JP2013162130A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 発光ダイオード素子であって、
   ベース；
   前記ベースの上に位置する半導体スタック層であって、前記半導体スタック層は、側壁及び頂部表面を有し、前記側壁は前記頂部表面よりも前記ベースに接近する、半導体スタック層；及び
   前記半導体スタック層を覆い、前記ベースに直接接触しない波長変換層を含む、発光ダイオード素子。
2. 前記側壁は上部表面及び下部表面を有し、前記下部表面は前記上部表面よりも前記ベースに接近し、前記波長変換層は前記上部表面を覆う、請求項１に記載の発光ダイオード素子。
3. 前記波長変換層は突出部を有する、請求項１に記載の発光ダイオード素子。
4. 前記下部表面の高さは5nm以上である、請求項２に記載の発光ダイオード素子。
5. 前記側壁は境界を更に含み、
   前記境界は前記上部表面及び前記下部表面の間に位置し、
   前記突出部は前記境界の上に位置する、請求項３に記載の発光ダイオード素子。
6. 前記突出部の幅は500μm以下である、請求項３に記載の発光ダイオード素子。
7. 導電ユニットを更に含み、
   前記導電ユニットは前記半導体スタック層と前記ベースとの間に形成される、請求項１に記載の発光ダイオード素子。
8. 発光ダイオード素子の製造方法であって、
   半導体スタック層を提供するステップであって、前記半導体スタック層は側壁を有し、前記側壁は下部表面を含む、ステップ；
   前記下部表面を覆う阻止層を形成するステップ；
   波長変換層を用いて前記半導体スタック層及び前記阻止層を覆うステップ；及び
   前記阻止層を除去して前記下部表面を露出させるステップを含む、製造方法。
9. 一時的な基板を提供するステップであって、前記阻止層は前記一時的な基板に形成される、ステップを更に含む、請求項８に記載の製造方法。
10. 前記波長変換層の一部を除去して前記阻止層を露出させるステップを更に含む、請求項８に記載の製造方法。