGaAsコンタクト層)8Aを順に積層した層構造になっている。
また、利得導波路部(活性導波路部)1Aは、図2に示すように、n型InPクラッド層5、活性層(利得層,導波路コア層)6、p−InPクラッド層7から構成される。
一方、波長制御領域11Bは、図2に示すように、例えばn型InP基板(半導体基板;必要に応じてn型InPバッファ層を含むものとする)4上に、n型InGaAsP回折格子層2、n型InPバッファ層(n型InPクラッド層)5、バンドギャップ波長1.43μmのInGaAsPバルク層(厚さ250nm;波長制御層;位相制御層)9、p型InPクラッド層7、コンタクト層(p型InGaAsPコンタクト層,p型InGaAsコンタクト層)8を順に積層した層構造になっている。
また、波長制御導波路部1Bは、図2に示すように、n型InPクラッド層5、波長制御層(導波路コア層)9、p−InPクラッド層7から構成される。
ここでは、1つの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの長さは、いずれも30μmとし、1つの利得導波路部1Aと1つの波長制御導波路部1Bとからなる1周期の長さを60μmとしている。なお、素子長は例えば570μmとしている。また、利得導波路部1Aが素子端面側に配置されるようにして、光出力が低下しないようにしている。但し、波長制御導波路部1Bを素子端面側に配置しても良い。
このような層構造の場合、例えば利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの幅をいずれも2.0μmとすると、図5中、実線Aで示すように、電流を注入していない状態で、1565nm付近で等価屈折率差(=波長制御導波路部の等価屈折率−利得導波路部の等価屈折率)が安定した単一モード発振を得るための最適値(目標値;ここでは0.115%程度)となる。なお、ここでは、等価屈折率差を表す値として、等価屈折率差を基準等価屈折率(ここでは利得導波路部の等価屈折率)で割った値(等価屈折率差の基準等価屈折率に対する割合)を用いている。
これにより、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な値だけ長波長側へずらすことができる。
しかしながら、図5中、実線Aで示すように、短波長側の波長になるにしたがって等価屈折率差は大きくなり、例えば1525nm付近では等価屈折率差は0.155%程度になってしまい、最適値から外れてしまう。言い換えると、1525nm付近で利得導波路部1Aの等価屈折率が最適値よりも0.04%程度小さくなってしまう。
このように、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの幅をいずれも2.0μmにすることは、1560〜1565nmの発振波長帯で発振するレーザLD8においては最適な設計であるが、他の発振波長帯、特に1525〜1530nmの発振波長帯で発振するレーザLD1においては最適な設計から外れてしまう。
一方、例えば波長制御導波路部1Bの幅を2.0μmにし、利得導波路部1Aの幅を2.15μmにすると、図5中、実線Dで示すように、電流を注入していない状態で、1525nm付近で等価屈折率差が安定した単一モード発振を得るための最適値(ここでは0.115%程度)となる。これにより、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な値だけ長波長側へずらすことができる。
しかしながら、図5中、実線Dで示すように、長波長側の波長になるにしたがって等価屈折率差は小さくなり、例えば1565nm付近では等価屈折率差は0.075%程度となってしまい、最適値から外れてしまう。言い換えると、1565nm付近で利得導波路部1Aの等価屈折率が最適値よりも0.04%程度大きくなってしまう。
このように、波長制御導波路部1Bの幅を2.0μmにし、利得導波路部1Aの幅を2.15μmにすることは、1525〜1530nmの発振波長帯で発振するレーザLD1においては最適な設計であるが、他の発振波長帯、特に1560〜1565nmの発振波長帯で発振するレーザLD8においては最適な設計から外れてしまう。
同様に、図5中、実線Bで示すように、波長制御導波路部1Bの幅を2.0μmにし、利得導波路部1Aの幅を2.05μmにする場合、あるいは、図5中、実線Cで示すように、波長制御導波路部1Bの幅を2.0μmにし、利得導波路部1Aの幅を2.10μmにする場合も、上述の場合と同様に、一の発振波長帯で発振するレーザでは最適な設計になるものの、他の発振波長帯で発振するレーザでは最適な設計から外れてしまう。
そこで、本実施形態では、全てのレーザLD1〜LD8において、波長制御導波路部1Bの幅を2.0μmに固定する一方、利得導波路部1Aの幅は、図6に示すように、レーザLD8が最も狭くなり、発振波長帯が短波長になるほど導波路幅が広くなり、レーザLD1で最も広くなるように、レーザLD8,LD7,LD6,LD5,LD4,LD3,LD2,LD1のそれぞれについて、順に、2.00μm、2.02μm、2.04μm、2.06μm、2.09μm、2.11μm、2.13μm、2.15μmに設定している。
つまり、本実施形態では、最も長波長側の発振波長帯で発振するレーザLD8の利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの幅をいずれも2.0μmとし、電流を注入していない状態で、等価屈折率差が安定した単一モード発振を得るための最適値(ここでは0.115%程度)となるようにした上で(例えば図5中、実線A参照)、他のレーザLD1〜LD7における利得導波路部1Aの幅を発振波長帯が短波長になるにしたがって徐々に増加させ、各利得導波路部1Aの等価屈折率を発振波長帯が短波長になるにしたがって徐々に増加させることによって、発振波長帯が短波長側になるにしたがって大きくなる等価屈折率差を補償できるようにしている。
例えば、レーザLD1において利得導波路部1Aの導波路幅を2.15μmにすると、導波路幅が2.0μmの場合と比べて等価屈折率が0.04%程度増加する。これにより、1525nm付近で最適値よりも0.04%程度小さくなってしまう利得導波路部1Aの等価屈折率の不足分を補うことができ、発振波長帯が最も短波長側のレーザLD1においても、等価屈折率差を安定した単一モード発振を得るための最適値(ここでは0.115%程度)にすることができる(例えば図5中、実線D参照)。
これにより、最も長波長側の発振波長帯で発振するレーザLD8を最適な設計にした場合に、最も短波長側の発振波長帯で発振するレーザLD1においても、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な値だけ長波長側へずらすことができる。
同様に、他のレーザLD2〜LD7においても、それぞれ、利得導波路部1Aの幅を上述のように設定することで等価屈折率を増加させることができ、等価屈折率差を安定した単一モード発振を得るための最適値(ここでは0.115%程度)にすることができる(例えば図5中、実線B,C参照)。これにより、他のレーザLD2〜LD7においても、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な値だけ長波長側へずらすことができる。
上述のように、本実施形態では、一の波長可変レーザ(ここではLD8)の等価屈折率差が最適値になるように設計した上で、他の波長可変レーザ(ここではLD1〜LD7)は、波長制御導波路部1Bの幅を全て同一にし、利得導波路部1Aの幅を発振波長帯に応じて調整することによって、全てのレーザLD1〜LD8において等価屈折率差が最適値になるようにし、安定した単一モード発振が得られるようにしている。
次に、本実施形態の半導体集積素子の製造方法の概略を説明する。
なお、各半導体層は、例えばMOCVD法などを用いて形成される。
まず初めに、一般的なDFBレーザの作製方法と同様の方法で、図1及び図2に示すように、n型InP基板4上の光導波路1(利得導波路部1A及び波長制御導波路部1B)が配置される箇所に回折格子層2を形成する。
例えば、n型InP基板(必要に応じてn型InPバッファ層を含むものとする)4上に、InGaAsP層を形成した後、その上面にレジストを塗布し、電子ビーム描画を用いて回折格子のパターンを形成する。その後、ドライエッチングなどの方法を用いてInGaAsP層の一部を周期的に除去し、その上にn型InPバッファ層5を成長させて回折格子層2を形成する。
次いで、図2に示すように、回折格子層2上、即ち、n型InPバッファ層5上に、利得導波路部1Aを構成するInGaAsP活性層(歪MQW層及び上下のSCH層)6、p型InPクラッド層7の一部を順に積層させて形成する。
次に、SiO2膜(誘電体膜)を上面に形成し、一般的なパターンニング技術を用いて、8つのレーザLD1〜LD8を構成する利得導波路部1Aを形成する領域を含んで光軸方向に直交する方向に延びる帯状の領域が残るように、光軸方向に周期的に除去してパターニングを行なう。
次に、パターニングされたSiO2膜をマスクとして、利得導波路部1Aを構成するInGaAsP活性層6及びp型InPクラッド層7を、例えばウェットエッチングを用いて光軸方向に周期的に除去し、図2に示すように、除去した部分に波長制御導波路部1Bを構成するInGaAsPバルク層9、p型InPクラッド層7の一部を順に積層させて形成する。
そして、SiO2膜を全て除去し、図2に示すように、さらにp型InPクラッド層7の残りの部分を全面に積層させて形成する。
以上のようにして、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aを形成する領域を含んで光軸方向に直交する方向に延びる帯状の領域と、波長制御導波路部1Bを形成する領域を含んで光軸方向に直交する方向に延びる帯状の領域とが光軸方向に周期的に形成された光導波路構造が形成される。
その後、上述のようにして形成された光導波路構造上(即ち、p型InPクラッド層7上)にSiO2膜(誘電体膜)を形成し、一般的なパターニング技術を用いて、各レーザLD1〜LD8を構成する所望の幅の利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを形成する領域(図1参照)が残るようにパターニングを行なう。
ここでは、各レーザLD1〜LD8の波長制御導波路部1Bの幅が2.0μmで全て同一となり、利得導波路部1Aの幅が、レーザLD8,LD7,LD6,LD5,LD4,LD3,LD2,LD1のそれぞれについて、それぞれ、2.00μm、2.02μm、2.04μm、2.06μm、2.09μm、2.11μm、2.13μm、2.15μmとなるように、マスクパターンとして残されるSiO2膜の幅を設定している。
このように、フォトマスクとして用いられるSiO2膜の寸法を調整するだけで、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aの幅を調整することができるため、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aの幅を変えるために特に追加の工程を入れる必要がなく、作製が容易である。
次いで、パターニングされたSiO2膜をマスクとして例えばドライエッチングを行ない、マスク直下の部分以外の利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを構成する各層を除去し、メサ形状に加工してメサ構造を形成する(図1参照)。
その後、このようにして形成されたメサ構造を、例えばFeをドーピングした高抵抗InP埋込層12で埋め込み(図1参照)、一般的な電極形成技術を用いて、図2に示すように、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bに独立に電流を注入するためのp側電極3A,3B(上面)と、n側電極3C(基板裏面)とを形成する。
ここでは、利得導波路部1Aの上方にコンタクト層8Aを介して利得電極(p側電極)3Aを形成し、下方に共通電極(n側電極)3Cを形成する。また、波長制御導波路部1Bの上方にコンタクト層8Bを介して波長制御電極(p側電極)3Bを形成し、下方に共通電極(n側電極)3Cを形成する。
また、図2に示すように、コンタクト層8A,8B、波長制御電極(p側電極)3B及び利得電極(p側電極)3Aが形成されていない領域に、SiO2膜(パッシベーション膜)10を形成する。つまり、コンタクト層8A,8Bを形成した後、全面にSiO2膜10を形成し、コンタクト層8A,8B上のSiO2膜10のみを除去し、コンタクト層8A,8B上にp側電極3A,3Bを形成することで、コンタクト層8A,8B、p側電極3A,3Bが形成されていない領域にSiO2膜10を形成する。
最後に、へき開によって素子を切り出し、両端面に無反射コーティングを施す。
このようにして、光軸方向に周期的に(交互に)利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bとが配置された光導波路構造を有する8つの波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8を備える半導体集積素子が形成される。
したがって、本実施形態にかかる半導体集積素子によれば、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8を同一半導体基板4上に集積する場合に、全ての波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8において(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるという利点がある。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態にかかる半導体集積素子について、図7,8を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体集積素子(アレイ集積型波長可変レーザ)は、上述の第1実施形態のものに対し、各波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8の利得導波路部及び波長制御導波路部の幅が異なる。
つまり、本実施形態では、図7に示すように、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aの幅は全て同一にし、波長制御導波路部1Bの幅は互いに異なり、最も長波長側の発振波長帯を有するレーザLD8が最も広くなり、発振波長が短波長側になるにしたがって狭くなり、最も短波長側の発振波長帯を有するレーザLD1が最も狭くなるようにしている。なお、各レーザLD1〜LD8は、全て、同一の層構造,材料・組成,厚さの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bを有するものとしている。また、図7では、上述の第1実施形態(図1参照)と同一のものには同一の符号を付している。
要するに、本実施形態では、複数のレーザLD1〜LD8のうち、一のレーザにおける波長制御導波路部1Bの幅が、一のレーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他のレーザにおける波長制御導波路部1Bの幅よりも広くなり、複数のレーザLD1〜LD8のうち、一のレーザにおける波長制御導波路部1Bの幅を利得導波路部1Aの幅で割った値(即ち、利得導波路部1Aの幅に対する波長制御導波路部1Bの幅の割合)が、一のレーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他のレーザにおける波長制御導波路部1Bの幅を利得導波路部1Aの幅で割った値よりも大きくなるようにしている。
ここで、上述のように、発振波長が短波長側になるほど波長制御導波路部1Bの幅が狭くなるようにすることで、利得導波路部1Aに対して等価屈折率が大きすぎる分を補償でき、全てのレーザLD1〜LD8における両導波路部の等価屈折率差を所望の範囲内(例えば0.02%以内)に設定できることになる。
これにより、発振波長帯が異なる複数のレーザLD1〜LD8を同一半導体基板4上に形成する場合、電流を注入していない状態で、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの等価屈折率差が所望の範囲内になり、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtが、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して所望の範囲内で長波長側へずれるようになる。この結果、どの発振波長帯においても安定した単一モード発振が得られるようになり、また、比較的広い波長可変範囲が得られるようになる。
具体的には、本実施形態では、全てのレーザLD1〜LD8において、利得導波路部1Aの幅を2.0μmに固定する一方、波長制御導波路部1Bの幅は、図8に示すように、レーザLD8が最も広くなり、発振波長帯が短波長になるほど導波路幅が狭くなり、レーザLD1で最も狭くなるように、レーザLD8,LD7,LD6,LD5,LD4,LD3,LD2,LD1のそれぞれについて、順に、2.00μm、1.99μm、1.97μm、1.96μm、1.94μm、1.93μm、1.91μm、1.90μmに設定している。
つまり、本実施形態では、最も長波長側の発振波長帯で発振するレーザLD8の利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの幅をいずれも2.0μmとし、電流を注入していない状態で、等価屈折率差が安定した単一モード発振を得るための最適値(ここでは0.115%程度)となるようにした上で(例えば図5中、実線A参照)、他のレーザLD1〜LD7の波長制御導波路部1Bの幅を発振波長帯が短波長になるにしたがって徐々に減少させ、各波長制御導波路部1Bの等価屈折率を発振波長帯が短波長になるにしたがって徐々に減少させることによって、発振波長帯が短波長側になるにしたがって大きくなる等価屈折率差を補償できるようにしている。
このように、本実施形態では、一の波長可変レーザ(ここではLD8)の等価屈折率差が最適値になるように設計した上で、他の波長可変レーザ(ここではLD1〜LD7)は、利得導波路部1Aの幅を全て同一にし、波長制御導波路部1Bの幅を発振波長帯に応じて調整することによって、全てのレーザLD1〜LD8において等価屈折率差が最適値になるようにし、安定した単一モード発振が得られるようにしている。
なお、その他の構成(例えば、利得導波路部1Aや波長制御導波路部1Bの層構造、集積するレーザの個数、発振波長帯の設定等)及び製造方法は、上述の第1実施形態のものと同じであるため、ここでは説明を省略する。
したがって、本実施形態にかかる半導体集積素子によれば、上述の第1実施形態のものと同様に、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8を同一半導体基板4上に集積する場合に、全ての波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8において(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるという利点がある。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態にかかる半導体集積素子について、図9を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体集積素子は、図9に示すように、同一半導体基板4上に、上述の第1実施形態のように異なる発振波長帯(波長可変範囲)を持ち、並列に配置された複数(ここでは8つ)の波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8と、複数(ここでは8つ)の結合導波路(曲がり導波路)21A〜21Hと、光結合器(光合流器)22と、光結合器22による損失を補償するための光増幅器(半導体光増幅器;SOA)23とを備え、これらを1つの素子内に集積したアレイ集積型波長可変レーザとして構成される。なお、図9では、上述の第1実施形態(図1参照)と同一のものには同一の符号を付している。
そして、各レーザLD1〜LD8は、それぞれ、各結合導波路21A〜21H及び光結合器22を介してSOA23に接続されており、各レーザLD1〜LD8から出射されるレーザ光(光出力)は、それぞれ、各結合導波路21A〜21Hを伝播し、各結合導波路21A〜21Hのそれぞれを伝播するレーザ光は光結合器22によって1つに結合され、光結合器22を介して伝播する光がSOA23によって増幅されるようになっている。
ここで、複数の結合導波路21A〜21H及び光結合器22は、例えばバンドギャップ波長1.3μmのInGaAsP層によって構成される。また、光結合器22としては、例えば多モード干渉(MMI)カプラやスターカプラなどを用いれば良い。
また、SOA23は、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部と同様の層構造(上述の第1実施形態参照)を持つものとして構成される。
このような構成によって、全てのレーザLD1〜LD8の光出射口が1つに集約され、かつ、十分な光出力が得られるため、レーザモジュールの組立などにおいて単一のレーザと同様に取り扱うことができ、さらに、広い波長範囲で安定した単一モード発振が得られる波長可変レーザを実現することができる。
なお、その他の波長可変レーザについての詳細な構成及び製造方法は、上述の第1実施形態のものと同じであるため、ここでは説明を省略する。
したがって、本実施形態にかかる半導体集積素子(アレイ集積型波長可変レーザ)によれば、上述の第1実施形態と同様に、発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8を同一半導体基板4上に集積する場合に、全ての波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8において(即ち、全ての発振波長帯において)、安定した単一モード発振が得られるという利点がある。
なお、本実施形態では、波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)として、上述の第1実施形態のように構成されたものを用いているが、これに限られるものではない。例えば、上述の第2実施形態のように構成されたものを用いても良い。
[その他]
なお、上述の各実施形態では、波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8の利得導波路部1A及び波長制御導波路部1BをInGaAsP系材料からなる層によって構成した場合の例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、他の半導体材料(例えばInGaAlAs系、GaInNAs系等)によって形成することもでき、この場合にも同様の効果が得られる。
また、上述の各実施形態では、発振波長帯が1.55μm帯の波長可変レーザを前提に説明しているが、これに限られるものではない。例えば1.3μm帯などの他の発振波長帯の波長可変レーザにも、本発明を適用することができる。
また、上述の各実施形態では、利得導波路部1Aの長さを30μmとし、波長制御導波路部1Bの長さを30μmとし、1対の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの長さの比率を1:1にした場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bはいかなる長さであっても良く、また、利得導波路部1Aの長さと波長制御導波路部1Bの長さとの比率も他の比率であっても良く、そのような場合であっても同様の効果が得られる。
また、上述の各実施形態では、回折格子2の周期は利得領域11Aと波長制御領域11Bとで同一にしているが、これに限られるものではなく、利得領域と波長制御領域とで回折格子の周期が異なるように構成しても良い。
また、上述の第1実施形態では、全てのレーザLD1〜LD8において波長制御導波路部1Bの幅を同一にし、利得導波路部1Aの幅を変化させるようにし、上述の第2実施形態では、全てのレーザLD1〜LD8において利得導波路部1Aの幅を同一にし、波長制御導波路部1Bの幅を変化させるようにして、それぞれ別個に説明しているが、これらの実施形態の構成を組み合わせても良い。つまり、短波長側で発振する波長可変レーザの利得導波路の幅を広くするのと同時に、波長制御導波路の幅を狭くするようにしても良い。
また、上述の各実施形態では、等価屈折率差の最適値を0.115%程度として説明しているが、この値は利得導波路部1Aの長さ、波長制御導波路部1Bの長さ、1対の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの長さの比率によって変わるものであり、等価屈折率差の最適値はこの値に限定されるものではなく、異なる発振波長を持つ複数の波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)において、いずれも、等価屈折率差が最適値あるいは最適な範囲になるように構成されていれば良い。
さらに、上述の各実施形態では、全ての波長可変レーザ(TDA−DFBレーザ)LD1〜LD8において等価屈折率差が最適値になるように、全てのレーザLD1〜LD8の利得導波路部1A又は波長制御導波路部1Bの幅を変えているが(即ち、複数の波長可変レーザの中のいずれの2つのレーザにおいても利得導波路部1A又は波長制御導波路部1Bの幅が異なるようにしているが)、これに限られるものではなく、例えば、各レーザの利得導波路部又は波長制御導波路部の幅を段階的に変えるようにしても良い。
例えば、上述の第1実施形態の構成において、各レーザLD1〜LD8の波長制御導波路部1Bの幅は2.00μmに固定し、4つのレーザLD8〜LD5は、利得導波路部1Aの幅を2.00μmにし、4つのレーザLD4〜LD1は、利得導波路部1Aの幅を2.09μmにするというように、導波路幅を2段階に変えるようにしても良い。同様に、上述の第2実施形態の構成において、各レーザLD1〜LD8の利得導波路部1Aの幅は2.00μmに固定し、4つのレーザLD8〜LD5は、波長制御導波路部1Bの幅を2.00μmにし、4つのレーザLD4〜LD1は、波長制御導波路部1Bの幅を1.94μmにするというように、導波路幅を2段階に変えるようにしても良い。
この場合、レーザLD8,LD4は、等価屈折率差が最適値になるものの、他のレーザLD7〜LD5,LD3〜LD1は最適値からずれてしまうことになるが、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して所望の範囲内で長波長側へずらすことができれば、安定した単一モード発振が得られることになる。
また、複数のレーザの中で等価屈折率差が、安定した単一モード発振が得られる最適な範囲外(許容範囲外)になっているもののみ利得導波路部又は波長制御導波路部の導波路幅を変えるようにしても良い。
例えば、上述の第1実施形態及び第2実施形態の構成において、全てのレーザの利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの幅を同一にした場合に、レーザLD1のみが等価屈折率差が許容範囲外になっているときは、それが許容範囲内になるように、波長可変レーザLD1の利得導波路部1Aの幅を広くするか、あるいは、波長制御導波路部1Bの幅を狭くするだけでも良い。
この場合、レーザLD8は等価屈折率差が最適値になるものの、他の波長可変レーザLD7〜LD1は最適値からずれてしまうことになるが、利得導波路部1Aに電流を注入し、波長制御導波路部1Bに電流を注入していない状態で、波長制御領域11Bのブラッグ波長λtを、利得領域11Aのブラッグ波長λaに対して最適な範囲内で長波長側へずらすことができれば、安定した単一モード発振が得られることになる。
また、上述の各実施形態では、最も長波長側の発振波長帯を有するレーザLD8の利得導波路部1Aと波長制御導波路部1Bの幅を同一にし、この場合に最適な等価屈折率差が得られるように、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bの導波路構造(層構造),材料・組成,厚さを設定しているが、これに限られるものではなく、他の波長可変レーザ(LD1〜LD7のいずれかであっても良いし、それ以外のものであっても良い)において、利得導波路部と波長制御導波路部の幅を同一にして最適な等価屈折率差が得られるように、利得導波路部及び波長制御導波路部の導波路構造(層構造),材料・組成,厚さを設定しても良い。
例えば、上述の各実施形態では、最も長波長側の発振波長帯を有するレーザLD8を基準にして設計しているため、それよりも短波長側の発振波長帯で発振するレーザLD7〜LD1の利得導波路部1Aの幅を広くし、あるいは、波長制御導波路部1Bの幅を狭くしているが、例えば、最も短波長側の発振波長帯を有するレーザLD1を基準にして設計する場合には、それよりも長波長側の発振波長帯で発振するレーザLD8〜LD2の利得導波路部1Aの幅を狭くし、あるいは、波長制御導波路部1Bの幅を広くすることになる。
また、例えば、本半導体集積素子を構成する8つの波長可変レーザ以外の仮想的な波長可変レーザを基準にして設計する場合には、半導体集積素子を構成する全ての波長可変レーザにおいて、利得導波路部の幅と波長制御導波路部の幅とが異なるものとなる。
要するに、複数の波長可変レーザのうち、一の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅を利得導波路部の幅で割った値(即ち、利得導波路部の幅に対する波長制御導波路部の幅の割合)が、一の波長可変レーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他の波長可変レーザの波長制御導波路部の幅を利得導波路部の幅で割った値よりも大きくなれば良い。
また、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。

Claims (9)

  1. 同一半導体基板上に、回折格子の周期が異なることで発振波長帯が異なる複数の波長可変レーザを備え、
    前記各波長可変レーザが、電流注入によって利得を発生しうる利得導波路部と、電流注入又は電圧印加によって発振波長を制御しうる波長制御導波路部とを光軸方向に交互に有する光導波路と、前記光導波路の全長にわたって前記光導波路に沿って設けられる回折格子とを備え、
    前記各波長可変レーザの前記利得導波路部が、同一の層構造,材料・組成,厚さを有し、
    前記各波長可変レーザの前記波長制御導波路部が、同一の層構造,材料・組成,厚さを有し、
    発振波長帯が短波長になると大きくなる前記利得導波路部と前記波長制御導波路部の等価屈折率差が補償されるように、前記複数の波長可変レーザのうち、一の波長可変レーザにおける前記波長制御導波路部の幅を前記利得導波路部の幅で割った値が、前記一の波長可変レーザの発振波長帯に対して短波長側で発振する他の波長可変レーザにおける前記波長制御導波路部の幅を前記利得導波路部の幅で割った値よりも大きくなっていることを特徴とする、半導体集積素子。
  2. 前記一の波長可変レーザにおける利得導波路部の幅が、前記他の波長可変レーザにおける利得導波路部の幅よりも狭いことを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
  3. 前記一の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅が、前記他の波長可変レーザにおける波長制御導波路部の幅よりも広いことを特徴とする、請求項1又は2記載の半導体集積素子。
  4. 前記各波長可変レーザは、前記利得導波路部の幅が互いに異なることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
  5. 前記各波長可変レーザは、前記波長制御導波路部の幅が全て同一であることを特徴とする、請求項4記載の半導体集積素子。
  6. 前記各波長可変レーザは、前記波長制御導波路部の幅が互いに異なることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
  7. 前記各波長可変レーザは、前記利得導波路部の幅が全て同一であることを特徴とする、請求項6記載の半導体集積素子。
  8. 前記各波長可変レーザは、前記利得導波路部の幅が段階的に変えられていることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子。
  9. 前記各波長可変レーザは、前記波長制御導波路部の幅が段階的に変えられていることを特徴とする、請求項1記載の半導体集積素子
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