JP6716040B2 - 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 - Google Patents
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Description
半導体基板を準備する工程と、
半導体基板の上に、活性層、クラッド層、およびコンタクト層を順次堆積する工程と、
活性層、クラッド層、およびコンタクト層をエッチングして、半導体基板の上に、活性層、クラッド層、およびコンタクト層が積層されたメサ構造を形成する工程と、
半導体基板の上に絶縁膜を形成して、メサ構造を覆う工程と、
コンタクト層の上面が露出するまで絶縁膜の膜厚を減じ、メサ構造の側面上に残った絶縁膜をサイドウォールとする工程と、
半導体基板の上に誘電体樹脂層を形成して、メサ構造およびサイドウォールを埋め込む工程と、
誘電体樹脂層を選択的にエッチングして第1開口部を形成し、第1開口部内にコンタクト層の上面を露出させる第1開口工程と、
コンタクト層に接続するように、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法である。
半導体基板と、
半導体基板の上に形成され、活性層、クラッド層、およびコンタクト層が積層されたメサ構造と、
メサ構造の側面を覆うサイドウォールと、
半導体基板の上に、サイドウォールを埋めるように形成され、コンタクト層の上面を露出させた第1開口部を有する誘電体樹脂層と、
コンタクト層と接続するように設けられ電極と、を含むことを特徴とする光半導体素子である。
位相変調領域6には、光の位相を変調するための電極16が設けられ、光半導体素子(図2参照)を形成している。
メサ構造12を形成後に、エッチングマスク17は薬液により除去される。
その後、熱処理を行い硬化させる。誘電体樹脂層14の材料として低誘電体材料であるBCB樹脂を使用することにより、電極16と半導体基板1との間の寄生容量を低減し、高周波特性を向上させることができる。
図16は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2にかかる光半導体素子の断面図である。図2と同一符合は、同一または相当箇所を示す。本発明の実施の形態2にかかる光半導体素子200では、絶縁膜からなるサイドウォール13が、半導体基板1の表面8の上にも延在している。他の構造は、実施の形態1にかかる光半導体素子100と同様である。
Claims (7)
- 半導体基板を準備する工程と、
該半導体基板の上に、活性層、クラッド層、およびコンタクト層を順次堆積する工程と、
該活性層、該クラッド層、および該コンタクト層をエッチングして、該半導体基板の上に、該活性層、該クラッド層、および該コンタクト層が積層されたメサ構造を形成する工程と、
該半導体基板の上に絶縁膜を形成して、該メサ構造を覆う工程と、
該コンタクト層の上面が露出するまで該絶縁膜の膜厚を減じ、該メサ構造の側面上に残った絶縁膜をサイドウォールとする工程と、
該半導体基板の上に誘電体樹脂層を形成して、該メサ構造および該サイドウォールを埋め込む工程と、
該誘電体樹脂層を選択的にエッチングして第1開口部を形成し、該第1開口部内に該コンタクト層の上面を露出させる第1開口工程と、
該コンタクト層に接続するように、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 更に、上記第1開口工程の後に、
上記半導体基板の上に第2の絶縁膜を形成して、上記第1開口部の内面および上記誘電体樹脂層を覆う工程と、
該第2の絶縁膜を選択的にエッチングして第2開口部を形成し、該第2開口部内に上記コンタクト層の上面を露出させる第2開口工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 上記第1開口部の幅は上記メサ構造の幅より広く、上記第1開口工程は、上記誘電体樹脂層の開口端が上記サイドウォールの上に位置するように該誘電体樹脂層をエッチングする工程であることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- 上記第2開口部の幅は上記メサ構造の幅より広く、上記第2開口工程は、上記絶縁膜の開口端が上記サイドウォールの上に位置するように該絶縁膜をエッチングする工程であることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 半導体基板と、
該半導体基板の上に形成され、活性層、クラッド層、およびコンタクト層が積層されたメサ構造と、
該メサ構造の側面を覆い、該コンタクト層の上面を露出させたサイドウォールと、
該半導体基板の上に、該サイドウォールを埋めるように形成され、該コンタクト層の上面を露出させた第1開口部を有し、該第1開口部の幅は上記メサ構造の幅より大きく、該第1開口部の開口端は該サイドウォールの表面上に位置するように設けられた誘電体樹脂層と、
該サイドウォールおよび該誘電体樹脂層を覆い、該コンタクト層の上面を露出させた第2開口部を有し、該第2開口部の幅は上記メサ構造の幅より大きく、該第2開口部の開口端は上記サイドウォールの表面上に位置するように設けられた絶縁膜と、
該コンタクト層と接続するように設けられ電極と、を含むことを特徴とする光半導体素子。 - 半導体基板と、
該半導体基板の上に形成され、光導波路活性層、クラッド層、およびコンタクト層が積層されたメサ構造と、
該メサ構造の側面を覆い、該コンタクト層の上面を露出させ、かつ該半導体基板の表面上に延在するサイドウォールと、
該半導体基板の上に、該サイドウォールを埋めるように形成され、該コンタクト層の上面を露出させた第1開口部を有する有し、該第1開口部の幅は上記メサ構造の幅より大きく、該第1開口部の開口端は該サイドウォールの表面上に位置するように設けられた誘電体樹脂層と、
該サイドウォールおよび該誘電体樹脂層を覆い、該コンタクト層の上面を露出させた第2開口部を有し、該第2開口部の幅は上記メサ構造の幅より大きく、該第2開口部の開口端は上記サイドウォールの表面上に位置するように設けられた絶縁膜と、
該コンタクト層と接続するように設けられ電極と、を含むことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項5または6に記載の光半導体素子を備えた光変調器。
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