JP5457873B2 - 波長可変レーザの制御方法 - Google Patents
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Description
図1は、波長可変レーザ100、および、それを備えるレーザ装置200の一例を説明するための図である。波長可変レーザ100は、半導体基板1上に設けられたSG−DFB(Sampled Grating Distributed Feedback)領域10とCSG−DBR(Chirped Sampled Grating Distributed Reflector)領域20とが光学的に結合された構成を有している。波長可変レーザ100は、温度制御装置50上に設けられている。温度制御装置50としては、ペルチェ素子を利用したものが採用される。
次に、第2の実施形態について説明する。図5(a)は、第2の実施形態を説明するための制御フローチャートである。また、図5(b)は、図5(a)における制御フローを実施する場合における波長選択部の設定値を説明する図である。第1の実施形態では、図3のステップS3,4において、第2波長を実現するための波長選択部の設定値の変化方向の判定と、その変化方向に応じた制御動作の切換えを行っていた。本実施形態では、この判定を行わず、波長を変更する場合には、必ず初期設定値に設定値を変化させるものである。以下、本実施形態の動作を説明する。
次に、第3の実施形態について説明する。第1および第2の実施形態は、発振波長を第1波長から第2波長へと変化させる場合において、第2波長を実現するための設定値に至る制御の方向を一方向に統一するものであった。一方、波長制御動作については、波長切換え時だけでなく、波長可変レーザ100の起動時においても、波長選択部(SG−DFB領域10およびCSG−DBR領域20)に対しては、無制御状態から目標値の状態への制御動作がなされる。
次に、第4の実施形態について説明する。本実施形態は、第3の実施形態と同様に、波長可変レーザ100を起動する場合における制御に関するものである。以下、本実施形態の動作について説明する。図7(a)は、第4の実施形態を説明するための制御フローチャートである。また、図7(b)は、図7(a)における制御フローを実施する場合における波長選択部の設定値を説明する図である。
11 コルゲーション
12 活性層
20 CSG−DBR領域
21 コルゲーション
22 光導波層
30 ヒータ
40 利得電極
50 温度制御装置
60 コントローラ
70 メモリ
80 ビームスプリッタ
90 波長検知部
100 波長可変レーザ
200 レーザ装置
Claims (5)
- 利得部と、波長特性に周期的なピークを有する第1波長選択手段と、発振波長の可変帯域より狭い帯域に制限された波長範囲において前記第1波長選択手段とは異なる周期で波長特性にピークを有し、ヒータによる屈折率変化によってピーク波長がシフトする第2波長選択手段と、を備え、前記第1波長選択手段および前記第2波長選択手段の波長特性のピークの重ね合わせによって選択される発振波長が、前記第2波長選択手段の温度が一方向に変化するときに、ある一定の温度範囲において同じ発振波長であるテラスを複数備える波長可変レーザの制御方法であって、
発振波長を第1波長から第2波長へ変更する過程において、前記第2波長選択手段の設定値を制御する場合において、
前記第1波長を実現するための第1設定値を、前記第2波長を実現するための第2設定値へ変更する場合における前記第2波長選択手段の制御方向を確認する第1ステップと、
前記第1ステップによって得られた制御方向が、あらかじめ定められた制御方向とは逆の場合には、前記第2設定値よりも当該逆の方向に大きい値を準備設定値として、前記第2波長選択手段に設定する第2ステップと、
前記第2ステップによって設定された前記準備設定値を前記第2設定値へ変更する第3ステップと、
を有することを特徴とする波長可変レーザの制御方法。 - 利得部と、波長特性に周期的なピークを有する第1波長選択手段と、発振波長の可変帯域より狭い帯域に制限された波長範囲において前記第1波長選択手段とは異なる周期で波長特性にピークを有し、ヒータによる屈折率変化によってピーク波長がシフトする第2波長選択手段と、を備え、前記第1波長選択手段および前記第2波長選択手段の波長特性のピークの重ね合わせによって選択される発振波長が、前記第2波長選択手段の温度が一方向に変化するときに、ある一定の温度範囲において同じ発振波長であるテラスを複数備える波長可変レーザの制御方法であって、
発振波長を第1波長から第2波長へ変更する過程において、前記第2波長選択手段の設定値を制御する場合において、
前記第2波長選択手段に設定されている前記第1波長を実現するための第1設定値を、前記第2波長を実現するための第2設定値へ変更する場合における前記第2波長選択手段の制御方向が何れであっても、あらかじめ定められた制御方向の起点となる初期設定値に変更する第1ステップと、
前記第1ステップにおいて前記第2波長選択手段に設定された前記初期設定値を、前記第2波長を実現するための前記第2設定値へ変更する第2ステップと、
を有することを特徴とする波長可変レーザの制御方法。 - 前記初期設定値は、前記第2波長選択手段への制御入力を行わない値であることを特徴とする請求項2記載の波長可変レーザの制御方法。
- 前記第1波長選択手段および前記第2波長選択手段の少なくともいずれかは、所定の間欠間隔でコルゲーションが設けられた導波層を備え、前記間欠間隔のうち少なくとも2つが異なっていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の波長可変レーザの制御方法。
- 前記第1波長選択手段および前記第2波長選択手段の少なくともいずれかは、所定の間欠間隔でコルゲーションが設けられた活性層を備え、前記間欠間隔は実質的に同一であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の波長可変レーザの制御方法。
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