JP5872790B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、635nmの発振波長を有する赤色半導体レーザ装置に適用したものであり、図1は、この半導体レーザ装置の主要部の構成を示す断面図である。
前記実施の形態1では、リッジ部5Aの側壁下部およびリッジ部5Aの側壁近傍に第2パッシベーション膜9を形成したが、例えば図12に示すように、リッジ部5Aの両側のp型第2クラッド層5の上面全体に第2パッシベーション膜9を形成してもよい。このような形状の第2パッシベーション膜9は、前記実施の形態1の図9および図10に示す工程を省略することによって形成することができる。
2 n型クラッド層
3 活性層
4 p型第1クラッド層
5 p型第2クラッド層
5A リッジ部
6 p型コンタクト層
8 第1パッシベーション膜
9 第2パッシベーション膜
10 p型電極
11 n型電極
12 酸化シリコン膜
13、14 フォトレジスト膜
Claims (5)
- 半導体基板の主面上に少なくともn型クラッド層、活性層、p型第1クラッド層およびp型第2クラッド層が積層され、前記p型第2クラッド層の一部に凸形の断面形状を有するストライプ状のリッジ部が形成された半導体レーザ装置であって、
前記リッジ部の両側壁、および前記リッジ部の両側の前記p型第2クラッド層の上面には、第1パッシベーション膜が形成されており、
前記リッジ部の側壁上部を除く前記リッジ部の側壁下部、および前記リッジ部の側壁近傍の前記p型第2クラッド層の上面には、前記第1パッシベーション膜の少なくとも一部を覆うように第2パッシベーション膜が形成され、
前記第2パッシベーション膜のうち前記リッジ部の側壁近傍に設けられる部分は、前記p型第2クラッド層の積層方向に厚みを有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記第1パッシベーション膜の膜厚は100nm以下であり、前記リッジ部の側壁底部における前記第1および第2パッシベーション膜の合計の膜厚は、150nm〜600nmであることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1パッシベーション膜は第1絶縁膜からなり、前記第2パッシベーション膜は、前記第1パッシベーション膜とはエッチング選択比が異なる第2絶縁膜からなることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 半導体基板の主面上に少なくともn型クラッド層、活性層、p型第1クラッド層およびp型第2クラッド層が積層され、前記p型第2クラッド層の一部に凸形の断面形状を有するストライプ状のリッジ部が形成された半導体レーザ装置であって、
前記リッジ部の両側壁、および前記リッジ部の両側の前記p型第2クラッド層の上面には、第1パッシベーション膜が形成されており、
前記リッジ部の側壁下部、および前記リッジ部の側壁近傍の前記p型第2クラッド層の上面には、前記第1パッシベーション膜を覆うように第2パッシベーション膜が形成され、
前記第1パッシベーション膜と前記第2パッシベーション膜は、同一の絶縁材料からなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 半導体基板の主面上に少なくともn型クラッド層、活性層、p型第1クラッド層およびp型第2クラッド層が積層され、前記p型第2クラッド層の一部に凸形の断面形状を有するストライプ状のリッジ部が形成された半導体レーザ装置であって、
前記リッジ部の両側壁、および前記リッジ部の両側の前記p型第2クラッド層の上面には、第1パッシベーション膜が形成されており、
前記リッジ部の側壁下部、および前記リッジ部の側壁近傍の前記p型第2クラッド層の上面には、前記第1パッシベーション膜を覆うように第2パッシベーション膜が形成され、
前記第1パッシベーション膜は第1絶縁膜からなり、前記第2パッシベーション膜は、第1導電膜からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
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