JP2007201425A - レーザ装置、レーザモジュール、半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザは、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され利得を持ち第1の離散的な反射スペクトルのピークを有する第1回折格子領域と、第1回折格子領域の回折格子部と同等のピッチを持つ回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され第1の離散的な反射スペクトルのピークとはピーク波長の間隔が異なる第2の離散的な反射スペクトルのピークを有する第2回折格子領域と、を備え、セグメントのいずれか1つである第1のセグメントは他の全てのセグメントに比較して第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有し、他のセグメントは全て第1回折格子領域の回折格子部のピッチの整数倍または全て第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍の光学的長さを有する。
【選択図】 図2
Description
Δφ=2πn1・L/λ−2πn2・L/λ (1)
2 抽出回折格子
3,4,14,15 導波路コア
9 薄膜抵抗体
41,42 セグメント
43 縮幅部
45 拡幅部
46 凸部
47 凹部
48 高屈折率領域
51 レジスト
52 透明体マスク
53 段差
54,56 露光マスク
55,57 レジストパターン
100 レーザ装置
200 レーザモジュール
201,201a,201b 半導体レーザ
207 温度制御装置
208〜211 制御端子
300 制御装置
Claims (21)
- 回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され、利得を持ち、第1の離散的な反射スペクトルのピークを有する第1回折格子領域と、
前記第1回折格子領域に接続され、前記第1回折格子領域の回折格子部と同等のピッチを持つ回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され、前記第1の離散的な反射スペクトルのピークとはピーク波長の間隔が異なる第2の離散的な反射スペクトルのピークを有し、前記第1の離散的な反射スペクトルの特定のピークと前記第2の離散的な反射スペクトルの特定のピークとの関係が変化した場合に当該ピーク同士の一部が重なり合う第2回折格子領域とを備え、
前記セグメントのいずれか1つである第1のセグメントは、他の全てのセグメントに比較して前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有し、
前記他のセグメントは、全て前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの整数倍または全て前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍の光学的長さを有することを特徴とする半導体レーザ。 - 前記第2回折格子領域の複数のセグメントのうち少なくとも2つの光学的長さは、互いに前記第2回折格子領域の回折格子部のピッチの整数倍異なることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 前記第1のセグメントは、前記第1回折格子領域の複数のセグメントのうち前記第1回折格子領域と前記第2回折格子領域との境界側の2つのセグメントおよび前記第2回折格子領域の複数のセグメントのうち前記第1回折格子領域と前記第2回折格子領域との境界側の2つのセグメントのいずれかであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体レーザ。
- 前記第2回折格子領域は、前記第2回折格子領域の反射スペクトルのピークを変化させる反射スペクトル可変手段を備え、
前記反射スペクトル可変手段は、電極を備え、前記電極に供給される電流によって温度制御可能なヒータであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体レーザ。 - 前記半導体レーザの端面と前記第1または第2回折格子領域との間に、光吸収領域または光増幅領域がさらに設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 前記第1のセグメントは、前記他の全てのセグメントと異なる断面形状を有することにより、他の全てのセグメントに比較して前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 前記第1のセグメントは、少なくとも一部に縮幅部または拡幅部を備えることにより、他の全てのセグメントに比較して前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有することを特徴とする請求項6記載の半導体レーザ。
- 前記第1のセグメントは、スペース部の少なくとも一部の下面に凸部または凹部を備えることにより、他の全てのセグメントに比較して前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 前記第1のセグメントは、少なくとも一部に前記他のセグメントの等価屈折率と異なる等価屈折率を有する領域を備えることにより、他の全てのセグメントに比較して前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体レーザ。
- 半導体層上にレジストを塗布する第1の工程と、
前記レジストに回折格子のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有する凹部または凸部を1つ備える回折格子パターンを露光する第2の工程と、
前記レジストに対してさらに、前記回折格子パターンを離間する領域となる複数のスペース部のパターンを露光する第3の工程と、
前記レジストを現像することによって形成されたレジストパターンを前記半導体層に転写する第4の工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記第2の工程における露光は、干渉露光法による露光であることを特徴とする請求項10記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記第2の工程における露光は、段差を有する透過マスクを介してなされる露光であることを特徴とする請求項11記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記第3の工程における露光は、前記スペース部となる領域を選択的に開口する露光マスクによってなされる露光であることを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
- 回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され、利得を持ち、第1の離散的な反射スペクトルのピークを有する第1回折格子領域と、前記第1回折格子領域に接続され、前記第1回折格子領域の回折格子部と同等のピッチを持つ回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され、前記第1の離散的な反射スペクトルのピークとはピーク波長の間隔が異なる第2の離散的な反射スペクトルのピークを有し、前記第1の離散的な反射スペクトルの特定のピークと前記第2の離散的な反射スペクトルの特定のピークとの関係が変化した場合に当該ピーク同士の一部が重なり合う第2回折格子領域と、を備える半導体レーザと、
前記第1の離散的な反射スペクトルのピークおよび前記第2の離散的な反射スペクトルのピークの少なくともいずれか一方を変化させる反射スペクトル可変手段と、
前記反射スペクトル可変手段を制御するための制御端子とを備え、
前記セグメントのいずれか1つである第1のセグメントは、他の全てのセグメントに比較して前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有し、
前記他のセグメントは、全て前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの整数倍または全て前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍の光学的長さを有することを特徴とするレーザモジュール。 - 前記反射スペクトル可変手段は、前記半導体レーザの温度を制御する温度制御装置を含み、
前記レーザモジュールは、前記温度制御装置を制御するための制御端子をさらに備えていることを特徴とする請求項14記載のレーザモジュール。 - 前記第2回折格子領域の複数のセグメントのうち少なくとも2つの光学的長さは、互いに異なることを特徴とする請求項14または15記載のレーザモジュール。
- 前記反射スペクトル可変手段は、電極を備えかつ前記電極に供給される電流によって前記第2回折格子領域の温度を制御可能なヒータを含むことを特徴とする請求項14〜16のいずれかに記載のレーザモジュール。
- 回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され、利得を持ち、第1の離散的な反射スペクトルのピークを有する第1回折格子領域と、前記第1回折格子領域に接続され、前記第1回折格子領域の回折格子部と同等のピッチを持つ回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され、前記第1の離散的な反射スペクトルのピークとはピーク波長の間隔が異なる第2の離散的な反射スペクトルのピークを有し、前記第1の離散的な反射スペクトルの特定のピークと前記第2の離散的な反射スペクトルの特定のピークとの関係が変化した場合に当該ピーク同士の一部が重なり合う第2回折格子領域と、を備える半導体レーザと、
前記第1の離散的な反射スペクトルのピークおよび前記第2の離散的な反射スペクトルのピークの少なくともいずれか一方を変化させる反射スペクトル可変手段と、
前記反射スペクトル可変手段を制御する制御手段とを備え、
前記セグメントのいずれか1つである第1のセグメントは、他の全てのセグメントに比較して前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有し、
前記他のセグメントは、全て前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの整数倍または全て前記第1回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍の光学的長さを有することを特徴とするレーザ装置。 - 前記反射スペクトル可変手段は、温度制御装置を含み、
前記制御手段は、前記半導体レーザの温度を前記温度制御装置を制御することによって調整することを特徴とする請求項18記載のレーザ装置。 - 前記第2回折格子領域の複数のセグメントのうち少なくとも2つの光学的長さは、互いに異なることを特徴とする請求項18または19記載のレーザ装置。
- 前記反射スペクトル可変手段は、電極を備えるヒータを含み、
前記制御手段は、前記電極に電流を供給して前記ヒータの温度を制御することによって前記第2回折格子領域の温度を制御することを特徴とする請求項18〜20のいずれかに記載のレーザ装置。
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US11/616,530 US7620093B2 (en) | 2005-12-27 | 2006-12-27 | Laser device, laser module, semiconductor laser and fabrication method of semiconductor laser |
US12/574,988 US8304267B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-10-07 | Laser device, laser module, semiconductor laser and fabrication method of semiconductor laser |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010541278A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | 櫛形ヒータ電極及び下部電流閉込層をもつレーザ源 |
JP2013258398A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
JP2015012093A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子 |
US8953650B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-02-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method to control emission wavelength of tunable laser diode |
US9502861B2 (en) | 2014-08-29 | 2016-11-22 | Fujitsu Optical Components Limited | Semiconductor laser |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101382677B1 (ko) * | 2007-04-16 | 2014-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 웨이퍼 기판, 반도체 발광소자 및 웨이퍼 기판을 이용한 반도체 발광소자 제조방법 |
US7812594B2 (en) | 2007-07-19 | 2010-10-12 | Eudyna Devices Inc. | Optical device and method of controlling the same |
JP2009044141A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-26 | Eudyna Devices Inc | 光学デバイスおよびその制御方法 |
JP5303124B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2013-10-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ装置の制御方法 |
JP4943255B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2012-05-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザの制御方法 |
KR20100072534A (ko) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 장치 |
JP2011119434A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Renesas Electronics Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
US8861556B2 (en) | 2012-07-05 | 2014-10-14 | Jds Uniphase Corporation | Tunable Bragg grating and a tunable laser diode using same |
CN103297147A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 武汉奥新科技有限公司 | Sg-dbr可调谐激光器模块及其控制方法 |
CN106270877B (zh) * | 2016-09-28 | 2019-11-15 | 深圳市艾贝特电子科技有限公司 | 基于fpc金手指激光锡焊装置及焊接方法 |
EP3635827B1 (en) * | 2017-05-08 | 2024-01-17 | Thorlabs Quantum Electronics, Inc. | Distributed feedback interband cascade lasers with corrugated sidewall |
TWI710186B (zh) * | 2017-10-17 | 2020-11-11 | 光環科技股份有限公司 | 分散式回饋雷射的結構與製法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09270568A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Anritsu Corp | 多重波長発振レーザ |
JPH09312437A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH11312846A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Canon Inc | 偏波依存性を持つ位相シフト領域を有する分布帰還型半導体レーザ、それを用いた光送信機及び光通信システム |
JP2002299755A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-10-11 | Alcatel | 迅速かつ広帯域にわたって同調可能なレーザ |
US20030128724A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-07-10 | Imec Vzw | Widely tunable twin guide laser structure |
JP2003318483A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 波長可変半導体レーザ |
JP2004241627A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの駆動方法および波長変換素子 |
JP2004273993A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-30 | Hitachi Ltd | 波長可変分布反射型半導体レーザ装置 |
JP2004336002A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Korea Electronics Telecommun | 抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ |
JP2004536459A (ja) * | 2001-07-18 | 2004-12-02 | マルコニ ユーケイ インテレクチュアル プロパティー リミテッド | 波長分割多重光波長変換器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1270934C (en) * | 1985-03-20 | 1990-06-26 | SPATIAL PHASE MODULATED MASKS AND METHODS FOR MAKING THESE MASKS AND PHASE DIFFRACTION GRATINGS | |
JP2686764B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1997-12-08 | 国際電信電話株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
JPH02105488A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
DE4432410B4 (de) * | 1994-08-31 | 2007-06-21 | ADC Telecommunications, Inc., Eden Prairie | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen-Bauelement |
US20020028390A1 (en) * | 1997-09-22 | 2002-03-07 | Mohammad A. Mazed | Techniques for fabricating and packaging multi-wavelength semiconductor laser array devices (chips) and their applications in system architectures |
JP3166836B2 (ja) * | 1997-11-18 | 2001-05-14 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
US6608855B1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-08-19 | Applied Optoelectronics, Inc. | Single-mode DBR laser with improved phase-shift section |
JP2004111709A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
US7130124B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-10-31 | Tri Quint Semiconductor, Inc. | Average pitch gratings for optical filtering applications |
US20100290489A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | electro-absorption modulated laser (eml) assembly having a 1/4 wavelength phase shift located in the forward portion of the distributed feedback (dfb) of the eml assembly, and a method |
-
2006
- 2006-11-24 JP JP2006316887A patent/JP4629022B2/ja active Active
- 2006-12-22 EP EP06127181A patent/EP1804349A1/en not_active Withdrawn
- 2006-12-27 US US11/616,530 patent/US7620093B2/en active Active
-
2009
- 2009-10-07 US US12/574,988 patent/US8304267B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09270568A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Anritsu Corp | 多重波長発振レーザ |
JPH09312437A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH11312846A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Canon Inc | 偏波依存性を持つ位相シフト領域を有する分布帰還型半導体レーザ、それを用いた光送信機及び光通信システム |
JP2002299755A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-10-11 | Alcatel | 迅速かつ広帯域にわたって同調可能なレーザ |
JP2004536459A (ja) * | 2001-07-18 | 2004-12-02 | マルコニ ユーケイ インテレクチュアル プロパティー リミテッド | 波長分割多重光波長変換器 |
US20030128724A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-07-10 | Imec Vzw | Widely tunable twin guide laser structure |
JP2003318483A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 波長可変半導体レーザ |
JP2004241627A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの駆動方法および波長変換素子 |
JP2004273993A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-30 | Hitachi Ltd | 波長可変分布反射型半導体レーザ装置 |
JP2004336002A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Korea Electronics Telecommun | 抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010541278A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | 櫛形ヒータ電極及び下部電流閉込層をもつレーザ源 |
US8953650B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-02-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method to control emission wavelength of tunable laser diode |
JP2013258398A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
US9025628B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-05-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser |
JP2015012093A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子 |
US9935426B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor device |
US9502861B2 (en) | 2014-08-29 | 2016-11-22 | Fujitsu Optical Components Limited | Semiconductor laser |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4629022B2 (ja) | 2011-02-09 |
EP1804349A1 (en) | 2007-07-04 |
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US8304267B2 (en) | 2012-11-06 |
US20100022044A1 (en) | 2010-01-28 |
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