JP2012234862A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 半導体基板の主面上に少なくともｎ型クラッド層、活性層、ｐ型第１クラッド層およびｐ型第２クラッド層が積層され、前記ｐ型第２クラッド層の一部に凸形の断面形状を有するストライプ状のリッジ部が形成された半導体レーザ装置であって、
   前記リッジ部の両側壁、および前記リッジ部の両側の前記ｐ型第２クラッド層の上面には、第１パッシベーション膜が形成されており、
   前記リッジ部の側壁下部、および前記リッジ部の側壁近傍の前記ｐ型第２クラッド層の上面には、前記第１パッシベーション膜を覆うように第２パッシベーション膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記第１パッシベーション膜の膜厚は１００ｎｍ以下であり、前記リッジ部の側壁底部における前記第１および第２パッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
3. 前記第１パッシベーション膜は第１絶縁膜からなり、前記第２パッシベーション膜は、前記第１パッシベーション膜とはエッチング選択比が異なる第２絶縁膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
4. 前記第１パッシベーション膜と前記第２パッシベーション膜は、同一の絶縁材料からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
5. 前記第１パッシベーション膜は第１絶縁膜からなり、前記第２パッシベーション膜は、第１導電膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。