JP6493825B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、互いに対向した第1の側面と第2の側面を有する半導体基板と、半導体基板上に設けられ、第1の側面と第2の側面との内側に位置する第3の側面と第4の側面とに挟まれた、レーザ共振構造と、レーザ共振構造に接続された電極パッドと、を有する本体部を備え、電極パッドは、半導体基板上のレーザ共振構造に沿った領域であって、第3の側面と第4の側面との距離以上の距離で対向した第5の側面と第6の側面とを有する領域に配置された半導体レーザ素子である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図1は、第1実施形態に係る半導体レーザ素子を示す平面図である。図2は、図1のII−II線矢視断面図である。図3は、図1のIII−III線矢視断面図である。図4は、図1のIV−IV線に沿った端面図である。図1及び図2に示されるように、半導体レーザ素子1は、本体部2と、活性層3と、電極4,5と、配線6,7と、電極パッド8,9と、を備えている。活性層3と、電極4,5と、配線6,7と、電極パッド8,9とは、本体部2における半導体基板21上に設けられる。半導体基板21は、例えばn型InP基板等であり、厚さは例えば100μm〜200μmである。
以下では、第2実施形態に係る半導体レーザ素子について説明する。第2実施形態の説明において第1実施形態と重複する記載は省略し、第1実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第2実施形態に第1実施形態の記載を適宜用いてもよい。
そして、面43Aを構成するメサ構造30の端面30aと領域27(28)の側面27a(28a)とは、互いに面一になっている。この場合であっても、第1実施形態と同等の効果を奏する。さらに、本体部2における側面2aの全体に段差41Aが設けられるので、当該段差41Aの形状を第1実施形態よりも容易に制御できる。
以下では、第3実施形態に係る半導体レーザ素子について説明する。第3実施形態の説明において第1実施形態及び第2実施形態と重複する記載は省略し、これらと異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第3実施形態に第1実施形態及び第2実施形態の記載を適宜用いてもよい。
以下では、第4実施形態に係る半導体レーザ素子について説明する。第4実施形態の説明において第1〜第3実施形態と重複する記載は省略し、これらと異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第4実施形態に第1〜第3実施形態の記載を適宜用いてもよい。
Claims (2)
- 互いに対向した第1の側面と第2の側面を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた半導体層と、
前記半導体基板上に設けられ、前記第1の側面と前記第2の側面との内側に位置し、前記第1の側面側の第3の側面と前記第2の側面側の第4の側面とに挟まれた、レーザ共振構造と、
前記半導体層上に設けられ、前記第1の側面と前記第2の側面との内側に位置し、前記第1の側面側であって前記第3の側面に対して面一になっている第5の側面と、前記第2の側面側の第6の側面とに挟まれた電極パッドと、
前記第1の側面に沿って前記半導体基板上に設けられた段差と、を有し、
前記レーザ共振構造は、前記半導体層を含むメサ構造を有し、
前記電極パッドは、前記第1の側面と前記第2の側面とが対向する第1の方向に対して直交する第2の方向における前記メサ構造の両側に設けられ、且つ、前記レーザ共振構造と接続し、
前記段差は、前記第1の側面と前記第3の側面との間、及び、前記第1の側面と前記第5の側面との間に連続して形成される、半導体レーザ素子。 - 前記第2の方向における前記電極パッドの長さは、前記第2の方向における前記レーザ共振構造の長さよりも長い、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
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