JP4825150B2 - 光半導体集積素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このような波長分割多重通信システムにおいて、柔軟かつ高度な通信システムを実現するために、広い波長範囲で高速に所望の波長を選択しうる波長可変レーザが強く求められている。
このようなアレイ集積型波長可変レーザにおいて、広帯域かつ高速波長可変動作を実現するためには、集積される個々の波長可変レーザの波長可変範囲を広くし、かつ、波長可変動作を速くすることが要求される。
つまり、まず、図10(A)に示すように、回折格子を含む回折格子層101が形成されたInP基板100上に、TDA−DFBレーザ及びSOAの活性層102及びクラッド層103を、例えば有機金属気相成長法(MOCVD法)によって成長させて形成する。
しかしながら、通常、この活性層はTDA−DFBレーザの活性層として最適化された積層構造にするため、SOAの活性層として使用するには膜厚が厚すぎ、光閉じ込めが大きくなってしまう。このため、光通信システムに適用するための十分な飽和光出力が得られていない。
しかしながら、上述のような作製手順を用いてSOAの活性層の厚さを変更するためには、TDA−DFBレーザの活性層とSOAの活性層とを別々に成長させる必要があり、この場合、バットジョイント成長を1回追加して行なわなければならないため、製造コストが大きくなってしまうことになる。
本実施形態にかかる光半導体集積素子は、例えば図3に示すように、異なる波長可変幅を持ち(例えば数nm〜十数nmの波長可変範囲を持ち)、かつ、互いに並列に配置されている複数の波長可変レーザ(波長可変レーザアレイ;ここではTDA−DFBレーザ)1と、半導体光増幅器(SOA)2と、波長可変レーザ1とSOA2との間に設けられた光結合器3と、これらを接続するように設けられた光導波路4とを、同一半導体基板上に集積したアレイ集積型波長可変レーザである。
また、波長可変レーザ1は、図1(G)に示すように、利得導波路部1A及び波長制御導波路部1Bによって構成される光導波路の全長にわたって、この光導波路に沿って回折格子(回折格子層11)が設けられている。
光導波路4としては、図3に示すように、複数の波長可変レーザ1のそれぞれから出射される光を光結合器3まで伝搬する複数の光導波路4Aと、光結合器3によって結合された光をSOA2まで伝播する光導波路4Bとが設けられている。
具体的には、波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15Aの厚さが、SOA2を構成する活性層15Bの厚さよりも15%以上厚くなっている。
まず、図1(A)に示すように、半導体基板10上に回折格子を含む回折格子層11を形成した後、この回折格子層11上に波長可変レーザ(ここではTDA−DFBレーザ)1の波長制御導波路部1Bの積層構造、即ち、波長制御導波路部1Bを構成する波長制御層12及びクラッド層13を、例えば有機金属気相成長法(MOCVD法)によって成長させて形成する。
このようなマスク14を用いてバットジョイント成長させる場合、波長可変レーザ1を形成する波長可変レーザ部20は、マスク14による被覆率が高いため、選択成長効果が大きく、一方、SOA2を形成するSOA部22は、マスクが存在しないため、選択成長効果が得られない。
例えば、図2に示すように、複数のTDA−DFBレーザ1の間隔(アレイ間隔)(Wa)を60μmとし、各TDA−DFBレーザ1の幅(利得導波路部形成用バットジョイントマスクの幅)(Wm)を10μmとし、TDA−DFBレーザ1の利得導波路部1A(活性層)及び波長制御導波路部1Bの長さをいずれも30μmとし、TDA−DFBレーザ部20の長さを700μmとし、光導波路部21の長さを1200μmとし、SOA部22の長さを800μmとして実験したところ、TDA−DFBレーザ1の活性層の厚さはSOA2の活性層の厚さよりも20%厚くなることが確認できた。
また、光導波路部21の長さ(即ち、TDA−DFBレーザ部20とSOA部22との距離)は、少なくとも150μm以上あれば、TDA−DFBレーザ1の活性層の厚さをSOA2の活性層の厚さよりも15%以上厚くすることができる。
このように、波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15Aと波長制御層12を成長させる順番を入れ替えることによって、1回の成長で波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15AとSOA2を構成する活性層15Bとを同時に形成しながら、SOA2を構成する活性層15Bの厚さがTDA−DFBレーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15Aの厚さよりも薄くなる構造を実現できることになる。
つまり、本光半導体集積素子は上述のような製造方法によって製造することで、波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15AとSOA2を構成する活性層15Bとが、例えば有機金属気層成長法を用いた選択成長によって同時に形成されるようにして、バットジョイント成長の回数を増やすことなく、SOA2を構成する活性層15Bの厚さが波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15Aの厚さよりも薄くなるようにすることができる。
また、各TDA−DFBレーザ1の波長制御層12への注入電流を同一にした場合、本出願人が先願で採用していた手順で作製する場合と比べ、上述のような製造方法によって製造した方が、各TDA−DFBレーザ1の波長可変量(波長可変幅)が大きくなることが確認されている。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
例えば、一つの波長可変レーザ、半導体光増幅器、光導波路を同一基板上に集積した光半導体集積素子に本発明を適用することもできる。
この場合、光半導体集積素子は、図4(G)に示すように、波長可変レーザ1が形成されている領域(波長可変レーザ部;ここではTDA−DFBレーザ部)20と、SOA2が形成されている領域(SOA部)22と、EA変調器60が形成されている領域(EA変調器部)61とを備える。なお、図4では、図1に示したものと同一のものには同一の符号を付している。
以下、本変形例にかかる光半導体集積素子の製造方法について、図4を参照しながら説明する。
次に、利得導波路部形成用マスク14を除去した後、図4(E)に示すように、波長可変レーザ1の利得導波路部1A、波長制御導波路部1B及びSOA2の積層構造の上に(即ち、クラッド層13,16上に)、EA変調器60を形成するためのマスク(EA変調器形成用バットジョイントマスク)62を形成し、図4(F)に示すように、マスク62を用いてSOA2の積層構造の一部(即ち、活性層15及びクラッド層16の一部)をエッチングして除去する。これにより、波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15A及びクラッド層16A、並びに、SOA2を構成する活性層15B及びクラッド層16Bが形成される。ここでは、波長可変レーザ1とSOA2は光導波路を介さずに直接接合されたものとして形成される。
このように、波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15Aと波長制御層12を成長させる順番を入れ替えることによって、1回の成長で波長可変レーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15AとSOA2を構成する活性層15Bとを同時に形成しながら、SOA2を構成する活性層15Bの厚さがTDA−DFBレーザ1の利得導波路部1Aを構成する活性層15Aの厚さよりも薄くなる構造を実現できることになる。
また、上述の実施形態にかかる光半導体集積素子、即ち、複数の波長可変レーザ、光結合器、半導体光増幅器、光導波路を備えるアレイ集積型波長可変レーザにおいて、さらに、半導体光増幅器の端部に電界吸収型光変調器(EA変調器)を集積したものに本発明を適用することもできる。
[実施例1]
ここで、図5,図6は、本実施例1にかかる光半導体集積素子、即ち、TDA−DFBレーザ(波長可変レーザ)1、光導波路4(光結合器3を含む)、SOA2を集積化した素子の製造工程を示している。
次に、図5(A)に示すように、n型InGaAsP回折格子層31及びn型InPスペーサ層32上に、例えばMOCVD法によって、InGaAsPからなる下部SCH層33、InGaAsPからなる波長制御層34、InGaAsPからなる上部SCH層35、p型InPからなるクラッド層36、p型InGaAsPからなるキャップ層37、p型InPからなるキャップ層38を順に積層し、TDA−DFBレーザ1の波長制御導波路部1Bの積層構造を形成する。なお、図5(A)〜(G)では、下部SCH層33、波長制御層34、上部SCH層35をまとめて示している。
次いで、p型InPキャップ層38上にSiO2膜を成膜し、例えばリソグラフィー技術によってパターニングして、図5(A)に示すように、TDA−DFBレーザ1の利得導波路部1Aを形成するためのマスクパターン(第1マスクパターン)を有する利得導波路部形成用バットジョイントマスク39を形成する。
ここでは、まず、p型InPキャップ層38を、例えば塩酸と酢酸と水の混合液によってエッチングし、次いで、p型InGaAsPキャップ層37を、例えば硫酸と過酸化水素水と水の混合液によってエッチングする。この場合、図5(B)に示すように、マスクの下側までえぐられるようにp型InPキャップ層38及びp型InGaAsPキャップ層37はサイドエッチングされ、利得導波路部形成用バットジョイントマスク39及びp型InPキャップ層38がひさし状に残ることになる。
次に、エッチングされた領域[TDA−DFBレーザ1の利得導波路部1A、光導波路部21及びSOA部22]に、図5(C)に示すように、利得導波路部形成用バットジョイントマスク39を用いて、例えばMOCVD法によって、InGaAsPからなる下部SCH層40、InGaAsP/InGaAsPからなるMQW活性層41、InGaAsPからなる上部SCH層42、p型InPからなるクラッド層43、p型InGaAsPからなるキャップ層44、p型InPからなるキャップ層45を順に選択成長(バットジョイント成長)させ、TDA−DFBレーザ1の利得導波路部1A及びSOA2の積層構造を同時に形成する。つまり、TDA−DFBレーザ1の活性層とSOA2の活性層とが選択成長によって同時に形成される。
次に、利得導波路部形成用バットジョイントマスク(第1マスクパターン)39を除去した後、TDA−DFBレーザ1の利得導波路部1A、波長制御導波路部1B及びSOA2の積層構造の上に、再度、SiO2膜を成膜し、例えばリソグラフィー技術によってパターニングして、図5(D)に示すように、光導波路を形成するためのマスクパターン(第2マスクパターン)を有する光導波路用バットジョイントマスク46を形成する。
その後、エッチングされた領域[光導波路部21]に、図5(F)に示すように、光導波路用バットジョイントマスク46を用いて、例えばMOCVD法によって、InGaAsPからなるコア層47、n型InPからなるクラッド層48を順に選択成長(バットジョイント成長)させ、光導波路4(光結合器3を含む)の積層構造を形成する。
次に、SiO2膜を成膜し、例えばリソグラフィー技術によってパターニングして、図6(A)に示すように、メサストライプを形成するためのマスクパターン(メサストライプ形成用マスクパターン)を有するメサストライプ形成用マスク51を形成し、例えばドライエッチングによって、例えば幅1〜2μmのメサストライプ52を形成する。
このようにして、TDA−DFBレーザ1、光導波路4(光結合器3を含む)、SOA2を集積化した光半導体集積素子(アレイ集積型波長可変レーザ)が製造される。
[実施例2]
ここで、図7,図8は、本実施例2にかかる光半導体集積素子、即ち、TDA−DFBレーザ(波長可変レーザ)1、SOA2、EA変調器60を集積化した素子の製造工程を示している。なお、図7では、図5に示したものと同一のものには同一の符号を付している。また、図8では、図6に示したものと同一のものには同一の符号を付している。
まず、図7(A)〜(C)に示すように、上述の実施例1[図5(A)〜(C)参照]と同様に、波長可変レーザ1及びSOA2の積層構造が形成される。
次に、利得導波路部形成用バットジョイントマスク(第1マスクパターン)39を除去した後、TDA−DFBレーザ1の利得導波路部1A、波長制御導波路部1B及びSOA2の積層構造の上に、再度、SiO2膜を成膜し、例えばリソグラフィー技術によってパターニングして、図7(D)に示すように、EA変調器60を形成するためのマスクパターン(第2マスクパターン)を有するEA変調器用バットジョイントマスク65を形成する。
その後、エッチングされた領域[EA変調器部61]に、図7(F)に示すように、EA変調器用バットジョイントマスク65を用いて、例えばMOCVD法によって、InGaAsPからなる活性層66、p型InPからなるクラッド層67を順に選択成長(バットジョイント成長)させ、EA変調器60の積層構造を形成する。
次に、SiO2膜を成膜し、例えばリソグラフィー技術によってパターニングして、図8(A)に示すように、メサストライプを形成するためのマスクパターン(メサストライプ形成用マスクパターン)を有するメサストライプ形成用マスク51を形成し、例えばドライエッチングによって、例えば幅1〜2μmのメサストライプ52を形成する。
このようにして、TDA−DFBレーザ1、SOA2、EA変調器60を集積化した光半導体集積素子が製造される。
(付記1)
利得を発生しうる利得導波路部と、発振波長を制御しうる波長制御導波路部とを有する波長可変レーザと、
半導体光増幅器とを備え、
前記波長可変レーザ及び前記半導体光増幅器が同一基板上に集積されており、
前記半導体光増幅器の積層構造と前記波長可変レーザの利得導波路部の積層構造が同じであり、且つ、前記半導体光増幅器を構成する活性層の厚さが前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層の厚さよりも薄いことを特徴とする光半導体集積素子。
前記波長可変レーザからの光を伝播する光導波路を備え、
前記波長可変レーザ、前記半導体光増幅器及び前記光導波路が同一基板上に集積されていることを特徴とする、付記1記載の光半導体集積素子。
(付記3)
前記波長可変レーザとして、異なる波長可変幅を持つ複数の波長可変レーザが並べて設けられており、
前記波長可変レーザと前記半導体光増幅器との間に備えられる前記光導波路の一部が光結合器として機能するように構成されることを特徴とする、付記2記載の光半導体集積素子。
前記半導体光増幅器を介して入射する光を変調する電界吸収型光変調器を備え、
前記波長可変レーザ、前記半導体光増幅器及び前記電界吸収型光変調器が同一基板上に集積されていることを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光半導体集積素子。
前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層の厚さが、前記半導体光増幅器を構成する活性層の厚さよりも15%以上厚いことを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の光半導体集積素子。
(付記6)
半導体基板上に、波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造を形成し、
前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の上に、前記波長可変レーザの利得導波路部を形成するための利得導波路部形成用マスクを形成し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の一部を除去し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて選択成長によって前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層と半導体光増幅器を構成する活性層とを同時に形成する、各工程を含むことを特徴とする光半導体集積素子の製造方法。
半導体基板上に、波長制御層、クラッド層、キャップ層を順に積層して、波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造を形成し、
前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の上に、前記波長可変レーザの利得導波路部を形成するための利得導波路部形成用マスクを形成し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の一部を除去し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて選択成長によって前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層と半導体光増幅器を構成する活性層とを同時に形成し、
前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層及び前記半導体光増幅器を構成する活性層上に、クラッド層、キャップ層を順に積層して前記波長可変レーザの利得導波路部及び前記半導体光増幅器の積層構造を形成し、
前記利得導波路部形成用マスクを除去した後、前記波長可変レーザの波長制御導波路部、利得導波路部及び前記半導体光増幅器の積層構造の上に、光導波路を形成するための光導波路形成用マスクを形成し、
前記光導波路形成用マスクを用いて前記波長可変レーザの利得導波路部又は前記半導体光増幅器の積層構造の一部を除去し、
前記光導波路形成用マスクを用いて選択成長によって前記光導波路を構成するコア層及びクラッド層を形成した後、前記キャップ層を除去する、各工程を含むことを特徴とする、光半導体集積素子の製造方法。
半導体基板上に、波長制御層、クラッド層、キャップ層を順に積層して、波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造を形成し、
前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の上に、前記波長可変レーザの利得導波路部を形成するための利得導波路部形成用マスクを形成し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の一部を除去し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて選択成長によって前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層と半導体光増幅器を構成する活性層とを同時に形成し、
前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層及び前記半導体光増幅器を構成する活性層上に、クラッド層、キャップ層を順に積層して前記波長可変レーザの利得導波路部及び前記半導体光増幅器の積層構造を形成し、
前記利得導波路部形成用マスクを除去した後、前記波長可変レーザの波長制御導波路部、利得導波路部及び前記半導体光増幅器の積層構造の上に、電界吸収型光変調器を形成するための電界吸収型光変調器形成用マスクを形成し、
前記電界吸収型光変調器形成用マスクを用いて前記半導体光増幅器の積層構造の一部を除去し、
前記電界吸収型光変調器形成用マスクを用いて選択成長によって前記電界吸収型光変調器を構成する活性層及びクラッド層を形成した後、前記キャップ層を除去する、各工程を含むことを特徴とする、光半導体集積素子の製造方法。
1A 利得導波路部
1B 波長制御導波路部
2 半導体光増幅器(SOA)
3 光結合器
4,4A,4B 光導波路
10 半導体基板
11 回折格子層
12 波長制御層
13 クラッド層
14 マスク(利得導波路部形成用マスク;活性層形成用バットジョイントマスク)
15,15A,15B 活性層
16,16A,16B クラッド層
17 マスク(光導波路形成用バットジョイントマスク)
18 コア層
19 クラッド層
20 波長可変レーザ部(TDA−DFBレーザ部)
21 光導波路部
22 SOA部
30 n型InP基板
31 n型InGaAsP回折格子層
32 n型InPスペーサ層
33 InGaAsP下部SCH層
34 InGaAsP波長制御層
35 InGaAsP上部SCH層
36 p型InPクラッド層
37 p型InGaAsPキャップ層
38 p型InPキャップ層
39 利得導波路部形成用バットジョイントマスク
40 InGaAsP下部SCH層
41 InGaAsP/InGaAsPMQW活性層
42 InGaAsP上部SCH層
43 p型InPクラッド層
44 p型InGaAsPキャップ層
45 p型InPキャップ層
46 光導波路用バットジョイントマスク
47 InGaAsPコア層
48 n型InPクラッド層
49 p型InPクラッド層
50 p型InGaAsコンタクト層
51 メサストライプ形成用マスク
52 メサストライプ
53 半絶縁性InP層
54 p側電極
55 n側電極
60 電界吸収型光変調器(EA変調器)
61 EA変調器部
62 マスク(EA変調器形成用バットジョイントマスク)
63 活性層
64 クラッド層
65 EA変調器用バットジョイントマスク
66 InGaAsP活性層
67 p型InPクラッド層
Claims (6)
- 利得を発生しうる利得導波路部と、発振波長を制御しうる波長制御導波路部とを有する波長可変レーザと、
半導体光増幅器とを備え、
前記波長可変レーザ及び前記半導体光増幅器が同一基板上に集積されており、
前記半導体光増幅器の積層構造と前記波長可変レーザの利得導波路部の積層構造が同じであり、且つ、前記半導体光増幅器を構成する活性層の厚さが前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層の厚さよりも薄いことを特徴とする光半導体集積素子。 - 前記波長可変レーザからの光を伝播する光導波路を備え、
前記波長可変レーザ、前記半導体光増幅器及び前記光導波路が同一基板上に集積されていることを特徴とする、請求項1記載の光半導体集積素子。 - 前記波長可変レーザとして、異なる波長可変幅を持つ複数の波長可変レーザが並べて設けられており、
前記波長可変レーザと前記半導体光増幅器との間に備えられる前記光導波路の一部が光結合器として機能するように構成されることを特徴とする、請求項2記載の光半導体集積素子。 - 前記半導体光増幅器を介して入射する光を変調する電界吸収型光変調器を備え、
前記波長可変レーザ、前記半導体光増幅器及び前記電界吸収型光変調器が同一基板上に集積されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体集積素子。 - 前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層の厚さが、前記半導体光増幅器を構成する活性層の厚さよりも15%以上厚いことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体集積素子。
- 半導体基板上に、波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造を形成し、
前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の上に、前記波長可変レーザの利得導波路部を形成するための利得導波路部形成用マスクを形成し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて前記波長可変レーザの波長制御導波路部の積層構造の一部を除去し、
前記利得導波路部形成用マスクを用いて選択成長によって前記波長可変レーザの利得導波路部を構成する活性層と半導体光増幅器を構成する活性層とを同時に形成する、各工程を含むことを特徴とする光半導体集積素子の製造方法。
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JP2890745B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法および、光半導体装置の製造方法 |
JPH0766502A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその形成方法 |
JP3339596B2 (ja) * | 1993-09-16 | 2002-10-28 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅機能素子およびその製造方法 |
JP2002171023A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | 集積化光素子及び半導体レーザモジュール並びに光送信機 |
JP3985159B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2007-10-03 | 日本電気株式会社 | 利得クランプ型半導体光増幅器 |
JP4579033B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-11-10 | 富士通株式会社 | 光半導体装置とその駆動方法 |
JP4630128B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-02-09 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ装置および波長制御方法 |
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