JP4657853B2 - 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 24
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 79
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/0265—Intensity modulators
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- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0287—Facet reflectivity
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
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- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/1221—Detuning between Bragg wavelength and gain maximum
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Description
レーザの導波路中に、回折格子を有する第1の領域と、第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域とを備えるセグメントを複数連結してなる抽出回折格子の構造を有し、複数のセグメントにおいて、第1の領域に挟まれた第2の領域のうち少なくとも2つの光学的長さが互いに異なってなる第1回折格子領域と、光学的長さが異なる各セグメントの屈折率をそれぞれ個別に可変することで、第1回折格子領域における複数の縦モードのピーク波長およびピーク波長の強度を制御する屈折率制御部と、を有する半導体レーザの製造方法であって、第1回折格子領域は、半導体層表面にレジストを塗布する第1の工程と、レジストに回折格子パターンを露光する第2の工程と、第2の工程の後に、レジストに対してさらに、回折格子パターンを離間させる複数のスペース部のパターンを露光する第3の工程と、第3の工程の後にレジストを現像することによって形成されたレジストパターンを半導体層に転写する第4の工程とを含む工程によって形成されることを特徴とするものである。
3,4,5,15,17,19 導波路コア
6 クラッド層
9,10 低反射膜
11 薄膜抵抗体
100 レーザ装置
200,200a,200b,200c レーザ部
300 制御部
A CSG−DR領域
B Gain領域
C SG−DR領域
E SG−DFB領域
F PC領域
Claims (20)
- レーザの導波路中に、回折格子を有する第1の領域と、前記第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域とを備えるセグメントを複数連結してなる抽出回折格子の構造を有し、前記複数のセグメントにおいて、前記第1の領域に挟まれた前記第2の領域のうち少なくとも2つの光学的長さが互いに異なってなる第1回折格子領域と、
前記光学的長さが異なる各セグメントの屈折率をそれぞれ個別に可変することで、前記第1回折格子領域における複数の縦モードのピーク波長および前記ピーク波長の強度を制御する屈折率制御部と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 - 前記レーザの導波路中に、回折格子を有する第1の領域と、前記第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域とを備えるセグメントを複数連結してなる抽出回折格子の構造を有し、前記第2の領域の光学的長さが実質的に同一である第2回折格子領域をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 前記第1回折格子領域において、前記各第2の領域の光学的長さと他の前記第2の領域の光学的長さとの差の最小値は、前記各第2の領域の光学的長さの平均値の1%以上6%以下の範囲にあることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 前記第1回折格子領域において、前記各第2の領域の光学的長さと他の前記第2の領域の光学的長さとの差の最小値は、すべて等しいことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 前記第1回折格子領域における前記各セグメントは、前記第2の領域の光学的長さの昇順または降順に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 前記レーザの導波路中に、回折格子を有する第1の領域と、前記第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域とを備えるセグメントを複数連結してなる抽出回折格子の構造を有し、前記複数のセグメントにおいて、前記第1の領域に挟まれた前記第2の領域のうち少なくとも2つの光学的長さが、互いに異なってなる第3回折格子領域と、
前記光学的長さが異なる各セグメントの屈折率をそれぞれ個別に可変することで、前記第1回折格子領域における複数の縦モードのピーク波長および前記ピーク波長の強度を制御する屈折率制御部と、をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。 - 前記半導体レーザの端面において、光吸収領域または光増幅領域をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 前記屈折率制御部は、前記セグメントの屈折率を制御するためのヒータを備えて構成されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 第1回折格子領域内および前記第2回折格子領域内の光の位相を調整するための位相調整領域をさらに備えることを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ。
- 第1回折格子領域内および前記第3回折格子領域内の光の位相を調整するための位相調整領域をさらに備えることを特徴とする請求項6記載の半導体レーザ。
- レーザの導波路中に、回折格子を有する第1の領域と、前記第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域とを備えるセグメントを複数連結してなる抽出回折格子の構造を有し、前記複数のセグメントにおいて、前記第1の領域に挟まれた前記第2の領域のうち少なくとも2つの光学的長さが互いに異なってなる第1回折格子領域と、前記光学的長さが異なる各セグメントの屈折率をそれぞれ個別に可変することで、前記第1回折格子領域における複数の縦モードのピーク波長および前記ピーク波長の強度を制御する屈折率制御部と、を有する半導体レーザの製造方法であって、
前記第1回折格子領域は、
半導体層表面にレジストを塗布する第1の工程と、
前記レジストに回折格子パターンを露光する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記レジストに対してさらに、前記回折格子パターンを離間させる複数のスペース部のパターンを露光する第3の工程と、
前記第3の工程の後に前記レジストを現像することによって形成されたレジストパターンを前記半導体層に転写する第4の工程とを含む工程によって形成されることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記第2の工程における露光は、干渉露光法を用いた露光であることを特徴とする請求項11記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記第3の工程における露光は、前記スペース部の領域を選択的に開口する露光マスクを用いた露光であることを特徴とする請求項11記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記複数のスペース部のうち少なくとも2つの光学的長さは、実質的に同一であり、
前記第3の工程において、前記複数のスペース部は同時に露光されることを特徴とする請求項11記載の半導体レーザの製造方法。 - レーザの導波路中に、回折格子を有する第1の領域と、前記第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域とを備えるセグメントを複数連結してなる抽出回折格子の構造を有し、前記複数のセグメントにおいて、前記第1の領域に挟まれた前記第2の領域のうち少なくとも2つの光学的長さが互いに異なってなる第1回折格子領域が設けられ、前記光学的長さが異なる各セグメントの屈折率をそれぞれ個別に可変する屈折率制御部を有する半導体レーザに対して、
前記光学的長さが異なる少なくとも2つのセグメントの屈折率を互いに異ならせる制御をすることで、前記第1回折格子領域の複数の縦モードのピーク波長および前記ピーク波長の強度を調整することを特徴とする半導体レーザの制御方法。 - 前記複数のセグメントの屈折率の平均値を一定に保持する制御を行うことで、前記第1回折格子領域は複数の縦モードのピーク波長を維持して、前記ピーク波長の強度が変化することを特徴とする請求項15記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記複数のセグメントの屈折率の差を一定に保持する制御を行うことで、前記第1回折格子領域の縦モードのピーク波長を変化させつつ、前記ピーク波長の強度を維持することを特徴とする請求項15記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記各セグメントの屈折率と他の前記セグメントの屈折率の差との最小値がすべて等しくなるように、前記各セグメントの屈折率を制御することを特徴とする請求項15記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記各セグメントの温度を制御することによって前記各セグメントの屈折率を制御することを特徴とする請求項15記載の半導体レーザの制御方法。
- レーザの導波路中に、回折格子を有する第1の領域と前記第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域とを備えるセグメントを複数連結してなる抽出回折格子の構造を有し、前記複数のセグメントにおいて、前記第1の領域に挟まれた前記第2の領域のうち少なくとも2つの光学的長さが互いに異なってなる第1回折格子領域と、前記光学的長さが異なる各セグメントの屈折率をそれぞれ個別に可変することで、前記第1回折格子領域における複数の縦モードのピーク波長および前記ピーク波長の強度を制御する屈折率制御部とを有する半導体レーザと、
前記半導体レーザの温度を制御するための温度制御装置と、
前記屈折率制御部を制御するための端子と、
前記温度制御装置を制御するための端子とを備えることを特徴とするレーザモジュール。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005232697A JP4657853B2 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法 |
US11/499,651 US8588266B2 (en) | 2005-08-11 | 2006-08-07 | Wavelength tunable semiconductor laser having two difractive grating areas |
EP10171188A EP2244342A3 (en) | 2005-08-11 | 2006-08-08 | Semiconductor laser |
EP06254145A EP1753104B1 (en) | 2005-08-11 | 2006-08-08 | Semiconductor laser |
CN2006101157068A CN1913261B (zh) | 2005-08-11 | 2006-08-11 | 半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置 |
US14/051,473 US20140247844A1 (en) | 2005-08-11 | 2013-10-11 | Wavelength tunable semiconductor laser having two difractive grating areas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005232697A JP4657853B2 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007048988A JP2007048988A (ja) | 2007-02-22 |
JP4657853B2 true JP4657853B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=37467515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005232697A Active JP4657853B2 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8588266B2 (ja) |
EP (2) | EP2244342A3 (ja) |
JP (1) | JP4657853B2 (ja) |
CN (1) | CN1913261B (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7894693B2 (en) | 2007-04-05 | 2011-02-22 | Eudyna Devices Inc. | Optical semiconductor device and method of controlling the same |
JP2009044141A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-26 | Eudyna Devices Inc | 光学デバイスおよびその制御方法 |
JP5303124B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2013-10-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ装置の制御方法 |
US7812594B2 (en) * | 2007-07-19 | 2010-10-12 | Eudyna Devices Inc. | Optical device and method of controlling the same |
JP4943255B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2012-05-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザの制御方法 |
JP5154581B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2013-02-27 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | レーザ装置およびレーザ装置の制御データ |
JP2010153826A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-07-08 | Opnext Japan Inc | 波長可変フィルタ及び波長可変レーザモジュール |
JP5474338B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-04-16 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザのチューニング方法 |
JP5556137B2 (ja) | 2009-11-18 | 2014-07-23 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP5457873B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2014-04-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 波長可変レーザの制御方法 |
JP5499903B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-05-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ |
JP5597029B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-10-01 | 住友電気工業株式会社 | 波長可変半導体レーザ |
JP2013033892A (ja) | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザおよびレーザ装置 |
JP6186864B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2017-08-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ |
US8861556B2 (en) * | 2012-07-05 | 2014-10-14 | Jds Uniphase Corporation | Tunable Bragg grating and a tunable laser diode using same |
JP6270387B2 (ja) * | 2013-09-12 | 2018-01-31 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光共振器、半導体光素子及び光通信モジュール |
US9791622B2 (en) * | 2013-09-12 | 2017-10-17 | Oclaro Japan, Inc. | Optical semiconductor resonator, optical semiconductor device, and optical module |
WO2015039273A1 (zh) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 华为技术有限公司 | 一种激光器、光信号调制方法和光网络系统 |
JP6241919B2 (ja) | 2013-09-30 | 2017-12-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光学半導体デバイス |
JP6507604B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2019-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ及び半導体レーザアレイ |
US20180083421A1 (en) | 2015-03-06 | 2018-03-22 | Apple Inc. | Independent control of emission wavelength and output power of a semiconductor laser |
CN107624206B (zh) * | 2015-04-30 | 2022-05-27 | 苹果公司 | 包括集成调谐元件的游标效应dbr激光器 |
US10756507B2 (en) | 2017-01-23 | 2020-08-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process of forming epitaxial substrate and semiconductor optical device |
US11552454B1 (en) | 2017-09-28 | 2023-01-10 | Apple Inc. | Integrated laser source |
US11158996B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-10-26 | Apple Inc. | Laser architectures using quantum well intermixing techniques |
TWI710186B (zh) * | 2017-10-17 | 2020-11-11 | 光環科技股份有限公司 | 分散式回饋雷射的結構與製法 |
US11171464B1 (en) | 2018-12-14 | 2021-11-09 | Apple Inc. | Laser integration techniques |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03150890A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Hitachi Ltd | コヒーレント通信用半導体レーザ |
JPH06112570A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Anritsu Corp | 分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
JPH06125138A (ja) * | 1992-10-10 | 1994-05-06 | Anritsu Corp | レーザ装置 |
JPH09270568A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Anritsu Corp | 多重波長発振レーザ |
JP2000510602A (ja) * | 1995-10-06 | 2000-08-15 | ブリティッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー | 光フィルタ |
JP2003017803A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 波長可変半導体レーザおよび光モジュール |
US20030147588A1 (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-07 | Lightwaves 2020, Inc. | Step-chirped, sampled optical waveguide gratings for WDM channel operations and method of manufacture therefor |
US6782164B1 (en) * | 2002-01-31 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Thermally wavelength tunable laser having selectively activated gratings |
JP2004336002A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Korea Electronics Telecommun | 抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4896325A (en) | 1988-08-23 | 1990-01-23 | The Regents Of The University Of California | Multi-section tunable laser with differing multi-element mirrors |
FR2716303B1 (fr) * | 1994-02-11 | 1996-04-05 | Franck Delorme | Laser à réflecteurs de Bragg distribués, accordable en longueur d'onde, à réseaux de diffraction virtuels activés sélectivement. |
US5841799A (en) | 1994-12-17 | 1998-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser, modulation method therefor and optical communication system using the same |
AUPN089895A0 (en) | 1995-02-03 | 1995-03-02 | University Of Sydney, The | Broadband grating |
TW393813B (en) | 1998-12-03 | 2000-06-11 | Nat Science Council | Adjustable monolithic multi-wavelength laser arrays |
US6909734B2 (en) | 1999-09-02 | 2005-06-21 | Agility Communications, Inc. | High-power, manufacturable sampled grating distributed Bragg reflector lasers |
US6317539B1 (en) | 1999-09-17 | 2001-11-13 | Jds Uniphase Corporation | Interleaved sampled and chirped optical waveguide gratings for WDM channel operations and resulting devices |
DE60135106D1 (de) | 2000-05-04 | 2008-09-11 | Agility Comm Inc | Verteilten bragg- reflektor mit tastgitter |
US6937638B2 (en) | 2000-06-09 | 2005-08-30 | Agility Communications, Inc. | Manufacturable sampled grating mirrors |
US7653093B2 (en) | 2001-09-10 | 2010-01-26 | Imec | Widely tunable twin guide laser structure |
JP4345926B2 (ja) | 2004-02-17 | 2009-10-14 | 三井化学産資株式会社 | 緩勾配法面盛土用の型枠と工法 |
-
2005
- 2005-08-11 JP JP2005232697A patent/JP4657853B2/ja active Active
-
2006
- 2006-08-07 US US11/499,651 patent/US8588266B2/en active Active
- 2006-08-08 EP EP10171188A patent/EP2244342A3/en not_active Withdrawn
- 2006-08-08 EP EP06254145A patent/EP1753104B1/en active Active
- 2006-08-11 CN CN2006101157068A patent/CN1913261B/zh active Active
-
2013
- 2013-10-11 US US14/051,473 patent/US20140247844A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03150890A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Hitachi Ltd | コヒーレント通信用半導体レーザ |
JPH06112570A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Anritsu Corp | 分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
JPH06125138A (ja) * | 1992-10-10 | 1994-05-06 | Anritsu Corp | レーザ装置 |
JP2000510602A (ja) * | 1995-10-06 | 2000-08-15 | ブリティッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー | 光フィルタ |
JPH09270568A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Anritsu Corp | 多重波長発振レーザ |
JP2003017803A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 波長可変半導体レーザおよび光モジュール |
US6782164B1 (en) * | 2002-01-31 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Thermally wavelength tunable laser having selectively activated gratings |
US20030147588A1 (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-07 | Lightwaves 2020, Inc. | Step-chirped, sampled optical waveguide gratings for WDM channel operations and method of manufacture therefor |
JP2004336002A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Korea Electronics Telecommun | 抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2244342A3 (en) | 2010-12-22 |
CN1913261B (zh) | 2012-06-20 |
EP1753104A3 (en) | 2007-06-13 |
EP1753104A2 (en) | 2007-02-14 |
CN1913261A (zh) | 2007-02-14 |
US20140247844A1 (en) | 2014-09-04 |
US20070036188A1 (en) | 2007-02-15 |
JP2007048988A (ja) | 2007-02-22 |
EP2244342A2 (en) | 2010-10-27 |
EP1753104B1 (en) | 2012-11-21 |
US8588266B2 (en) | 2013-11-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4657853 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |