JP6382506B2 - 波長可変レーザの制御方法 - Google Patents
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Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
(2)前記波長選択要素は、複数の縦モードを有する第1波長選択要素、前記第1波長選択要素とは縦モード間隔が異なる複数の縦モードを有する第2波長選択要素、前記第1波長選択要素の温度を制御する第1ヒータ、前記第2波長選択要素の温度を制御する第2ヒータを含んでなり、前記第2ステップにおいては、前記波長差分に基づいて、前記第1ヒータおよび前記第2ヒータの前記制御目標値を更新する処理が実行されるとともに、その実行にあたっては、前記制御目標値を得るために、波長差分に対して適用される演算係数が、前記第1ヒータと前記第2ヒータとで異なっていてもよい。
(3)前記第1波長選択要素はSG−DFB領域であり、前記第2波長選択要素はSG−DBR領域であってもよい。
本発明の実施形態に係る波長可変レーザの制御方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Tetln_A=Tetln_B+ΔF/C1 (1)
第2温度制御装置53の温度を設定温度Tetln_Aに制御することによって、比Im2/Im1をそのまま利用して、要求波長を得ることが可能となる。なお、設定温度Tetaln_Aを更新設定値として用いる。なお、第2温度制御装置53の温度を設定温度Tetln_Bをそのまま利用し、比Im2/Im1を更新設定値として利用することによっても、要求波長で発振させる制御を実行することができる。
T´4=T4+ΔF×A (2)
P4=T´4×D4 (3)
T´1=T1+ΔF×A×B1
T´2=T2+ΔF×A×B1
T´3=T3+ΔF×A×B1 (4)
P1=T´1×D1
P2=T´2×D2
P3=T´3×D3 (5)
T´5=T5+ΔF×A×B2 (6)
P5=T´5×D5 (7)
T´4=T4(10℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)=9.36℃ (8)
P4=T´4×D4=9.36℃×10.92mW=102.21mW (9)
T´1=T1(5℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B1(0.85)=4.45℃ (10)
P1=T´1×D1=4.45℃×4.92mW=21.89mW (11)
T´2=T2(10℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B1(0.85)=9.45℃ (12)
P2=T´2×D2=9.45℃×3.32mW=31.37mW (13)
T´3=T3(15℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B1(0.85)=14.45℃ (14)
P3=T´3×D3=14.45℃×3.11mW=44.94mW (15)
T´5=T5(2℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B2(1.00)=1.36℃ (16)
P5=T´5×D5=1.36℃×3.64mW=4.95mW (17)
P´4=PHeater4+ΔF×A (18)
P´1=PHeater1+ΔF×A×B1_1
P´2=PHeater2+ΔF×A×B1_2
P´3=PHeater3+ΔF×A×B1_3 (19)
P´5=PHeater5+ΔF×A×B2 (20)
P´4=PHeater4(109.20mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)=102.18mW (21)
P´1=PHeater1(24.60mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B1_1(0.3826)=21.92mW (22)
P´2=PHeater2(33.20mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B1_2(0.2588)=31.38mW (23)
P´3=PHeater3(46.65mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B1_3(0.2422)=44.95mW (24)
P´5=PHeater5(7.28mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B2(0.3300)=4.96mW (25)
2 下クラッド層
3 光導波層
3a 利得領域
3b パッシブ導波路
4 光導波層
5 光吸収層
6 上クラッド層
7 コンタクト層
8 電極
9 絶縁膜
10 ヒータ
11 電源電極
12 グランド電極
13 コンタクト層
15 裏面電極
16 端面膜
17 反射膜
18 回折格子
19 光増幅層
20 コンタクト層
21 電極
22 ヒータ
23 電源電極
24 グランド電極
30 半導体レーザ
31 第1温度制御装置
32 第1サーミスタ
41 ビームスプリッタ
42 第1受光素子
50 検知部
51 ビームスプリッタ
52 エタロン
53 第2温度制御装置
54 第2受光素子
55 第2サーミスタ
60 メモリ
70 コントローラ
100 波長可変レーザ
Claims (1)
- 波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて半導体レーザの発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、
前記半導体レーザは、複数の縦モードを有するSG−DFB領域および前記SG−DFB領域とは縦モード間隔が異なる複数の縦モードを有するSG−DBR領域を含み、
前記SG−DFB領域および前記SG−DBR領域はそれぞれ、回折格子を有する回折格子領域と、前記回折格子領域に連結され両端が前記回折格子領域によって挟まれたスペース部とを備えるセグメントを複数有し、
前記SG−DFB領域は、第1セグメント、前記第1セグメントよりも長い第2セグメント、前記第1セグメントの温度を制御する第1ヒータ、および前記第2セグメントの温度を制御する第2ヒータを含み、
前記SG−DBR領域は、前記SG−DBR領域の温度を制御する第3ヒータを含み、
メモリから、第1波長に対応した、前記波長検知部の波長特性あるいは前記目標値を定める検知部情報と、前記第1ヒータ、前記第2ヒータおよび前記第3ヒータの温度変化量とを含む前記波長可変レーザの駆動条件を取得する第1ステップと、
前記第1波長と前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分に基づいて、前記第1ステップにおいて取得された、前記検知部情報と前記第1ヒータ、前記第2ヒータおよび前記第3ヒータの温度変化量を前記第2波長に対応した値に更新し、前記温度変化量および演算係数に基づいて前記波長差分に対する電力変化量を算出する第2ステップと、
前記第2ステップによって得られた駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動する第3ステップと、を含み、
前記第2ステップにおいては、前記波長差分に対する電力変化量を算出するための演算係数が、前記第1ヒータ、前記第2ヒータおよび前記第3ヒータで異なり、
かつ前記第2ステップにおいて、前記第1ヒータについての温度変化量に基づいて前記第2ヒータの温度変化量および前記第3ヒータの温度変化量を更新する、波長可変レーザの制御方法。
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