JPS622478B2 - - Google Patents
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- JPS622478B2 JPS622478B2 JP14636381A JP14636381A JPS622478B2 JP S622478 B2 JPS622478 B2 JP S622478B2 JP 14636381 A JP14636381 A JP 14636381A JP 14636381 A JP14636381 A JP 14636381A JP S622478 B2 JPS622478 B2 JP S622478B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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- Electromagnetism (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、波長制御半導体レーザ素子を同一半
導体基板上に集積化した半導体レーザ装置の改良
に関する。
導体基板上に集積化した半導体レーザ装置の改良
に関する。
近時、光通信技術の発達に伴い波長多重通信技
術の向上が重要な課題となつている。波長多重通
信技術で最も必要とされるのは波長多重用光源で
ある。波長多重用光源としては、一般にスペクト
ル幅が狭く高速変調可能な半導体レーザ装置が用
いられている。しかし、通常の半導体レーザ装置
では周囲温度等による発振波長の変化が大きいた
め、上記波長多重用光源としてはDBR
（Distributed Bragg Reflector）レーザ、DFB
（Distributed Feedback）レーザ、およびGC
（Grating Coupled）レーザ等に代表される波長
制御半導体レーザが必要とされている。そして、
この波長制御半導体レーザの集積化が重要な開発
課題の１つとなつている。
術の向上が重要な課題となつている。波長多重通
信技術で最も必要とされるのは波長多重用光源で
ある。波長多重用光源としては、一般にスペクト
ル幅が狭く高速変調可能な半導体レーザ装置が用
いられている。しかし、通常の半導体レーザ装置
では周囲温度等による発振波長の変化が大きいた
め、上記波長多重用光源としてはDBR
（Distributed Bragg Reflector）レーザ、DFB
（Distributed Feedback）レーザ、およびGC
（Grating Coupled）レーザ等に代表される波長
制御半導体レーザが必要とされている。そして、
この波長制御半導体レーザの集積化が重要な開発
課題の１つとなつている。
従来、波長制御半導体レーザの集積化には、同
一の基板上にDBR，DFB，GCレーザ等を複数個
設けると共に、それぞれの発振波長に合わせた周
期の回折格子を設けるようにしている。しかしな
がら、この種の手法では後述するように回折格子
の多重露光技術や繰り返しエツチングが必要とな
り、技術的にも難しく、高密度の集積化はほとん
ど不可能であつた。
一の基板上にDBR，DFB，GCレーザ等を複数個
設けると共に、それぞれの発振波長に合わせた周
期の回折格子を設けるようにしている。しかしな
がら、この種の手法では後述するように回折格子
の多重露光技術や繰り返しエツチングが必要とな
り、技術的にも難しく、高密度の集積化はほとん
ど不可能であつた。
第１図は波長制御半導体レーザ素子を同一基板
上に集積化した従来の半導体レーザ装置を示す概
略構成図であり、第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断
面図である。半導体基板１上に導波路層２ａ，２
ｂ，２ｃおよび活性層３ａ，３ｂ，３ｃを積層し
てなる第１乃至第３のDFBレーザ素子４，５，
６がそれぞれ平行配置されている。これらのレー
ザ素子４，５，６の各導波路層２ａ，２ｂ，２ｃ
にはブラツグ反射波長λ１，λ２，λ３（λ１＜
λ２＜λ３）によつて決定される周期の回折格子
７ａ，７ｂ，７ｃがそれぞれ形成されている。ま
た、レーザ素子４，５，６の各右側端には反射鏡
８ａ，８ｂ，８ｃがそれぞれ設けられている。さ
らに、レーザ素子４，５，６の左方には合波器９
が設けられている。そして、レーザ素子４，５，
６からの各レーザ光は合波器９により合成され図
中左方向に出力されるものとなつている。
上に集積化した従来の半導体レーザ装置を示す概
略構成図であり、第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断
面図である。半導体基板１上に導波路層２ａ，２
ｂ，２ｃおよび活性層３ａ，３ｂ，３ｃを積層し
てなる第１乃至第３のDFBレーザ素子４，５，
６がそれぞれ平行配置されている。これらのレー
ザ素子４，５，６の各導波路層２ａ，２ｂ，２ｃ
にはブラツグ反射波長λ１，λ２，λ３（λ１＜
λ２＜λ３）によつて決定される周期の回折格子
７ａ，７ｂ，７ｃがそれぞれ形成されている。ま
た、レーザ素子４，５，６の各右側端には反射鏡
８ａ，８ｂ，８ｃがそれぞれ設けられている。さ
らに、レーザ素子４，５，６の左方には合波器９
が設けられている。そして、レーザ素子４，５，
６からの各レーザ光は合波器９により合成され図
中左方向に出力されるものとなつている。
このように従来の半導体レーザ装置では異なる
波長のレーザ光を得るため、回折格子７ａ，７
ｂ，７ｃの各周期を異なるものとしている。した
がつて、回折格子７ａ，７ｂ，７ｃを形成する際
に、微細パターン露光或いは２光束干渉露光が３
回必要となる。さらに、素子パターン形成のため
の露光も必要であり、少なくとも４回の多重露光
が必要である。このため、装置製造が極めて難し
く、しかも製造歩留りが悪いと云う問題があつ
た。
波長のレーザ光を得るため、回折格子７ａ，７
ｂ，７ｃの各周期を異なるものとしている。した
がつて、回折格子７ａ，７ｂ，７ｃを形成する際
に、微細パターン露光或いは２光束干渉露光が３
回必要となる。さらに、素子パターン形成のため
の露光も必要であり、少なくとも４回の多重露光
が必要である。このため、装置製造が極めて難し
く、しかも製造歩留りが悪いと云う問題があつ
た。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、異なる発光波長を有す
る複数の波長制御半導体レーザ素子を同一基板上
に集積化するに際し、各レーザ素子の回折素子を
形成するための露光を１回で済ませることがで
き、装置製造の容易化および製造歩留りの向上を
はかり得る実用性に優れた半導体レーザ装置を提
供することにある。
その目的とするところは、異なる発光波長を有す
る複数の波長制御半導体レーザ素子を同一基板上
に集積化するに際し、各レーザ素子の回折素子を
形成するための露光を１回で済ませることがで
き、装置製造の容易化および製造歩留りの向上を
はかり得る実用性に優れた半導体レーザ装置を提
供することにある。
まず、本発明の概要を説明する。発光波長の異
なる複数の波長制御半導体レーザ素子の各回折格
子を１回の露光で形成するためには、各回折格子
の格子方向および周期が同じでなければならな
い。しかし、上記格子方向および周期が同じであ
ると前記第１図に示した構成では各レーザ素子の
発光波長が等しいものとなる。これは、各レーザ
素子のゲイン領域（ゲイン方向）が回折格子の格
子方向とそれぞれ直交するためである。そこで本
発明等は鋭意研究を重ねた結果、波長制御半導体
レーザ素子のゲイン領域と回折格子の格子方向と
の交差角を直角からずらすことにより、回折格子
の周期が等価的に長くなることを見出した。すな
わち、同じ周期の回折格子を用いても、上記交差
角を変えることによつて発光波長を変え得ること
を見出した。
なる複数の波長制御半導体レーザ素子の各回折格
子を１回の露光で形成するためには、各回折格子
の格子方向および周期が同じでなければならな
い。しかし、上記格子方向および周期が同じであ
ると前記第１図に示した構成では各レーザ素子の
発光波長が等しいものとなる。これは、各レーザ
素子のゲイン領域（ゲイン方向）が回折格子の格
子方向とそれぞれ直交するためである。そこで本
発明等は鋭意研究を重ねた結果、波長制御半導体
レーザ素子のゲイン領域と回折格子の格子方向と
の交差角を直角からずらすことにより、回折格子
の周期が等価的に長くなることを見出した。すな
わち、同じ周期の回折格子を用いても、上記交差
角を変えることによつて発光波長を変え得ること
を見出した。
本発明はこのような点に着目し、複数の波長制
御半導体レーザ素子の各ゲイン領域にある回折格
子の格子方向および周期をそれぞれ同一のものと
し、さらに上記各ゲイン領域と回折格子の格子方
向に直交する方向との交差角をそれぞれ異なる角
度に設定するようにしたものである。
御半導体レーザ素子の各ゲイン領域にある回折格
子の格子方向および周期をそれぞれ同一のものと
し、さらに上記各ゲイン領域と回折格子の格子方
向に直交する方向との交差角をそれぞれ異なる角
度に設定するようにしたものである。
したがつて本発明によれば、異なる発光波長を
有する複数の波長制御半導体レーザ素子を同一期
板上に集積化するに際し、各レーザ素子のゲイン
領域にある回折格子を１回の露光で形成すること
ができる。このため、装置製造が容易となり、さ
らに製造歩留りの大幅な向上をはかり得る等の効
果を奏する。
有する複数の波長制御半導体レーザ素子を同一期
板上に集積化するに際し、各レーザ素子のゲイン
領域にある回折格子を１回の露光で形成すること
ができる。このため、装置製造が容易となり、さ
らに製造歩留りの大幅な向上をはかり得る等の効
果を奏する。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第３図は本発明の一実施例を示す概略構成図で
ある。なお、第１図と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。この実施例が
第１図に示した従来装置と異なる点は、第１乃至
第３の波長制御半導体レーザ素子１１，１２，１
３の各回折格子２０ａ，２０ｂ，２０ｃの格子方
向および周期をそれぞれ同一のものとし、さらに
各レーザ素子１１，１２，１３のゲイン方向を変
化させたことである。すなわち、第１のレーザ素
子１１はそのゲイン方向を回折格子２０ａの格子
方向と直交する方向に沿つて設けられている。ま
た、第２のレーザ素子１２は、そのゲイン方向と
回折格子２０ｂの格子方向に直交する方向との交
差角がθ１になるよう設けられている。さらに、
第３のレーザ素子１３はそのゲイン方向と回折格
子２０ｂの格子方向に直交する方向との交差角θ
２（θ２＞θ１）になるよう設けられている。
ある。なお、第１図と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。この実施例が
第１図に示した従来装置と異なる点は、第１乃至
第３の波長制御半導体レーザ素子１１，１２，１
３の各回折格子２０ａ，２０ｂ，２０ｃの格子方
向および周期をそれぞれ同一のものとし、さらに
各レーザ素子１１，１２，１３のゲイン方向を変
化させたことである。すなわち、第１のレーザ素
子１１はそのゲイン方向を回折格子２０ａの格子
方向と直交する方向に沿つて設けられている。ま
た、第２のレーザ素子１２は、そのゲイン方向と
回折格子２０ｂの格子方向に直交する方向との交
差角がθ１になるよう設けられている。さらに、
第３のレーザ素子１３はそのゲイン方向と回折格
子２０ｂの格子方向に直交する方向との交差角θ
２（θ２＞θ１）になるよう設けられている。
ここで、ゲイン方向と格子方向に直交する方向
との交差角をθとすると、得られる反射波長λ〓
は次式で表わされる。
との交差角をθとすると、得られる反射波長λ〓
は次式で表わされる。
λ〓＝λｐ／ｃｏｓθ …(1)
ただし、λpはθ＝０におけるブラツグ反射波
長である。このように交差角θを変えることによ
つて、反射波長λ〓が変わる。すなわち、同一方
向で同一周期の回折格子を用いても、上記交差角
θを適当に変えることによつてレーザ素子１１，
１２，１３の各発光波長が異なることになる。
長である。このように交差角θを変えることによ
つて、反射波長λ〓が変わる。すなわち、同一方
向で同一周期の回折格子を用いても、上記交差角
θを適当に変えることによつてレーザ素子１１，
１２，１３の各発光波長が異なることになる。
ところで、前記交差角θを定める上で重要とな
るのは自然発光波長とのずれによるゲインの減少
を考慮しなければならないことである。ゲイン量
が−３〔dB〕以下になると発振が困難になるの
で、交差角θを30度以下に抑える必要がある。こ
れは、交差角θが30度になると波長が約1.15倍と
なり、２重ヘテロ構造における自然発光ゲインの
約1/2となるためである。
るのは自然発光波長とのずれによるゲインの減少
を考慮しなければならないことである。ゲイン量
が−３〔dB〕以下になると発振が困難になるの
で、交差角θを30度以下に抑える必要がある。こ
れは、交差角θが30度になると波長が約1.15倍と
なり、２重ヘテロ構造における自然発光ゲインの
約1/2となるためである。
上記したように回折格子は前記交差角θが大き
くなる程回折効率が低下する。また、これに合わ
せて自然発光スペクトルのゲイン量に差があるた
め、前記レーザ素子１１，１２，１３を集積化し
た場合、各発光出力にばらつきが生じ易い。そこ
で、本実施例では交差角度θが最大となる波長に
自然発光スペクトルの最大点を合わせている。す
なわち、自然発光スペクトルは第４図ａに実線で
示す如く、例えば波長1.3〔μｍ〕で最大とな
り、しきい値電流（図中１点鎖線で示す）はこの
点で最小となつている。また、しきい値電流は第
４図ｂに示す如く交差角θ＝０のときの波長λp
で最小で、交差角θが大きくなり波長λが大きく
なる程大きくなつている。したがつて、前記第３
のレーザ素子１３の発光波長を上記波長1.3〔μ
ｍ〕に合わせるようにしている。これによつて、
レーザ効率が平均化されることになる。
くなる程回折効率が低下する。また、これに合わ
せて自然発光スペクトルのゲイン量に差があるた
め、前記レーザ素子１１，１２，１３を集積化し
た場合、各発光出力にばらつきが生じ易い。そこ
で、本実施例では交差角度θが最大となる波長に
自然発光スペクトルの最大点を合わせている。す
なわち、自然発光スペクトルは第４図ａに実線で
示す如く、例えば波長1.3〔μｍ〕で最大とな
り、しきい値電流（図中１点鎖線で示す）はこの
点で最小となつている。また、しきい値電流は第
４図ｂに示す如く交差角θ＝０のときの波長λp
で最小で、交差角θが大きくなり波長λが大きく
なる程大きくなつている。したがつて、前記第３
のレーザ素子１３の発光波長を上記波長1.3〔μ
ｍ〕に合わせるようにしている。これによつて、
レーザ効率が平均化されることになる。
つまり、ゲイン方向と回折格子の格子方向に直
交する方向との最大交差角度θnaxの波長を自然
発光スペクトルの最大波長λpとするように λp＝λｐ／ｃｏｓθｎａｘ …(2) の関係とし、θ＝０の点（λp）を自然発光ゲイ
ンの最小としている。
交する方向との最大交差角度θnaxの波長を自然
発光スペクトルの最大波長λpとするように λp＝λｐ／ｃｏｓθｎａｘ …(2) の関係とし、θ＝０の点（λp）を自然発光ゲイ
ンの最小としている。
このように本装置では、第１乃至第３の波長制
御半導体レーザ素子１１，１２，１３の各ゲイン
領域にある回折格子２０ａ，２０ｂ，２０ｃの格
子方向および周期をそれぞれ同一のものとし、各
ゲイン領域と格子方向に直交する方向との交差角
θをそれぞぞれ異なる角度に設定し、さらに上記
交差角θが最大となる第３のレーザ素子１３発光
波長を自然発光スペクトルの最大波長に合わせる
ようにしている。このため、同一方向で同一周期
の回折格子２０ａ，２０ｂ，２０ｃを用いるにも
拘わらず異なる波長のレーザ光を得ることができ
る。したがつて、回折格子２０ａ，２０ｂ，２０
ｃを形成するための２光束干渉露光を１回行うの
みでよいことになり、これにより製造の容易化お
よび製造歩留りの大幅な向上をはかり得る等の効
果を奏する。また、レーザ出力を合波器９により
結合させるようにしているので、レーザ出力端を
同一の導波路中に結合することができ、光フアイ
バへの結合が容易になる等の利点がある。さら
に、前記交差角θが最大となる第３のレーザ素子
１３の発光波長を自然発光スペクトルの最大波長
に合わせているので、各レーザ素子１１，１２，
１３の効率を平均化し得る等の利点もある。
御半導体レーザ素子１１，１２，１３の各ゲイン
領域にある回折格子２０ａ，２０ｂ，２０ｃの格
子方向および周期をそれぞれ同一のものとし、各
ゲイン領域と格子方向に直交する方向との交差角
θをそれぞぞれ異なる角度に設定し、さらに上記
交差角θが最大となる第３のレーザ素子１３発光
波長を自然発光スペクトルの最大波長に合わせる
ようにしている。このため、同一方向で同一周期
の回折格子２０ａ，２０ｂ，２０ｃを用いるにも
拘わらず異なる波長のレーザ光を得ることができ
る。したがつて、回折格子２０ａ，２０ｂ，２０
ｃを形成するための２光束干渉露光を１回行うの
みでよいことになり、これにより製造の容易化お
よび製造歩留りの大幅な向上をはかり得る等の効
果を奏する。また、レーザ出力を合波器９により
結合させるようにしているので、レーザ出力端を
同一の導波路中に結合することができ、光フアイ
バへの結合が容易になる等の利点がある。さら
に、前記交差角θが最大となる第３のレーザ素子
１３の発光波長を自然発光スペクトルの最大波長
に合わせているので、各レーザ素子１１，１２，
１３の効率を平均化し得る等の利点もある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。例えば、前記波長制御半導体レーザ
素子はDFBレーザに限らず、DBRレーザやGCレ
ーザ等であつてもよい。また、集積化するレーザ
素子の数は３個に限るものではなく、適宜変更で
きる。さらに、各レーザ素子と前記回折格子の格
子方向に直交する方向との交差角θは、仕様に応
じて適宜定めればよい。また、回折格子の周期も
仕様に応じて適宜定めればよいのは、勿論のこと
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
のではない。例えば、前記波長制御半導体レーザ
素子はDFBレーザに限らず、DBRレーザやGCレ
ーザ等であつてもよい。また、集積化するレーザ
素子の数は３個に限るものではなく、適宜変更で
きる。さらに、各レーザ素子と前記回折格子の格
子方向に直交する方向との交差角θは、仕様に応
じて適宜定めればよい。また、回折格子の周期も
仕様に応じて適宜定めればよいのは、勿論のこと
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
第１図はDFBレーザを集積化した従来の半導
体レーザ装置を示す概略構成図、第２図は第１図
の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は本発明の一実施例
を示す概略構成図、第４図a.bは上記実施例の作
用を説明するための図である。 １……半導体基板、２ａ，２ｂ，２ｃ……導波
路層、３ａ，３ｂ，３ｃ……活性層、８ａ，８
ｂ，８ｃ……反射鏡、９……合波器、１１，１
２，１３……波長制御半導体レーザ素子。
体レーザ装置を示す概略構成図、第２図は第１図
の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は本発明の一実施例
を示す概略構成図、第４図a.bは上記実施例の作
用を説明するための図である。 １……半導体基板、２ａ，２ｂ，２ｃ……導波
路層、３ａ，３ｂ，３ｃ……活性層、８ａ，８
ｂ，８ｃ……反射鏡、９……合波器、１１，１
２，１３……波長制御半導体レーザ素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導波路に所定周期の回折格子を備えた発光波
長の異なる複数の波長制御レーザ素子を同一半導
体基板上に配設してなる半導体レーザ装置におい
て、上記各レーザ素子のゲイン領域にある回折格
子の格子方向をそれぞれ同一方向にすると共に、
上記各ゲイン領域にある回折格子の周期をそれぞ
れ同一周期とし、かつ上記各ゲイン領域と上記回
折格子の格子方向に直交する方向との交差角をそ
れぞれ異なる角度に設定してなることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 ２ 前記各ゲイン領域と前記回折格子の格子方向
に直交する方向との交差角を、０〜30度の範囲に
それぞれ設定してなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ３ 前記各レーザ素子の自然放出光の最大波長を
λｐ、前記各ゲイン領域と前記格子方向に直交す
る方向との最大交差角度をθnaxとしたとき、λp
＝λｐ／ｃｏｓθｎａｘ（λp：回折格子のブラツグ反
射波 長）なる関係が成立するようにしたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636381A JPS5848981A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636381A JPS5848981A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848981A JPS5848981A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS622478B2 true JPS622478B2 (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15406020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14636381A Granted JPS5848981A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3587206A1 (en) | 2018-06-22 | 2020-01-01 | Mazda Motor Corporation | Vehicle control method and system |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2169134B (en) * | 1984-11-16 | 1988-11-16 | Canon Kk | Multibeam emitting device |
| JP2708467B2 (ja) * | 1988-05-23 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | 波長可変半導体レーザ |
| EP0641053A1 (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-01 | AT&T Corp. | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers |
| DE4432410B4 (de) * | 1994-08-31 | 2007-06-21 | ADC Telecommunications, Inc., Eden Prairie | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen-Bauelement |
| JPH08255947A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置，及びその製造方法 |
| EP1391756A1 (en) * | 2002-08-20 | 2004-02-25 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Wavelength-selective distributed Bragg reflector device |
| US20220360047A1 (en) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wide bandwidth laser chip |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14636381A patent/JPS5848981A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3587206A1 (en) | 2018-06-22 | 2020-01-01 | Mazda Motor Corporation | Vehicle control method and system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848981A (ja) | 1983-03-23 |
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