JP6256745B2 - 波長可変レーザの制御方法 - Google Patents
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Description
(1)光導波路の温度を駆動条件として含む波長可変レーザの制御方法であって、メモリから、第1波長でレーザ発振させるための前記波長可変レーザの第1駆動条件を取得する第1ステップと、前記第1駆動条件と、前記第1波長と前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分とを参照して、前記第2波長で前記波長可変レーザを駆動するための第2駆動条件を算出する第2ステップと、前記第2ステップによって得られた第2駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動する第3ステップと、を含み、前記第2ステップにおいては、前記光導波路の温度が、前記第1駆動条件において示される前記光導波路の温度よりも常に高い条件において、前記第2駆動条件を算出する、波長可変レーザの制御方法である。
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
(2)前記波長可変レーザの温度を、ペルチェ素子を含む温度制御装置によって制御してもよい。この構成によれば、ペルチェ素子の消費電力を抑制することができる。
(3)前記波長可変レーザは、複数のDFBレーザを備えるアレー型レーザであってもよい。
(4)前記波長可変レーザは、SG−DFBを備えていてもよい。
本発明の実施形態に係る波長可変レーザの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Tetln_A=Tetln_B+ΔF/C1 (1)
第2温度制御装置53の温度を設定温度Tetln_Aに制御することによって、比Im2/Im1をそのまま利用して、要求波長を得ることが可能となる。
2 下クラッド層
3 活性層
4 光導波層
6 上クラッド層
7 コンタクト層
8 電極
9 絶縁膜
10 ヒータ
11 電源電極
12 グランド電極
15 裏面電極
16 端面膜
17 端面膜
18 回折格子
19 光増幅層
20 コンタクト層
21 電極
30 半導体レーザ
30a レーザモジュール
31 第1温度制御装置
32 第1サーミスタ
41 ビームスプリッタ
42 第1受光素子
50 検知部
51 ビームスプリッタ
52 エタロン
53 第2温度制御装置
54 第2受光素子
55 第2サーミスタ
60 メモリ
70 コントローラ
71 DFBレーザ
72 光カプラ
73 光増幅器
100 波長可変レーザ
Claims (1)
- 光導波路の温度を駆動条件として含む波長可変レーザの制御方法であって、
要求波長を指定する情報を入力し、メモリから、前記要求波長を挟むように隣接する2つの基本波長のいずれかである第1波長でレーザ発振させるための前記波長可変レーザの第1駆動条件を取得する第1ステップと、
前記第1駆動条件と、前記第1波長と前記第1ステップで入力された要求波長である前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分とを参照して、前記第2波長で前記波長可変レーザを駆動するための第2駆動条件を算出する第2ステップと、
前記第2ステップによって得られた第2駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動する第3ステップと、を含み、
前記第2ステップにおいては、前記光導波路の温度が、前記第1駆動条件において示される前記光導波路の温度よりも常に高い条件において、前記第2駆動条件を算出し、
前記第3ステップにおいて、前記光導波路の温度が前記第2駆動条件において示される温度に達した後、前記光導波路の温度を前記波長可変レーザの発振波長が前記第2波長を維持するように制御する、波長可変レーザの制御方法。
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