JP2015106664A - 波長可変レーザの制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 波長可変レーザの制御方法は、波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて、波長選択要素に対応するヒータが設けられた半導体レーザの発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、メモリから、第1波長に対応した、前記波長検知部の波長特性あるいは前記目標値を定める検知部情報と、前記ヒータの制御目標値とを含む前記波長可変レーザの駆動条件を取得する第1ステップと、前記第1波長と前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分に基づいて、前記第1ステップにおいて取得された、前記検知部情報とヒータの制御目標値を前記第2波長に対応した値に更新する第2ステップと、
前記第2ステップによって得られた駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動する第3ステップと、を含む。
【選択図】 図2
Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
(2)前記波長選択要素は、複数の縦モードを有する第1波長選択要素、前記第1波長選択要素とは縦モード間隔が異なる複数の縦モードを有する第2波長選択要素、前記第1波長選択要素の温度を制御する第1ヒータ、前記第2波長選択要素の温度を制御する第2ヒータを含んでなり、前記第2ステップにおいては、前記波長差分に基づいて、前記第1ヒータおよび前記第2ヒータの前記制御目標値を更新する処理が実行されるとともに、その実行にあたっては、前記制御目標値を得るために、波長差分に対して適用される演算係数が、前記第1ヒータと前記第2ヒータとで異なっていてもよい。
(3)前記第1波長選択要素はSG−DFB領域であり、前記第2波長選択要素はSG−DBR領域であってもよい。
本発明の実施形態に係る波長可変レーザの制御方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Tetln_A=Tetln_B+ΔF/C1 (1)
第2温度制御装置53の温度を設定温度Tetln_Aに制御することによって、比Im2/Im1をそのまま利用して、要求波長を得ることが可能となる。なお、設定温度Tetaln_Aを更新設定値として用いる。なお、第2温度制御装置53の温度を設定温度Tetln_Bをそのまま利用し、比Im2/Im1を更新設定値として利用することによっても、要求波長で発振させる制御を実行することができる。
T´4=T4+ΔF×A (2)
P4=T´4×D4 (3)
T´1=T1+ΔF×A×B1
T´2=T2+ΔF×A×B1
T´3=T3+ΔF×A×B1 (4)
P1=T´1×D1
P2=T´2×D2
P3=T´3×D3 (5)
T´5=T5+ΔF×A×B2 (6)
P5=T´5×D5 (7)
T´4=T4(10℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)=9.36℃ (8)
P4=T´4×D4=9.36℃×10.92mW=102.21mW (9)
T´1=T1(5℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B1(0.85)=4.45℃ (10)
P1=T´1×D1=4.45℃×4.92mW=21.89mW (11)
T´2=T2(10℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B1(0.85)=9.45℃ (12)
P2=T´2×D2=9.45℃×3.32mW=31.37mW (13)
T´3=T3(15℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B1(0.85)=14.45℃ (14)
P3=T´3×D3=14.45℃×3.11mW=44.94mW (15)
T´5=T5(2℃)+ΔF(7GHz)×A(−0.0918℃/GHz)×B2(1.00)=1.36℃ (16)
P5=T´5×D5=1.36℃×3.64mW=4.95mW (17)
P´4=PHeater4+ΔF×A (18)
P´1=PHeater1+ΔF×A×B1_1
P´2=PHeater2+ΔF×A×B1_2
P´3=PHeater3+ΔF×A×B1_3 (19)
P´5=PHeater5+ΔF×A×B2 (20)
P´4=PHeater4(109.20mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)=102.18mW (21)
P´1=PHeater1(24.60mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B1_1(0.3826)=21.92mW (22)
P´2=PHeater2(33.20mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B1_2(0.2588)=31.38mW (23)
P´3=PHeater3(46.65mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B1_3(0.2422)=44.95mW (24)
P´5=PHeater5(7.28mW)+ΔF(7GHz)×A(−1.0025mW/GHz)×B2(0.3300)=4.96mW (25)
2 下クラッド層
3 光導波層
3a 利得領域
3b パッシブ導波路
4 光導波層
5 光吸収層
6 上クラッド層
7 コンタクト層
8 電極
9 絶縁膜
10 ヒータ
11 電源電極
12 グランド電極
13 コンタクト層
15 裏面電極
16 端面膜
17 反射膜
18 回折格子
19 光増幅層
20 コンタクト層
21 電極
22 ヒータ
23 電源電極
24 グランド電極
30 半導体レーザ
31 第1温度制御装置
32 第1サーミスタ
41 ビームスプリッタ
42 第1受光素子
50 検知部
51 ビームスプリッタ
52 エタロン
53 第2温度制御装置
54 第2受光素子
55 第2サーミスタ
60 メモリ
70 コントローラ
100 波長可変レーザ
Claims (3)
- 波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて、波長選択要素に対応するヒータが設けられた半導体レーザの発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、
メモリから、第1波長に対応した、前記波長検知部の波長特性あるいは前記目標値を定める検知部情報と、前記ヒータの制御目標値とを含む前記波長可変レーザの駆動条件を取得する第1ステップと、
前記第1波長と前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分に基づいて、前記第1ステップにおいて取得された、前記検知部情報とヒータの制御目標値を前記第2波長に対応した値に更新する第2ステップと、
前記第2ステップによって得られた駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動する第3ステップと、を含む波長可変レーザの制御方法。 - 前記波長選択要素は、複数の縦モードを有する第1波長選択要素、前記第1波長選択要素とは縦モード間隔が異なる複数の縦モードを有する第2波長選択要素、前記第1波長選択要素の温度を制御する第1ヒータ、前記第2波長選択要素の温度を制御する第2ヒータを含んでなり、
前記第2ステップにおいては、前記波長差分に基づいて、前記第1ヒータおよび前記第2ヒータの前記制御目標値を更新する処理が実行されるとともに、その実行にあたっては、前記制御目標値を得るために、波長差分に対して適用される演算係数が、前記第1ヒータと前記第2ヒータとで異なる、請求項1記載の波長可変レーザの制御方法。 - 前記第1波長選択要素はSG−DFB領域であり、前記第2波長選択要素はSG−DBR領域である、請求項2記載の波長可変レーザの制御方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10923880B2 (en) | 2016-02-12 | 2021-02-16 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating |
CN113412563A (zh) * | 2019-02-14 | 2021-09-17 | 古河电气工业株式会社 | 波长可变激光装置以及波长控制方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318483A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 波長可変半導体レーザ |
WO2005096462A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nec Corporation | 波長可変レーザ |
US20080166134A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Finisar Corporation | Optical Transmitter Having a Widely Tunable Directly Modulated Laser and Periodic Optical Spectrum Reshaping Element |
JP2008218947A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法 |
JP2009064915A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Nec Corp | 波長可変光源、その制御方法及び制御プログラム、並びに光モジュール |
JP2010040927A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 波長可変レーザモジュール、波長可変レーザ装置、及び、波長可変レーザの制御方法 |
JP2011171472A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 波長可変レーザの制御方法 |
JP2013033892A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザおよびレーザ装置 |
JP2013077801A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変半導体レーザの制御方法 |
JP2013089754A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変半導体レーザの制御方法 |
-
2013
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318483A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 波長可変半導体レーザ |
WO2005096462A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nec Corporation | 波長可変レーザ |
US20080166134A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Finisar Corporation | Optical Transmitter Having a Widely Tunable Directly Modulated Laser and Periodic Optical Spectrum Reshaping Element |
JP2008218947A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法 |
JP2009064915A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Nec Corp | 波長可変光源、その制御方法及び制御プログラム、並びに光モジュール |
JP2010040927A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 波長可変レーザモジュール、波長可変レーザ装置、及び、波長可変レーザの制御方法 |
JP2011171472A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 波長可変レーザの制御方法 |
JP2013033892A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザおよびレーザ装置 |
JP2013077801A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変半導体レーザの制御方法 |
JP2013089754A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変半導体レーザの制御方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10923880B2 (en) | 2016-02-12 | 2021-02-16 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating |
CN113412563A (zh) * | 2019-02-14 | 2021-09-17 | 古河电气工业株式会社 | 波长可变激光装置以及波长控制方法 |
CN113412563B (zh) * | 2019-02-14 | 2024-05-28 | 古河电气工业株式会社 | 波长可变激光装置以及波长控制方法 |
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