JP7077824B2 - マッハツェンダー変調器を作製する方法 - Google Patents
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Description
導波路メサ17の一例。
基板11:半絶縁性InP。
下部クラッド層17a:n型InP。
コア層17b:AlGaInAs量子井戸。
上部クラッド層17c:p型InP。
コンタクト層17d:p型InGaAs。
下部クラッド層17a、コア層17b、上部クラッド層17c及びコンタクト層17dは、基板11の主面11a上に順に配列される。
第2オーミック電極35aは、導波路メサ17の上面17eの全体を覆う上部分35bと、導波路メサ17の側面17fに接触を成す側部分35cとを有することができる。第2オーミック電極35aの側部分35cは、無機絶縁体領域29によって第1埋込樹脂体25dから隔置される。第2オーミック電極35aに側部分35cに設けることによって、導波路メサ17の上面17eの全体に接触を成す上部分35bを第2オーミック電極35aに提供できる。
Claims (2)
- マッハツェンダー変調器を作製する方法であって、
基板上に設けられた導波路メサと、前記導波路メサの側面を埋め込む埋込樹脂体と、前記導波路メサから隔置されるように前記埋込樹脂体を覆うと共に前記導波路メサの上面及び前記側面を覆う無機絶縁体とを含む基板生産物を準備する工程と、
前記無機絶縁体をエッチングして、前記導波路メサの前記上面に至る開口を有すると共に前記導波路メサの前記側面及び前記埋込樹脂体を覆う無機絶縁体領域を形成する工程と、
前記無機絶縁体領域の前記開口にオーミック電極を形成する工程と、
を備え、
前記オーミック電極は、前記埋込樹脂体から隔置されると共に、前記導波路メサの前記上面に接触を成し、
前記オーミック電極は、前記導波路メサの前記上面の全体を覆う上部分と、前記導波路メサの前記側面に接触を成す側部分とを有し、
前記オーミック電極の前記側部分は、前記無機絶縁体領域によって前記埋込樹脂体から隔置される、マッハツェンダー変調器を作製する方法。 - 前記無機絶縁体領域の前記開口は、前記導波路メサの前記上面の幅より大きい幅を有する、請求項1に記載されたマッハツェンダー変調器を作製する方法。
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