JP2000510602A - 光フィルタ - Google Patents

光フィルタ

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Abstract

(57)【要約】 半導体光デバイスの導波路領域（１０４）内に置かれた少くとも２つのグレーテング（１０２，１０３）から光フィルタが形成されている。各グレーテングには複数のピーク光通過帯域がある。グレーテングは導波路領域内で間隔をあけてあり、櫛形フィルタ特性をもつ光空洞を形成している。このグレーテングは光利得素子の能動領域内に置かれてもよく、好ましい例では超構造グレーテング（ＳＳＧ）である。多数のフィルタを直列に一体接続できる。

Description

【発明の詳細な説明】 光フィルタ この発明は光フィルタと、光フィルタと共働する光源とに関する。とくに、同 調可能フィルタと、例えば波長分割多重（ＷＤＭ）を採用する光網で使用するの に適した光源に関する。 ＷＤＭと波長ルート決定とを光網で使うことが例えばマルチメディアサービス の提供用に大幅な帯域を備えるために提案されている。同調可能なレーザとフィ ルタとはこのようなシステムの実現のための本質的な部品であり、望ましいのは 、同調範囲約４０ｎｍが準備されて、１５５０ｎｍ付近のエルビウム増幅器伝送 窓を完全にカバーすることができるようにするのが例えば必要とされる。 以前には、同調可能な光源として分散形Bragg反射器レーザ（ＤＢＲ）を用い ることが提案された［Oeberg M et al.，“Complete single mode wavelength c overage over 40nm with a super structure grating DBR lasev”14th Semi.La ser Conf・Procecdings,1994,pp.32-33］。このデバイスに対しては４０ｎｍと いう広い同調範囲が謳われているが、組立てと制御とが複雑であるという不利益 がある。広い同調範囲を達成することはレーザの超構造グレーテング（ＳＳＧ） と位相制御部内との両方での制御電流の調節を必要とする。 別なやり方はグレーテングを利用した垂直結合のフィルタ（ＧＡＶＣＦ）を備 えたレーザを使用する。論文Kim I.,et al.，“Broadly tunable Vertical-coup ler filtered tensilc-strained ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ multiple qu antum well laser”，Appl.Phys.Lett.,1994,64,(21),pp.2764-2766はこのよう なデバイスの１つを開示する。同調範囲７０ｎｍが謳われていて、制御電流１つ だけが必要とされるけれど、このデバイスは全波長をカバーできず、レーザ空洞 のたてモード間をとびとびでカバーしている。 この発明を第１の観点でとらえると、半導体光デバイスの波長領域内に位置し ている少くとも２つのグレーテングに特徴がある光フィルタが用意され、各グレ ーテングは複数のピークの光通過帯域をもち、またグレーテングは波長領域で間 隔をあけて存在して、透過櫛形フィルタ特性をもつ光空洞を形成している。 この発明の第１の特徴は半導体レーザで使用するのにとくに適したフィルタを 提供するが、しかも、例えば波長選択性チャンネルフィルタとしてのように他の 使用も可能であることである。このフィルタは発明者により“in-line Fabry Pe rot”（ＩＬＦＰ：インライン ファブリィ ペロー）と命名され、新構造を採 用しており、そこでは１対のグレーテングが光半導体デバイスの導波路領域内部 で間隔をとっている。さらに詳細は下記するところであるが、この構造はFabry Perotフィルタとして機能し、１ｎｍよりも小さい比較的狭い範囲にわたり同調 可能な等間隔波長の櫛で成る応答を有している。従来形のFabry Perotフィルタ と対比すると、この発明のフィルタはへき開したミラーファセットを必要としな いので、他のデバイスとモノリシック集積をはるかに簡単にすることができる。 とくに、インラインフィルタはＧＡＶＣＦと組合せてデバイスを作ることができ 、このデバイスは特定波長にわたり広く同調可能な全体応答特性をもち、それに は単一の制御電流だけを必要とし、しかもその範囲の実質的な全体にわたって単 一モードを維持している。 好ましいのは、グレーテングを超構造グレーテング（ＳＳＧ）とする。 他のフィルタ形式、例えばサンプルしたグレーテングとか計算機生成のグレー テングを使用してもよいが、ＳＳＧの使用は最適効率を提供するので好ましい。 ＳＳＧはサンプルしたグレーテングと同じやり方で動作するが、多数の大きなピ ークを得るために線形チャープ周期をもつグレーテングを使用する。先行技術の システムではＳＳＧもしくはサンプルしたグレーテング構造により作られるピー クは反射ピークである。この発明を実施するシステムはこれと対比して、透過ピ ークを与える。線形チャープグレーテングは周期として多数の等ステップで始め の周期Λaから終りの周期Λbまで変り、ここでは始めの周期は終りの周期より大 きいか小さいものである。代って、線形チャープ周期をもつグレーテングを組立 てるのがむづかしいから、多数の離散的な位相シフトをもつ一定周期グレーテン グを使用して近似することができる。用語ＳＳＧをここで使用するが、このやり 方で作られたフィルタも、また真に線形チャープ周期をもつフィルタも同じよう に含んでいる広義のものである。 好ましくは、半導体光デバイスには光利得素子を含み、またグレーテングは光 利得素子の単一の連続する能動領域内部で間隔をあけて存在するとする。 この発明のインラインフィルタは半導体レーザのような能動デバイス内部に利 点を備えて集積され、コンパクトでしかも同調可能な光源を作ることができる。 この発明を第２の観点でとらえると、フィルタシステムが用意され、その構成 はこの発明の第１の特徴をもつ複数のフィルタが導波路領域に沿って直列に結合 されていて、フィルタ間の境界では位相不連続をもつようにしている。 ここで、この発明の明細書の他の部分と同様に、“位相、phase”とか“周期 、period”とは空間的位相とかグレーテングの周期を意味する。この発明の第１ の特徴によるインラインフィルタはたった１対のグレーテングから形成できるが 、この発明者はインラインフィルタの特性が、多数のこのようなフィルタを鎖状 とし、それらの間の境界で位相シフトをもたせるようにすることでさらに強調さ れることを発見した。 好ましいのは、この複数のフィルタは導波路の中心領域のまわりに対称に配置 されていること、またこの中心領域で導波路間の境界で位相シフトπであること である。この構成では、チャープしたグレーテングを使用するときは、増えて行 く周波数の方向がシステム全体ですべてのグレーテングに対して同じになる。 この発明を第３の観点でとらえると、グレーテングに助けられた、垂直結合し たフィルタ（ＧＡＶＣＦ）が用意され、その構成は第１の導波路領域と、第１の 導波路領域と整列しかつ第１の方向に第１の導波路から間をあけた第２の導波路 とから成り、該グレーテングは該第１の方向と直交する面内で第２の導波路の幅 の周期的変動によって作られていることを特徴とする。 この発明のこの特徴はＧＡＶＣＦデバイスに対して新しい構造をもたらす。従 来は、ＧＡＶＣＦ内のグレーテングはより強い導波路の上、下もしくは内部にエ ッチングをしていた。この発明のデバイスは、これに比べると、導波路の周りに 横方向に形成されているグレーテングを使用している。これが組立てがより容易 で歩留りがよくなる構造を作っている。 上述の導入部で示したように、ＧＡＶＣＦ構造を採用するレーザはＷＤＭ応用 に適した同調可能な光源を用意するのに使用できる。第３の特徴をもつＧＡＶＣ Ｆはこのようなレーザに使用してよく、好ましいのは、もっとも必ずしもそうで もないが、第１と第２との特徴をもつインラインフィルタと組合せることである 。 この発明はまた、この発明の第３の特徴によるＧＡＶＣＦを製造する方法も含 む。 この発明を実施するシステムをさらに詳しく記述して行くが、添付の図面を参 照して、例としてのみの目的で記述する。 図１はFabry-Perotフィルタの構造を模式的に示す。 図２ａと２ｂは図１のフィルタの計算した透過をBragg条件からの正規化した 波数偏差の関数として示すグラフである。 図３はこのフィルタの正規化した透過スペクトラムの測定値を波長の関数とし て示すグラフである。 図４ａと４ｂは横方向のグレーテングを利用した垂直カップラフィルタと共働 するＩＬＦＰレーザの平面図と側断面をそれぞれ示す模式図である。 図５ａと５ｂはＩＬＦＰの全体のグレーテング構造と、単一グレーテング部の 詳細構造をそれぞれ示す。 図６はカスケードとしたＩＬＦＰグレーテングの計算した透過スペクトラムを Bragg条件からの正規化した波数偏差の関数として示す。 図７はコディレクショナルカップラフィルタ部への同調用電流の関数としてレ ーザの出力波長を示す。 図８はレーザの模式的部分図である。 図９はレーザを形成するためのプレーナ構造の断面図である。 図１に示すように、光フィルタ１０１は１対の超構造グレーテング（ＳＳＧ） １０２，１０３で成り、その各々は長さがＬgで、両者間に長さＬfの平坦な領域 をもっていて、全空洞長がＬf＋２Ｌgとなっている。グレーテングのピッチはΛa からΛbへ変り、λa（＝２ｎeqΛa／ｎ）からλb（＝２ｎeqΛb／ｎ）まで等間 隔のたてモードを与えるようにしている。ここでｎeqは等価屈折率、ｎはグレー テング次数である。グレーテングは電子ビームリソブラフィを用いて導波路層１ ０４の表面上に形成されている。この構造を発明者はインラインFabry-Perot（ ＩＬＦＰ）と呼び、例えば図３に見られるような櫛形フィルタ応答を作り出す。 このフィルタの寸法、材料及び製造プロセスはＧＡＶＣＦレーザを参照して以 下に詳細することとする。 チャープしたグレーテングを使う代りに、多相シフトグレーテングを用いてフ ィルタを構成してもよい［H.Ishii.Y.Tohmori,Y.Yoshikuni,T.Tamaru,and Y.Kon do，“Multiple-phase-shift,super structure grating DBR lasers for broad wavelength tuning,”IEEE Photonics Technol.Lett.,vol.5,no.6,pp.613-615,1 993］。多位相シフトグレーテングの位相変調は等価チャープグレーテングのピ ッチ変調と次のような関係がある。 φ(z)=π∫｛(１／Λ(z)）−（１／Λav）｝ｄｚ ここでφ(z)はグレーテングの相対的位相であり、Λ(z)は長さに沿った位置ｚで のグレーテングピッチであり、Λavは平均したグレーテングピッチである。多数 の小さな位相シフトは完全なチャープグレーテングに対する一番近い近似を与え る。現在の例ではλ／１６（０．２５π）位相シフトを用いるが、その理由はこ れが標準の電子ビームリソグラフィプロセスで使用可能なことによる。 ＩＬＦＰフィルタの透過スペクトルはＦマトリックス法により計算される［M. Yamada and K.Sakuda，“Analysis of almost-periodic distributed feedback slab waveguid evia a fundamental matrix approach”,Appl.Optics,vol.26,no .16,pp.3478,1987］．各グレーテングには１２の等間隔λ／１６（０．２５π） 位相シフトがあり、全体で３πの位相シフトを生じている。フィルタの帯域幅は 全位相シフトに比例する。Ｌf＝Ｌgとし、かつ正規化した結合係数（κＬg）を ３．０に設定すると、１２の均一に間をあけたピークをもつ計算した透過応答が 得られる、図２（ａ）。この計算した透過はBragg条件Δβ（Ｌf＋２Ｌg）から の正規化した波数偏差の関数としてプロットされる。ここでΔβはBragg条件か らの波数変位である。各ピーク間で１ｎｍの間隔を得るためには、全体のデバイ ス長（Ｌf＋２Ｌg）は５８０μｍで、結合係数κは１５５ｃｍ-1が必要とされる 。 平坦部分の長さを増すと、ピーク数が増える。図２（ｂ）はＬfが２Ｌgにまで 増えたときの計算した透過率を示す。図２（ａ）の場合に用いたのと同じパラメ ータを他については使用した。１８の鋭いピークがほぼ同じ強度で得られている 。１ナノメータのピーク間隔を得るためには、デバイスの全長（Ｌf＋２Ｌg） は６３８μｍで、僅かに大きな結合係数κ＝１８８ｃｍ-1が必要される。 Ｌgに対してさらにＬfの長さを増すと、透過スペクトルにもっと多くのピーク が得られる。しかし、フィルタを組立てるのはもっとむづかしくなり、その理由 として結合係数が増すことがある。位相シフトの全数を増すこともフィルタ帯域 幅を増すが、透過ピークの強度を不揃いとする。 一実施例では、導波路フィルタデバイスが上記で概要を述べた第２のＩＬＦＰ フィルタ設計（Ｌf＝２Ｌg、κＬg＝３．０）を用いて組立てられた。２次の擬 似チャープグレーテング（平均グレーテングピッチ４８３．６ｎｍ）が電子ピー ムリソグラフィを用いて導波路層の上面上に形成された。ＩｎＧａＡｓＰ導波路 層（ホトルミネッセンスピークは１．３μｍで厚さは０．４μｍ）がＩｎＰクラ ッド層によって挟まれている。ＢＨ構造が１．０μｍ幅メサをｐ−及びｎ−Ｉｎ Ｐ電流阻止層を埋め込み、ｐ−ＩｎＰを重ねて成長させて形成された。全体の空 洞長は６４５μｍで、結合係数κは埋め込まれたグレーテングの形状から１８４ ｃｍ-1と推定された。スライスがへき開されて、１ｍｍ長のデバイスでＩＬＦＰ のいずれかの側に１７５μｍの平坦領域をもつものとされた。両方のへき開ファ セットは反射防止コーテングが施されて、反射率が１％より小さいものに減らさ れた。 透過スペクトラムは波長可変レーザを光源として用いて測定された。測定した 正規化した透過スペクトラムを波長の関数として図３に示した。１８のはっきり とした１ｍｍ間隔の透過ピークが観測されており、これは我々の計算とよく一致 している。 この例では、ＩＬＦＰのグレーテングは１１の等間隔のたてモードを作ってい る。９６２μｍ長のＩＬＦＰレーザ部４１が１４６３μｍ長のＧＡＶＣＦと２０ ０μｍ長のテーパ部によって結合されている。ＧＡＶＣＦの上側の導波路はファ セットの面取りをして約２５０μｍに短かくして、上側導波路を通るフィルタを かけていない光の反射を妨げるようにしている。下側導波路４６に結合されたフ ィルタのかかった光はへき開ファセットで反射して、再び上側導波路４５に入る ように結合する。このフィルタをかけた光はＩＬＦＰレーザのたてモードの１つ を励起して、単一モード動作を生ずる。 ＧＡＶＣＦ設計は以下に詳述するように横方向グレーテングを使用する。ＩＬ ＦＰレーザはこの例では、ＭＱＷ能動層として８．７ｎｍ厚さの井戸で１．０％ の圧縮ひずみをもつものと、１４ｎｍ厚さのバリヤで０．５％の張力ひずみとを ひずみ補償用としてもつものとが有る。グレーテングは０．２μｍ厚で１．３μ ｍ波長の４要素層がＭＱＷ能動層上に作られるようにエッチングされている。 この例では、グレーテング構造でＩＬＦＰレーザとして使われるものには１２ のグレーテング領域と１１の平均領域とがある。グレーテングのこの構造は図５ に示されている。フィルタは擬似チャープグレーテングで周期が４７７．６ｎｍ 、１２のλ／１６位相シフトを備えたものを有している。レーザ空洞の中央にあ る平坦領域は他の平坦領域より０．１１９μｍ長く、中心でπの位相シフトを与 えている。 図６はカスケード接続したＩＬＦＰフィルタの透過スペクトラムをBragg条件 からの正規化した波数偏差の関数として示す。１３の鋭い等間隔のピークが得ら れている。各ピークには四分の一波長シフトＤＦＢレーザのものと同じような応 答を有している。正規化した結合係数κＬg（Ｌgはグレーテング領域の全長）は ４．０と仮定してある。４ｎｍ間隔モードを得るためには、全空洞長９６３μｍ を用いた。５つのリップルが各４ｎｍ間隔ピーク間に観察されているが、リップ ルのしきい値利得は鋭いピークのものよりもぐんと高く、これがレーザ作用を妨 げている。 使用時には、波長同調はデバイスのＧＡＶＣＦ部への電流注入によって得られ る。図７は一定のＩＬＦＰ電流９０ｍＡに対して同調電流の関数として波長を示 した。１２の異なるたてモードにアクセスできて、４４ｎｍの同調範囲を与えて いる。主モードのピークパワーは３．６ｄＢｍから−７．１ｄＢｍまで同調の間 に減少するが、これは自由キャリヤ損失が増すことが原因である。安定な単一モ ード動作でＳＭＳＲ（サイドモード抑制比）が２５ｄＢよりよいものが４４ｎｍ の同調範囲内の各モードに対して得られる。レーザ作用は所望の４ｎｍ間隔ピー ク間の波長で観察されていない。 この実施例のＧＡＶＣＦは従来形のＧＡＶＣＦデバイスとは次の点で違ってい る。すなわち、ＧＡＶＣＦグレーテング４５０は上側の（高屈折率）導波路４５ の幅を変えることによって形成されている点である。これはグレーテングが導波 路自体と同じ時に形成できるようにするから、組立ての複雑さを減らしてデバイ スの歩留りを増す。ＧＡＶＣＦの結合長はアイゲンモード（固有モード）整合及 び伝播（ＥＭＰ）法を用いて計算された［H.P.Noeting and G.Sztefka，“Eigen mode matching and propagation theory of square meander-typr couplers” ，IEEE Photon.Tech.,Lett.,1992,4,(12),pp1386-1389］．ＥＭＰ方法で必要と される２次元フィールドプロフィルタと導波モード指数とはベクトル有限差（Ve ctorial finite difference）プログラムを用いて計算された。選ばれた構造で は、０．４μｍ厚さ、１．３μｍ波長４要素上側導波路でメサ幅が１．７μと２ ．０μｍとを備えたものを使った。１．７μｍから２．０μｍへの周期的な幅変 動が横方向グレーテングを形成した。この上側導波路は１．５μｍのIｎＰによ って、０．１μｍ厚さ、４μｍ幅１．１μｍ波長４要素下側導波路から分離され た。この構造を用いて、７７周期グレーテング（グレーテング周期１９．０５μ ｍ）で結合長１４６７μｍをもつものが全モード転送を得るのに必要であること が計算された。この構造のフィルタ応答のＦＷＨＭは約４ｎｍとなることが計算 された。上側の導波路は多モードであったので、幅は断熱的にテーパをつけて１ ．０μｍに縮めてから次第に消えて行く結合をもつデバイスの能動層に達するよ うにし、一番低次の横モードだけが励起されるようにしている。上側の導波路は デバイスの後方の窓部内で除去され、能動層からフィルタのかかっていない反射 光を抑制した。 ここで同調可能なレーザの組立てを図８と９とを参照して記述して行く。組立 てられたデバイスは１０００μｍ長の利得部、２００μｍのテーパ一部、それに １８００μｍのＧＡＶＣＦと窓との組合せた領域とを備えている。３つのグレー テング周期（１８．５μｍ，１９．０μｍ及び１9．５μｍ）がＧＡＶＣＦ領域 で使用されて、計算と組立て許容差が許されるようにしている。 このデバイスに用いられた材料はＳをドープしたＩｎＰ基板１上に大気圧ＭＯ ＶＰＥを用いてエピタキシャル成長したものである。（図９の）プレーナはその 構成が、２μｍ厚さのＳをドープしたＩｎＰバッファ２；０．１μｍ厚さのＳを ドープした下側導波路層で１．１μｍ波長ＩｎＧａＡｓＰで成るもの３；１．５ μｍのＳドープしたＩｎＰスペーサ層４；０．４μｍ厚さのドープしていない導 波路で１．３μｍ波長ＩｎＧａＡｓＰで成るもの５；０．０５μｍ厚さでＳをド ープしたＩｎＰスペーサ層６；８井戸のひずみがあるＭＱＷ能動層で放出波長が 約１．５７μｍのもの７；０．２μｍ厚さでＺｎをドープした１．３μｍ波長Ｉ ｎＧａＡｓＰグレーテング層８で構成されている。 インラインFabry-Perot（ＩＬＦＰ）を含むこのデバイスの組立てプロセスの 第１段階は電子ビームリソグラフィによるグレーテングの規定画成である。（こ の部分をもたないデバイスに対しては、この段階は消失するが、これ以外のプロ セスは同一である）。一度グレーテングが規定されると、能動領域がデバイスの 領域でそれを必要としない場所、すなわちＧＡＶＣＦから除去される。これには 先ずデバイスの能動層上に酸化物マスクを規定することによって行なわれる。保 護されていない材料が次に乾式エッチングを用いて、短波長４要素グレーテング 層（もしくはＩＬＦＰなしのデバイスのＩｎＰ）を介してエッチングすることで 除去し、続いて選択性湿式化学エッチングにより、４要素能動層を攻めるが、下 側にあるＩｎＰスペーサ層はエッチングしないようにする。第１の酸化物マスク は除去されて、新しいものが堆積される。これが次に４μｍ幅ストライプを規定 するために使用され、これが次の段階で上側導波路が形成されたときに下側導波 路を規定することになる。マスクが使われて下にある材料が深さ０．６μｍまで エッチングされるようにする。デバイスの能動領域では、この導波路幅は１００ μｍまで増加されて、好ましくない波長の光を散乱させるようにする。酸化物マ スクが再び除去されて、新しい層が堆積される。これが新しい横方向にエッチン グされた垂直カップラフィルタグレーテングを含む上側のメサを規定するために 使用される。横方向にエッチングされたグレーテングの使用はＶＣＦグレーテン グに対する分離層の必要性を取り除き、しかもそれを規定するためのホトリソグ ラフィの追加レベルを必要としないようにしている。これが組立の複雑さを低減 し、それゆえに、デバイス歩留りの可能性を高めている。 パターンを形成した酸化物マスクは次に使用されて、下にある半導体を深さ１ ．６５μｍまで乾式エッチングして厚さ１．３μｍの４要素導波路内に高屈折率 上側導波路を規定するようにする。同時に、前の段階でエッチされた段が下へ移 さ れて、薄い１．１μｍ４要素導波路内の弱い下側導波路を形成するようにする。 上側の導波路はデバイスの長さ全体にわたって連続ではないが、デバイスの前の ファセットから約２５０μｍが切り落されていて、好ましいフィルタをかけた波 長だけがデバイスの前のファセットから反射される。二重メサ構造が次に重ねて 成長されて、埋められた構造を作る。（我々のデバイスでは、２段成長が実行さ れて、埋められたヘテロ構造デバイスが規定画成されている）。他の代りのやり 方の中には、もしそう望むのであれば、単一の重ね成長段階を用いた埋め込みリ ッジ（Buried Ridge）デバイスを形成可能とするものもある。第１段の重ね成長 では、逆バイアスしたｐ−ｎ接合電流阻止層が成長され、その構成は０．８μｍ のＺｎをドープした層９に続いて、０．６μｍのＳをドープした層１０が続いて いる（半絶縁性のＦｅをドープした重ね成長もまた採用されて、層９と１０とを 置換えている）。酸化物マスクが次に除去されて、第2の上への成長が実行され る。これは２．５μｍのＺｎをドープしたＩｎＰ（１１）と、それに続く０．１ μｍの高いＺｎドープの（＞ｅ１９ｃｍ-3）ＩｎＧａＡｓ接触層（１２）とで構 成されている。別の酸化物マスクが次に堆積され、パターン形成がされてデバイ スの各種類領域上に接触部が形成される。すなわち、ＧＡＶＣＦ同調部、能動領 域及び位相制御領域がそれらに当る。 酸化物マスクは再び除去されて、新しい層が堆積される。これは上に重ね成長 された導波路のいずれかの側部の溝（トレンチ）を規定する。このトレンチは約 ３０μｍ間をあけていて、約４．５μｍの深さにエッチングされている。このト レンチはキャパシタンスを少くし、かつデバイスの違った部分間の絶縁抵抗を増 すために使われている。 酸化物マスクは除去されて、酸化物の最終層が堆積される。これが前に規定さ れた三重のメサ上に接触部窓を規定するために使用され、その一方で必要としな ないチップの領域内に接触部が形成されないようにしている。ＴｉＡｕ ｐサイ ドメタライズ部が堆積され、パターン形成されて、デバイスの違った領域への別 な接触部が形成される。基板は約１００μｍまで薄くされ、ＴｉＡｕメタライズ 部がデバイスのｎサイド上に堆積される。デバイススライスが次にへき開されて 個々のデバイスとなる。図８はこのデバイスの模式図を示し、いろいろな点での 導波路の幾何学形状の断面図を示している。 上述の例は横方向グレーテングＧＡＶＣＦとインラインＦＰとを組合せて使用 したが、この発明のもつこういった特徴のいずれもが、このようなやり方での使 用に限定されず、互に独立して両方とも使用することが許される。例えば、横方 向グレーテングＧＡＶＣＦ構造は従来形の利得部分と、従来形のサンプルしたグ レーテングから形成された後部反射器との間に置いて使用できる。別な例として は、同調可能なレーザを同調のための超構造グレーテング（ＳＳＧ）と、光源を を用意するためのＩＬＦＰレーザとの組合せを用いて形成してもよい。ＧＡＶＣ Ｆは後部ＳＳＧと共に使用されてよく、この場合にはＳＳＧは反射されたピーク の櫛を作る。さらに別な代替物では、ＩＬＦＰはＳＳＧと組合せてもよい。この 場合はＩＬＦＰとＳＳＧとの両方がそれぞれの櫛状反射を作る。電流をＩＬＦＰ の受能領域に注入することにより、このシステムはバーニア効果を用いて同調す ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバートソン、マイケル・ジェイムズ イギリス国、アイピー１・４エルジェイ、 サフォーク、イプスウィッチ、コッツウォ ールド・アベニュー 33 (72)発明者 岡井 誠 東京都国分寺市東恋ケ窪１−280 日立製 作所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．半導体光デバイス（１０１）の導波路領域（１０４）内に置かれた少くと も２つのグレーテング（１０２，１０３）で成る光フィルタであって、各グレー テングは複数のピークの光通過帯域をもち、かつ該グレーテングは導波路領域内 に間隔をあけて存在して、透過櫛形フィルタ特性をもつ光空洞を形成しているフ ィルタ。 ２．前記半導体光デバイス（１０１）は光利得素子を含み、また前記グレーテ ングはこの光利得素子の単一連続能動領域内で間隔をあけて存在している請求項 １記載のフィルタ。 ３．前記半導体光デバイスは受動同調可能光素子を含み、また前記グレーテン グ（１０２，１０３）はこの光利得素子の単一連続導波路領域内で間隔をあけて 存在している請求項１記載のフィルタ。 ４．前記グレーテング（１０２，１０３）が超構造グレーテング（ＳＳＧ）で ある請求項１、２、３のいずれか１項記載のフィルタ。 ５．前記グレーテング（１０２，１０３）はサンプルしたグレーテングである 請求項１、２、３のいずれか１項記載のフィルタ。 ６．前記グレーテングは不規則な、計算機で生成したグレーテングである請求 項１、２、３のいずれか１項記載のフィルタ。 ７．前記請求項１ないし６のいずれか１項記載のフィルタの複数が導波路領域 に沿って直列に接続されて成り、フィルタ間の境界には位相不連続が備わってい るフィルタシステム。 ８．前記複数のフィルタは導波路の中心領域の周りに対称に配置されており、 この中心領域で導波路間の境界にはπの位相シフトが存在する請求項７記載のフ ィルタシステム。 ９．第１の導波路領域（４６）と、第１の導波路領域と整列しかつ第１の方向 で該第１の導波路から間をあけている第２の導波路領域（４５）と、第２の導波 路領域と関係したグレーテング（４５０）とから成り、該グレーテング（４５０ ）は該第１の方向と垂直な面内で第２の導波路の幅の周期的変動によって作られ ていることを特徴とするグレーテングで助けられている垂直結合のフィルタ（Ｇ Ａ ＶＣＦ）。 10．前記面内の前記第２の導波路（４５）のプロフィルは導波路の長手方向軸 に関して対称である請求項９記載のフィルタ。 11．レーザの光空洞内で、前記請求項１ないし１０のいずれか１項記載のフィ ルタ又はフィルタシステムと共働する同調可能な半導体レーザ。 12．前記フィルタ又はフィルタシステムと直列に結合したＧＡＶＣＦを含む請 求項１１記載のレーザ。 13．前記請求項１ないし８のいずれか１項記載のフィルタ又はフィルタシステ ムと直列に結合した請求項９又は１０記載のＧＡＶＣＦを含む請求項１１記載の レーザ。 14．グレーテングで助けられている垂直結合のフィルタ（ＧＡＶＣＦ）の製造 方法であって、 基板上に第１の導波路領域を形成し、 該第１の導波路領域と整列しかつ第１の方向で該第１の導波路から間をあけて いる第２の導波路領域を形成し、 該第２の導波路領域と関係したグレーテングを形成する段階で成り、このグレ ーテングを形成する段階が第２の導波路の幅を変更し、それによって該第１の方 向と垂直な面内で幅に周期的な変化を与えることを含むことを特徴とする製造方 法。 15．光信号にフィルタをかける方法であって、 半導体光デバイス（１０１）の導波路領域を通る信号を通過し、 該導波路領域には少くとも２つのグレーテング（１０２，１０３）があって、 導波路領域内で間隔をとって存在して、光空洞を形成し、 各グレーテングは複数ピークの光通過帯域を有し、また、光空洞内の光信号に 透過櫛形特性を与えることを特徴とする方法。 16．半導体光デバイス（１０１）の導波路領域１０４内に置かれた少くとも２ つのグレーテング（１０２，１０３）は、各グレーテングが複数のピーク光通過 帯域をもち、またグレーテングは導波路領域内で間隔をあけて存在し、それによ って櫛形フィルタ特性をもつ光空洞を形成していることを特徴とする光フィルタ 。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017803A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Mitsubishi Electric Corp 波長可変半導体レーザおよび光モジュール
JP2004128372A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 分布帰還型半導体レーザ素子
JPWO2003098292A1 (ja) * 2002-05-22 2005-09-15 昭和電線電纜株式会社 信号遮断デバイス、光コネクタおよび光ファイバ型カプラ
JP2005303077A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ装置
JP2005327881A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長可変半導体レーザ
JP2007048988A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Eudyna Devices Inc 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法
US8452193B2 (en) 2008-12-26 2013-05-28 Fujitsu Limited Optical receiver

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198863B1 (en) * 1995-10-06 2001-03-06 British Telecommunications Public Limited Company Optical filters
KR100211064B1 (ko) * 1996-12-04 1999-07-15 정선종 비선형 박막을 갖는 광도파로
FR2775355B1 (fr) * 1998-02-26 2000-03-31 Alsthom Cge Alcatel Reflecteur optique en semi-conducteur et procede de fabrication
GB9809583D0 (en) * 1998-05-06 1998-07-01 Marconi Gec Ltd Optical devices
AUPQ300199A0 (en) * 1999-09-21 1999-10-14 University Of Sydney, The A grating design
US6205270B1 (en) 1999-09-23 2001-03-20 Avanex Corporation Dense wavelength division multiplexer which includes a dense optical channel comb filter
US7310363B1 (en) * 1999-09-28 2007-12-18 The Regents Of The University Of California Integrated wavelength tunable single and two-stage all-optical wavelength converter
CN1435018A (zh) * 1999-12-17 2003-08-06 康宁O.T.I股份公司 锁定光信号波长的方法和装置
US6714699B1 (en) 2000-10-19 2004-03-30 Avanex Corporation Multi-wavelength non-laser light source
SE0100611L (sv) * 2001-02-22 2002-08-23 Altitun Ab Förfarande för att förlustkompensera ett avstämbart filter för en laser, jämte ett dylikt filter
FR2821495B1 (fr) * 2001-02-23 2004-08-27 Cit Alcatel Laser accordable de facon rapide et large
US6633716B2 (en) * 2001-05-02 2003-10-14 Motorola, Inc. Optical device and method therefor
WO2003010596A1 (fr) * 2001-07-26 2003-02-06 Japan Science And Technology Agency Generateur com de frequence optique
US7653093B2 (en) * 2001-09-10 2010-01-26 Imec Widely tunable twin guide laser structure
US6763165B1 (en) * 2002-01-15 2004-07-13 Adc Telecommunications, Inc. Grating assisted coupler with controlled start
KR100418262B1 (ko) * 2002-05-14 2004-02-14 한국전자통신연구원 다중 모드 간섭형 결합기, 이를 이용한 다층 평면형광도파로 및 그 제조 방법
CA2489319A1 (en) * 2002-07-25 2004-02-05 Showa Electric Wire & Cable Co., Ltd. Optical filter
US20040071181A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Rong Huang Retro-reflective etalon and the devices using the same
FR2848679B1 (fr) * 2002-12-16 2005-04-08 Teem Photonics Composant de filtrage en optique integree comprenant une gaine optique ainsi que son procede de realisation
US7835408B2 (en) * 2005-12-07 2010-11-16 Innolume Gmbh Optical transmission system
EP2371044B1 (en) * 2008-12-03 2019-08-28 Innolume GmbH Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser
US8908261B2 (en) * 2011-01-26 2014-12-09 Massachusetts Institute Of Technology Device and method for luminescence enhancement by resonant energy transfer from an absorptive thin film

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6454790A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Distributed feedback type semiconductor laser
JP2819557B2 (ja) * 1988-03-18 1998-10-30 富士通株式会社 半導体発光装置
US5305335A (en) * 1989-12-26 1994-04-19 United Technologies Corporation Single longitudinal mode pumped optical waveguide laser arrangement
US5317576A (en) * 1989-12-26 1994-05-31 United Technologies Corporation Continously tunable single-mode rare-earth doped pumped laser arrangement
US5077816A (en) * 1989-12-26 1991-12-31 United Technologies Corporation Fiber embedded grating frequency standard optical communication devices
US5170290A (en) * 1990-05-10 1992-12-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Comb optical interference filter
US5225930A (en) * 1990-05-10 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Comb optical interference filter
GB2254183B (en) * 1991-03-27 1995-01-18 Marconi Gec Ltd An amplifier/filter combination
NL9200328A (nl) * 1992-02-21 1993-09-16 Nederland Ptt Optische schakelcomponent.
US5325392A (en) * 1992-03-06 1994-06-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser
US5237576A (en) * 1992-05-05 1993-08-17 At&T Bell Laboratories Article comprising an optical fiber laser
CA2101411C (en) * 1992-08-14 2003-06-10 Jean-Pierre Weber Tunable optical filter
US5434876A (en) * 1992-10-23 1995-07-18 At&T Bell Laboratories Article comprising an optical waveguide laser
US5323404A (en) * 1993-11-02 1994-06-21 At&T Bell Laboratories Optical fiber laser or amplifier including high reflectivity gratings
FR2720198B1 (fr) * 1994-05-20 1996-07-19 France Telecom Laser à fibre optique polarisé linéairement.
US5600665A (en) * 1995-07-28 1997-02-04 Hughes Aircraft Company Multiple output fiber laser with passive frequency control and method

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017803A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Mitsubishi Electric Corp 波長可変半導体レーザおよび光モジュール
JPWO2003098292A1 (ja) * 2002-05-22 2005-09-15 昭和電線電纜株式会社 信号遮断デバイス、光コネクタおよび光ファイバ型カプラ
JP2004128372A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 分布帰還型半導体レーザ素子
JP4615184B2 (ja) * 2002-10-07 2011-01-19 古河電気工業株式会社 分布帰還型半導体レーザ素子
JP2005303077A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ装置
JP2005327881A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長可変半導体レーザ
JP4648647B2 (ja) * 2004-05-13 2011-03-09 日本電信電話株式会社 波長可変半導体レーザ
JP2007048988A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Eudyna Devices Inc 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法
JP4657853B2 (ja) * 2005-08-11 2011-03-23 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法
US8588266B2 (en) 2005-08-11 2013-11-19 Eudyna Devices Inc. Wavelength tunable semiconductor laser having two difractive grating areas
US8452193B2 (en) 2008-12-26 2013-05-28 Fujitsu Limited Optical receiver

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