CN105720173A - 覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法。一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
Description
技术领域
本发明涉及覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法，详细而言，涉及覆有荧光体层的光半导体元件和用于制造覆有荧光体层的光半导体元件的方法。
背景技术
以往，提出一种覆有荧光体层的光半导体元件，该覆有荧光体层的光半导体元件包括下表面暴露的光半导体元件和用于覆盖光半导体元件的上表面和侧面的荧光体层(例如，参照日本特开2012-39013号公报)。
发明内容
然而，要求覆有荧光体层的光半导体元件具有优异的发光强度。但是，日本特开2012-39013号所记载的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。
本发明的目的在于，提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法。
本发明的技术方案(1)提供一种覆有荧光体层的光半导体元件，其中，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层，因此能够提高发光强度。
本发明的技术方案(2)是根据技术方案(1)所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其中，所述光半导体元件具有：元件侧可接触面，其能够与基板相接触；元件侧相对面，其相对于所述元件侧可接触面在一方向的一侧隔开距离x地相对配置；和元件侧连结面，其与所述元件侧可接触面以及所述元件侧相对面相连结，所述荧光体层具有：荧光体侧第1相对面，其相对于所述元件侧相对面在所述一侧隔开距离y地相对配置；荧光体侧第2相对面，其相对于所述元件侧连结面在与所述一方向正交的正交方向上隔开距离α地相对配置，所述透明层具有：透明侧相对面，其相对于所述荧光体侧第1相对面在所述一侧隔开距离z地相对配置；和透明侧连结面，其与所述透明侧相对面相连结，并且在所述一方向上投影时，相对于所述元件侧连结面在所述正交方向上隔开间隔地配置，所述覆有荧光体层的光半导体元件满足下述(1)～(4)的全部条件。
(1)所述距离y除以所述距离x的值(y/x)为1～5；
(2)所述距离y与所述距离z的和(y+z)为0.25mm～2mm；
(3)所述距离α与所述荧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面之间的距离β之和(α+β)为50μm～2000μm，其中，所述距离β为0以上；
(4)所述距离y除以所述距离α的值(y/α)为1～2.5。
由于该覆有荧光体层的光半导体元件满足所述(1)～(4)的全部条件，因此能够进一步提高发光强度并具有优异的颜色均匀性且能够抑制颜色不均匀。
本发明的技术方案(3)是根据技术方案(1)或技术方案(2)所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其中，所述荧光体层含有荧光体和第1透明组合物，所述第1透明组合物的折射率RIp为1.45～1.60。
在该覆有荧光体层的光半导体元件中，由于第1透明组合物的折射率RIp为1.45～1.60，因此能够提高发光强度。
本发明的技术方案(4)是根据技术方案(1)至(3)中任一项所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其中，所述荧光体层含有荧光体和第1透明组合物，所述透明层含有第2透明组合物，所述第1透明组合物的折射率RIp减去所述第2透明组合物的折射率RIt的值(RIp-RIt)为-0.70～0.20。
在该覆有荧光体层的光半导体元件中，由于第1透明组合物的折射率RIp减去第2透明组合物的折射率RIt的值(RIp-RIt)为-0.70～0.20，因此能够提高发光强度。
本发明的技术方案(5)是根据技术方案(4)所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其中，所述RIp减去所述RIt为0.05以上。
在该覆有荧光体层的光半导体元件中，由于RIp-RIt为0.05以上，因此能够进一步提高发光强度。
本发明的技术方案(6)是根据技术方案(2)所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其中，所述荧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面在所述一方向上形成为一个面。
能够利用简单的方法使荧光体侧第2相对面和透明侧连结面分别形成于覆有荧光体层的光半导体元件中的荧光体层和透明层。
本发明的技术方案(7)是根据技术方案(2)或技术方案(6)所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其中，所述距离α超过50μm。
在该覆有荧光体层的光半导体元件中，由于距离α超过50μm，因此能够提高颜色均匀性。
本发明的技术方案(8)提供一种覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其中，其是用于制造所述的覆有荧光体层的光半导体元件的方法，所述方法包括如下工序：在所述透明层的表面形成所述荧光体层而制造覆盖片的工序；和将所述覆盖片以所述荧光体层覆盖多个光半导体元件的方式进行配置的工序。
采用该覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，能够使用覆盖片来简单地制造发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。
本发明的技术方案(9)是根据技术方案(8)所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其中，所述方法还包括将所述覆盖片以所述覆有荧光体层的光半导体元件被单片化的方式切断的工序。
采用该覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，能够简单地制造具有期望的尺寸的覆有荧光体层的光半导体元件。
本发明的技术方案(10)提供一种覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其中，其是用于制造技术方案(1)至(7)中任一项所述的覆有荧光体层的光半导体元件的方法，所述方法包括如下工序：荧光体层准备工序，准备片状的荧光体层；荧光体层配置工序，将所述片状的荧光体层以覆盖所述光半导体元件的方式进行配置；透明层配置工序，在所述荧光体层配置工序之后，将所述透明层以覆盖所述荧光体层的至少一部分的方式进行配置。
由于该覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法包括准备片状的荧光体层的荧光体层准备工序和将片状的荧光体层以覆盖光半导体元件的方式进行配置的荧光体层配置工序，因此能够使用片状的荧光体层来简单地制造发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。
本发明的技术方案(11)是根据技术方案(10)所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其中，在所述荧光体层配置工序中，将所述片状的荧光体层以埋设多个所述光半导体元件的方式进行配置，所述方法还包括单片化/去除工序，在所述荧光体层配置工序之后、所述透明层配置工序之前，在将所述荧光体层对应于多个所述光半导体元件进行单片化的同时，去除所述荧光体层中的远离所述光半导体元件的部分。
采用该覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，在单片化/去除工序中，由于在荧光体层配置工序之后、透明层配置工序之前，在将荧光体层对应于多个光半导体元件进行单片化的同时，去除荧光体层中的远离光半导体元件的部分，因此能够以较少的工时来制造具有期望的尺寸的覆有荧光体层的光半导体元件。
本发明的技术方案(12)是根据技术方案(11)所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其中，所述光半导体元件具有：元件侧可接触面，其能够与基板接触；元件侧相对面，其相对于所述元件侧可接触面在一侧隔开距离x地相对配置；和元件侧连结面，其与所述元件侧可接触面以及所述元件侧相对面连结，在所述荧光体层配置工序中，将所述片状的荧光体层以覆盖多个所述光半导体元件的所述元件侧连结面的方式进行配置，在所述单片化/去除工序中，使所述荧光体层的覆盖所述元件侧连结面的部分残存。
采用该覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，在单片化/去除工序中，由于使荧光体层的覆盖元件侧连结面的部分残存，因此能够简单地制造具有期望的尺寸的荧光体层的覆有荧光体层的光半导体元件。
本发明的技术方案(13)是根据技术方案(10)至(12)中任一项所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其中，所述方法还包括用于准备片状的透明层的透明层准备工序，在所述透明层配置工序中，将所述片状的透明层以覆盖所述荧光体层的至少一部分的方式进行配置。
附图说明
图1表示作为本发明的覆有荧光体层的光半导体元件的第1实施方式的被荧光体层密封的LED(是透明层的侧面和荧光体层的侧面形成为一个面的形态)的剖视图。
图2A～图2F是表示图1所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和使用被荧光体层密封的LED的LED装置的制造方法的工序图，其中，
图2A表示准备密封片的工序，
图2B表示准备多个LED的工序，
图2C表示利用密封片来密封多个LED的工序，
图2D表示单片化为被荧光体层密封的LED的工序，
图2E表示获得被荧光体层密封的LED的工序，
图2F表示将被荧光体层密封的LED安装于基板的工序。
图3A～图3D是表示图2A～图2F所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和LED装置的制造方法的变形例的工序图，其中，
图3A表示准备LED和第1堰的工序，
图3B表示配置第1堰的工序，
图3C表示使荧光体层形成于第1堰内的工序，
图3D表示提起第1堰并接着准备第2堰的工序，
图3E表示配置第2堰的工序。
图4A～图4D是表示接着图3E继续说明图2A～图2E所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和LED装置的制造方法的变形例的工序图，其中，
图4A表示使透明层形成于第2堰内的工序，
图4B表示沿着荧光体层和透明层这两者与第2堰之间的界面将荧光体层、透明层以及第2堰切断的工序，
图4C表示获得被荧光体层密封的LED的工序，
图4D表示将被荧光体层密封的LED安装于基板的工序。
图5表示图1所示的被荧光体层密封的LED的变形例(是荧光体层的下表面位于比LED的下表面靠上侧的位置的形态)的剖视图。
图6表示作为本发明的覆有荧光体层的光半导体元件的第2实施方式的被荧光体层密封的LED(是透明层的侧面形成于比荧光体层的侧面靠外侧的位置的形态)的剖视图。
图7A～图7F是表示图6所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和使用被荧光体层密封的LED的LED装置的制造方法的工序图，其中，
图7A表示准备多个LED和荧光密封片的工序，
图7B表示利用荧光体层来密封多个LED的工序，
图7C表示将剥离片自荧光体层剥下的工序，
图7D表示单片化为被荧光体层密封的LED的工序，
图7E表示将被荧光体层密封的LED自支承板剥离的工序，
图7F表示获得被荧光体层密封的LED的工序。
图8A～图8F是表示接着图7F继续说明图6所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和使用被荧光体层密封的LED的LED装置的制造方法的工序图，其中，
图8A表示将多个被荧光体层密封的LED再配置于第2支承板并准备透明片的工序，
图8B表示利用透明层来密封多个被荧光体层密封的LED的工序，
图8C表示将第2剥离片自透明层剥下的工序，
图8D表示单片化为被荧光体层密封的LED的工序，
图8E表示获得被荧光体层密封的LED的工序，
图8F表示将被荧光体层密封的LED安装于基板的工序。
图9表示图6所示的被荧光体层密封的LED的变形例(是荧光体层的下表面和透明层的下表面均具有自LED暴露的暴露面且暴露面具有位于比LED的下表面靠上侧的位置的部分的形态)的剖视图。
图10A～图10E是表示用于获得图7所示的被荧光体层密封的LED的方法的变形例的工序图，其中，
图10A表示准备多个LED和荧光密封片的工序，
图10B表示利用荧光体层来密封多个LED的工序，
图10C表示将剥离片自荧光体层剥下的工序，
图10D表示单片化为被荧光体层密封的LED的工序，
图10E表示获得被荧光体层密封的LED的工序。
图11表示作为本发明的覆有荧光体层的光半导体元件的第3实施方式的被荧光体层密封的LED(是透明层具有凸缘部的形态)的剖视图。
图12A～图12D是表示图11所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和使用荧光体层密封LE的LED装置的制造方法的工序图，其中，
图12A表示准备多个LED和荧光密封片的工序，
图12B表示利用荧光体层来密封多个LED的工序，
图12C表示在荧光体层形成凹部的工序，
图12D表示准备透明片的工序。
图13A～图13E是表示接着图12D继续说明图11所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和使用被荧光体层密封的LED的LED装置的制造方法的工序图，其中，
图13A表示将透明层配置于荧光体层的上表面并接着将第2剥离片自透明层剥下的工序，
图13B表示单片化为被荧光体层密封的LED的工序，
图13C表示获得被荧光体层密封的LED工序，
图13D表示将被荧光体层密封的LED转印到转印片上的工序，
图13E表示将被荧光体层密封的LED安装于基板的工序。
图14A～图14D是表示图11所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和使用被荧光体层密封的LED的LED装置的制造方法的变形例的工序图，其中，
图14A表示准备多个LED和荧光密封片的工序，
图14B表示利用荧光体层来密封多个LED的工序，
图14C表示将剥离片自荧光体层剥下的工序，
图14D表示准备透明片的工序。
图15A～图15D是表示接着图14D继续说明图11所示的被荧光体层密封的LED的制造方法和使用被荧光体层密封的LED的LED装置的制造方法的变形例的工序图，其中，
图15A表示将透明层配置于荧光体层的上表面并接着将第2剥离片自透明层剥下的工序，
图15B表示单片化为被荧光体层密封的LED的工序，
图15C表示获得被荧光体层密封的LED的工序，
图15D表示将被荧光体层密封的LED安装于基板的工序。
图16表示比较例1的被荧光体层密封的LED(是没有透明层的形态)的剖视图。
图17表示比较例2的被荧光体层密封的LED(是在荧光体层形成有凸缘部、而没有透明层的形态)的剖视图。
具体实施方式
本发明的覆有荧光体层的光半导体元件具备：光半导体元件、覆盖光半导体元件的荧光体层、和覆盖荧光体层的至少一部分的透明层。
以下，利用第1实施方式～第3实施方式并参照图1～图15D来说明本发明的覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法的一个例子。
第1实施方式
在图1中，纸面上下方向是上下方向(第1方向、即厚度方向)，纸面上侧是上侧(第1方向的一侧、即厚度方向的一侧)，纸面下侧是下侧(第1方向的另一侧、即厚度方向的另一侧)。纸面左右方向是左右方向(与第1方向正交的第2方向)，纸面左侧是左侧(第2方向的一侧)，纸面右侧是右侧(第2方向的另一侧)。纸厚方向是前后方向(与第1方向和第2方向正交的第3方向)，纸面近前侧是前侧(第3方向的一侧)，纸面进深侧是后侧(第3方向的另一侧)。
被荧光体层密封的LED
如图1所示，作为覆有荧光体层的光半导体元件的一个例子的被荧光体层密封的LED1包括：LED2，其是光半导体元件的一个例子；荧光体层3，其覆盖LED2的上表面和侧面；和透明层4，其覆盖荧光体层3的上表面。
各构件的说明
LED2为能将电能转换为光能的光半导体元件。光半导体元件不包括在技术领域上与光半导体元件不同的晶体管等整流器。LED2形成为例如厚度(上下方向上的最大长度)比面方向长度(具体而言，左右方向长度和前后方向长度)短的剖视大致矩形形状和俯视大致矩形形状。LED2具有下表面21、上表面22、以及侧面23。
LED2的下表面21是能够与基板50相接触的元件侧可接触面的一个例子。LED2的下表面21的一部分由凸块(未图示)形成并与设于基板50的上表面的端子(没有在图2中图示)电连接。LED2的下表面21是被荧光体层密封的LED1的最下表面。
LED2的上表面22是相对于LED2的下表面21在上侧(是一侧的一个例子)隔开距离x地相对配置的元件侧相对面的一个例子。此外，所述LED2的上表面22在上侧与下表面21隔开的距离x与LED2的厚度x相同。
LED2的侧面23、也就是说前表面、后表面、左表面以及右表面是与下表面21和上表面22相连结的元件侧连结面的一个例子。
LED2的上表面22和侧面23由发光层(未图示)形成。
作为LED2，可列举出例如发出蓝色光的蓝色LED(发光二极管元件)。
荧光体层3是将自LED2发出的蓝色光的一部分转换为黄色光的波长转换层。荧光体层3形成为在俯视时包括LED2的形状。荧光体层3以覆盖LED2的上表面22和侧面23而使LED2的下表面21暴露的方式配置。也就是说，在荧光体层3的下部的中央形成有用于容纳LED2的容纳部30。容纳部30是自荧光体层3的下表面32朝向上侧凹入的凹部，其以与LED2的外形形状相对应的方式形成。也就是说，荧光体层3形成为形成有容纳部30的剖视大致矩形形状和俯视大致矩形形状。荧光体层3具有下表面32、上表面31、侧面33、以及形成于容纳部30内的内表面34。
荧光体层3的下表面32是荧光体层3的最下表面且是能够与基板50相接触的荧光体侧可接触面。
荧光体层3的上表面31是相对于LED2的上表面22在上侧(是一侧的一个例子)隔开距离y地相对配置的荧光体侧第1相对面的一个例子。另外，荧光体层3的上表面31还是相对于LED2的上表面22在上侧隔开距离y地相对配置的面。此外，在荧光体层3中，上表面31在上侧与荧光体层3的下表面32(即，LED2的上表面22)隔开的距离y是荧光体层3中的与LED2的上侧相对配置的部分的厚度y。
荧光体层3的侧面33、也就是说，前表面、后表面、左表面以及右表面是相对于LED2的侧面23在面方向(是正交方向的一个例子)外侧隔开距离α地相对配置的荧光体侧第2相对面的一个例子。另外，荧光体层3的侧面33形成为在侧方暴露的暴露面。此外，荧光体层3的侧面33在外侧与LED2的侧面23隔开的距离α是荧光体层3中的相对配置于LED2的外侧的部分(侧部35)的左右方向长度和前后方向长度(最小长度)α。
荧光体层3的容纳部30的内表面34与LED2的上表面22和侧面23相接触。
荧光体层3由例如荧光体树脂组合物形成。
荧光体树脂组合物含有荧光体和透明树脂组合物(是作为第1透明组合物的一个例子的第1透明树脂组合物)。
作为荧光体，可列举出例如能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可列举出例如(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(铽·铝·石榴石):Ce)等具有石榴石型结晶构造的石榴石型荧光体、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。
作为红色荧光体，可列举出例如CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物荧光体等。
作为荧光体的形状，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点看，优选列举出球状。
荧光体的最大长度的平均值(荧光体为球状的情况下是平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，并且例如为200μm以下，优选为100μm以下。
荧光体的比重例如超过2.0，并且例如为9.0以下。
荧光体能够单独使用或组合使用。
相对于100质量份透明树脂组合物，荧光体的配混比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，并且例如为80质量份以下，还优选为50质量份以下。另外，相对于荧光体树脂组合物，荧光体的配混比例例如为0.1质量％以上，优选为0.5质量％以上，并且例如为90质量％以下，优选为80质量％以下。
作为透明树脂组合物，可列举出例如作为用于将LED2密封的密封材料而使用的透明性的树脂组合物。具体而言，作为透明树脂组合物，可列举出例如热固性树脂组合物、热塑性树脂组合物，优选列举出热固性树脂组合物。
作为热固性树脂组合物，可列举出例如两阶段反应固化性树脂组合物、一阶段反应固化性树脂组合物。
两阶段反应固化性树脂组合物具有两个反应机理，其能够在第1阶段的反应中自A阶段状态实现B阶段化(半固化)、接着在第2阶段的反应中自B阶段状态实现C阶段化(完全固化)。也就是说，两阶段反应固化性树脂组合物是能够通过适度的加热条件而成为B阶段状态的热固性树脂组合物。但是，在剧烈的加热作用下，两阶段反应固化性树脂组合物也能够自A阶段状态一次性地成为C阶段状态，而不维持B阶段状态。此外，B阶段状态为热固性树脂组合物在液状的A阶段状态和完全固化后的C阶段状态之间的状态，为固化和凝胶化稍稍进行且压缩弹性模量比C阶段状态的压缩弹性模量小的半固体状态或固体状态。
一阶段反应固化性树脂组合物具有一个反应机理，其能够在第1阶段的反应中自A阶段状态实现C阶段化(完全固化)。此外，一阶段反应固化性树脂组合物包括如下那样的热固性树脂组合物：在第1阶段的反应的中途使该热固性树脂组合物的反应停止，该热固性树脂组合物能够自A阶段状态成为B阶段状态，通过之后的进一步的加热而再次开始第1阶段的反应，该热固性树脂组合物能够自B阶段状态实现C阶段化(完全固化)。也就是说，该热固性树脂组合物是能够成为B阶段状态的热固性树脂组合物。另一方面，一阶段反应固化性树脂组合物包括如下那样的热固性树脂组合物：不能以使该热固性树脂组合物在一阶段的反应的中途停止的方式对该热固性树脂组合物进行控制，也就是说，该热固性树脂组合物不能成为B阶段状态，而是一次性地自A阶段状态实现C阶段化(完全固化)。
作为透明树脂组合物，可列举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、密胺树脂、不饱和聚酯树脂等。作为透明树脂组合物，优选列举出有机硅树脂、环氧树脂。
所述透明树脂组合物可以为同一种或多种。
作为有机硅树脂，从透明性、耐久性、耐热性、耐光性的观点考虑，可列举出例如加成反应固化型有机硅树脂组合物、缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物等有机硅树脂组合物。有机硅树脂既能够单独使用，也能够组合使用。
加成反应固化型有机硅树脂组合物是一阶段反应固化性树脂组合物，其含有例如含烯基聚硅氧烷、含氢化甲硅烷基聚硅氧烷、以及硅氢化催化剂。
含烯基聚硅氧烷在分子内含有两个以上的链烯基和/或环烯基。含烯基聚硅氧烷具体而言通过下述平均组成式(1)来表示。
平均组成式(1)：
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(式中，R1表示碳数2～10的链烯基和/或碳数3～10的环烯基。R2表示非取代或取代的碳数1～10的一价烃基(其中，不包括链烯基和环烯基。)。a为0.05～0.50，b为0.80～1.80。)
在式(1)中，作为R1所示的链烯基，可列举出例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳数2～10的链烯基。作为R1所示环烯基，可列举出例如环己烯基、降冰片烯基等碳数3～10的环烯基。
作为R1，优选列举出链烯基，更优选列举出碳数2～4的链烯基，进一步优选列举出乙烯基。
R1所示的链烯基可以为同一种或多种。
R2所示的一价烃基是链烯基和环烯基以外的非取代或取代的碳原子数1～10的一价烃基。
作为非取代的一价烃基，可列举出：例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳数1～10的烷基；例如环丙基、环丁基、环戊基、环己基等碳数3～6的环烷基；例如苯基、甲苯基、萘基等碳数6～10的芳基；例如苄基、苄基乙基等碳数7～8的芳烷基。优选列举出碳数1～3的烷基、碳数6～10的芳基，更优选列举出甲基和/或苯基。
另一方面，作为取代的一价烃基，可列举出用取代基来取代所前述非取代的一价烃基中的氢原子而成的一价烃基。
作为取代基，可列举出例如氯原子等卤原子、例如缩水甘油醚基等。
作为取代的一价烃基，具体而言，可列举出3-氯丙基、环氧丙氧基丙基等。
一价烃基可以为非取代和取代中的任一者，优选为非取代。
R2所示的一价烃基可以为同一种或多种。优选列举出甲基和/或苯基，更优选组合使用甲基和苯基。
a优选为0.10～0.40。
b优选为1.5～1.75。
含烯基聚硅氧烷的重均分子量例如为100以上，优选为500以上，并且例如为10000以下，优选为5000以下。含烯基聚硅氧烷的重均分子量是通过凝胶渗透色谱法测定的标准聚苯乙烯的换算值。
含烯基聚硅氧烷可以利用适当的方法来制备，另外，也可以使用市售品。
另外，含烯基聚硅氧烷可以为同一种或多种。
含氢化甲硅烷基聚硅氧烷例如在分子内含有两个以上的氢化甲硅烷基(SiH基)。具体而言，含氢化甲硅烷基聚硅氧烷由下述平均组成式(2)来表示。
平均组成式(2)：
HcR3 dSiO(4-c-d)/2
(在式子中，R3表示非取代或取代的碳数1～10的一价烃基(其中，不包括链烯基和/或环烯基。)。c为0.30～1.0，d为0.90～2.0。)
在式(2)中，作为R3所示的非取代或取代的碳数1～10的一价烃基，可例示与式(1)的R2所示的非取代或取代的碳数1～10的一价烃基相同的一价烃基。优选列举出非取代的碳数1～10的一价烃基，更优选列举出碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基，进一步优选列举出甲基和/或苯基。
c优选为0.5以下。
d优选为1.3～1.7。
含氢化甲硅烷基聚硅氧烷的重均分子量例如为100以上，优选为500以上，并且例如为10000以下，优选为5000以下。含氢化甲硅烷基聚硅氧烷的重均分子量是通过凝胶渗透色谱法测定的标准聚苯乙烯的换算值。
含氢化甲硅烷基聚硅氧烷可以通过适当的方法来制备，另外，也可以使用市售品。
另外，含氢化甲硅烷基聚硅氧烷可以为同一种或多种。
在上述平均组成式(1)和平均组成式(2)中，R2和R3中的至少任一者的烃基优选含有苯基，更优选的是，R2和R3这两者的烃基均含有苯基。其中，在R2和R3中的至少任一者的烃基含有苯基的情况下，加成反应固化型有机硅树脂组合物为苯基系有机硅树脂组合物。该苯基系有机硅树脂组合物是能够形成B阶段状态的一阶段反应固化性树脂组合物。苯基系有机硅树脂组合物的折射率例如为1.45以上，优选为1.50以上。
另一方面，在R2和R3这两者的烃均为甲基的情况下，加成反应固化型有机硅树脂组合物为甲基系有机硅树脂组合物。甲基系有机硅树脂组合物是不能形成B阶段状态的一阶段反应固化性树脂组合物。甲基系有机硅树脂组合物的折射率例如为1.50以下，优选为1.45以下。
在加成反应固化型有机硅树脂组合物中，从获得优异的气体透过率的观点考虑，优选列举出甲基系有机硅树脂组合物。
对含氢化甲硅烷基聚硅氧烷的配混比例进行调整，使得含烯基聚硅氧烷中的链烯基和环烯基的摩尔数相对于含氢化甲硅烷基聚硅氧烷中的氢化甲硅烷基的摩尔数的比例(链烯基和环烯基的摩尔数/氢化甲硅烷基的摩尔数)例如为1/30以上，优选为1/3以上，并且例如为30/1以下，优选为3/1以下。
只要硅氢化催化剂为能提高含烯基聚硅氧烷中的链烯基和/或环烯基与含氢化甲硅烷基聚硅氧烷中的氢化甲硅烷基的硅氢化反应(硅氢加成)的反应速度的物质(加成催化剂)，就对其没有特别限定，可列举出例如金属催化剂。作为金属催化剂，可列举出例如铂黑、氯化铂、氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物、铂-乙酰醋酸酯(acetylacetate)等铂催化剂、例如钯催化剂、例如铑催化剂等。
关于硅氢化催化剂的配混比例，按照以金属催化剂的金属量(具体而言为金属原子)为准的质量基准计，相对于含烯基聚硅氧烷和含氢化甲硅烷基聚硅氧烷例如为1.0ppm以上，并且例如为10000ppm以下，优选为1000ppm以下，更优选为500ppm以下。
加成反应固化型有机硅树脂组合物是通过以上述比例配混含烯基聚硅氧烷、含氢化甲硅烷基聚硅氧烷以及硅氢化催化剂而制备的。
所述加成反应固化型有机硅树脂组合物通过配混含烯基聚硅氧烷、含氢化甲硅烷基聚硅氧烷以及硅氢化催化剂而制备成A阶段(液体)的状态使用。
如上所述，在苯基系有机硅树脂组合物中，通过期望条件的加热而使含烯基聚硅氧烷中的链烯基和/或环烯基与含氢化甲硅烷基聚硅氧烷中的氢化甲硅烷基发生硅氢加成反应，之后，使硅氢加成反应暂时停止。由此，能够自A阶段状态变为B阶段(半固化)状态。之后，通过进一步期望条件的加热，使上述硅氢加成反应再次开始，结束。由此，能够自B阶段状态变为C阶段(完全固化)状态。
需要说明的是，苯基系有机硅树脂组合物在处于B阶段(半固化)状态时为固体状。并且，该B阶段状态的苯基系有机硅树脂组合物能够兼具热塑性和热固性。也就是说，B阶段的苯基系有机硅树脂组合物会通过加热而暂时塑化，然后完全固化。
另一方面，在上述甲基系有机硅树脂组合物中，使链烯基和/或环烯基与氢化甲硅烷基发生硅氢加成反应，并在不使硅氢加成反应停止的情况下促进硅氢加成反应，之后结束。由此，能够自A阶段状态变为C阶段(完全固化)状态。作为甲基系有机硅树脂组合物，可以使用市售品。作为市售品，可列举出例如ELASTOSIL系列(旭化成ワッカーシリコーン公司制造，具体而言为ELASTOSILLR7665等甲基系有机硅树脂组合物)、KER系列(信越シリコーン公司制造)等。
缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物为两阶段反应固化性树脂，具体而言，可列举出例如日本特开2010-265436号公报、日本特开2013-187227号公报等记载的第1～第8缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物、例如日本特开2013-091705号公报、日本特开2013-001815号公报、日本特开2013-001814号公报、日本特开2013-001813号公报、日本特开2012-102167号公报等记载的含笼型八聚倍半硅氧烷的有机硅树脂组合物等。需要说明的是，缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物为固体状，其兼具热塑性和热固性。
作为环氧树脂，可列举出例如双酚型环氧树脂(例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、二聚酸改性双酚型环氧树脂等)、酚醛清漆型环氧树脂(例如苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂等)、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂(例如联芳基芴型环氧树脂等)、三苯基甲烷型环氧树脂(例如三羟基苯基甲烷型环氧树脂等)等芳香族系环氧树脂、例如三环氧基丙基异氰脲酸酯(异氰脲酸三缩水甘油酯)、乙内酰脲环氧树脂等含氮环环氧树脂、例如脂肪族系环氧树脂、例如脂环式环氧树脂(例如二环戊二烯型环氧树脂等二环型环氧树脂等)、例如缩水甘油醚型环氧树脂、例如缩水甘油胺型环氧树脂等。另外，作为环氧树脂，还可列举出例如邻苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸、六氢邻苯二甲酸、甲基四氢邻苯二甲酸、纳迪克酸、甲基纳迪克酸等二元羧酸的二缩水甘油酯等。进而，作为环氧树脂，还可列举出具有芳香环被氢化的脂环式结构的核氢化偏苯三酸、核氢化均苯四酸等的缩水甘油酯等。
环氧树脂可以单独使用或组合使用。
环氧树脂可以为液状、半固态以及固态中的任一形态。环氧树脂的平均环氧当量例如为90～1000。在环氧树脂为固态的情况下，从处理的便利性的观点考虑，例如软化点为50℃～160℃。
环氧树脂通常与固化剂组合使用。作为固化剂，可列举出例如酸酐系固化剂、异氰脲酸衍生物系固化剂等。
作为酸酐系固化剂，可列举出例如邻苯二甲酸酐、马来酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、纳迪克酸酐、戊二酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐等。酸酐系固化剂可以单独使用或两种以上组合使用。
作为异氰脲酸衍生物系固化剂，可列举出例如1,3,5-三(1-羧甲基)异氰脲酸酯、1,3,5-三(2-羧乙基)异氰脲酸酯、1,3,5-三(3-羧丙基)异氰脲酸酯、1,3-双(2-羧乙基)异氰脲酸酯等。异氰脲酸衍生物系固化剂可以单独使用或两种以上组合使用。
固化剂可以单独使用或两种以上组合使用。
例如以如下方式对环氧树脂与固化剂之间的配混比例进行设定：相对于环氧树脂中的环氧基1当量，使能够与固化剂中的环氧基发生反应的活性基团(酸酐基或羧基)为0.5当量～1.5当量，优选为0.7当量～1.2当量。
另外，透明树脂组合物还可以进一步含有填料。
作为填料，可列举出无机颗粒、有机颗粒等颗粒。
作为无机颗粒，可列举出例如二氧化硅(SiO2)、滑石(Mg3(Si4O10)(HO)2)、氧化铝(Al2O3)、氧化硼(B2O3)、氧化钙(CaO)、氧化锌(ZnO)、氧化锶(SrO)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氧化钡(BaO)、氧化锑(Sb2O3)等氧化物、例如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)等氮化物等无机物颗粒(无机物)。另外，作为无机颗粒，可列举出例如由上述例示的无机物制备的复合无机物颗粒，优选列举出由氧化物制备的复合无机氧化物颗粒(具体而言为玻璃颗粒等)。
在复合无机氧化物颗粒中，作为主成分而含有例如二氧化硅或二氧化硅和氧化硼，另外，作为副成分而含有氧化铝、氧化钙、氧化锌、氧化锶、氧化镁、氧化锆、氧化钡、氧化锑等。关于复合无机氧化物颗粒中的主成分含有比例，相对于复合无机氧化物颗粒例如大于40质量％，优选为50质量％以上，并且例如为90质量％以下，优选为80质量％以下。副成分的含有比例是上述主成分的含有比例的剩余部分。
复合氧化物颗粒是通过以下方式制得的：配混上述主成分和副成分，进行加热而使之熔融，接着将它们的熔融物快速冷却，之后，利用例如球磨机等进行粉碎，之后，根据需要进行适当的表面加工(具体而言为球体化等)，由此制得。
无机颗粒可以单独使用或组合使用。
作为有机颗粒的有机材料，可列举出例如丙烯酸类树脂、苯乙烯系树脂、丙烯酸-苯乙烯系树脂、有机硅系树脂、聚碳酸酯系树脂、苯并胍胺系树脂、聚烯烃系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂等。这些树脂可以单独使用或组合使用。
在这样的有机材料之中，从光扩散性、获得性的观点考虑，优选列举出有机硅系树脂。
有机颗粒可以单独使用或组合使用。
填料可以单独使用或组合使用。
填料的折射率例如为1.40以上，并且例如为1.600以下。
填料的形状并不特别限定，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点看，优选列举出球状。
填料的平均粒径例如为3μm以上，优选为5μm以上，并且例如为70μm以下，优选为50μm以下。
关于填料的含有比例，相对于透明树脂组合物，例如为1质量％以上，优选为3质量％以上，并且例如为80质量％以下，优选为75质量％以下。
透明树脂组合物(第1透明组合物的一个例子)的折射率RIp例如为1.40以上，优选为1.45以上，更优选为1.50以上，并且例如为1.63以下，优选为1.60以下，更优选为1.57以下。若透明树脂组合物的折射率RIp为上述下限以上，则能够提高被荧光体层密封的LED1的发光强度。
透明树脂组合物的折射率RIp可以通过阿贝折射计算出。需要说明的是，在透明树脂组合物含有热固性树脂的情况下，以固化状态(完全固化状态)的折射率的形式算出。此外，固化前的透明树脂组合物的折射率与固化后的透明树脂组合物的折射率实质上相同。
此外，根据需要，可以以适当的比例向荧光体树脂组合物中添加硅烷偶联剂、防老剂、改性剂、表面活性剂、染料、颜料(不包括上述填料)、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的添加物。
如图1所示，透明层4是被荧光体层密封的LED1的最上层。具体而言，透明层4以覆盖荧光体层3的荧光体侧第1相对面31的整个面的方式配置。透明层4的俯视形状形成为与荧光体层3的荧光体侧第1相对面31的形状相同。也就是说，透明层4形成为剖视大致矩形形状和俯视大致矩形形状。透明层4具有下表面41、上表面42、以及侧面43。
透明层4的下表面41是与荧光体侧第1相对面31相接触的透明侧接触面。
透明层4的上表面42是相对于荧光体层3的上表面31在上侧(是一侧的一个例子)隔开距离z地相对配置的透明侧相对面的一个例子。透明层4的上表面42是被荧光体层密封的LED1的最上面。透明层4的上表面42相对于荧光体层3的上表面31在上侧隔开的距离z与透明层4的厚度z相同。
透明层4的侧面43分别与透明层4的下表面41和上表面42相连结。透明层4的侧面43是在上下方向(是一方向的一个例子)上投影时、相对于LED2的侧面23在面方向(是正交方向的一个例子)外侧隔开间隔α地配置的透明侧连结面的一个例子。透明层4的侧面43和荧光体层3的侧面33在上下方向上形成为一个面。
透明层4由例如透明树脂组合物、无机物等第2透明组合物形成。
作为透明树脂组合物，可列举出例如所述透明树脂组合物(在荧光体树脂组合物中含有的透明树脂组合物)。在透明树脂组合物中含有的各成分和各成分的配混比例处于与在透明树脂组合物(在荧光体树脂组合物中含有的透明树脂组合物)中含有的各成分和各成分的配混比例重复的范围。
作为无机物，可列举出玻璃等。作为玻璃，其并不特别限定，可列举出例如无碱玻璃、钠玻璃、石英玻璃、硼硅酸玻璃、铅玻璃、氟化物玻璃等。另外，作为玻璃，还可列举出耐热玻璃，具体而言，作为商品名，可列举出市场上销售的tempax玻璃、vycor玻璃、pyrex玻璃等。作为玻璃，优选列举出无碱玻璃、钠玻璃。
对第2透明组合物的折射率RIt进行设定，使得第1透明树脂组合物(在荧光体层3中含有的透明树脂组合物)的折射率RIp减去第2透明组合物的折射率RIt的值(RIp-RIt)例如为-1.0以上，优选为-0.7以上，更优选为0以上，进一步优选为0.05以上，尤其优选为0.10以上，并例如为0.20以下。若RIp-RIt为所述下限以上，则能够获得更优异的发光强度。若RIp-RIt为所述上限以下，则能够抑制光在透明层4与荧光体层3之间的界面处的反射。
透明层4也可以由例如多层形成。
尺寸
根据用途和目的来适当设定LED2、荧光体层3以及透明层4这几者的尺寸。
距离x(LED2的厚度x)例如为10μm以上，优选为50μm以上，并且例如为1000μm以下，优选为500μm以下。
LED2的左右方向长度γ和前后方向长度(没有在图1中图示)是LED2的面方向上的最小长度，例如为0.1μm以上，优选为0.2μm以上，并且例如为5000μm以下，优选为2000μm以下。
距离y(荧光体层3中的相对配置于LED2的上侧的部分的厚度y)例如为50μm以上，优选为150μm以上。另外，距离y例如为1000μm以下，优选为500μm以下，更优选为小于350μm，进一步优选为300μm以下，尤其优选为200μm以下，更尤其优选为150μm以下，进一步尤其优选为100μm以下。若距离y小于所述上限，则能够提高荧光体层3的气体透过率，在LED装置60中设有被荧光体层密封的LED1时，能够抑制荧光体层3产生烧黑(日文：黒こげ)，从而能够提高被荧光体层密封的LED1的可靠性，进而能够提高LED装置60的可靠性。
距离z(透明层4的厚度z)例如为100μm以上，优选为200μm以上。另外，距离z例如为1000μm以下，优选为500μm以下，更优选为小于400μm，进一步优选为300μm以下，尤其优选为200μm以下，最优选为100μm以下。若距离z小于所述上限，则能够提高透明层4的气体透过率，在LED装置60中设有被荧光体层密封的LED1时，能够抑制透明层4产生烧黑，从而能够提高被荧光体层密封的LED1的可靠性，进而能够提高LED装置60的可靠性。
另外，LED2、荧光体层3以及透明层4优选满足下述(1)～(4)的全部条件。
(1)距离y除以距离x的值(y/x)例如为1以上，优选为1.25以上，并且例如为5以下，优选小于5，更优选为4以下，进一步优选为3以下。若y/x为所述下限以上，则能够获得优异的颜色均匀性。若y/x为所述上限以下，能够抑制颜色不均匀。
(2)距离y与距离z的和(y+z)例如为0.20mm以上，优选为0.25mm以上，更优选为0.5mm以上，并且例如为2mm以下，优选为1.5mm以下。若y+z为所述下限以上，则能够获得优异的发光强度。若y+z为所述上限以下，则能够抑制材料成本。
(3)距离α(荧光体层3的侧部35的最小长度α)例如为50μm以上，优选超过50μm，更优选为100μm以上，并且例如为2000μm以下，优选为1000μm以下。若距离α为所述下限以上，则能够防止颜色均匀性的降低或抑制颜色不均匀。
(4)距离y除以距离α的值(y/α)例如为1以上，优选为1.2以上，并且例如为2.5以下，优选为2.0以下。若y/α为所述上限以下，则能够抑制颜色不均匀。
被荧光体层密封的LED的制造方法
接下来，参照图2A～图2F说明制造图1所示的被荧光体层密封的LED的方法和使用被荧光体层密封的LED来制造LED装置的方法。
被荧光体层密封的LED1的制造方法包括：制造作为包括透明层4和荧光体层3的覆盖片的一个例子的密封片5的工序(参照图2A)；将密封片5以荧光体层3覆盖多个LED2的方式进行配置的工序(参照图2C)；和将密封片5以单片化为被荧光体层密封的LED1的方式切断的工序(参照图2D)。在制造密封片5的工序(参照图2A)中，包括准备透明层4的工序和在透明层4的表面形成荧光体层3的工序。
如图2A所示，在准备透明层4的工序中，在由透明树脂组合物形成透明层4的情况下，首先，准备假想线所示的剥离片6。
将剥离片6以能够剥离的方式粘合于透明层4的背面(图1A中的下表面)，以保护透明层4，直到利用透明层4密封LED2(在透明层4由热固性树脂组合物形成的情况下，直到使透明层4固化)。也就是说，剥离片6是如下那样的挠性薄膜：该挠性薄膜在密封片5的出厂·输送·保管时以覆盖透明层4的背面的方式层叠于透明层4的背面，在即将使用密封片5时，能够将该挠性薄膜以呈大致U字状弯曲自透明层4的背面剥下。即，剥离片6仅由挠性薄膜的构成。另外，根据需要，对剥离片6的粘合面、也就是说剥离片6的与透明层4接触的接触面进行氟处理等剥离处理。
作为剥离片6，可列举出例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如陶瓷片、例如金属箔等。优选列举出聚合物薄膜。另外，剥离片6的形状并不特别限定，例如，剥离片6形成为俯视大致矩形形状(包括矩形条状、纵长状)等。剥离片6的厚度例如为1μm以上，优选为10μm以上，并且例如为2000μm以下，优选为1000μm以下。
接着，在由透明树脂组合物形成透明层4的情况下，将透明树脂组合物的清漆涂敷在剥离片6的表面上。为了将透明树脂组合物涂敷在剥离片6的表面上，能够使用例如分配器、涂敷器、狭缝式模涂敷机(日文：スリットダイコータ)等涂敷装置。
通过将透明树脂组合物涂敷在剥离片6上，从而形成透明树脂组合物的涂膜。
之后，使涂膜完全固化(C阶段化)。作为加热条件，加热温度为80℃以上，优选为100℃以上，并且为200℃以下，优选为150℃以下。另外，加热时间例如为10分钟以上，优选为30分钟以上，并且例如为5小时以下。
由此，使涂膜中的A阶段的透明树脂组合物完全固化(C阶段化)。
在透明树脂组合物含有加成反应固化型有机硅树脂组合物的情况下，使链烯基和/或环烯基与氢化甲硅烷基之间的硅氢反应进行到中途，之后使硅氢反应暂时停止。
另一方面，在透明树脂组合物含有缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂的情况下，使缩合反应结束。
由此，由B阶段的透明树脂组合物形成透明层4。
另一方面，在透明层4由无机物形成的情况下，具体而言，准备预先成形为板状的无机物。优选的是，不使用剥离片6(参照图2A的假想线)而准备玻璃板。
由此，由无机物形成透明层4。
接着，如图2A所示，在透明层4的表面形成荧光体层3。
在荧光体层3由荧光体树脂组合物形成的情况下，使用所述涂敷装置在透明层4的表面上涂敷荧光体树脂组合物。由此，形成荧光体树脂组合物的涂膜。
之后，在荧光体树脂组合物含有能够成为B阶段状态的热固性树脂组合物的情况下，使涂膜实现B阶段化。加热条件与所述范围相同。由此，使涂膜B实现阶段化。
在荧光体树脂组合物含有加成反应固化型有机硅树脂组合物的情况下，使链烯基和/或环烯基与氢化甲硅烷基之间的硅氢反应进行到中途，之后使硅氢反应暂时停止。
另一方面，在荧光体树脂组合物含有缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂的情况下，使缩合反应结束。
由此，由荧光体树脂组合物形成荧光体层3。
接着，将板状的荧光体层3配置在透明层4的上表面上。
由此，如图2A所示，获得包括透明层4和荧光体层3的密封片5。优选的是，密封片5由透明层4和荧光体层3构成。
该密封片5具有平板形状，具体而言，该密封片5具有规定的厚度，并具有沿左右方向和前后方向延伸的、平坦的表面和平坦的背面。另外，密封片5不是LED装置60(后述，参照图2F)而是LED装置60的一个零件、即是用于制作LED装置60的零件，密封片5不包括LED2和安装有LED2的基板50，其是作为零件单独流通的、能够在产业上使用的器件。
此外，在透明层4由透明树脂组合物形成的情况下，密封片5包括剥离片6、透明层4、荧光体层3。优选的是，密封片5由剥离片6、透明层4、以及荧光体层3构成。
如图2B所示，另行准备多个LED2。具体而言，将多个LED2配置在支承板7的上表面上。
支承板7以能够剥离的方式粘合在被荧光体层密封的LED1中的LED2的暴露面(图1中的下表面21)上，以保护被荧光体层密封的LED1的LED2，直到获得被荧光体层密封的LED1之后剥离被荧光体层密封的LED1，该被荧光体层密封的LED1通过如下方式获得，即，利用荧光体层3覆盖支承板7上的多个LED2而将该多个LED2密封，从而获得密封LED集合体8(后述，参照图2C)，将密封LED集合体8切断而获得被荧光体层密封的LED1。也就是说，支承板7是如下那样的剥离板：该剥离板在被荧光体层密封的LED1的出厂·输送·保管时以支承LED2且覆盖LED2的下表面21的方式层叠于LED2的下表面21，在即将将LED2安装于基板50时，能够如图2D的假想线所示那样将被荧光体层密封的LED1剥下。也就是说，支承板7仅由剥离板构成。
支承板7由与所述剥离片6相同的材料形成。另外，也可以由能够使密封LED集合体8在加热作用下容易剥离的热剥离片来形成支承板7。并且，能够在支承板7的表面上配置压敏粘接剂层。
支承板7的厚度例如为10μm以上，优选为50μm以上，并且例如为1000μm以下，优选为100μm以下。
并且，将多个LED2配置在支承板7的表面(上表面)上。具体而言，将多个LED2以在左右方向和前后方向上隔开间隔的方式排列配置。另外，以使LED2的下表面21(包括未图示的凸块)与支承板7的表面(上表面)相接触的方式将多个LED2配置在支承板7的表面(上表面)上。
多个LED2的间距P、即一个LED2与同该一个LED2相邻的LED2之间的间隔之间的总和P例如为0.3mm以上，优选为0.5mm以上，并且例如为5mm以下，优选为3mm以下。另外，多个LED2的间隔例如为0.1mm以上，优选为0.3mm以上，并且例如为3mm以下，优选为2mm以下。
之后，如图2B的箭头和图2C所示，利用密封片5来密封多个LED2。
例如，将密封片5相对于支承多个LED2的支承板7进行压接。优选的是，将密封片5相对于支承多个LED2的支承板7进行热压接(热加压)。
具体而言，首先，将密封片5和多个LED2、支承板7设置于具有热源的平板加压装置等。平板加压装置包括下模和相对配置于该下模的上侧的上模，对此没有图示。具体而言，以使多个LED2朝上的方式将剥离片6配置于下模的上表面。另外，在使图2A所示的密封片5上下翻转之后，以使荧光体层3朝下的方式、即以使荧光体层3与LED2相对的方式将剥离片6配置于上模的下表面。
然后，利用平板加压装置对密封片5和多个LED2、支承板7进行热加压。
在荧光体层3和/或透明层4含有具有热塑性和热固性的苯基系有机硅树脂组合物的情况下，平板加压装置中的温度为苯基系有机硅树脂组合物的热塑温度或热塑温度以上，从一次性实施苯基系有机硅树脂组合物的热塑和热固化的观点考虑，平板加压装置中的温度优选为热固化温度或热固化温度以上，具体而言，例如为60℃以上，优选为80℃以上，并且例如为150℃以下，优选为120℃以下。
加压压力例如为0.1MPa以上，优选为1MPa以上，并且例如为10MPa以下，优选为5MPa以下。
加压时间例如为1分钟以上，优选为5分钟以上，并且例如为60分钟以下，优选为20分钟以下。
在荧光体层3含有具有热塑性和热固性的苯基系有机硅树脂组合物的情况下，利用所述热加压使荧光体层3塑化。接着，利用塑化后的荧光体层3来埋设多个LED2。具体而言，如图1所示，利用荧光体层3来覆盖LED2的上表面22和侧面23。
另外，在透明层4含有具有热塑性和热固性的苯基系有机硅树脂组合物的情况下，利用所述热加压来使透明层4塑化，从而使透明层4贴紧于荧光体层3。
由此，如图2C所示，利用密封片5的荧光体层3来密封多个LED2。
之后，在荧光体层3和/或透明层4含有B阶段化状态的两阶段反应固化性树脂组合物的情况下，使该两阶段反应固化性树脂组合物C阶段化。
在两阶段反应固化性树脂组合物含有苯基系有机硅树脂组合物的情况下，在苯基系有机硅树脂组合物的反应(C阶段化反应)中，含烯基聚硅氧烷中的链烯基和/或环烯基与含氢化甲硅烷基聚硅氧烷中的氢化甲硅烷基之间的硅氢加成反应被进一步促进。之后，链烯基和/或环烯基、或者含氢化甲硅烷基聚硅氧烷中的氢化甲硅烷基消失，硅氢加成反应结束，由此获得C阶段的苯基系有机硅树脂组合物的生成物、即固化物。也就是说，通过硅氢加成反应的结束，苯基系有机硅树脂组合物表现出固化性(具体而言为热固性)。
上述生成物由下述平均组成式(3)表示。
平均组成式(3)：
R5 eSiO(4-e)/2
(式中，R5表示含有苯基的、非取代或取代的碳数1～10的一价烃基(其中，不包括链烯基和环烯基。)。e为0.5～2.0。)
作为R5所示的非取代或取代的碳数1～10的一价烃基，可例示出与式(1)的R2所示的非取代或取代的碳数1～10的一价烃基以及式(2)的R3所示的非取代或取代的碳数1～10的一价烃基相同的一价烃基。优选列举出非取代的一价烃基，更优选列举出碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基，进一步优选列举出苯基和甲基的组合使用。
e优选为0.7～1.0。
并且，生成物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比例例如为30摩尔％以上，优选为35摩尔％以上，并且例如为55摩尔％以下，优选为50摩尔％以下。
生成物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比例是与生成物的硅原子直接键合的一价烃基(在平均组成式(3)中以R5表示)中的苯基的浓度。
生成物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比例通过1H-NMR和29Si-NMR算出。R5中的苯基的含有比例的详细的计算方法如下：根据例如WO2011/125463等的记载，利用1H-NMR和29Si-NMR来算出。
接着，如图2C的箭头所示，将剥离片6自透明层4剥下。
由此，获得被支承板7支承的状态下的、包括多个LED2、荧光体层3、以及透明层4的密封LED集合体8。
之后，如图2D的单点划线所示，将密封LED集合体8切断而单片化为多个LED2。具体而言，将与各LED2相对应的荧光体层3和透明层4沿着前后方向和左右方向切断。由此，获得被支承板7支承的状态下的、包括1个LED2、以将LED2埋设的方式覆盖LED2的荧光体层3、以及配置于荧光体层3的上表面的透明层4的被荧光体层密封的LED1。
接着，如图2D的箭头和和假想线所示，将多个被荧光体层密封的LED1自支承板7剥离。
由此，如图2E所示，获得包括1个LED2、以埋设LED2的方式覆盖LED2的荧光体层3、以及配置于荧光体层3的上表面的透明层4的被荧光体层密封的LED1。
被荧光体层密封的LED1不包括支承板7(参照图2C)和基板50(后述，参照图2F)，优选的是，被荧光体层密封的LED1由LED2、荧光体层3、透明层4构成。即，被荧光体层密封的LED1并不是接下来说明的LED装置60(图2F)，也就是说，不包括设于LED装置60的基板50。也就是说，被荧光体层密封的LED1以还未与在LED装置60的基板50上设置的端子(未图示)电连接的方式构成。另外，被荧光体层密封的LED1是LED装置60的一个零件、即是用于制作LED装置60的零件，其是作为零件单独流通的、能够在产业上使用的器件。
之后，根据发光波长、发光效率来挑选出多个被荧光体层密封的LED1。
接着，如图2F所示，将被荧光体层密封的LED1安装于基板50。
具体而言，首先，准备在上表面设有端子(未图示)的基板50。
基板50构成沿前后方向和左右方向延伸的大致矩形平板状，其例如为绝缘基板。另外，基板50具有配置在其上表面的端子(未图示)。
之后，如图2F所示，将被荧光体层密封的LED1安装于基板50。
具体而言，使被荧光体层密封的LED1中的LED2的凸块(未图示)与基板50的端子(未图示)相接触而使两者电连接。也就是说，将被荧光体层密封的LED1的LED2倒装法安装于基板50。另外，使荧光体层3的下表面32与基板50相接触。
由此，获得包括基板50和安装于基板50的被荧光体层密封的LED1的LED装置60。优选的是，LED装置60由基板50和被荧光体层密封的LED1构成。也就是说，LED装置60不包括剥离片6和/或支承板7，优选的是，LED装置60由基板50、LED2、荧光体层3、透明层4构成。
第1实施方式的作用效果
并且，如图1所示，由于该被荧光体层密封的LED1包括覆盖荧光体层3的上表面31的透明层4，因此能够提高发光强度。具体而言，能够使透明树脂组合物(透明层4)与空气之间的界面远离(离开)作为光吸收体的基板50、LED2(LED2与荧光体层3之间的界面)。因此，自LED2朝向上侧发光而被荧光体层3波长转换后的光和没有被荧光体层3波长转换而透过荧光体层3的光即使在透明树脂组合物(透明层4)与空气之间的界面处被反射也不易返回到基板50、LED2(光吸收体)，因而能够提高被荧光体层密封的LED1的发光强度。
另外，由于该被荧光体层密封的LED1满足与所述x、y、z以及α有关的(1)～(4)的全部条件，因此能够进一步提高发光强度，并且该被荧光体层密封的LED1具有优异的颜色均匀性且能够抑制颜色不均匀。
另外，在该被荧光体层密封的LED1中，若第1透明组合物(在荧光体层3中含有的透明树脂组合物)的折射率RIp为1.45～1.60，则能够提高被荧光体层密封的LED1的发光强度。
另外，在该被荧光体层密封的LED1中，若第1透明组合物(在荧光体层3中含有的透明树脂组合物)的折射率RIp减去第2透明组合物(在透明层4中含有的透明树脂组合物)的折射率RIt的值(折射率RIp-折射率RIt)为-0.70～0.20，则能够提高被荧光体层密封的LED1的发光强度。
另外，在该被荧光体层密封的LED1中，若RIp-RIt为0.05以上，则能够进一步提高被荧光体层密封的LED1的发光强度。
另外，在该被荧光体层密封的LED1中，若距离α超过50μm，则能够提高颜色均匀性。
采用该被荧光体层密封的LED1的制造方法，能够使用密封片5来简单地制造被荧光体层密封的LED1。
采用该被荧光体层密封的LED1的制造方法，能够简单地制造具有期望的尺寸(y、z、α等)的被荧光体层密封的LED1。
变形例
在变形例中，对于与所述第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第1实施方式中，使LED2、荧光体层3、透明层4分别形成为俯视大致矩形形状，但它们的形状并不特别限定。也可以使LED2、荧光体层3、透明层4分别形成为例如俯视大致圆形形状、俯视大致多边形形状(不包括大致矩形形状)，对此没有图示。
并且，在第1实施方式中，如图1所示，使透明层4形成为剖视大致矩形形状，但也可以形成为例如上表面弯曲的截面圆顶形状(或凸透镜形状)，对此没有图示。在该情况下，距离z是自荧光体层3的上表面31起到透明层4的最上面为止的距离。
并且，也可以使透明层4形成为朝向上侧去横截面变小的大致锥形状、具体而言形成为四角锥形状、三角锥形状等多角锥形状。
另外，在第1实施方式中，如图1所示，荧光体层3的容纳部30的周围的下表面32构成为能够与基板50相接触的荧光体侧可接触面。但是，例如，如图5所示，能够使下表面32构成为可与基板50隔开间隔的可确保间隔面。
如图5所示，荧光体层3的容纳部30的周围的下表面32自LED2暴露且位于LED2的比下表面21靠上侧的部分。具体而言，在面方向上投影时，荧光体层3的下表面32位于LED2的下表面21和上表面22之间。即，在前后方向和左右方向上投影时，荧光体层3的下表面32配置在被包含在LED2的侧面23内的位置。
由此，荧光体层3的下表面32使LED2的侧面23的下端部暴露。
并且，在第1实施方式中，依次使荧光体层3和透明层4实现C阶段化，也就是说，使荧光体层3实现C阶段化，之后，使透明层4实现C阶段化，但也可以是，例如使B阶段状态的荧光体层3和透明层4同时实现C阶段化。
另外，在所述第1实施方式中，如图2A～图2E所示，使密封片5形成剥离片6之上，之后，利用密封片5来密封LED2。
但是，如图3A～图4C所示，能够是，不将密封片5形成在剥离片6之上，在支承板7之上依次滴下(浇灌)荧光体树脂组合物的清漆和透明树脂组合物的清漆而依次形成荧光体层3和透明层4。
在该方法中，如图3C所示，在支承板7之上滴下(浇灌)荧光体树脂组合物的清漆。
为了在支承板7之上滴下荧光体树脂组合物的清漆，首先，如图3A所示，将1个LED2配置在支承板7的上表面。由此，准备了被支承板7支承的1个LED2。
如图3A所示，另行准备第1堰11。
第1堰11形成为俯视大致矩形形状。另外，在第1堰11的中央部形成有沿上下方向贯穿第1堰11的第1开口部13。第1开口部13形成为与荧光体层3的外形形状相对应的俯视大致矩形形状。
作为第1堰11的材料，可列举出例如树脂、浸渍有树脂的玻璃布、金属等。这些材料能够单独使用或组合使用。优选列举出树脂。
作为树脂，可列举出热固性树脂、热塑性树脂。优选列举出热固性树脂。优选的是，作为热固化树脂，可列举出不能成为B阶段状态的一阶段反应固化性树脂。作为这样的一阶段反应固化性树脂，可列举出一阶段反应固化性的甲基系有机硅树脂组合物。作为一阶段反应固化性的甲基系有机硅树脂组合物，能够使用例如ELASTOSIL系列(旭化成ワッカーシリコーン公司制造，具体而言，ELASTOSILLR7665等甲基系有机硅树脂组合物)、KER系列(信越シリコーン公司制造)等市售品。
此外，也可以作为配混有填料的树脂组合物来制备树脂。
第1堰11的厚度例如为100μm以上，优选为200μm以上，更优选为400μm以上，并且例如为1500μm以下。
接着，如图3B所示，将第1堰11以包围LED2的方式配置在支承板7的上表面上。
为了将第1堰11以包围LED2的方式配置在支承板7的上表面上，首先，在第1堰11的材料为树脂的情况下，制备含有树脂的清漆，接着，将清漆涂敷在未图示的剥离片的表面上。之后，在材料含有热固性树脂的情况下，对清漆进行加热而使其固化。之后，将固化物外形加工成所述图案。
之后，如图3A的箭头和图3B所示，以LED2被插入到第1堰11的第1开口部13中的方式将第1堰11载置在支承板7的上表面上。
或者，也可以是，如图3B所示，将清漆以所述图案直接涂敷在LED2的周围，从而在支承板7的上表面上直接形成第1堰11。
由此，将第1堰11以包围LED2的方式配置在支承板7的上表面上。
接着，如图3C所示，向支承板7上的第1堰11的第1开口部13内滴下荧光体树脂组合物的清漆。具体而言，向第1开口部13内滴下清漆而使清漆的液面和第1堰11的上表面成为一个面。
之后，在荧光体树脂组合物含有能够成为B阶段状态的热固性树脂组合物的情况下，使荧光体树脂组合物实现B阶段化。
由此，在第1堰11的第1开口部13内形成覆盖LED2的上表面22和侧面23的荧光体层3。
接着，如图3C的箭头所示，将第1堰11自支承板7剥下。此时，第1堰11的第1开口部13的侧面被自荧光体层3的侧面33剥离。
接着，如图3D和图3E所示，将第2堰12配置在支承板7的上表面上。
除厚度之外，第2堰12与所述第1堰11同样地构成。第2堰12的厚度形成得厚于第1堰11的厚度，具体而言，将第2堰12的厚度调整为能够嵌入荧光体层3且能够形成透明层4的厚度。第2堰12的厚度例如为0.1μm以上，优选为0.2μm以上，并且例如为2μm以下，优选为1μm以下。
如图3D所示，在第2堰12上，在俯视时形成有与荧光体层3的形状相同形状的第2开口部14。
如图3E所示，在支承板7之上，以荧光体层3被插入到第2开口部14内的方式将第2堰12载置在支承板7的上表面上。由此，将荧光体层3嵌入到第2开口部14内。
之后，如图4A所示，向第2开口部14内的荧光体层3的上表面上滴下(浇灌)透明树脂组合物的清漆。具体而言，向第2开口部14内滴下清漆而使清漆的液面和第2堰12的上表面成为一个面。
之后，在透明树脂组合物含有能够成为B阶段状态的热固性树脂组合物的情况下，使透明树脂组合物热固化(具体而言，C阶段化)。由此，在荧光体层3的上表面上形成透明层4。
在要使透明树脂组合物实现C阶段化时，若荧光体层3的荧光体树脂组合物为两阶段反应固化性树脂组合物的B阶段化状态，则使荧光体树脂组合物实现C阶段化。
之后，如图4B所示，沿着荧光体层3和透明层4这两者与第2堰12之间的界面将荧光体层3、透明层4和第2堰12切断。
由此，获得被支承板7支承的状态下的、包括1个LED2、荧光体层3以及透明层4的被荧光体层密封的LED1。
接下来，如图4B的箭头、假想线和图4C所示，将被荧光体层密封的LED1自支承板7剥离。
之后，根据发光波长、发光效率来挑选被荧光体层密封的LED1。
之后，如图4D所示，将被荧光体层密封的LED1安装于基板50。
并且，采用图3A～图4D的方法，由于不必如第1实施方式那样在剥离片6之上暂时制造密封片5(参照图2A)，因此能够由荧光体树脂组合物的清漆和透明树脂组合物的清漆简单地依次形成荧光体层3和透明层4。
第2实施方式
在第2实施方式中，对于与所述第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
被荧光体层密封的LED
在第1实施方式中，如图1所示，使荧光体层3的侧面33暴露。但是，在第2实施方式中，如图6所示，荧光体层3的侧面33被透明层4覆盖。
也就是说，透明层4覆盖荧光体层3的上表面31和侧面33。另外，透明层4形成为在俯视时包含荧光体层3的形状。透明层4具有覆盖荧光体层3的侧面33的侧部45。另外，透明层4的侧部45的下表面41是能够与基板50(假想线)相接触的透明侧可接触面。
并且，由于透明层4具有侧部45，因此透明层4的侧面43(透明侧连结面)与荧光体层3的侧面33隔开距离β地相对配置在荧光体层3的侧面33的外侧。
透明层4的侧面43与荧光体层3的侧面33隔开的距离β是透明层4的侧部45的左右方向长度和前后方向长度(最小长度)。
在超过0的范围内适当选择距离β。
在第2实施方式中，优选的是，替代第1实施方式的(1)～(4)中的(3)，而满足下述(3)’。
(3)’距离α与距离β的和(α+β)例如为50μm以上，优选超过50μm，更优选为100μm以上，并且例如为2000μm以下，优选为1000μm以下。若α+β为所述下限以上，则能够防止颜色均匀性的降低或能够抑制颜色不均匀。若α+β为所述上限以下，则能够抑制材料的无谓的使用。
此外，在第1实施方式中，β为0。因此，在本发明中，β优选为0以上。
被荧光体层密封的LED的制造方法
接下来，参照图7A～图8F说明制造图6所示的被荧光体层密封的LED的方法和使用被荧光体层密封的LED来制造LED装置的方法。
被荧光体层密封的LED1的制造方法包括：制造包括荧光体层3的荧光密封片15的工序(荧光体层准备工序的一个例子，参照图7A)、将荧光密封片15以荧光体层3覆盖多个LED2的方式进行配置的工序(荧光体层配置工序的一个例子，参照图7B)、去除荧光体层3中的远离LED2的部分的工序(单片化/去除工序的一个例子，参照图7D)、制造包括透明层4的透明片18的工序(透明层准备工序的一个例子，参照图8A)、将被荧光体层密封的LED1再配置于第2支承板17的工序(参照图8A)、将透明片18配置在荧光体层3之上的工序(透明层配置工序的一个例子，参照图8B)。
在该方法中，首先，如图7A所示，准备多个LED。
另行准备包括荧光体层3的荧光密封片15。
为了准备荧光密封片15，首先，如图7A所示，准备剥离片6。
接着，在剥离片6的下表面以片状形成荧光体层3。荧光体层3的形成方法与第1实施方式中的荧光体层3的形成方法相同。
由此，准备了包括剥离片6和形成于剥离片6的下表面的荧光体层3的荧光密封片15。
此外，荧光密封片15不具有后面说明的透明层4(参照图8A)。优选的是，荧光密封片15由剥离片6和荧光体层3构成。
接着，如图7B所示，利用荧光体层3来密封多个LED2。也就是说，将荧光密封片15相对于支承LED2的支承板7进行压接。由此，使荧光密封片15中的下表面32埋设多个LED2并形成与多个LED2的表面相对应的形状。另一方面，荧光密封片15中的荧光体层3的上表面31形成为平坦状。此外，荧光体层3覆盖LED2的侧面23和上表面22。
之后，在该方法中，如图7C所示，将剥离片6自荧光体层3剥下。
接着，在该方法中，如图7D所示，去除荧光体层3中的远离LED2的部分。
具体而言，利用具有规定宽度(壁厚)的圆盘状的切割锯(切割刀片)9对荧光体层3中的远离LED2的部分进行切削。由此，在荧光体层3中，将侧部35的长度α调解为期望尺寸。也就是说，对荧光体层3进行外形加工而使荧光体层3成为规定的尺寸。
同时，使被荧光体层密封的LED1单片化。也就是说，将荧光密封片15以使被荧光体层密封的LED1单片化的方式切断。此时，保留荧光体层3的覆盖LED2的侧面2的部分。
接着，如图7E所示，之后，将单片化后的被荧光体层密封的LED1自支承板7剥下。
由此，获得包括LED2和具有规定的尺寸的荧光体层3的被荧光体层密封的LED1。在该第2实施方式中，如图7E的假想线和图7F的实线所示的被荧光体层密封的LED1不包括透明层4。也就是说，该被荧光体层密封的LED1优选由LED2和荧光体层3构成。
在该方法中，接着，如图8A所示，将多个被荧光体层密封的LED1以在左右方向和前后方向上互相隔开间隔的方式排列配置于第2支承板17。也就是说，相对于第2支承板17再配置被荧光体层密封的LED1。
第2支承板17具有与所述支承板7相同的结构。
如图8A所示，另行准备包括透明层4的透明片18。
为了准备透明片18，首先，如图8A所示，在第2剥离片19的下表面以片状形成透明层4。第2剥离片19具有与所述剥离片6相同的结构。透明层4的形成方法与第1实施方式中的荧光体层3的形成方法相同。第2透明组合物优选含有填料。
由此，准备了包括第2剥离片19和形成于第2剥离片19的下表面的透明层4的透明片18。
此外，透明片18不具有所述荧光体层3。优选的是，透明片18由第2剥离片19和透明层4构成。
接着，在该方法中，如图8B所示，利用透明层4来覆盖多个荧光体层3，该多个荧光体层3覆盖多个LED2。
具体而言，将第2剥离片19相对于支承被荧光体层密封的LED1的第2支承板17进行压接。
此外，在透明树脂组合物含有B阶段(半固化)状态的苯基系有机硅树脂组合物的情况下，进行热压接。由此，使B阶段的苯基系有机硅树脂组合物在加热的作用下暂时塑化，从而将透明树脂组合物填充到多个荧光体层3之间。之后，使透明树脂组合物完全固化。
接着，如图8C所示，将第2剥离片19自透明层4剥下。
由此，如图8C所示，获得支承于第2支承板17的状态下的、密封LED集合体8，该密封LED集合体8是利用层叠有透明层4的荧光体层3密封有多个LED2而成的。
接着，如图8D所示，以单片化为多个LED2的方式将密封LED集合体8切断。
接着，如图8D的箭头和图8E所示，将多个被荧光体层密封的LED1自支承板7剥下，从而获得被荧光体层密封的LED1。
之后，如图8F所示，将被荧光体层密封的LED1安装于基板50，从而获得LED装置60。具体而言，如参照图6的假想线那样，使透明层4的侧部45的下表面41与基板50相接触。
第2实施方式的作用效果
并且，在该被荧光体层密封的LED1中，如图6所示，由于透明层4具有对荧光体层3的侧面33进行覆盖的侧部45，因此，与第1实施方式同样地，能够使透明树脂组合物(透明层4)与空气之间的界面远离(离开)作为光吸收体的基板50、LED2(LED2与荧光体层3之间的界面)。因此，自LED2朝向上侧发光而被荧光体层3波长转换后的光和没有被荧光体层3波长转换而透过荧光体层3的光即使在透明树脂组合物(透明层4)与空气之间的界面处被反射也不易返回到基板50、LED2(光吸收体)，因而能够提高被荧光体层密封的LED1的发光强度。
另一方面，在该第2实施方式中，如图8A所示，之后，将配置有荧光体层3的被荧光体层密封的LED1再配置于与支承板7不同的支承台、即第2支承板17，接着，如图8B所示，利用透明层4来覆盖荧光体层3。
与此相对，在第1实施方式的方法中，如上所述，与第2实施方式不同，不必将配置有荧光体层3的LED2再配置于第2支承板17。因此，能够利用简单的方法来制造被荧光体层密封的LED1。
另外，能够通过切断等简单的方法在被荧光体层密封的LED1中的荧光体层3和透明层4上分别形成侧面33和侧面43。
如图7A所示，由于该被荧光体层密封的LED1的制造方法包括准备包括片状的荧光体层3的荧光密封片15的荧光体层准备工序和将片状的荧光体层3以覆盖LED2的方式进行配置的荧光体层配置工序，因此能够使用片状的荧光体层3来简单地制造发光强度优异的被荧光体层密封的LED1。
另外，采用该被荧光体层密封的LED1的制造方法，如图7D所示，在单片化/去除工序中，在荧光体层配置工序之后、透明层配置工序之前，在将荧光体层3对应于多个LED2进行单片化的同时，去除荧光体层3中的远离LED2的部分，因此，能够利用较少的工时来制造具有期望的尺寸的被荧光体层密封的LED1。
并且，采用该被荧光体层密封的LED1的制造方法，如图7D所示，在单片化/去除工序中，使荧光体层3的覆盖LED2的侧面23的部分残存，能够简单地制造包括期望的尺寸的荧光体层3的被荧光体层密封的LED1。
另外，采用该被荧光体层密封的LED1的制造方法，如图8A所示，由于使用片状的透明层4，因此能够简单地制造发光强度优异的被荧光体层密封的LED1。
变形例
在第2实施方式中，如图6所示，使荧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明层4的侧部45的下表面41分别构成为能够与基板50相接触的荧光体侧可接触面和透明侧可接触面。但是，例如，如图9所示，能够使荧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明层4的侧部45的下表面41这两个表面构成为能够与基板50隔开间隔的可确保间隔面。
如图9所示，荧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明层4的侧部45的下表面41位于LED2的比下表面21靠上侧的部分。具体而言，在面方向上投影时，荧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明层4的侧部45的下表面41位于LED2的下表面21和上表面22之间。即，在前后方向和左右方向上投影时，荧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明层4的侧部45的下表面41配置在被包含在LED2的侧面23内的位置。
另外，在第2实施方式中，如图7B所示，使荧光密封片15中的荧光体层3的上表面31形成为平坦状，但也可以是例如，如图10B所示，使荧光体层3的上表面31形成为与多个LED2的表面相对应的凹凸形状。
这样的变形例具备制造包括荧光体层3的荧光密封片15的工序(荧光体层准备工序的一个例子，参照图10A)、将荧光密封片15以荧光体层3覆盖多个LED2的方式进行配置的工序(荧光体层配置工序的一个例子，参照图10B)、去除荧光体层3中的远离LED2的部分的工序(去除工序的一个例子，参照图10D)、制造包括透明层4的透明片18的工序(透明层准备工序的一个例子，参照图8A)、将被荧光体层密封的LED1再配置于第2支承板17的工序(参照图8A)、以及将透明片18配置在荧光体层3之上的工序(参照图8B)。
在该方法中，首先，如图10A所示，准备多个LED。
另行准备包括荧光体层3的荧光密封片15。在准备荧光密封片15时，首先，如图10A所示，准备剥离片6。
接着，在剥离片6的下表面形成荧光体层3。由此，准备了包括剥离片6和形成于剥离片6的下表面的荧光体层3的荧光密封片15。
接着，如图10B所示，利用荧光体层3来密封多个LED2。也就是说，将荧光密封片15相对于支承LED2的支承板7进行压接。此时，利用加压装置将荧光密封片15相对于LED2和支承板7进行压接，该加压装置包括：上模，其配置于剥离片6的上侧且具有与多个LED2相对应的凹部；下模，其为平板状。利用所述加压装置使荧光体层3具有与多个LED2相对应的多个凸部。剥离片6覆盖在荧光体层3的表面(包含突部的表面的侧面)上。
之后，在该方法中，如图10C所示，将剥离片6自荧光体层3剥下。
接着，在该方法中，如图10D所示，将荧光体层3切断，接着，如图10E所示，单片化为被荧光体层密封的LED1。之后，将单片化后的被荧光体层密封的LED1自支承板7剥下。
也就是说，如图10D所示，对荧光体层3进行外形加工而使其成为规定的尺寸。由此，去除荧光体层3中的远离LED2的部分。
由此，如图10E所示，获得包括LED2和具有规定的尺寸的荧光体层3的被荧光体层密封的LED1。在该第2实施方式中，图10D的假想线和图10的实线所示的被荧光体层密封的LED1不包括透明层4。也就是说，该被荧光体层密封的LED1优选由LED2和荧光体层3构成。
之后，与第2实施方式(参照图8A～图8F)同样地将透明层4层叠于荧光体层3。
具体而言，如图8A所示，首先，将多个被荧光体层密封的LED1在前后方向和左右方向互相隔开间隔地排列配置于第2支承板17。如图8A所示，另行准备包括透明层4的透明片18。
接着，如图8B所示，利用透明层4来覆盖多个荧光体层3，该多个荧光体层3覆盖多个LED2。具体而言，利用包括下模和下模的平板加压装置将透明层4相对于荧光体层3和第2支承板17进行压接。
接着，如图8C所示，将第2剥离片19自透明层4剥下。接着，如图8D所示，以使多个LED2单片化的方式将密封LED集合体8切断。接着，如图8D的箭头和图8E所示，将多个被荧光体层密封的LED1自支承板7剥下，从而获得被荧光体层密封的LED1。之后，如图8F所示，将被荧光体层密封的LED1安装于基板50，从而获得LED装置60。
另外，在第2实施方式中，如图8A所示，首先，准备包括透明层4的透明片18，之后，利用片状的透明层4来覆盖多个荧光体层3，该多个荧光体层3覆盖多个LED2，但也可以是例如，如参照图8C那样，能够通过例如浇灌、传递成形、压缩成形等由透明树脂组合物(由透明树脂组合物制备的清漆、粉末、压片等)直接在第2支承板17之上将透明层4以覆盖LED2的方式成形为片状。
第3实施方式
在第3实施方式中，对于与所述第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
被荧光体层密封的LED
如图11所示，荧光体层3在其周端部具有凸缘部36。
凸缘部36是自荧光体层3的覆盖LED2的侧面23部分向面方向外侧突出的突出部。荧光体层3的凸缘部36的上表面位于比荧光体层3中的覆盖LED2的上表面22的部分向下侧下降一层的位置，因此，在凸缘部36的上表面和所述部分的上表面31之间形成有台阶。凸缘部36的外周面37自透明层4的侧面43向外侧暴露。凸缘部36的外周面37与透明层4的侧面43在上下方向上形成为一个面。
凸缘部36的上表面39与透明层4的侧部45的下表面41相接触。
被荧光体层密封的LED的制造方法和LED装置的制造方法
接下来，参照图12A～图13E说明制造图11所示的被荧光体层密封的LED的方法和使用被荧光体层密封的LED来制造LED装置的方法。
该被荧光体层密封的LED1的制造方法包括制造荧光密封片15的工序(参照图12A)、将荧光密封片15以荧光体层3覆盖多个LED2的方式进行配置的工序(参照图12B)、在荧光体层3的位于相邻的LED2之间的部分上形成凹部24的工序(参照图12C)、制造包括透明层4的透明片18的工序(参照图12D)、将透明片18配置在荧光体层3之上的工序(参照图13A)、以及将荧光体层3和透明层4中的远离LED2的部分切断而使被荧光体层密封的LED1单片化的工序(参照图13B)。
如图12B的箭头所示，在将荧光密封片15相对于支承板7配置之后，将剥离片6剥离。
荧光体层3的上表面具有平坦的表面。
如图12C所示，为了在荧光体层3上形成凹部24，去除荧光体层3中的远离LED2的部分。
具体而言，利用切割锯9对荧光体层3中的远离LED2的部分的上端部进行半切割。
通过形成凹部24而在荧光体层3上形成凸缘部36。
之后，如图13A所示，将透明片18的透明层4配置在荧光体层3之上。从获得优异的气体透过率的观点考虑，透明层4优选由透明树脂组合物构成，该透明树脂组合物由甲基系有机硅树脂组合物构成。
接着，如图13B所示，将荧光体层3和透明层4中的远离LED2的部分切断。
由此，如图13C所示，获得被第2支承板17支承的状态下的多个被荧光体层密封的LED1。
之后，如图13D所示，将多个被荧光体层密封的LED1转印到转印片25上。
之后，如图13E所示，将被荧光体层密封的LED1自转印片25再转印到基板50上，而将被荧光体层密封的LED1安装于基板50。由此，获得LED装置60。
第3实施方式的作用效果
在该被荧光体层密封的LED1中，如图11所示，容纳部30的内周面38覆盖LED2的侧面23且荧光体层3的凸缘部36的外周面37在侧方暴露。因此，对于自LED2朝向侧方发出的光，被荧光体层3的凸缘部36充分地波长转换，而对于自LED2朝向上方发出的光，能够将被荧光体层3波长转换的光和没有被波长转换而透过荧光体层3的光在透明层4中适度地混合。其结果，使被荧光体层密封的LED1的配光性(抑制颜色不均匀)优异。
另外，在透明层4中含有的甲基系有机硅树脂组合物的压敏粘接力(粘合力)高于苯基系有机硅树脂组合物的压敏粘接力(粘合力)。因此，在第2实施方式的图7A～图8E所示的方法中，若在图8B的工序中利用所述透明层4将在第2支承板17的上表面暴露的多个LED2覆盖，则会将透明层4以较高的压敏粘接力(粘合力)压敏粘接(粘合)于第2支承板17的上表面。因此，之后，存在不能良好地转印到转印片25(参照图13C和图13D)上的情况(也就是说，透明层4没有自第2支承板17的上表面剥离的情况)。
但是，在第3实施方式的图12A～图13E所示方法中，由于透明层4没有接触(压敏粘接)于支承板7的上表面，因此能够防止透明层4压敏粘接(粘合)于支承板7。
并且，该方法不必如第2实施方式那样包括图8A所示的、将被荧光体层密封的LED1再配置于第2支承板17的工序。因此，能够减少制造工时，从而能够降低制造成本。
变形例
在被荧光体层密封的LED1的制造方法的变形例中，除了不包括图7D所示的、去除荧光体层3中的远离LED2的部分的工序和图8A所示的、将被荧光体层密封的LED1再配置于第2支承板17的工序以外，与第2实施方式的制造方法相同。
另外，该变形例除了不包括形成第3实施方式的凹部24的工序(参照图12C)以外，与第3实施方式的制造方法相同。
即，在该方法中，首先，如图14A所示，在支承板7之上准备多个LED2。与此同时，准备包括剥离片6和荧光体层3的荧光密封片15。
接着，如图14B所示，利用荧光密封片15的荧光体层3来密封多个LED2。具体而言，利用包括下模和下模的平板加压装置将荧光体层3相对于多个LED2和支承板7进行压接。
由此，在荧光体层3上形成凹部24。因此，使荧光体层3形成有凸缘部36。
接着，如图14C所示，将剥离片6自荧光体层3剥下。
接着，如图14D所示，准备了包括透明层4和第2剥离片19的透明片18。
接着，如图15A所示，将透明片18的透明层4配置于荧光体层3的上表面，接着，将第2剥离片19自透明层4剥下。由此，获得密封LED集合体8。
之后，如图15B所示，将密封LED集合体8切断而使其单片化为被荧光体层密封的LED1。
由此，如图15C所示，获得被荧光体层密封的LED1。
之后，在对被荧光体层密封的LED1进行挑选之后，如图15D所示，将挑选出的被荧光体层密封的LED1安装于基板50，从而获得LED装置60。
并且，在该变形例中，能起到与所述第3实施方式相同的作用效果。
另外，在图14A～图15C所示的方法中，与第2实施方式中的被荧光体层密封的LED1的制造方法相比，不必包括图7D所示的、去除荧光体层3中的远离LED2的部分的工序和图8A所示的、将被荧光体层密封的LED1再配置于第2支承板17的工序。因此，能够减少制造工时，从而能够降低制造成本。
实施例
能够将在以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物理属性值、参数等具体的数值代替为在所述“具体实施方式”中记载的、与其相对应的配混比例(含有比例)、物理属性值、参数等所述的上限值(以“以下”、“小于”的形式定义的数值)或下限值(以“以上”、“超过”的形式定义的数值)。
含烯基聚硅氧烷和含氢化甲硅烷基聚硅氧烷的合成
合成例1
将1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g以及甲苯500g投入到装备有搅拌机、冷凝回流管、投入口以及温度计的四口烧瓶中并进行混合，一边搅拌一边经1小时滴加甲基苯基二甲氧基硅烷729.2g与苯基三甲氧基硅烷330.5g的混合物四口烧瓶中，之后，进行了1小时加热回流。之后，进行冷却将下层(水层)分离并去除，对上层(甲苯溶液)进行了3次水洗。向水洗后的甲苯溶液加入氢氧化钾0.40g，并一边将水自水分离管去除一边进行回流。在完成水的去除之后，进一步回流了5小时，然后进行了冷却。之后，投入乙酸0.6g进行中和，之后，对过滤而得到的甲苯溶液进行了3次水洗。之后，通过减压浓缩而得到了液体状的含烯基聚硅氧烷A。含烯基聚硅氧烷A的平均单元式和平均组成式如下。
平均单元式：
((CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2)0.15(CH3C6H5SiO2/2)0.60(C6H5SiO3/2)0.25
平均组成式：
(CH2＝CH)0.15(CH3)0.90(C6H5)0.85SiO1.05
也就是说，含烯基聚硅氧烷A显示为R1为乙烯基、R2为甲基和苯基、a＝0.15、b＝1.75的上述平均组成式(1)。
另外，通过凝胶渗透色谱法对含烯基聚硅氧烷A的聚苯乙烯换算重均分子量进行了测定，结果该重均分子量为2300。
合成例2
将1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g以及甲苯500g投入到装备有搅拌机、冷凝回流管、投入口以及温度计的四口烧瓶中并进行混合，一边搅拌一边经1小时滴加二苯基二甲氧基硅烷173.4g与苯基三甲氧基硅烷300.6g的混合物，在滴下结束后，进行了1小时加热回流。之后，进行冷却将下层(水层)分离去除，对上层(甲苯溶液)进行了3次水洗。向水洗后的甲苯溶液加入氢氧化钾0.40g，一边将水自水分离管去除一边进行了回流。在完成水的去除之后，进一步回流了5小时，然后进行了冷却。投入乙酸0.6g进行中和，之后，对过滤而得到了甲苯溶液进行了3次水洗。之后，通过减压浓缩而得到了液体状的含烯基聚硅氧烷B。含烯基聚硅氧烷B的平均单元式和平均组成式如下。
平均单元式：
(CH2＝CH(CH3)2SiO1/2)0.31((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5SiO3/2)0.47
平均组成式：
(CH2＝CH)0.31(CH3)0.62(C6H5)0.91SiO1.08
也就是说，含烯基聚硅氧烷B显示为R1为乙烯基、R2为甲基和苯基、a＝0.31、b＝1.53的上述平均组成式(1)。
另外，通过凝胶渗透色谱法对含烯基聚硅氧烷B的聚苯乙烯换算重均分子量进行了测定，结果该重均分子量为1000。
合成例3
将二苯基二甲氧基硅烷325.9g、苯基三甲氧基硅烷564.9g以及三氟甲磺酸2.36g投入到装备有搅拌机、冷凝回流管、投入口以及温度计的四口烧瓶中并进行混合，加入1,1,3,3-四甲基二硅氧烷134.3g，一边搅拌一边经30分钟滴加乙酸432g。在滴加结束后，一边对混合物进行搅拌一边升温至50℃使之反应3小时。在冷却到室温之后，加入甲苯和水，良好地进行混合并静置，然后将下层(水层)分离并去除。之后，对上层(甲苯溶液)进行了3次水洗，之后，通过减压浓缩而得到了含氢化甲硅烷基聚硅氧烷C(交联剂C)。
含氢化硅烷基聚硅氧烷C的平均单元式和平均组成式如下。
平均单元式：
(H(CH3)2SiO1/2)0.33((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5PhSiO3/2)0.45
平均组成式：
H0.33(CH3)0.66(C6H5)0.89SiO1.06
也就是说，含氢化甲硅烷基聚硅氧烷C显示为R3为甲基和苯基、c＝0.33、d＝1.55上述平均组成式(2)。
另外，利用凝胶渗透色谱法对含氢化甲硅烷基聚硅氧烷C的聚苯乙烯换算重均分子量进行了测定，结果该重均分子量为1000。
其他原料
下面，详细叙述含烯基聚硅氧烷和含氢化甲硅烷基聚硅氧烷以外的原料。
LR7665：其是商品名且为甲基系有机硅树脂组合物，折射率为1.41、旭化成ワッカーシリコーン公司制造
无机填料A：其是折射率为1.55且组成以及组成比率(质量％)为SiO2/Al2O3/CaO/MgO＝60/20/15/5的无机填料，平均粒径为15μm(利用分级调整了平均粒径。)
TospearTS2000B：其是有机硅系树脂颗粒，平均粒径为6.0μm，モメンティブ·パフォーマンス·マテリアルズ·ジャパン公司制造
有机硅树脂组合物的制备
制备例1
将含烯基聚硅氧烷A(合成例1)20g、含烯基聚硅氧烷B(合成例2)25g、含氢化甲硅烷基聚硅氧烷C(合成例3、交联剂C)25g、以及铂羰基络合物5mg混合而制备了有机硅树脂组合物A。
制备例2
作为有机硅树脂组合物B(缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物)，准备了日本特开2010-265436号公报所记载的实施例1的有机硅树脂用组合物。
制造被荧光体层密封的LED
实施例1
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率RIt为1.56。
向透明树脂组合物X中混合了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到20质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到650μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到350μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.44mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例2
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率RIt为1.56。
另外，向透明树脂组合物X中混合了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到12质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在B阶段的透明层之上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、以及荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.64mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例3
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率RIt为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到10质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到400μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到600μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.84mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例4
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率RIt为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到10质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到900μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到600μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.84mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例5
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率RIt为1.56。
另外，向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到11质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.84mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例6
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率RIt为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到13质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、以及荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.44mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化(C阶段化)，之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例7
向有机硅树脂组合物B中混合了TospearTS2000B，使得TospearTS2000B相对于有机硅树脂组合物B和TospearTS2000B的总量达到30质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物Y。
另外，向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到18质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在500μm的、作为透明层的玻璃板(折射率RIt：1.52)之上，之后以135℃进行15分钟加热，由此在玻璃板之上制备了B阶段的荧光体层。由此，制备了包括玻璃板和荧光体层的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.64mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用室温的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了压接。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时加热而使荧光体层热固化(C阶段化)。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及玻璃板的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例8
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率RIt为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到12质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
接着，以使TospearTS2000B相对于LR7665和TospearTS2000B的总量达到30质量％的方式向LR7665混合了TospearTS2000B而构成了清漆(折射率RIt：1.41)，利用涂敷器将该清漆以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以100℃进行10分钟加热，由此制作了C阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到500μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.64mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例9
向100质量份的有机硅树脂组合物A中混合了YAG468(根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于有机硅树脂组合物A和YAG468的总量达到17质量％，作为清漆而制备了荧光体树脂组合物。
在不锈钢板之上粘贴双面带，并在该双面带之上搭载(配置)了1个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图3A)。
另行制作了第1堰和第2堰(参照图3A和图3D)。
即，涂敷LR7665(折射率1.41)而使LR7665的厚度达到500μm，以100℃进行10分钟固化(热固化)，接着，将固化片加工成外框尺寸10mm×10mm、内框尺寸(内尺寸)1.64mm×1.64mm的矩形框形状，从而制作了第1堰(参照图3A)。也就是说，第1堰的外形尺寸为10mm×10mm，矩形形状的开口部的内尺寸为1.64mm×1.64mm。
接着，除了将第2堰的厚度变更为1mm以外，与第1堰同样地将制作了第2堰(参照图3D)。
接着，在不锈钢板之上的LED的周围设置了第1堰(参照图3B)。接着，将荧光体树脂组合物的清漆滴在第1堰的第1开口部内，对液量进行调整而使液体厚度达到500μm，以100℃通过10分钟使荧光体树脂组合物实现了B阶段化(参照图3C)。由此，获得了B阶段状态的荧光体层。之后，去除了第1堰(参照图3C的箭头)。
然后，将第2堰设置在不锈钢板之上的荧光体层的周围(参照图3E)。之后，将有机硅树脂组合物A滴在第2堰的第2开口部内，对液量进行调整而使合计的厚度达到1mm。接着，以150℃通过两小时使有机硅树脂组合物A热固化(C阶段化)，从而得到了C阶段状态的透明层(参照图4A)。接着，沿着荧光体层与透明层之间的边界(界面)进行切割(参照图4B)而制备了被荧光体层密封的LED(参照图4C)。
实施例10
向有机硅树脂组合物A中混合了YAG468(根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于有机硅树脂组合物A和YAG468的总量达到18质量％，作为清漆而制备了荧光体树脂组合物。
在不锈钢板之上粘贴双面带，并在该双面带之上搭载(配置)了1个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图3A)。
另行制作了第1堰和第2堰(参照图3A和图3D)。
即，涂敷LR7665(折射率1.41)而使LR7665的厚度达到500μm，以在100℃进行10分钟固化(热固化)，接着，将固化片加工成外框尺寸10mm×10mm、内框尺寸(内尺寸)1.64mm×1.64mm的矩形框形状，从而制作了第1堰(参照图3A)。也就是说，第1堰的外形尺寸为10mm×10mm，矩形形状的开口部的内尺寸为1.64mm×1.64mm。
接着，除了将第2堰的厚度变更为1mm以外，与第1堰同样地制作了第2堰(参照图3D)。
接着，在不锈钢板之上的LED的周围设置了第1堰(参照图3B)。接着，将荧光体树脂组合物的清漆滴在第1堰的第1开口部内，对液量进行调整而使液体厚度达到500μm，以100℃通过10分钟使荧光体树脂组合物实现了B阶段化(参照图3C)。由此，获得了B阶段状态的荧光体层。之后，去除了第1堰(参照图3C的箭头)。
然后，将第2堰设置在不锈钢板之上的荧光体层的周围(参照图3E)。之后，将LR7665(折射率1.41)滴在第2堰的第2开口部内，对液量进行调整而使合计的厚度达到1mm。接着，以150℃通过两小时使有机硅树脂组合物A热固化(C阶段化)，从而得到了C阶段状态的透明层(参照图4A)。接着，沿着荧光体层与透明层之间的边界(界面)进行切割(参照图4B)而制备了被荧光体层密封的LED(参照图4C)。
实施例11
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到50质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到800μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到200μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.24mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例12
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到30质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到50μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到300μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.34mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例13
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到8质量份，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到100μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。
接着，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到900μm的方式涂敷在透明层的表面(上表面)上，之后以80℃进行11分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。
由此，制作了由剥离片、透明层、荧光体层构成的密封片(参照图2A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.64mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)(参照图2B)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个LED进行了热压接。通过该热压接使荧光体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
之后，以150℃进行了两小时的后固化。由此，使荧光体层和透明层实现了C阶段化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不锈钢板之上制造了包括1个LED、荧光体层以及透明层的被荧光体层密封的LED(参照图2C)。
接着，将剥离片自透明层剥下(参照图2C的假想线)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图2D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图2D的箭头和图2E)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图2E)。
实施例14
向有机硅树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机硅树脂组合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组合物X的折射率为1.56。
向透明树脂组合物X中配混了YAG468(荧光体、根元特殊化学公司制造)，使得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到28质量％，并对它们进行混合，由此制备了荧光体树脂组合物。
之后，利用涂敷器将荧光体树脂组合物以其加热后的厚度达到150μm的方式涂敷在厚度50μm的剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的荧光体层。由此，制作了由剥离片和荧光体层构成的荧光密封片(荧光体层准备工序、参照图7A)。
之后，在不锈钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层)，并在该双面带之上，以1.54mm的间距配置了多个LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、エピスター公司制造)。之后，使用加热到90℃的真空平板加压装置将荧光密封片相对于多个LED进行了10分钟热压接。具体而言，使用真空平板加压装置以使荧光体层与LED以及该LED的周围的双面带相接触的方式将荧光密封片相对于多个LED进行了热压接(荧光体层配置工序、参照图7B)。使荧光体层的上表面形成为平坦状。
之后，将剥离片自荧光体层剥下(参照图7C)。
接着，在去除荧光体层中的远离LED的部分的同时，使被荧光体层密封的LED单片化(单片化/去除工序、参照图7D)。也就是说，利用壁厚200μm的切割锯将透明片切断。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图7F)。
之后，将多个被荧光体层密封的LED在前后方向和左右方向上互相隔开间隔地排列配置于第2支承板(参照图8A)。
另外，利用涂敷器将透明树脂组合物X以其加热后的厚度达到850μm的方式涂敷在厚度50μm的第2剥离片(PTE片、商品名“SS4C”、ニッパ公司制造)的表面上，之后以90℃进行20分钟加热，由此制作了B阶段的透明层。由此，制备了由第2剥离片和透明层构成的透明片(透明层准备工序、参照图8A)。
接着，利用透明片的透明层来覆盖多个荧光体层(透明层配置工序、图8B)，该多个荧光体层覆盖多个LED。
接着，将第2剥离片自透明层剥下(参照图8C)。接着，以使多个LED单片化的方式将密封LED集合体切断(参照图8D)。
之后，将被荧光体层密封的LED自双面带剥下(参照图8D的箭头)。
由此，获得了被荧光体层密封的LED(参照图8E)。
比较例1
制作未形成透明层的覆盖片，除了利用该覆盖片的透明层来覆盖LED以外，与实施例8同样地进行处理而获得了被荧光体层密封的LED(参照图16)。
比较例2
除了制作未形成透明层的覆盖片，除了利用该覆盖片的透明层来覆盖LED以外，与实施例14同样地进行处理而获得了被荧光体层密封的LED(参照图17)。
评价
发光强度
将各实施例和各比较例的被荧光体层密封的LED安装于基板而制造了LED装置(参照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图17的假想线)。接着，以300mA的电流将总光通量测量装置点亮，并求出了发光强度。
根据下述基准评价了得到的发光强度。
A：发光强度为135lm以上
B：发光强度为128lm以上且小于135lm
C：发光强度为118lm以上且小于128lm
D：发光强度为110lm以上且小于118lm
E：发光强度小于110lm
颜色均匀性
准备了各10个(n＝10)各实施例和各比较例的被荧光体层密封的LED，将所述被荧光体层密封的LED安装于基板而制造了LED装置(参照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图17的假想线)。接着，对光学特性的CIEy进行测量，并求出了10个被荧光体层密封的LED的偏差。然后，将最大值与最小值之差为0.03以下的情况评价为○，将最大值与最小值之差超过0.03的情况评价为0.03评价为×。
配光性(颜色不均匀)
将各实施例和各比较例的被荧光体层密封的LED安装于基板而制造了LED装置(参照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图17的假想线)。接着，利用配光测量装置(大塚电子公司制造GP-7)，以5°为单位对该LED装置的-85°～85°方向的色度进行了测量。求出了各方向上的色度的偏差。并且，将最大值与最小值之差为0.02以下的情况评价为○，将最大值与最小值之差超过0.02的情况评价为×。
可靠性(烧黑)
将各实施例和各比较例的被荧光体层密封的LED安装于基板而制造了LED装置(参照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图17的假想线)。接着，以1A的电流将总光通量测量装置点亮1000小时，利用目视来观察荧光体层和透明层，并根据以下的基准对被荧光体层密封的LED和LED装置的可靠性进行了评价。
○：没有在荧光体层或透明层观察到烧黑。
△：在荧光体层或透明层观察到略微烧黑。
×：在荧光体层或透明层观察到烧黑。
对通过有机硅树脂组合物A的反应获得的生成物的烃基(R
5
)中的苯基
的含有比例进行测量
利用1H-NMR和29Si-NMR计算出通过有机硅树脂组合物A(也就是说，不含有填料的有机硅树脂组合物A)的反应获得的生成物中的、与硅原子直接键合的烃基(平均组成式(3)的R5)中的苯基的含有比例(摩尔％)。
具体而言，在不添加填料的情况下，以100℃使A阶段的有机硅树脂组合物A进行1小时反应(完全固化、C阶段化)，获得了生成物。
接着，对获得的生成物的1H-NMR和29Si-NMR进行测量，计算出与硅原子直接键合的烃基(R5)中的苯基所占的比例(摩尔％)。
其结果，该比例为48％。
将各实施例和各比较例中的各层的结构和配方表示在表1中。
将各实施例和各比较例中的各层的尺寸和被荧光体层密封的LED的评价表示在表2中。
此外，虽然作为本发明的例示的实施方式提供了所述说明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员能够明确的本发明的变形例是包括在本发明的权利要求书的范围内的。
表1
表2
Claims (13)
1.一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，
具备：光半导体元件、
覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和
覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
2.根据权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，
所述光半导体元件具有：
元件侧可接触面，其能够与基板接触；
元件侧相对面，其相对于所述元件侧可接触面在一方向的一侧隔开距离x地相对配置；和
元件侧连结面，其与所述元件侧可接触面以及所述元件侧相对面相连结，
所述荧光体层具有：
荧光体侧第1相对面，其相对于所述元件侧相对面在所述一侧隔开距离y地相对配置；
荧光体侧第2相对面，其相对于所述元件侧连结面在与所述一方向正交的正交方向上隔开距离α地相对配置，
所述透明层具有：
透明侧相对面，其相对于所述荧光体侧第1相对面在所述一侧隔开距离z地相对配置；和
透明侧连结面，其与所述透明侧相对面连结，并且在所述一方向上投影时，相对于所述元件侧连结面在所述正交方向上隔开间隔地配置，
所述覆有荧光体层的光半导体元件满足下述(1)～(4)的全部条件：
(1)所述距离y除以所述距离x的值y/x为1以上且5以下；
(2)所述距离y与所述距离z的和y+z为0.25mm以上且2mm以下；
(3)所述距离α与所述荧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面之间的距离β之和α+β为50μm以上且2000μm以下，其中，所述距离β为0以上；
(4)所述距离y除以所述距离α的值y/α为1以上且2.5以下。
3.根据权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，
所述荧光体层含有荧光体和第1透明组合物，
所述第1透明组合物的折射率RIp为1.45以上且1.60以下。
4.根据权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，
所述荧光体层含有荧光体和第1透明组合物，
所述透明层含有第2透明组合物，
所述第1透明组合物的折射率RIp减去所述第2透明组合物的折射率RIt的值RIp-RIt为-0.70以上且0.20以下。
5.根据权利要求4所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，
所述RIp减去所述RIt为0.05以上。
6.根据权利要求2所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，
所述荧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面在所述一方向上形成为一个面。
7.根据权利要求2所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，
所述距离α超过50μm。
8.一种覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其特征在于，
其是用于制造权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件的方法，所述方法包括如下工序：
在所述透明层的表面形成所述荧光体层而制造覆盖片的工序；以及
将所述覆盖片以所述荧光体层覆盖多个光半导体元件的方式进行配置的工序。
9.根据权利要求8所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述方法还包括将所述覆盖片以所述覆有荧光体层的光半导体元件被单片化的方式切断的工序。
10.一种覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其特征在于，
其是用于制造权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件的方法，所述方法包括如下工序：
荧光体层准备工序，准备片状的荧光体层；
荧光体层配置工序，将所述片状的荧光体层以覆盖所述光半导体元件的方式进行配置；
透明层配置工序，在所述荧光体层配置工序之后，将所述透明层以覆盖所述荧光体层的至少一部分的方式进行配置。
11.根据权利要求10所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述荧光体层配置工序中，将所述片状的荧光体层以埋设多个所述光半导体元件的方式进行配置，
所述方法还包括单片化/去除工序，在所述荧光体层配置工序之后、所述透明层配置工序之前，在将所述荧光体层对应于多个所述光半导体元件进行单片化的同时，去除所述荧光体层中的远离所述光半导体元件的部分。
12.根据权利要求11所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述光半导体元件具有：
元件侧可接触面，其能够与基板接触；
元件侧相对面，其相对于所述元件侧可接触面在一侧隔开距离x地相对配置；和
元件侧连结面，其与所述元件侧可接触面以及所述元件侧相对面连结，
在所述荧光体层配置工序中，将所述片状的荧光体层以覆盖多个所述光半导体元件的所述元件侧连结面的方式进行配置，
在所述单片化/去除工序中，使所述荧光体层的覆盖所述元件侧连结面的部分残存。
13.根据权利要求10所述的覆有荧光体层的光半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述方法还包括用于准备片状的透明层的透明层准备工序，
在所述透明层配置工序中，将所述片状的透明层以覆盖所述荧光体层的至少一部分的方式进行配置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108922954A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-30 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种双层膜cspled制作方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101443924A (zh) * | 2006-05-17 | 2009-05-27 | 3M创新有限公司 | 利用多层含硅密封剂制备发光器件的方法 |
| CN102074641A (zh) * | 2010-07-23 | 2011-05-25 | 宁波市瑞康光电有限公司 | 一种led封装方法、led和led照明装置 |
| CN102122698A (zh) * | 2010-01-05 | 2011-07-13 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装和照明系统 |
| CN102270728A (zh) * | 2010-06-07 | 2011-12-07 | 日东电工株式会社 | 光半导体用封装片 |
| CN102884645A (zh) * | 2010-01-29 | 2013-01-16 | 西铁城电子株式会社 | 发光装置的制造方法以及发光装置 |
| CN103247745A (zh) * | 2012-02-07 | 2013-08-14 | 晶元光电股份有限公司 | 具有波长转换层的发光二极管元件 |
| CN103531691A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-22 | 日东电工株式会社 | 被覆有荧光体层的led、其制造方法以及led 装置 |
| CN103531688A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-22 | 日东电工株式会社 | 覆有反射层-荧光体层的led、其制造方法、led装置及其制造方法 |
| CN104037276A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-10 | 合肥工业大学 | 一种具有梯度折射率的多层结构白光led器件及其封装方法 |
-
2015
- 2015-12-17 CN CN201510955211.5A patent/CN105720173A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101443924A (zh) * | 2006-05-17 | 2009-05-27 | 3M创新有限公司 | 利用多层含硅密封剂制备发光器件的方法 |
| CN102122698A (zh) * | 2010-01-05 | 2011-07-13 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装和照明系统 |
| CN102884645A (zh) * | 2010-01-29 | 2013-01-16 | 西铁城电子株式会社 | 发光装置的制造方法以及发光装置 |
| CN102270728A (zh) * | 2010-06-07 | 2011-12-07 | 日东电工株式会社 | 光半导体用封装片 |
| CN102074641A (zh) * | 2010-07-23 | 2011-05-25 | 宁波市瑞康光电有限公司 | 一种led封装方法、led和led照明装置 |
| CN103247745A (zh) * | 2012-02-07 | 2013-08-14 | 晶元光电股份有限公司 | 具有波长转换层的发光二极管元件 |
| CN103531691A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-22 | 日东电工株式会社 | 被覆有荧光体层的led、其制造方法以及led 装置 |
| CN103531688A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-22 | 日东电工株式会社 | 覆有反射层-荧光体层的led、其制造方法、led装置及其制造方法 |
| CN104037276A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-10 | 合肥工业大学 | 一种具有梯度折射率的多层结构白光led器件及其封装方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108922954A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-30 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种双层膜cspled制作方法 |
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