JPH03150890A - コヒーレント通信用半導体レーザ - Google Patents
コヒーレント通信用半導体レーザInfo
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- JPH03150890A JPH03150890A JP1288888A JP28888889A JPH03150890A JP H03150890 A JPH03150890 A JP H03150890A JP 1288888 A JP1288888 A JP 1288888A JP 28888889 A JP28888889 A JP 28888889A JP H03150890 A JPH03150890 A JP H03150890A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- coherent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スペクトル線幅の細い(コヒーレント通信用
)半導体レーザに関するものである。
)半導体レーザに関するものである。
従来、スペクトル線幅の細い半導体レーザを得るために
分布帰還型半導体レーザの共振器を長くするという試み
がなされていた。
分布帰還型半導体レーザの共振器を長くするという試み
がなされていた。
ところが、共振器を長くすると、光と回折格子の結合が
強くなり、縦単一モードの安定性が劣化するという問題
があった。これは、結合が強くなることにより、共振器
方向の光強度分布に大きな片寄りが生じ、その結果とし
て共振器方向に屈折率分布が生じるためである。
強くなり、縦単一モードの安定性が劣化するという問題
があった。これは、結合が強くなることにより、共振器
方向の光強度分布に大きな片寄りが生じ、その結果とし
て共振器方向に屈折率分布が生じるためである。
本発明の目的は、共振器方向の光強度分布を平坦化する
ことにより、安定な縦単一モードを得て。
ことにより、安定な縦単一モードを得て。
その結果として狭スペクトル線幅を有する半導体レーザ
を実現することにある。
を実現することにある。
上記目的は、レーザ内部に組込む回折格子の周期を変調
することにより達成される。すなわち。
することにより達成される。すなわち。
共振器方向の光強度分布が平坦になるように1回折格子
の周期を部分的に変化させることによって達成される。
の周期を部分的に変化させることによって達成される。
(作用〕
分布帰還型半導体レーザにおいて、内部に組み込む回折
格子の周期を部分的に変化させることにより、光と回折
格子の結合の強さをコントロールし共振器方向での光の
強度分布を平坦化することができる。その結果、高光出
力時まで安定な縦単一モード発振を維持することができ
る。スペクトル線幅は、光出力に反比例して細くなるの
で、このように縦モードを高光出力時まで安定化するこ
とにより、スペクトル線幅の細い半導体レーザを得るこ
とができる。
格子の周期を部分的に変化させることにより、光と回折
格子の結合の強さをコントロールし共振器方向での光の
強度分布を平坦化することができる。その結果、高光出
力時まで安定な縦単一モード発振を維持することができ
る。スペクトル線幅は、光出力に反比例して細くなるの
で、このように縦モードを高光出力時まで安定化するこ
とにより、スペクトル線幅の細い半導体レーザを得るこ
とができる。
以下、本発明の第1の実施例を第1図を用いて説明する
。
。
n型1nP基板lの表面に回折格子2を作製する。回折
格子は領域1〜7に分かれており、それぞれの領域内で
は、回折格子の周期は均一である。
格子は領域1〜7に分かれており、それぞれの領域内で
は、回折格子の周期は均一である。
また、領域1・、3,5.7の回折格子の周期は等しく
、(il域2,4.6の回折格子の周期も等しい。
、(il域2,4.6の回折格子の周期も等しい。
そして、領域2,4.6が位相調整領域として働き、そ
れぞれπラジアンの位相シフト量を与える。
れぞれπラジアンの位相シフト量を与える。
位相調整領域の長さは、それぞれ150pmであり、共
振器の全長は120μmである。この回折格子を形成し
たn型InP基板の表面に、有機金属成長法によりn型
I n G a A s Pクララド層3゜ノンドープ
I n G a A s P活性層4yP型I nGa
As Pクラッド層5を順次エピタキシャルに多層成長
する0次にP側電極6.n型電極7を蒸着することによ
り、レーザ構造を得た。このレーザは光出力40mWま
で安定な縦単一モードを有し、光出力30mWにおいて
、最小スペクトル線幅0 、8 M Hzを得た。
振器の全長は120μmである。この回折格子を形成し
たn型InP基板の表面に、有機金属成長法によりn型
I n G a A s Pクララド層3゜ノンドープ
I n G a A s P活性層4yP型I nGa
As Pクラッド層5を順次エピタキシャルに多層成長
する0次にP側電極6.n型電極7を蒸着することによ
り、レーザ構造を得た。このレーザは光出力40mWま
で安定な縦単一モードを有し、光出力30mWにおいて
、最小スペクトル線幅0 、8 M Hzを得た。
次に9本発明の第2の実施例を第2図を用いて説明する
。
。
第2の実施例においても領域2,4.6が位相調整領域
として働くが、領域2による位相シフト量がπラジアン
、領域4および6による位相シフト量が3πラジアンで
あることが第1の実施例と異なる。このレーザにおいて
は、光出力50mWまで安定な縦単一モードを得ること
ができ、光出力40mWにおいて最小スペクトル線幅0
、6 MHzを得た。
として働くが、領域2による位相シフト量がπラジアン
、領域4および6による位相シフト量が3πラジアンで
あることが第1の実施例と異なる。このレーザにおいて
は、光出力50mWまで安定な縦単一モードを得ること
ができ、光出力40mWにおいて最小スペクトル線幅0
、6 MHzを得た。
次に、本発明の第3の実施例を第3図を用いて説明する
本実施例では、回折格子が領域1〜5に分れ、領域2お
よび4が位相調整領域として働く点、および活性領域に
多重量子井戸構造41を有する点が、第1の実施例と異
なる。多重量子井戸構造を導入するごとにより、さらに
狭スペクトル化され、光出力40mWにおいて最小スペ
クトル線幅0.2MHzを得た。
よび4が位相調整領域として働く点、および活性領域に
多重量子井戸構造41を有する点が、第1の実施例と異
なる。多重量子井戸構造を導入するごとにより、さらに
狭スペクトル化され、光出力40mWにおいて最小スペ
クトル線幅0.2MHzを得た。
次に本発明の第4の実施例を第4図を用いて説明する。
本実施例では、p al電極が61.62.63の3つ
の電気的に分離されていることが、第3の実施例と異な
る。このように電極を分離し、それぞれの電極に流す電
流を独立に変化させることにより、発振波長を変化させ
ることができる。このし−ザでは、スペクトル線幅を0
、6 M Hz 以下に保ったまま1発振波長を2
nmの範囲にわたって。
の電気的に分離されていることが、第3の実施例と異な
る。このように電極を分離し、それぞれの電極に流す電
流を独立に変化させることにより、発振波長を変化させ
ることができる。このし−ザでは、スペクトル線幅を0
、6 M Hz 以下に保ったまま1発振波長を2
nmの範囲にわたって。
変化させることができた。
上記の各実施例は、どのような横モード制御構造を有す
る半導体レーザにも適用可能である。さらに、InP系
以外のあらゆる材料系によって作製された半導体レーザ
にも適用可能である。
る半導体レーザにも適用可能である。さらに、InP系
以外のあらゆる材料系によって作製された半導体レーザ
にも適用可能である。
次に、本発明の第5の実施例を、第5図を用いて説明す
る。第5図は、波長多重コヒーレント光通信システムを
示すブロック図である1図において、第2レーザ12の
発振波長はλ!、第2レーザ12の発振波長はλ2であ
り、さらに第50レーザ(図示略)の発振波長をλso
とする。それぞれのレーザの発振波長間隔は0.05
nmである。
る。第5図は、波長多重コヒーレント光通信システムを
示すブロック図である1図において、第2レーザ12の
発振波長はλ!、第2レーザ12の発振波長はλ2であ
り、さらに第50レーザ(図示略)の発振波長をλso
とする。それぞれのレーザの発振波長間隔は0.05
nmである。
このように一定の波長間隔を得るために、本発明のコヒ
ーレント通信用半導体レーザを使用する。
ーレント通信用半導体レーザを使用する。
上記50個のレーザは、それぞれ独立に2Gb/Sで周
波数変調を行う。各レーザ光を1本の光ファイバ13に
導き、50kmの伝達を行う、受信側では、ローカル光
源として本発明の第4の実施例の波長可変レーザ14を
用いて、λl〜λ3oのうちの1つの波長を選択し、復
調回路15を経て信号を得る。このように、本発明の波
長可変レーザを送信側の光源および受信側のローカル光
源として用いることにより、50チヤネルのコヒーレン
ト通信を行うことが可能になる。
波数変調を行う。各レーザ光を1本の光ファイバ13に
導き、50kmの伝達を行う、受信側では、ローカル光
源として本発明の第4の実施例の波長可変レーザ14を
用いて、λl〜λ3oのうちの1つの波長を選択し、復
調回路15を経て信号を得る。このように、本発明の波
長可変レーザを送信側の光源および受信側のローカル光
源として用いることにより、50チヤネルのコヒーレン
ト通信を行うことが可能になる。
本発明によれば、コヒーレント光通信システムの光源と
して最適な、狭スペクトル線幅レーザを得ることができ
る。
して最適な、狭スペクトル線幅レーザを得ることができ
る。
第1図乃至第4図は本発明の実施例のレーザ装置の断面
図、第5図は1本発明の一実施例の光通信システムのブ
ロック図である。 1− n型InP基板、2′・−・回折格子、3− n
型InGaAsPクラッド層、4・・・ノンドープI
nGaAs P活性層、5・ p型I n G a A
s Pクラッド層、6・・・p側電極、7・・・n側
電極、41・・・多重量子井戸構造、61,62.63
・・・p側電極、11,12・・・送信用レーザ、13
・・・光ファイノ(− 14・・・ローカル光源。 ]k て 図 纂 目
図、第5図は1本発明の一実施例の光通信システムのブ
ロック図である。 1− n型InP基板、2′・−・回折格子、3− n
型InGaAsPクラッド層、4・・・ノンドープI
nGaAs P活性層、5・ p型I n G a A
s Pクラッド層、6・・・p側電極、7・・・n側
電極、41・・・多重量子井戸構造、61,62.63
・・・p側電極、11,12・・・送信用レーザ、13
・・・光ファイノ(− 14・・・ローカル光源。 ]k て 図 纂 目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、共振器方向に沿つて、周期的な摂動を含む帰還路を
有する半導体レーザにおいて、摂動の周期の異なる領域
が2つ以上あり、なおかつ同じ周期を有する領域がそれ
ぞれ2つ以上あることを特徴とするコヒーレント通信用
半導体レーザ。 2、特許請求の範囲第1項記載のコヒーレント通信用半
導体レーザにおいて、基本となる摂動の周期に対して、
異なる周期を有する領域が摂動の位相を調整する領域と
して働くことを特徴とするコヒーレント通信用半導体レ
ーザ。 3、特許請求の範囲第2項記載のコヒーレント通信用半
導体レーザにおいて、位相調整領域での位相調整量が、
π+2nπ(n=0,1,2,・・・)であることを特
徴とするコヒーレント通信用半導体レーザ。 4、特許請求の範囲第2項および第3項記載のコヒーレ
ント通信用半導体レーザにおいて、複数の位相調整領域
の位相調整費が異なることを特徴とするコヒーレント通
信用半導体レーザ。 5、特許請求の範囲第1項、第2項および第3項記載の
コヒーレント通信用半導体レーザにおいて、活性領域に
多重量子井戸構造を有することを特徴とするコヒーレン
ト通信用半導体レーザ。 6、特許請求の範囲第1項、第2項、第3項および第4
項記載のコヒーレント通信用半導体レーザにおいて、活
性領域に近い側の電極を電気的に複数に分割し、それぞ
れの電極に独立に電流を流すことにより発振波長をコン
トロールできることを特徴とするコヒーレント通信用半
導体レーザ。 7、特許請求の範囲第1項〜第6項記載のコヒーレント
通信用半導体レーザを使用したコヒーレント光通信シス
テム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1288888A JPH03150890A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | コヒーレント通信用半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1288888A JPH03150890A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | コヒーレント通信用半導体レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03150890A true JPH03150890A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17736075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1288888A Pending JPH03150890A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | コヒーレント通信用半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03150890A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0479279A2 (en) * | 1990-10-03 | 1992-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed feedback semiconductor laser |
EP0559192A2 (en) * | 1992-03-06 | 1993-09-08 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser |
JPH0661578A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布反射器とそれを用いた導波型ファブリ・ペロー光波長フィルタおよび半導体レーザ |
JP2007048988A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Eudyna Devices Inc | 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法 |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1288888A patent/JPH03150890A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0479279A2 (en) * | 1990-10-03 | 1992-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed feedback semiconductor laser |
EP0559192A2 (en) * | 1992-03-06 | 1993-09-08 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser |
JPH0661578A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布反射器とそれを用いた導波型ファブリ・ペロー光波長フィルタおよび半導体レーザ |
JP2007048988A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Eudyna Devices Inc | 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法 |
JP4657853B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2011-03-23 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法 |
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