JP2017034080A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体発光素子の半導体層上に設けられた絶縁層の剥離の発生を低減できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子1は、第1方向Ax1に沿って順に配列された第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3を含む主面を有する基板10と、第1エリア、第2エリア、及び第3エリア上に設けられ、発光層31を含む半導体層20と、第1エリア、第2エリア、及び第3エリア上の半導体層上に設けられ、第1方向に延在するオーミック電極40と、第1方向に交差する第2方向Ax2に延在するように第2エリア上の半導体層上又はオーミック電極上に設けられ、金属を含む保護層50と、半導体層上に設けられた絶縁層60と、を備え、絶縁層60は、オーミック電極上を第1方向に延在する第1開口61を有し、保護層上を第2方向に第1開口から延在する第2開口62を有する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体発光素子1は、第1方向Ax1に沿って順に配列された第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3を含む主面を有する基板10と、第1エリア、第2エリア、及び第3エリア上に設けられ、発光層31を含む半導体層20と、第1エリア、第2エリア、及び第3エリア上の半導体層上に設けられ、第1方向に延在するオーミック電極40と、第1方向に交差する第2方向Ax2に延在するように第2エリア上の半導体層上又はオーミック電極上に設けられ、金属を含む保護層50と、半導体層上に設けられた絶縁層60と、を備え、絶縁層60は、オーミック電極上を第1方向に延在する第1開口61を有し、保護層上を第2方向に第1開口から延在する第2開口62を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体発光素子に関する。
特許文献1は、半導体発光素子を開示する。
半導体発光素子では、半導体層上に絶縁層が設けられる。発明者の知見によれば、高温に加えて高湿下で使用される半導体発光素子では、半導体層上の絶縁層が変形して、この変形の結果、絶縁層が半導体層から剥離することがある。
本発明の一側面は、当該半導体発光素子の半導体層上に設けられた絶縁層の剥離の発生を低減できる半導体発光素子を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る半導体発光素子は、第1方向に沿って順に配列された第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を有する基板と、前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上に設けられ、発光層を含む半導体層と、前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上の前記半導体層上に設けられ、前記第1方向に延在するオーミック電極と、前記第1方向に交差する第2方向に延在するように前記第2エリア上の前記半導体層上又は前記オーミック電極上に設けられ、金属を含む保護層と、前記半導体層上に設けられた絶縁層と、を備え、前記絶縁層は、前記オーミック電極上を前記第1方向に延在する第1開口を有し、前記保護層上を前記第2方向に前記第1開口から延在する第2開口を有する。
本発明の一側面は、当該半導体発光素子の半導体層上に設けられた絶縁層の剥離の発生を低減できる半導体発光素子を提供することすることができる。
本発明の一側面に係る半導体発光素子は、第1方向に沿って順に配列された第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を有する基板と、前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上に設けられ、発光層を含む半導体層と、前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上の前記半導体層上に設けられ、前記第1方向に延在するオーミック電極と、前記第1方向に交差する第2方向に延在するように前記第2エリア上の前記半導体層上又は前記オーミック電極上に設けられ、金属を含む保護層と、前記半導体層上に設けられた絶縁層と、を備え、前記絶縁層は、前記オーミック電極上を前記第1方向に延在する第1開口を有し、前記保護層上を前記第2方向に前記第1開口から延在する第2開口を有する。
この半導体発光素子によれば、絶縁層が第2エリアの保護層上に第2開口を有しているので、第1エリア上の絶縁層の縁は、半導体層上において、第3エリア上の絶縁層の縁から離置されている。このため、高温高湿下で動作する半導体発光素子において、第2エリア上の保護層上の第2開口は、第1エリア上の絶縁層の変形及び第3エリア上の絶縁層の変形の一方が他方に伝わることを妨げる。これ故に、第2開口は、半導体層からの絶縁層の剥離の発生を低減できる。
上記の半導体発光素子では、前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上の前記半導体層内に設けられ、前記第1方向に延在するトレンチを更に備え、前記絶縁層は、前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上において前記トレンチの側面及び底面に設けられてもよい。
この半導体発光素子によれば、半導体層内にトレンチが設けられ、そのトレンチの間に、発光層を含む導波路メサが位置するので、トレンチにより導波路メサは周囲から電気的に分離される。第2開口はトレンチで終端する一方で、第2エリア上の半導体層上にはトレンチを除いて保護層が設けられるので、その保護層上の第2開口が、絶縁層の変形に伴って生じる半導体層からの絶縁層の剥離を低減できる。
上記の半導体発光素子では、第1側面及び第2側面を備え、前記第1側面は、前記第2側面の反対側に位置し、前記保護層は、前記第2方向に沿って前記第1側面から前記第2側面にまで連続してもよい。
この半導体発光素子によれば、保護層上の第2開口が、第2方向に沿って第1側面から第2側面にまで延在する。この形態においても、保護層上の第2開口が、半導体層からの絶縁層の剥離の発生を低減できる。
上記の半導体発光素子では、前記絶縁層は、SiN、SiON又はSiO2のいずれか一以上を含むことができる。
この半導体発光素子によれば、半導体層の表面を覆う絶縁層として、上記の材料を使用できる。
いくつかの実施形態に係る半導体発光素子を図面を参照しつつ説明する。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付する。
(第1の実施の形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体発光素子を模式的に示す図である。図2は、第1実施形態に係る半導体発光素子を示す図である。図2の(a)部は、半導体発光素子の平面図を示す図であり、図2の(b)部は、図2の(a)部に示されるB−B線に沿ってとられた断面図であり、図2の(c)部は、図2の(a)部に示されるC−C線に沿ってとられた断面図であり、図2の(d)部は、図2の(a)部に示されるD−D線に沿ってとられた断面図である。図1及び図2には直交座標系SRが描かれており、この直交座標系SRのX軸が、第1方向Ax1に向き、Y軸が、第1方向Ax1に交差する第2方向Ax2に向いている。
図1は、第1実施形態に係る半導体発光素子を模式的に示す図である。図2は、第1実施形態に係る半導体発光素子を示す図である。図2の(a)部は、半導体発光素子の平面図を示す図であり、図2の(b)部は、図2の(a)部に示されるB−B線に沿ってとられた断面図であり、図2の(c)部は、図2の(a)部に示されるC−C線に沿ってとられた断面図であり、図2の(d)部は、図2の(a)部に示されるD−D線に沿ってとられた断面図である。図1及び図2には直交座標系SRが描かれており、この直交座標系SRのX軸が、第1方向Ax1に向き、Y軸が、第1方向Ax1に交差する第2方向Ax2に向いている。
半導体発光素子1は、基板10と、この基板10上に設けられた半導体層20を備える。半導体発光素子1は、例えば、半導体レーザ素子、半導体光増幅素子、変調器集積型半導体レーザ素子であることができる。基板10は、主面10Aを有し、この主面10Aは、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3を含む。半導体層20は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に設けられる。第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3は、第1方向Ax1に沿って順に配列されている。
半導体層20は、第1端面20B及び第2端面20Cを備え、第1端面20Bは、第2端面20Cの反対側に位置する。半導体層20は、発光層31と、第1方向Ax1に沿って延在する導波路メサ30とを含む。半導体発光素子1では、オーミック電極40が設けられ、このオーミック電極40は、半導体層20の上面20Aにおいて、第1方向Ax1に、例えば、導波路メサ30上に沿って延在する。本実施例では、オーミック電極40は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上において、第1端面20Bからび第2端面20Cまで延在する。
第2エリアA2上においては、半導体層20上又はオーミック電極40上に保護層50が設けられる。保護層50は、第1方向Ax1に交差する第2方向Ax2に延在する。保護層50がオーミック電極40と交差する際には、保護層50はオーミック電極40上を延在する。保護層50は半導体層20の上面20Aと接合を成し、また、オーミック電極40の上面に接触を成す。保護層50は、金属を含むことができ、この金属は、具体的には、例えば、Ti/Au、Ti/Pt/Au又はPt/Ti/Pt/Auであることができる。例えば、Tiの厚みは、0.01μm〜0.1μmであり、Auの厚みは、0.01μm〜1μmであり、Ptの厚みは、0.01μm〜0.1μmである。第1エリアA1上において、第1端面20Bと保護層50との距離W1は、例えば、第1方向Ax1に沿って1μm〜10μmである。
第1エリアA1及び第3エリアA3上においては、半導体層20上に絶縁層60が設けられ、絶縁層60は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上のオーミック電極40上において第1方向Ax1に延在する第1開口61を有する。更に、第2エリアA2上の保護層50上においては、絶縁層60は、第2方向Ax2に第1開口61から延在する第2開口62を有する。絶縁層60の厚みは、例えば、0.1μm〜0.5μmである。絶縁層60は、例えば、シリコン系無機物、具体的にはSiN、SiON又はSiO2のいずれかを含み、本実施例の絶縁層60に、優れた耐久性および絶縁性を提供できる。
以下に、第1開口61の幅61W、オーミック電極40の幅40W、第2開口62の幅62W及び保護層50の幅50Wの一例を示す。
第1開口61の幅61W:1μm〜20μm。
オーミック電極40の幅40W:2μm〜30μm。
第2開口62の幅62W:1μm〜5μm。
保護層50の幅50W:2μm〜10μm。
第1開口61の幅61Wは、オーミック電極40の幅40Wに比べて小さくなっており、第1開口61を規定する絶縁層60の縁部が、オーミック電極40の側縁40Sを被覆する。この被覆により、第1開口61に、半導体層20が現れることがなく、オーミック電極40が現れている。また、第2開口62の幅62Wは、保護層50の幅50Wに比べて小さくなっており、第2開口62を規定する絶縁層60の縁部が、保護層50の側縁50Sを被覆する。これにより、第2開口62には、半導体層20が現れることがなく、保護層50が現れている。半導体発光素子1では、第1開口61及び第2開口62において半導体層20が露出していない。
第1開口61の幅61W:1μm〜20μm。
オーミック電極40の幅40W:2μm〜30μm。
第2開口62の幅62W:1μm〜5μm。
保護層50の幅50W:2μm〜10μm。
第1開口61の幅61Wは、オーミック電極40の幅40Wに比べて小さくなっており、第1開口61を規定する絶縁層60の縁部が、オーミック電極40の側縁40Sを被覆する。この被覆により、第1開口61に、半導体層20が現れることがなく、オーミック電極40が現れている。また、第2開口62の幅62Wは、保護層50の幅50Wに比べて小さくなっており、第2開口62を規定する絶縁層60の縁部が、保護層50の側縁50Sを被覆する。これにより、第2開口62には、半導体層20が現れることがなく、保護層50が現れている。半導体発光素子1では、第1開口61及び第2開口62において半導体層20が露出していない。
半導体層20の導波路メサ30は、下部クラッド層32、発光層31、及び上部クラッド層33を有する。下部クラッド層32、発光層31、及び上部クラッド層33は、基板10上にこの順に設けられている。半導体層20は、導波路メサ30を埋め込むように導波路メサ30の側面及び基板10上に設けられた埋込層30Rを備える。本実施例では、埋込層30Rは、例えば、第1埋込層21、第2埋込層22、及び第3埋込層23を含み、第1埋込層21が導波路メサ30の側面及び基板10上に設けられて、導波路メサ30を埋め込む。第2埋込層22及び第3埋込層23は、上部クラッド層33の側面に設けられる。導波路メサ30の上部クラッド層33及び第3埋込層23の上には、p型クラッド層24が設けられ、p型クラッド層24の上に、コンタクト層25が設けられる。
以下に、基板10、導波路メサ30、埋込層30R、p型クラッド層24、コンタクト層25、及びオーミック電極40の一例を示す。
基板10:Siドープのn型InP層。
下部クラッド層32:n型InP層。
発光層31:GaInAsP又はAlGaInAsを含む多重量子井戸層。
上部クラッド層33:p型InP層。
第1埋込層21:p型のInP層。
第2埋込層22:n型のInP層。
第3埋込層23:p型のInP層。
p型クラッド層24:p型のInP層。
コンタクト層25:p型のGaInAs又はGaInAsP層。
オーミック電極40:Ti/Pt/Au。
Ti、Pt及びAuの厚みは、それぞれ、例えば、50nm、80nm及び450nmであることができる。導波路メサ30は、下部クラッド層32又は上部クラッド層33に接する回折格子構造を有してもよい。
基板10:Siドープのn型InP層。
下部クラッド層32:n型InP層。
発光層31:GaInAsP又はAlGaInAsを含む多重量子井戸層。
上部クラッド層33:p型InP層。
第1埋込層21:p型のInP層。
第2埋込層22:n型のInP層。
第3埋込層23:p型のInP層。
p型クラッド層24:p型のInP層。
コンタクト層25:p型のGaInAs又はGaInAsP層。
オーミック電極40:Ti/Pt/Au。
Ti、Pt及びAuの厚みは、それぞれ、例えば、50nm、80nm及び450nmであることができる。導波路メサ30は、下部クラッド層32又は上部クラッド層33に接する回折格子構造を有してもよい。
図1に示される形態では、半導体層20は、トレンチを更に備えることができる。トレンチ26は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上の半導体層20内に設けられ、第1方向Ax1に延在する。本実施例では、例えば、二つのトレンチ26が設けられ、導波路メサ30がこれらのトレンチ26の間に位置する。トレンチ26は、半導体層20の上面20Aから基板10にまで達する深さを有しており、トレンチ26の側面及び底面は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上において、絶縁層60で覆われている。トレンチ26の間の半導体領域には電気が印加される。
半導体発光素子1は、第1側面20D及び第2側面20Eを備え、第1側面20Dは、第2側面20Eの反対側に位置する。第2エリアA2上の保護層50は、トレンチ26の内縁26Mで終端し、トレンチ26の外縁26Eから第1側面20D、第2側面20Eまで延在する。また、第2開口62は、トレンチ26の内縁26Mで終端し、トレンチ26の外縁26Eから第1側面20D、第2側面20Eまで延在する。更に、第2エリアA2では、トレンチ26の側面及び底面を除いて半導体層20の上面20Aに保護層50が設けられるので、その保護層50上の第2開口62が、絶縁層60の縁部の変形に伴って生じる半導体層20からの絶縁層60の剥離の発生を低減できる。トレンチ26の側面及び底面は、保護層50に代わって絶縁層60で覆われるので、保護層50は導電性材料を含むことができる。
トレンチ26を設けない半導体発光素子の形態では、保護層50は、第2エリアA2上において、第2方向Ax2に第1側面20Dから第2側面20Eにまで延在することができる。保護層50の第2開口62が、第2方向Ax2に第1側面20Dから第2側面20Eにまで延在する。この形態においても、絶縁層60の変形が半導体層20からの絶縁層60の剥離を発生させる可能性が低減される。
図2の(b)部に示されるように、半導体発光素子1は、第3エリアA3上において、オーミック電極40に接続される表面電極41pを備える。表面電極41pは、例えば、絶縁層60上に設けられた金属膜42と、更にその金属膜42上に設けられた金属メッキ43とを含む。本実施例では、表面電極41pは、トレンチ26の側面及び底面にも設けられる。表面電極41pの端面41Bは、第2開口62の側面から離れており、その距離D1は、例えば、0.1μm以上である。半導体発光素子1は、基板10の裏面10B上に裏面電極41nを有する。以下に、表面電極41pに含まれる金属膜42及び金属メッキ43と、裏面電極41nとの材質及び厚みの一例を示す。
金属膜42:TiW/Au又はTiW/Pt/Au、0.3μm。
金属メッキ43:Au、4μm。
裏面電極41n:Au、4μm。
金属膜42:TiW/Au又はTiW/Pt/Au、0.3μm。
金属メッキ43:Au、4μm。
裏面電極41n:Au、4μm。
半導体層20の第1端面20B及び第2端面20C上には端面膜35が設けられ、図2の(c)部に示されるように、端面膜35は、絶縁層60の端面にも設けられる。端面膜35は、誘電体膜を備えることができ、例えば、SiO2/TiO2膜、Al2O3又はAl2O3/TiO2であることができる。この端面膜35の厚みは、例えば、0.5μmである。端面膜35は、第1端面20Bと第2端面20Cとを保護し、また、これらの端面における光反射率を調整する。
図3は、半導体発光素子における変形前及び変形後の絶縁層を示す図である。図3の(a)部及び(b)部は、それぞれ、第1実施形態に係る第2開口を備える半導体発光素子の変形前の絶縁層EFB及び変形後の絶縁層EFAを示し、図3の(c)部及び(d)部は、それぞれ、比較例に係る第2開口を備えない半導体発光素子の変形前の絶縁層CFB及び変形後の絶縁層CFAを示す。この実験では、例えば、湿度85%下で半導体発光素子に50時間通電した。通電時の半導体発光素子の温度は120度以上であった。変形前及び変形後の絶縁層の観察は、光学顕微鏡に依った。
以下に、図3に示される実験に用いられた絶縁層EFB、CFB、保護層PF及び端面膜EFの材質等を示す。
絶縁層EFB、CFBの材質:SiN。
絶縁層EFB、CFBの厚み:0.6μm。
保護層PFの材質:Ti/Au。
保護層PFの厚み:0.2μm。
保護層PFの幅:3μm。
端面膜EFの材質:SiO2/TiO2。
端面膜EFの厚み:0.5μm。
半導体層SSの下部クラッド層の材質:InP。
半導体層SSの発光層の材質:GaInAsP。
半導体層SSの上部クラッド層の材質:InP。
半導体層SSのp型クラッド層の材質:InP。
半導体層SSのコンタクト層の材質:GaInAsP。
半導体層SSは、Siドープのn型InP層を含む基板ST上に設けられている。
絶縁層EFB、CFBの材質:SiN。
絶縁層EFB、CFBの厚み:0.6μm。
保護層PFの材質:Ti/Au。
保護層PFの厚み:0.2μm。
保護層PFの幅:3μm。
端面膜EFの材質:SiO2/TiO2。
端面膜EFの厚み:0.5μm。
半導体層SSの下部クラッド層の材質:InP。
半導体層SSの発光層の材質:GaInAsP。
半導体層SSの上部クラッド層の材質:InP。
半導体層SSのp型クラッド層の材質:InP。
半導体層SSのコンタクト層の材質:GaInAsP。
半導体層SSは、Siドープのn型InP層を含む基板ST上に設けられている。
図3の(c)部に示されるように、比較例に係る半導体発光素子では、絶縁層CFBが、半導体層SS上において、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3の全体にわたって形成されており、絶縁層CFBは、第2開口ASを有していない。このため、半導体発光素子の温度が上記高湿下での通電によって上記温度にまで上昇するときに、絶縁層CFAは、半導体発光素子の第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3の全体において変形する。半導体発光素子の端面付近では、絶縁層CFAの変形が絶縁層CFAの側面に設けられた端面膜EFによって阻害されて、絶縁層CFA内に応力が蓄積される。この絶縁層CFA内の応力は、半導体層SSから絶縁層CFAを剥離するように働いて、図3の(d)部に示されるように、実験結果では、半導体層SSからの絶縁層CFAの剥離が生じた。
第1実施形態に係る半導体発光素子1では、図3の(a)部に示されるように、絶縁層EFBが第2開口ASを有しており、第1エリアA1上の絶縁層EFBの縁部は、半導体層SS上において、第3エリアA3上の絶縁層EFBの縁部から離置されている。変形する前の絶縁層EFBの第2開口ASの幅WBは、2μmである。
図3の(b)部に示されるように、上記の高湿下に置かれた半導体発光素子1の温度が通電によって上記の温度となるように昇温する実験条件では、絶縁層EFAが変形する。しかしながら、半導体発光素子1では、第2開口ASのおかげで、絶縁層EFAの変形による第1エリアA1上の絶縁層EFAの変形及び第3エリアA3上の絶縁層EFAの変形の一方が他方に伝わらない。これ故に、絶縁層EFAの変形が絶縁層EFAの側面に設けられた端面膜EFによって阻害されても、第2開口ASは、半導体層SSからの絶縁層EFAの剥離の発生を低減できる。
図4は、第1実施形態に係る半導体発光素子を作製する方法を示す流れ図である。図5〜図13の各々は、図4に示される流れ図の一工程において形成される生産物を概略的に示す図である。図5の(a)部〜図13の(a)部は、半導体発光素子に係る生産物の平面図を示す図である。図5の(b)部〜図13の(b)部は、それぞれ、図5の(a)部〜図13の(a)部に示されるB−B線に対応する断面図である。図5の(c)部〜図13の(c)部は、それぞれ、図5の(a)部〜図13の(a)部に示されるC−C線に対応する断面図である。図5の(d)部〜図13の(d)部は、それぞれ、図5の(a)部〜図13の(a)部に示されるD−D線に対応する断面図である。これらの図には直交座標系SRが描かれており、この直交座標系SRのX軸が、第1方向Ax1に向き付けられている。
(基板の準備及び半導体積層の成長)
図5を参照しながら、半導体層20の形成を説明する。工程S1では、基板10が準備される。基板10の主面10Aは、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3を含む。工程S2では、基板10の主面10A上に半導体層20のための半導体積層が成長される。具体的には、下部クラッド層32、発光層31、及び上部クラッド層33をこの順で基板10上に成長して、半導体積層を形成する。半導体積層の成長は、例えば、有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法又は分子線エピタキシー(MBE)法により行われる。
図5を参照しながら、半導体層20の形成を説明する。工程S1では、基板10が準備される。基板10の主面10Aは、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3を含む。工程S2では、基板10の主面10A上に半導体層20のための半導体積層が成長される。具体的には、下部クラッド層32、発光層31、及び上部クラッド層33をこの順で基板10上に成長して、半導体積層を形成する。半導体積層の成長は、例えば、有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法又は分子線エピタキシー(MBE)法により行われる。
工程S2では、導波路メサ30の形状を規定する形状、例えば、ストライプ形状のマスクを形成する。このマスクは、例えば、SiNを備え、このマスクを用いたエッチングにより、上部クラッド層33、発光層31、及び下部クラッド層32を加工して、導波路メサ30を形成する。工程S2のエッチングでは、半導体積層に加えて基板10の一部をエッチングする。
導波路メサ30の形成後、メサ形成のマスクを除去することなく再成長を行う。この再成長によって、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に、第1埋込層21、第2埋込層22、及び第3埋込層23をこの順に基板10上に形成する。メサ形成のマスクは、第1埋込層21、第2埋込層22、及び第3埋込層23のための再成長の後に、例えばバッファードフッ酸を用いて除去される。マスクを除去した後に、上部クラッド層33及び第3埋込層23の上に、p型クラッド層24を成長する。p型クラッド層上には、コンタクト層25を成長する。以上の工程により、半導体層20が形成される。
必要に応じて、コンタクト層25の形成後に、第1方向Ax1に延在するトレンチ26を形成する。トレンチ26の形成では、トレンチ26の形状を規定するマスクを形成し、このマスクを用いて、半導体層20をエッチングする。このエッチングにより、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上において、コンタクト層25から基板10にまで達する深さを有するトレンチ26を形成する。
(オーミック電極の形成)
工程S3では、トレンチ形成のマスクを除去した後に、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に、第1方向Ax1に延在するオーミック電極40を形成する。本実施例では、リフトオフによりオーミック電極40を形成する。オーミック電極40の形成では、図6に示されるように、オーミック電極40を形成するためのマスク44を形成する。マスク44は、例えば、フォトレジストを含む。マスク44は、オーミック電極40の形状を規定する開口を有しており、本実施例では、この開口は、第1方向Ax1に沿ったストライプ形状を成す。マスク44の形成後、図7に示されるように、オーミック電極40のための金属膜を成長する。本実施例では、オーミック電極40は、例えば、Ti/Pt/Au膜であることができる。オーミック電極40の成長は、例えば、真空蒸着装置法によることができる。蒸着後にリフトオフプロセスがなされ、これにより、オーミック電極40を形成する。以下に、マスク44の開口の幅44W及びオーミック電極40の幅40Wを示す。
マスク44の開口の幅44W:2μm〜30μm。
オーミック電極40の幅40W:2μm〜30μm。
工程S3では、トレンチ形成のマスクを除去した後に、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に、第1方向Ax1に延在するオーミック電極40を形成する。本実施例では、リフトオフによりオーミック電極40を形成する。オーミック電極40の形成では、図6に示されるように、オーミック電極40を形成するためのマスク44を形成する。マスク44は、例えば、フォトレジストを含む。マスク44は、オーミック電極40の形状を規定する開口を有しており、本実施例では、この開口は、第1方向Ax1に沿ったストライプ形状を成す。マスク44の形成後、図7に示されるように、オーミック電極40のための金属膜を成長する。本実施例では、オーミック電極40は、例えば、Ti/Pt/Au膜であることができる。オーミック電極40の成長は、例えば、真空蒸着装置法によることができる。蒸着後にリフトオフプロセスがなされ、これにより、オーミック電極40を形成する。以下に、マスク44の開口の幅44W及びオーミック電極40の幅40Wを示す。
マスク44の開口の幅44W:2μm〜30μm。
オーミック電極40の幅40W:2μm〜30μm。
(保護層の形成)
工程S4では、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に、保護層50を形成する。本実施例では、保護層50は、リフトオフにより形成されて、例えば、ストライプ形状を有する。保護層50の形成では、図8に示されるように、保護層50を形成するためのマスク51を形成する。マスク51は、保護層50の形状を規定する開口を有しており、この開口は、第2方向Ax2に沿ったストライプ形状を成す。マスク51は、例えば、フォトレジストを含み、トレンチ26を塞ぐようにして半導体層20上に形成される。マスク51の形成後、図9に示されるように、保護層50のための金属膜を成長する。本実施例では、保護層50は、例えば、Ti/Au膜であることができる。金属膜の成長は、例えば真空蒸着装置法によることができる。蒸着の後のリフトオフプロセスにより、保護層50として金属膜が形成される。以下に、マスク51の開口の幅51W及び保護層50の幅50Wを示す。
マスク51の開口の幅51W:2μm〜10μm。
保護層50の幅50W:2μm〜10μm。
工程S4では、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に、保護層50を形成する。本実施例では、保護層50は、リフトオフにより形成されて、例えば、ストライプ形状を有する。保護層50の形成では、図8に示されるように、保護層50を形成するためのマスク51を形成する。マスク51は、保護層50の形状を規定する開口を有しており、この開口は、第2方向Ax2に沿ったストライプ形状を成す。マスク51は、例えば、フォトレジストを含み、トレンチ26を塞ぐようにして半導体層20上に形成される。マスク51の形成後、図9に示されるように、保護層50のための金属膜を成長する。本実施例では、保護層50は、例えば、Ti/Au膜であることができる。金属膜の成長は、例えば真空蒸着装置法によることができる。蒸着の後のリフトオフプロセスにより、保護層50として金属膜が形成される。以下に、マスク51の開口の幅51W及び保護層50の幅50Wを示す。
マスク51の開口の幅51W:2μm〜10μm。
保護層50の幅50W:2μm〜10μm。
(絶縁層の形成)
工程S5では、図10に示されるように、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に、絶縁層60を形成する。本実施例では、絶縁層60は、例えば、シリコン系無機物、具体的にはSiN、SiON又はSiO2のいずれかを含み、例えばプラズマCVD法によって形成される。絶縁層60の厚みは、例えば、SiO2が用いられるときに300nmである。絶縁層60は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上において、トレンチ26の側面及び底面にも設けられる。
工程S5では、図10に示されるように、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上に、絶縁層60を形成する。本実施例では、絶縁層60は、例えば、シリコン系無機物、具体的にはSiN、SiON又はSiO2のいずれかを含み、例えばプラズマCVD法によって形成される。絶縁層60の厚みは、例えば、SiO2が用いられるときに300nmである。絶縁層60は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上において、トレンチ26の側面及び底面にも設けられる。
(第1開口及び第2開口の形成)
工程S6では、図11に示されるように、絶縁層60上に、例えばストライプ状の開口を形成するためのマスク63が設けられ、このマスク63を利用して、例えばフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、図12に示したように、第1開口61及び第2開口62を絶縁層60に形成する。マスク63は、例えば、フォトレジストを含む。マスク63は、第1開口61に対応する第1開口パターンと、第2開口62に対応する第2開口パターンとを有する。第1開口61は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上のオーミック電極40上において第1方向Ax1に延在する。第2開口62は、第2エリアA2上の保護層50上において、第2方向Ax2に第1開口61から延在する。以下に、第1開口パターンにおけるマスク63の開口の幅63A、オーミック電極40の幅40W、第2開口パターンにおけるマスク63の開口の幅63B、及び保護層50の幅50Wを示す。
マスク63の開口の幅63A:1μm〜20μm。
オーミック電極40の幅40W:2μm〜30μm。
マスク63の開口の幅63B:1μm〜5μm。
保護層50の幅50W:2μm〜10μm。
工程S6では、図11に示されるように、絶縁層60上に、例えばストライプ状の開口を形成するためのマスク63が設けられ、このマスク63を利用して、例えばフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、図12に示したように、第1開口61及び第2開口62を絶縁層60に形成する。マスク63は、例えば、フォトレジストを含む。マスク63は、第1開口61に対応する第1開口パターンと、第2開口62に対応する第2開口パターンとを有する。第1開口61は、第1エリアA1、第2エリアA2、及び第3エリアA3上のオーミック電極40上において第1方向Ax1に延在する。第2開口62は、第2エリアA2上の保護層50上において、第2方向Ax2に第1開口61から延在する。以下に、第1開口パターンにおけるマスク63の開口の幅63A、オーミック電極40の幅40W、第2開口パターンにおけるマスク63の開口の幅63B、及び保護層50の幅50Wを示す。
マスク63の開口の幅63A:1μm〜20μm。
オーミック電極40の幅40W:2μm〜30μm。
マスク63の開口の幅63B:1μm〜5μm。
保護層50の幅50W:2μm〜10μm。
(電極の形成)
工程S7では、図13に示されるように、例えば、金属スパッタリング法及び金属メッキ法によって、表面電極41pを第3エリアA3上に形成する。表面電極41pの形成に先立って、表面電極のためのマスクが形成され、このマスクは、表面電極41の形状を規定する開口を有する。トレンチ26の側面及び底面にも表面電極41pが形成されるように、表面電極のためのマスクに開口が設けられる。この開口を利用して、例えば、金属スパッタリング法によって、金属膜42が形成される。金属膜42の形成後に、例えば、金属メッキ法によって、金属メッキ43を金属膜42上に形成する。金属メッキ43の形成によって、表面電極41pの形成が完了する。表面電極41の形成後に、基板10の裏面10Bを研磨し、研磨した裏面10B上に裏面電極41nを形成する。裏面電極41nの形成は、例えば、フォトリソグラフィー技術及び蒸着を用いたリフトオフプロセスによることができる。裏面電極41nの形成までの工程により、半導体発光素子1のための基板生産物が作製される。
工程S7では、図13に示されるように、例えば、金属スパッタリング法及び金属メッキ法によって、表面電極41pを第3エリアA3上に形成する。表面電極41pの形成に先立って、表面電極のためのマスクが形成され、このマスクは、表面電極41の形状を規定する開口を有する。トレンチ26の側面及び底面にも表面電極41pが形成されるように、表面電極のためのマスクに開口が設けられる。この開口を利用して、例えば、金属スパッタリング法によって、金属膜42が形成される。金属膜42の形成後に、例えば、金属メッキ法によって、金属メッキ43を金属膜42上に形成する。金属メッキ43の形成によって、表面電極41pの形成が完了する。表面電極41の形成後に、基板10の裏面10Bを研磨し、研磨した裏面10B上に裏面電極41nを形成する。裏面電極41nの形成は、例えば、フォトリソグラフィー技術及び蒸着を用いたリフトオフプロセスによることができる。裏面電極41nの形成までの工程により、半導体発光素子1のための基板生産物が作製される。
(チップの作製及び端面膜の形成)
工程S8では、基板生産物が、例えば、ダイシング及び/又はヘキ開によって半導体チップに分割されて、半導体発光素子1が作製される。半導体発光素子1では、その第1端面20Bと第2端面20Cとに、端面膜35、例えば誘電体多層膜を形成する。端面膜35は、半導体層20上の絶縁層60の端面上にも形成される。端面膜35の形成は、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法によることができる。端面膜35は、例えば、SiO2/TiO2膜を含む。半導体チップの作製及び端面膜35の形成によって、半導体発光素子1の作製が完了する。
工程S8では、基板生産物が、例えば、ダイシング及び/又はヘキ開によって半導体チップに分割されて、半導体発光素子1が作製される。半導体発光素子1では、その第1端面20Bと第2端面20Cとに、端面膜35、例えば誘電体多層膜を形成する。端面膜35は、半導体層20上の絶縁層60の端面上にも形成される。端面膜35の形成は、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法によることができる。端面膜35は、例えば、SiO2/TiO2膜を含む。半導体チップの作製及び端面膜35の形成によって、半導体発光素子1の作製が完了する。
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置及び詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲及びその精神の範囲から来る全ての修正及び変更に権利を請求する。
本実施形態によれば、当該半導体発光素子の半導体層上に設けられた絶縁層の剥離の発生を低減できる半導体発光素子を提供することができる。
1…半導体発光素子、10…基板、20…半導体層、20D…第1側面、20E…第2側面、30…導波路メサ、31…発光層、26…トレンチ、40…オーミック電極、50…保護層、60…絶縁層、61…第1開口、62…第2開口、A1…第1エリア、A2…第2エリア、A3…第3エリア、Ax1…第1方向、Ax2…第2方向。
Claims (4)
- 半導体発光素子であって、
第1方向に沿って順に配列された第1エリア、第2エリア、及び第3エリアを含む主面を有する基板と、
前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上に設けられ、発光層を含む半導体層と、
前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上の前記半導体層上に設けられ、前記第1方向に延在するオーミック電極と、
前記第1方向に交差する第2方向に延在するように前記第2エリア上の前記半導体層上又は前記オーミック電極上に設けられ、金属を含む保護層と、
前記半導体層上に設けられた絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、前記オーミック電極上を前記第1方向に延在する第1開口を有し、前記保護層上を前記第2方向に前記第1開口から延在する第2開口を有する、半導体発光素子。 - 前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上の前記半導体層内に設けられ、前記第1方向に延在するトレンチを更に備え、
前記絶縁層は、前記第1エリア、前記第2エリア、及び前記第3エリア上において前記トレンチの側面上及び底面上に設けられる、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 第1側面及び第2側面を備え、
前記第1側面は、前記第2側面の反対側に位置し、
前記保護層は、前記第2方向に沿って前記第1側面から前記第2側面にまで連続する、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記絶縁層は、SiN、SiON又はSiO2のいずれか一以上を含む、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015152443A JP2017034080A (ja) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 半導体発光素子 |
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JP2015152443A JP2017034080A (ja) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 半導体発光素子 |
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ID=57989429
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JP2015152443A Pending JP2017034080A (ja) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 半導体発光素子 |
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JP (1) | JP2017034080A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019057671A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子及びその製造方法 |
WO2021200583A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子及び量子カスケードレーザ装置 |
WO2021200549A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子及び量子カスケードレーザ装置 |
-
2015
- 2015-07-31 JP JP2015152443A patent/JP2017034080A/ja active Pending
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