JP5692330B2 - 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ制御方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 166
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 69
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 72
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 43
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
次に図6を用いて本実施形態における処理の流れについて説明する。
次に本実施形態における作用及び効果について説明する。
次に、図9〜11を用いて第2実施形態について説明する。
次に、図11を用いて本実施形態における波長可変レーザ100を制御する処理の流れを説明する。
次に図12を用いて本実施形態の変形例を説明する。図12と図9との差異は、DFB部2の第1の光導波路10aに設けられた回折格子は、図9においてはSGを形成しており、図12においてはPGを形成している点である。
次に本実施形態における作用及び効果について説明する。本実施形態の波長可変レーザ100における第1の光導波路10aは、導波方向に設けられた複数の第1の回折格子31bを有し、第1の回折格子31bは、屈折率が所定の周期で変化している回折格子形成領域37と、回折格子の位相をシフトすることにより光導波路10を導波する光の位相をシフトさせるための回折格子位相シフト領域36と、を含んで構成されている。すなわち、DFB部2における第1の回折格子31bはPGを形成している。その為、DFB部2における第1の回折格子がSGを形成する場合と比較して、回折格子の結合係数を小さくできるため、回折格子の作成がより容易となる。
Claims (6)
- 第1の回折格子が設けられた第1の光導波路を含むDFB部と、
前記第1の光導波路と光学的に結合しており、導波方向に複数の第2の回折格子が設けられた第2の光導波路を含むDBR部と、
前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路の間に配置され、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路と光学的に結合している第3の光導波路を含み、前記第1の光導波路、前記第2の光導波路、及び前記第3の光導波路を導波する光の位相をシフトする位相シフト部と、
前記位相シフト部に位相制御用電流を注入する位相制御用電極と、
を備え、
各前記第2の回折格子は、屈折率が所定の周期で変化している回折格子形成領域と、回折格子位相シフト領域と、を含んで構成され、
各前記第2の回折格子の導波方向の長さは、第1の長さであり、
前記複数の第2の回折格子の間に第3の回折格子が配置されており、
前記第3の回折格子は、屈折率が所定の周期で変化している回折格子形成領域と、回折格子位相シフト領域と、を含んで構成され、
前記第3の回折格子の導波方向の長さは、前記第1の長さとは異なる第2の長さであり、
前記第2の光導波路は、前記第3の光導波路と接する端部から、前記第1の長さ及び前記第2の長さと異なる開始距離だけ離間した開始位置に前記回折格子位相シフト領域が設けられ、前記端部から前記開始位置の間に前記回折格子形成領域が設けられている、
波長可変レーザ。 - 前記第1の回折格子は、SGを形成する請求項1に記載の波長可変レーザ。
- 前記第1の光導波路は、導波方向に設けられた複数の前記第1の回折格子を有し、
各前記第1の回折格子は、屈折率が所定の周期で変化している回折格子形成領域と、回折格子位相シフト領域と、を含んで構成される、
請求項1に記載された波長可変レーザ。 - 前記第1の光導波路の温度を調整することによって前記波長可変レーザが発振する光の波長を変化させる請求項1〜3の何れか1項に記載の波長可変レーザ。
- 前記第1の光導波路にDFB部波長制御電流を注入するDFB部波長制御電極を更に備える請求項1〜3の何れか1項に記載の波長可変レーザ。
- 前記第2の光導波路の導波方向の長さは、前記第1の光導波路の導波方向の長さより長い請求項1〜5の何れか1項に記載の波長可変レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013217542A JP5692330B2 (ja) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013217542A JP5692330B2 (ja) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ制御方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009108219A Division JP5407526B2 (ja) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014007435A JP2014007435A (ja) | 2014-01-16 |
JP5692330B2 true JP5692330B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=50104841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013217542A Active JP5692330B2 (ja) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5692330B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10923880B2 (en) | 2016-02-12 | 2021-02-16 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6507604B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2019-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ及び半導体レーザアレイ |
KR20180000616A (ko) * | 2016-06-23 | 2018-01-03 | 주식회사 포벨 | 반도체 레이저 장치 |
JP7060395B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-04-26 | 古河電気工業株式会社 | 波長可変レーザ素子 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08125264A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レーザ |
JP3689483B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-08-31 | アンリツ株式会社 | 多重波長発振レーザ |
JP4288953B2 (ja) * | 2002-02-19 | 2009-07-01 | 三菱電機株式会社 | 波長可変半導体レーザ |
JP4374862B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2009-12-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザの駆動方法および波長変換素子 |
KR100541913B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2006-01-10 | 한국전자통신연구원 | 추출 격자 브래그 반사기와 결합된 추출 격자 분포궤환파장가변 반도체 레이저 |
GB2430760A (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | Bookham Technology Plc | Chirped Bragg grating structure |
JP2009044024A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Eudyna Devices Inc | 半導体レーザ装置、および半導体レーザの制御方法 |
-
2013
- 2013-10-18 JP JP2013217542A patent/JP5692330B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10923880B2 (en) | 2016-02-12 | 2021-02-16 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014007435A (ja) | 2014-01-16 |
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