JP2011022281A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メサ構造部21を備えた光半導体素子と、メサ構造部21を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部22と、メサ構造部21に接続された電極23と、が設けられている。埋め込み部22には、メサ構造部21の側方に形成された第1の有機絶縁膜8と、第1の有機絶縁膜8よりもメサ構造部21から離間して形成された第2の有機絶縁膜11と、第1の有機絶縁膜8と第2の有機絶縁膜11との間に形成された無機絶縁膜10と、が設けられている。
【選択図】図2
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図2は、第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図4は、第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、光導波路を備えたマッハツェンダー(MZ:Mach-Zehnder)光変調器に関する。図6は、第3の実施形態に係るMZ変調器の構成を示すレイアウト図である。また、図7(a)は図6中のI−I線に沿った断面図、(b)は図6中のII−II線に沿った断面図、(c)は図6中のIII−III線に沿った断面図である。
次に、第4の実施形態について説明する。図8は、第4の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
次に、第5の実施形態について説明する。第1〜第4の実施形態が光導波路に関するものであるのに対し、第5の実施形態は半導体レーザに関するものである。図9は、第5の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
メサ構造部を備えた光半導体素子と、
前記メサ構造部を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部と、
前記メサ構造部に接続された電極と、
を有し、
前記埋め込み部は、
前記メサ構造部の側方に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜よりも前記メサ構造部から離間して形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜と前記第2の有機絶縁膜との間に形成された無機絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
前記第2の有機絶縁膜の一部は、前記第1の有機絶縁膜の上方まで延在していることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記電極は、前記光半導体素子の上面及び前記第1の有機絶縁膜の上面に接していることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。
前記光半導体素子は、光導波路を含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記光半導体素子は、前記電極から印加された電界に応じて屈折率が変化する半導体層を含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記光半導体素子は、前記電極から印加された電界に応じて吸収係数が変化する半導体層を含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記無機絶縁膜は、前記メサ構造部の側面に平行に広がり前記第1の有機絶縁膜と前記第2の有機絶縁膜とを分断する部位を有することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記第1の有機絶縁膜と前記メサ構造部との間に形成された第2の無機絶縁膜を有することを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記第2の無機絶縁膜は、前記第1の有機絶縁膜及び前記第2の有機絶縁膜と前記光半導体素子との間に延在していることを特徴とする付記8に記載の半導体装置。
メサ構造部を備えた光半導体素子を形成する工程と、
前記メサ構造部を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部を形成する工程と、
前記メサ構造部に接続される電極を形成する工程と、
を有し、
前記埋め込み部を形成する工程は、
前記メサ構造部の側方に第1の有機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の有機絶縁膜よりも前記メサ構造部から離間する第2の有機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の有機絶縁膜と前記第2の有機絶縁膜との間に無機絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第2の有機絶縁膜の一部を、前記第1の有機絶縁膜の上方まで延在させることを特徴とする付記10に記載の半導体装置の製造方法。
前記電極を、前記光半導体素子の上面及び前記第1の有機絶縁膜の上面に接するように形成することを特徴とする付記10又は11に記載の半導体装置の製造方法。
前記光半導体素子を形成する工程は、光導波路を形成する工程を含むことを特徴とする付記10乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記光半導体素子を形成する工程は、前記電極から印加された電界に応じて屈折率が変化する半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする付記10乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記光半導体素子を形成する工程は、前記電極から印加された電界に応じて吸収係数が変化する半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする付記10乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記無機絶縁膜を、前記メサ構造部の側面に平行に広がり前記第1の有機絶縁膜と前記第2の有機絶縁膜とを分断する部位を有するように形成することを特徴とする付記10乃至15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記無機絶縁膜を前記第2の有機絶縁膜よりも先に形成することを特徴とする付記10乃至16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1の有機絶縁膜と前記メサ構造部との間に第2の無機絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする付記10乃至17のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2の無機絶縁膜を、前記第1の有機絶縁膜及び前記第2の有機絶縁膜と前記光半導体素子との間に延在させることを特徴とする付記18に記載の半導体装置の製造方法。
2:n−InPクラッド層
3:i−InGaAsPコア層
4:p−InPクラッド層
5:p−InGaAsコンタクト層
7:シリコン酸化膜
8:有機絶縁膜
10:シリコン窒化膜
11:有機絶縁膜
21:メサ構造部
22:埋め込み部
23:電極
31:光導波路
32:MMI光合波器
33:電極
34:MMI光合波器
41:分波部
42:位相変調部
43:合波部
Claims (6)
- メサ構造部を備えた光半導体素子と、
前記メサ構造部を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部と、
前記メサ構造部に接続された電極と、
を有し、
前記埋め込み部は、
前記メサ構造部の側方に形成された第1の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜よりも前記メサ構造部から離間して形成された第2の有機絶縁膜と、
前記第1の有機絶縁膜と前記第2の有機絶縁膜との間に形成された無機絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の有機絶縁膜の一部は、前記第1の有機絶縁膜の上方まで延在していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記電極は、前記光半導体素子の上面及び前記第1の有機絶縁膜の上面に接していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記無機絶縁膜は、前記メサ構造部の側面に平行に広がり前記第1の有機絶縁膜と前記第2の有機絶縁膜とを分断する部位を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1の有機絶縁膜と前記メサ構造部との間に形成された第2の無機絶縁膜を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- メサ構造部を備えた光半導体素子を形成する工程と、
前記メサ構造部を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部を形成する工程と、
前記メサ構造部に接続される電極を形成する工程と、
を有し、
前記埋め込み部を形成する工程は、
前記メサ構造部の側方に第1の有機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の有機絶縁膜よりも前記メサ構造部から離間する第2の有機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の有機絶縁膜と前記第2の有機絶縁膜との間に無機絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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