JP6408963B2 - 半導体光変調器及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図3は、本発明の実施例1に係る半導体光変調器におけるパッド構造を示す。図3には、シグナルパッド部320と、シグナルパッド部320を挟み込むようにシグナルパッド部320の両側面に有機膜304を介して設けられたグランドパッド部330と、を含むパッド構造が示されている。本発明に係るパッド構造は、半絶縁性InP基板308上に設けられたコンタクト層309上に設けられている。
図11は、実施例2に係る半導体光変調器におけるパッド構造を示す。本実施例2に係るパッド構造は基本的に図3に示す実施例1に係るパッド構造と同じ構造であるが、シグナルパッド部420のコンタクト層409と第1のシグナルパッド電極405の間に絶縁膜410が挿入されている点が異なる。以下、本実施例2に係るパッド構造の製造工程を説明する。
シグナルパッド電極 102、205、207、305、307、506
半導体光導波路 103
有機膜 104、304、404、504
半絶縁性InP基板 208、308、408、508
コンタクト層 209、213、313、309、409、509
クラッド層 210、212、310、312
活性層 211、311
パスメタル 302、306、402、406、502、505
絶縁膜 310、410、510
シグナルパッド部 320、420、520
グランドパッド部 330、430、530
Claims (4)
- 光導波路に電圧を印加するための電極につながるパッド構造を有する、導波路型の半導体光変調器であって、
前記パッド構造は、シグナルパッド部と、前記シグナルパッド部を有機膜を介して挟み込むように前記シグナルパッド部の両側面側に設けられたグランドパッド部と、を含み、
前記パッド構造は、半絶縁性InP基板上に形成されたコンタクト層上に設けられており、
前記シグナルパッド部は、
前記コンタクト層の上に設けられた第1のシグナルパッド電極と、
前記シグナルパッド電極上に設けられた第1のパスメタルと、
前記第1のパスメタル上に、前記第1のパスメタルによって底面と両側面とを覆われるように設けられた第2のシグナルパッド電極と、
を含み、
前記グランドパッド部は、前記コンタクト層上に設けられた第1のグランドパッド電極と、
前記第1のグランドパッド電極上に設けられた第2のパスメタルと、
前記第2のパスメタル上に、前記第2のパスメタルにより底面と前記有機膜側の側面とを覆うように形成された第2のグランドパッド電極と、
を含み、
前記半絶縁性InP基板において前記有機膜が形成されている表面と、前記コンタクト層における前記有機膜側の側面には、前記コンタクト層と前記半絶縁性InP基板の表面を電気的に不活性化させるための絶縁膜が形成されており、
前記シグナルパッド部および前記グランドパッド部は平坦化されていることを特徴とする半導体光変調器。 - 前記シグナルパッド部におけるコンタクト層上に前記絶縁膜がさらに形成されており、
前記シグナルパッド部における絶縁膜上に前記第1のシグナルパッド電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光変調器。 - 光導波路に電圧を印加するための電極につながるパッド構造を有する、導波路型の半導体光変調器の製造方法であって、前記パッド構造は、シグナルパッド部と、有機膜を介して前記シグナルパッド部を挟み込むように前記シグナルパッド部の両側面側に設けられたグランドパッド部と、を含み、
前記製造方法は、
半絶縁性InP基板上にコンタクト層を積層するステップと、
前記半絶縁性InP基板及び前記コンタクト層における、前記シグナルパッド部が形成される領域の周辺部分を除去するステップと、
前記コンタクト層上および当該除去部分に絶縁膜を堆積するステップと、
前記コンタクト層の上面に形成された前記絶縁膜を除去するステップと、
前記シグナルパッド部におけるコンタクト層上に第1のシグナルパッド電極を形成し、
前記グランドパッド部におけるコンタクト層上に第1のグランドパッド電極を形成するステップと、
前記有機膜を塗布・硬化するステップと、
前記第1のシグナルパッド電極および前記第1のグランドパッド電極上に形成された有機膜を除去するステップと、
前記有機膜、前記第1のシグナルパッド電極および前記第1のグランドパッド電極上にパスメタルを形成するステップと、
前記シグナルパッド部におけるパスメタル上に第2のシグナルパッド電極を形成し、前記グランドパッド部におけるパスメタル上に第2のグランドパッド電極を形成するステップと、
前記有機膜の上面に形成されたパスメタルを除去するステップと、
を含むことを特徴とする製造方法。 - 光導波路に電圧を印加するための電極につながるパッド構造を有する、導波路型の半導体光変調器の製造方法であって、前記パッド構造は、シグナルパッド部と、有機膜を介して前記シグナルパッド部を挟み込むように前記シグナルパッド部の両側面側に設けられたグランドパッド部と、を含み、
前記製造方法は、
半絶縁性InP基板上にコンタクト層を積層するステップと、
前記半絶縁性InP基板及び前記コンタクト層における、前記シグナルパッド部が形成される領域の周辺部分を除去するステップと、
前記コンタクト層上および当該除去部分に絶縁膜を堆積するステップと、
前記シグナルパッド部における絶縁膜上に第1のシグナルパッド電極を形成し、前記グランドパッド部におけるコンタクト層上に第1のグランドパッド電極を形成するステップと、
前記有機膜を塗布・硬化するステップと、
前記第1のシグナルパッド電極および前記第1のグランドパッド電極上に形成された有機膜を除去するステップと、
前記有機膜、前記第1のシグナルパッド電極および前記第1のグランドパッド電極上にパスメタルを形成するステップと、
前記シグナルパッド部におけるパスメタル上に第2のシグナルパッド電極を形成し、前記グランドパッド部におけるパスメタル上に第2のグランドパッド電極を形成するステップと、
前記有機膜の上面に形成されたパスメタルを除去するステップと、
を含むことを特徴とする製造方法。
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JP2015138937A JP6408963B2 (ja) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 半導体光変調器及びその製造方法 |
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