JP2012123184A - 半導体光変調素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メサ部32を保護膜22によって覆う第1の絶縁膜形成工程と、メサ部32を樹脂領域20によって埋め込むとともに、メサ部32上の該樹脂領域20の部分に開口20cを形成する工程と、開口20cにおいて露出した保護膜22、及び樹脂領域20を保護膜24によって覆う第2の絶縁膜形成工程と、メサ部32上の保護膜22,24の部分に開口を形成する工程と、Ti膜を含む金属膜26aを、該Ti膜と保護膜24とが互いに接触するように開口20c内を除く樹脂領域20上に形成する工程と、Au膜を含む金属膜26bを、該Au膜とメサ部32とが互いに接触するようにメサ部32上から金属膜26a上に亘って形成する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
上記実施形態に係る製造方法の一変形例について説明する。図7は、半導体光変調素子10の製造方法を示すフローチャートである。また、図8は、本変形例の各工程のうち、上記実施形態とは異なる工程を示す断面図であり、半導体光変調素子10の光導波方向に垂直な断面を示している。
Claims (3)
- 光導波路を構成するメサ部の上面および両側面を第1の絶縁膜によって覆う第1の絶縁膜形成工程と、
前記メサ部の両側面を樹脂領域によって埋め込むとともに、前記メサ部上の該樹脂領域の部分に第1の開口を形成して前記第1の絶縁膜を露出させる工程と、
前記第1の開口において露出した前記第1の絶縁膜、及び前記樹脂領域を第2の絶縁膜によって覆う第2の絶縁膜形成工程と、
前記メサ部上の前記第1及び第2の絶縁膜の部分に第2の開口を形成して前記メサ部の上面を露出させる工程と、
Ti膜を含む第1の金属膜を、該Ti膜と前記第2の絶縁膜とが互いに接触するように前記第1の開口内を除く前記樹脂領域上に形成する工程と、
AuZn膜を含む第2の金属膜を、該AuZn膜と前記メサ部とが互いに接触するように前記メサ部上から前記第1の金属膜上に亘って形成する工程と、
を含むことを特徴とする、半導体光変調素子の製造方法。 - 光導波路を構成するメサ部の上面および両側面を第1の絶縁膜によって覆う第1の絶縁膜形成工程と、
前記メサ部の両側面を樹脂領域によって埋め込むとともに、前記メサ部上の該樹脂領域の部分に第1の開口を形成して前記第1の絶縁膜を露出させる工程と、
前記第1の開口において露出した前記第1の絶縁膜、及び前記樹脂領域を第2の絶縁膜によって覆う第2の絶縁膜形成工程と、
Ti膜を含む第1の金属膜を、該Ti膜と前記第2の絶縁膜とが互いに接触するように前記第1の開口内を除く前記樹脂領域上に形成する工程と、
前記メサ部上の前記第1及び第2の絶縁膜の部分に第2の開口を形成して前記メサ部の上面を露出させる工程と、
AuZn膜を含む第2の金属膜を、該AuZn膜と前記メサ部とが互いに接触するように前記メサ部上から前記第1の金属膜上に亘って形成する工程と、
を含むことを特徴とする、半導体光変調素子の製造方法。 - 光導波路を構成するメサ部と、
前記メサ部の両側面を埋め込むとともに、前記メサ部上に第1の開口が形成された樹脂領域と、
前記樹脂領域を覆う絶縁膜と、
前記メサ部上から前記樹脂領域上に亘って設けられた第2の金属膜と、
前記第1の開口内を除く前記樹脂領域と前記第2の金属膜との間に設けられた第1の金属膜と
を備え、
前記第2の金属膜がAuZn膜を含み、該AuZn膜と前記メサ部とが互いに接触しており、
前記第1の金属膜がTi膜を含み、該Ti膜と前記絶縁膜とが互いに接触している
ことを特徴とする、半導体光変調素子。
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