KR20160052552A - 광 반도체 소자 봉지 조성물, 광 반도체 소자 봉지 성형체, 광 반도체 소자 봉지 시트, 광 반도체 장치 및 봉지 광 반도체 소자 - Google Patents
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Abstract
광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 조성물이다. 봉지 수지의 굴절률과 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이다. 광 확산성 유기 입자의 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하이다. 광 반도체 소자 봉지 조성물은 광 반도체 소자의 봉지에 사용된다.
Description
본 발명은, 광 반도체 소자 봉지 조성물, 광 반도체 소자 봉지 성형체, 광 반도체 소자 봉지 시트, 광 반도체 장치 및 봉지 광 반도체 소자, 상세히는, 광 반도체 소자 봉지 조성물, 광 반도체 소자 봉지 성형체, 광 반도체 소자 봉지 시트, 그들을 구비하는 광 반도체 장치 및 봉지 광 반도체 소자에 관한 것이다.
종래, 고에너지의 광을 발광할 수 있는 발광 장치로서, 백색광 반도체 장치가 알려져 있다.
그와 같은 백색광 반도체 장치로서는, 예를 들면, 실리카 입자를 분산시킨 봉지재와, 봉지재에 의해 피복된 광 반도체 소자를 구비하는 광 반도체 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에서는, 실리콘 엘라스토머 5g에 실리카 입자 5g을 가하고, 그들을 분산시켜, 액상 수지 조성물을 조제하고, 그로부터 제 1 봉지재를 조제하고, 그에 의해 광 반도체 소자를 봉지하고 있다.
그런데, 특허문헌 1에 기재된 광 반도체 장치에서는, 광의 취출 효율을 충분히 향상시킬 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있는 광 반도체 소자 봉지 조성물, 광 반도체 소자 봉지 성형체, 광 반도체 소자 봉지 시트, 그들을 구비하는 광 반도체 장치 및 봉지 광 반도체 소자를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 조성물이며, 상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며, 상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하이고, 광 반도체 소자의 봉지에 사용되는 것을 특징으로 하고 있다.
이 광 반도체 소자 봉지 조성물에 의하면, 봉지 수지의 굴절률과 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 특정 범위 내이며, 또한, 광 확산성 유기 입자의 함유 비율이 특정 범위 내에 있고, 광 반도체 소자 봉지 조성물이 광 반도체 소자의 봉지에 사용되므로, 광 반도체 소자로부터 발광되는 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 이 광 반도체 소자 봉지 조성물에 의하면, 광 확산성 유기 입자의 비중을 봉지 수지의 비중에 근접시킬 수 있다. 그 때문에, 광 반도체 소자 봉지 조성물에 있어서, 광 확산성 유기 입자를 봉지 수지에 균일하게 분산시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물에서는, 상기 광 확산성 유기 입자의 평균 입자경이 5μm 초과 15μm 이하인 것이 적합하다.
이 광 반도체 소자 봉지 조성물에 의하면, 광 확산성 유기 입자의 평균 입자경이 특정 범위 내에 있으므로, 광의 취출 효율을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물에서는, 상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 5질량% 이상인 것이 적합하다.
이 광 반도체 소자 봉지 조성물에 의하면, 광 확산성 유기 입자의 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 특정의 하한 이상이므로, 광의 취출 효율을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물에서는, 상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.025 이상 0.100 이하인 것이 적합하다.
이 광 반도체 소자 봉지 조성물에 의하면, 봉지 수지의 굴절률과 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 특정 범위 내에 있으므로, 광의 취출 효율을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물은 형광체를 함유하는 것이 적합하다.
이 광 반도체 소자 봉지 조성물에 의하면, 광 반도체 소자로부터 발광된 광을, 형광체에 의해 파장 변환시킬 수 있다. 그 때문에, 고에너지의 광을 조사할 수 있다.
본 발명의 광 반도체 소자 봉지 성형체는, 상기한 광 반도체 소자 봉지 조성물을 성형하는 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하고 있다.
이 광 반도체 소자 봉지 성형체는, 상기한 광 반도체 소자 봉지 조성물을 성형하는 것에 의해 얻어지므로, 광 반도체 소자를 확실히 봉지하면서, 광 반도체 소자로부터 발광되는 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 광 반도체 소자 봉지 시트는, 상기한 광 반도체 소자 봉지 조성물을 시트상으로 성형하는 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하고 있다.
이 반도체 소자 봉지 시트는, 상기한 광 반도체 소자 봉지 조성물을 시트상으로 성형하는 것에 의해 얻어지므로, 운반성이 우수하면서, 광 반도체 소자로부터 발광되는 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 광 반도체 장치는, 기판과, 상기 기판에 실장되는 광 반도체 소자와, 상기 광 반도체 소자를 봉지하는 상기한 광 반도체 소자 봉지 성형체를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 광 반도체 장치는, 광의 취출 효율이 우수한 광 반도체 소자 봉지 성형체를 가지므로, 발광 특성이 우수하다.
또한, 본 발명의 광 반도체 장치는, 기판과, 상기 기판에 실장되는 광 반도체 소자와, 상기 광 반도체 소자를 봉지하는 상기한 광 반도체 소자 봉지 시트를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 광 반도체 장치는, 광의 취출 효율이 우수한 광 반도체 소자 봉지 시트를 가지므로, 발광 특성이 우수하다.
본 발명의 봉지 광 반도체 소자는, 광 반도체 소자와, 상기 광 반도체 소자를 봉지하는 상기한 광 반도체 소자 봉지 성형체를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 봉지 광 반도체 소자는, 광의 취출 효율이 우수한 광 반도체 소자 봉지 성형체를 가지므로, 발광 특성이 우수하다.
본 발명의 봉지 광 반도체 소자는, 광 반도체 소자와, 상기 광 반도체 소자를 봉지하는 상기한 광 반도체 소자 봉지 시트를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 봉지 광 반도체 소자는, 광의 취출 효율이 우수한 광 반도체 소자 봉지 시트를 가지므로, 발광 특성이 우수하다.
본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물, 광 반도체 소자 봉지 성형체 및 광 반도체 소자 봉지 시트는, 광 반도체 소자로부터 발광되는 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 광 반도체 장치 및 봉지 광 반도체 소자는, 광의 취출 효율이 우수한 광 반도체 소자 봉지 시트 및 광 반도체 소자 봉지 성형체를 가지므로, 발광 특성이 우수하다.
도 1(도 1A 및 도 1B)은 본 발명의 광 반도체 장치의 일 실시형태를 제조하는 방법을 설명하는 공정도로서, 도 1A는 본 발명의 광 반도체 소자 봉지 시트의 일 실시형태인 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트 및 제 1 박리 시트를 구비하는 봉지 부재를 준비하는 공정, 도 1B는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트에 의해 광 반도체 소자를 피복하여 봉지하는 공정을 나타낸다.
도 2(도 2A∼도 2C)는 반도체 장치를 제조하는 방법의 변형예를 설명하는 공정도로서, 도 2A는 봉지 부재와, 제 2 박리 시트 및 광 반도체 소자를 구비하는 소자 부재를 각각 준비하는 공정, 도 2B는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트에 의해 광 반도체 소자를 피복하여 봉지하는 공정, 도 2C는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 실장하는 공정을 나타낸다.
도 3(도 3A 및 도 3B)은 반도체 장치를 제조하는 방법의 변형예를 설명하는 공정도로서, 도 3A는 실장 기판을 준비하는 공정, 도 3B는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 실장 기판에 도포하는 공정을 나타낸다.
도 4(도 4A 및 도 4B)는 반도체 장치를 제조하는 방법의 변형예를 설명하는 공정도로서, 도 4A는 하우징을 구비하는 실장 기판을 준비하는 공정, 도 4B는 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 하우징 내에 폿팅하는 공정을 나타낸다.
도 2(도 2A∼도 2C)는 반도체 장치를 제조하는 방법의 변형예를 설명하는 공정도로서, 도 2A는 봉지 부재와, 제 2 박리 시트 및 광 반도체 소자를 구비하는 소자 부재를 각각 준비하는 공정, 도 2B는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트에 의해 광 반도체 소자를 피복하여 봉지하는 공정, 도 2C는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 실장하는 공정을 나타낸다.
도 3(도 3A 및 도 3B)은 반도체 장치를 제조하는 방법의 변형예를 설명하는 공정도로서, 도 3A는 실장 기판을 준비하는 공정, 도 3B는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 실장 기판에 도포하는 공정을 나타낸다.
도 4(도 4A 및 도 4B)는 반도체 장치를 제조하는 방법의 변형예를 설명하는 공정도로서, 도 4A는 하우징을 구비하는 실장 기판을 준비하는 공정, 도 4B는 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 하우징 내에 폿팅하는 공정을 나타낸다.
[광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물]
본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물의 일 실시형태인 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 필수 성분으로서 함유하고 있고, 예를 들면, 봉지 수지와, 광 확산성 유기 입자와, 형광체를 함유하고 있다. 이하, 각 원료에 대하여 설명한다.
(봉지 수지)
봉지 수지는, 예를 들면, 광 반도체 소자를 봉지하기 위한 봉지재로서 사용되는 투명성의 수지를 들 수 있다. 구체적으로는, 봉지 수지로서는, 예를 들면, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 바람직하게는 열경화성 수지를 들 수 있다.
열경화성 수지로서는, 예를 들면, 2단 반응 경화성 수지, 1단 반응 경화성 수지를 들 수 있다.
2단 반응 경화성 수지는, 2개의 반응 기구를 갖고 있어, 제 1 단의 반응으로 A 스테이지 상태로부터 B 스테이지화(반경화)되고, 다음으로, 제 2 단의 반응으로 B 스테이지 상태로부터 C 스테이지화(완전 경화)될 수 있다. 즉, 2단 반응 경화성 수지는, 적절한 가열 조건에 의해 B 스테이지 상태가 될 수 있는 열경화성 수지이다. 단, 2단 반응 경화성 수지는, 강한 가열에 의해, A 스테이지 상태로부터, B 스테이지 상태를 유지함이 없이 한번에 C 스테이지 상태가 될 수도 있다. 한편, B 스테이지 상태는, 열경화성 수지가, 액상인 A 스테이지 상태와 완전 경화된 C 스테이지 상태 사이의 상태이고, 경화 및 겔화가 조금 진행되어, 압축 탄성률이 C 스테이지 상태의 탄성률보다도 작은 반고체 또는 고체 상태이다.
1단 반응 경화성 수지는, 1개의 반응 기구를 갖고 있어, 제 1 단의 반응으로 A 스테이지 상태로부터 C 스테이지화(완전 경화)될 수 있다. 한편, 1단 반응 경화성 수지는, 제 1 단의 반응의 도중에, 그 반응이 정지하여 A 스테이지 상태로부터 B 스테이지 상태가 될 수 있고, 그 후의 추가적인 가열에 의해, 제 1 단의 반응이 재개되어 B 스테이지 상태로부터 C 스테이지화(완전 경화)될 수 있는 열경화성 수지를 포함한다. 즉, 이러한 열경화성 수지는, B 스테이지 상태가 될 수 있는 열경화성 수지이다. 한편, 1단 반응 경화성 수지는, 1단의 반응의 도중에 정지하도록 제어할 수 없어, 즉, B 스테이지 상태가 될 수 없어, 한번에 A 스테이지 상태로부터 C 스테이지화(완전 경화)되는 열경화성 수지를 포함한다.
봉지 수지로서는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레테인 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스터 수지 등을 들 수 있다. 봉지 수지로서, 바람직하게는 실리콘 수지를 들 수 있다.
상기한 봉지 수지는 동일 종류 또는 복수 종류 중 어느 것이어도 된다.
실리콘 수지로서는, 투명성, 내구성, 내열성, 내광성의 관점에서, 예를 들면, 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 축합·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물 등의 실리콘 수지 조성물을 들 수 있다. 실리콘 수지는 단독으로 사용해도 되고, 또는 병용할 수도 있다.
부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은 1단 반응 경화성 수지이고, 예를 들면, 알켄일기 함유 폴리실록세인과, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인과, 하이드로실릴화 촉매를 함유한다.
알켄일기 함유 폴리실록세인은 분자 내에 2개 이상의 알켄일기 및/또는 사이클로알켄일기를 함유한다. 알켄일기 함유 폴리실록세인은, 구체적으로는, 하기 평균 조성식(1)로 표시된다.
평균 조성식(1):
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(식 중, R1은 탄소수 2∼10의 알켄일기 및/또는 탄소수 3∼10의 사이클로알켄일기를 나타낸다. R2는 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기(단, 알켄일기 및 사이클로알켄일기를 제외한다.)를 나타낸다. a는 0.05 이상 0.50 이하이며, b는 0.80 이상 1.80 이하이다.)
식(1) 중, R1로 표시되는 알켄일기로서는, 예를 들면, 바이닐기, 알릴기, 프로펜일기, 뷰텐일기, 펜텐일기, 헥센일기, 헵텐일기, 옥텐일기 등의 탄소수 2∼10의 알켄일기를 들 수 있다. R1로 표시되는 사이클로알켄일기로서는, 예를 들면, 사이클로헥센일기, 노보넨일기 등의 탄소수 3∼10의 사이클로알켄일기를 들 수 있다.
R1로서, 바람직하게는 알켄일기, 보다 바람직하게는 탄소수 2∼4의 알켄일기, 더 바람직하게는 바이닐기를 들 수 있다.
R1로 표시되는 알켄일기는 동일 종류 또는 복수 종류 중 어느 것이어도 된다.
R2로 표시되는 1가의 탄화수소기는 알켄일기 및 사이클로알켄일기 이외의 비치환 또는 치환된 탄소 원자수 1∼10의 1가의 탄화수소기이다.
비치환된 1가의 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 펜틸기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 탄소수 3∼6의 사이클로알킬기, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼10의 아릴기, 예를 들면, 벤질기, 벤질에틸기 등의 탄소수 7∼8의 아르알킬기를 들 수 있다. 바람직하게는 탄소수 1∼3의 알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 메틸기 및/또는 페닐기를 들 수 있다.
한편, 치환된 1가의 탄화수소기는, 상기한 비치환된 1가의 탄화수소기에 있어서의 수소 원자를 치환기로 치환한 것을 들 수 있다.
치환기로서는, 예를 들면, 염소 원자 등의 할로젠 원자, 예를 들면, 글리시딜 에터기 등을 들 수 있다.
치환된 1가의 탄화수소기로서는, 구체적으로는, 3-클로로프로필기, 글리시독시프로필기 등을 들 수 있다.
1가의 탄화수소기는 비치환 및 치환 중 어느 것이어도 되고, 바람직하게는 비치환이다.
R2로 표시되는 1가의 탄화수소기는 동일 종류 또는 복수 종류여도 된다. 바람직하게는 메틸기 및/또는 페닐기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 메틸기 및 페닐기의 병용을 들 수 있다.
a는, 바람직하게는 0.10 이상 0.40 이하이다.
b는, 바람직하게는 1.5 이상 1.75 이하이다.
알켄일기 함유 폴리실록세인의 중량 평균 분자량은, 예를 들면, 100 이상, 바람직하게는 500 이상이며, 또한, 예를 들면, 10000 이하, 바람직하게는 5000 이하이다. 알켄일기 함유 폴리실록세인의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스타이렌에 의한 환산값이다.
알켄일기 함유 폴리실록세인은 적절한 방법에 의해 조제되며, 또한, 시판품을 이용할 수도 있다.
또한, 알켄일기 함유 폴리실록세인은 동일 종류 또는 복수 종류여도 된다.
하이드로실릴기 함유 폴리실록세인은, 예를 들면, 분자 내에 2개 이상의 하이드로실릴기(SiH기)를 함유한다. 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인은, 구체적으로는, 하기 평균 조성식(2)로 표시된다.
평균 조성식(2):
HcR3 dSiO(4-c-d)/2
(식 중, R3은 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기(단, 알켄일기 및/또는 사이클로알켄일기를 제외한다.)를 나타낸다. c는 0.30 이상 1.0 이하이며, d는 0.90 이상 2.0 이하이다.)
식(2) 중, R3으로 표시되는 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기는, 식(1)의 R2로 표시되는 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기와 동일한 것이 예시된다. 바람직하게는 비치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기를 들 수 있고, 더 바람직하게는 메틸기 및/또는 페닐기를 들 수 있다.
c는, 바람직하게는 0.5 이하이다.
d는, 바람직하게는 1.3 이상 1.7 이하이다.
하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 중량 평균 분자량은, 예를 들면, 100 이상, 바람직하게는 500 이상이며, 또한, 예를 들면, 10000 이하, 바람직하게는 5000 이하이다. 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스타이렌에 의한 환산값이다.
하이드로실릴기 함유 폴리실록세인은 적절한 방법에 의해 조제되며, 또한, 시판품을 이용할 수도 있다.
또한, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인은 동일 종류 또는 복수 종류여도 된다.
상기한 평균 조성식(1) 및 평균 조성식(2) 중, R2 및 R3 중 적어도 어느 한쪽의 탄화수소기는, 바람직하게는 페닐기를 포함하고, 보다 바람직하게는 R2 및 R3의 양쪽의 탄화수소가 페닐기를 포함한다. 한편, R2 및 R3 중 적어도 어느 한쪽의 탄화수소기가 페닐기를 포함하는 경우에는, 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은 페닐계 실리콘 수지 조성물로 된다. 이 페닐계 실리콘 수지 조성물은, B 스테이지 상태가 될 수 있는 1단 반응 경화성 수지이다.
한편, R2 및 R3의 양쪽의 탄화수소가 메틸기인 경우에는, 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은 메틸계 실리콘 수지 조성물로 된다. 메틸계 실리콘 수지 조성물은, B 스테이지 상태가 될 수 없는 1단 반응 경화성 수지이다.
하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 배합 비율은, 알켄일기 함유 폴리실록세인의 알켄일기 및 사이클로알켄일기의 몰수의, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 하이드로실릴기의 몰수에 대한 비율(알켄일기 및 사이클로알켄일기의 몰수/하이드로실릴기의 몰수)이, 예를 들면, 1/30 이상, 바람직하게는 1/3 이상, 또한, 예를 들면, 30/1 이하, 바람직하게는 3/1 이하가 되도록 조정된다.
하이드로실릴화 촉매는, 알켄일기 함유 폴리실록세인의 알켄일기 및/또는 사이클로알켄일기와, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 하이드로실릴기의 하이드로실릴화 반응(하이드로실릴 부가)의 반응 속도를 향상시키는 물질(부가 촉매)이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 금속 촉매를 들 수 있다. 금속 촉매로서는, 예를 들면, 백금흑, 염화백금, 염화백금산, 백금-올레핀 착체, 백금-카보닐 착체, 백금-아세틸 아세테이트 등의 백금 촉매, 예를 들면, 팔라듐 촉매, 예를 들면, 로듐 촉매 등을 들 수 있다.
하이드로실릴화 촉매의 배합 비율은, 금속 촉매의 금속량(구체적으로는, 금속 원자)으로서, 알켄일기 함유 폴리실록세인 및 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인에 대해서, 질량 기준으로, 예를 들면, 1.0ppm 이상이며, 또한, 예를 들면, 10000ppm 이하, 바람직하게는 1000ppm 이하, 보다 바람직하게는 500ppm 이하이다.
부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은, 알켄일기 함유 폴리실록세인, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인 및 하이드로실릴화 촉매를, 상기한 비율로 배합하는 것에 의해 조제된다.
상기한 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은, 알켄일기 함유 폴리실록세인, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인 및 하이드로실릴화 촉매를 배합하는 것에 의해, A 스테이지(액체) 상태로서 조제되어 사용된다.
상기한 바와 같이, 페닐계 실리콘 수지 조성물은, 희망 조건의 가열에 의해, 알켄일기 함유 폴리실록세인의 알켄일기 및/또는 사이클로알켄일기와, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 하이드로실릴기의 하이드로실릴화 부가 반응을 일으키고, 그 후, 하이드로실릴화 부가 반응이 일단 정지한다. 이에 의해, A 스테이지 상태로부터 B 스테이지(반경화) 상태가 될 수 있다. 그 후, 추가적인 희망 조건의 가열에 의해, 상기한 하이드로실릴화 부가 반응이 재개되어, 완결된다. 이에 의해, B 스테이지 상태로부터 C 스테이지(완전 경화) 상태가 될 수 있다.
한편, 페닐계 실리콘 수지 조성물이 B 스테이지(반경화) 상태에 있을 때에는, 고체상이다. 그리고, 이 B 스테이지 상태의 페닐계 실리콘 수지 조성물은 열가소성 및 열경화성을 병유할 수 있다. 즉, B 스테이지의 페닐계 실리콘 수지 조성물은, 가열에 의해, 일단 가소화된 후, 완전 경화된다.
한편, 상기한 메틸계 실리콘 수지 조성물에서는, 알켄일기 및/또는 사이클로알켄일기와, 하이드로실릴기의 하이드로실릴화 부가 반응을 일으키고, 정지함이 없이 촉진되어, 완결된다. 이에 의해, A 스테이지 상태로부터 C 스테이지(완전 경화) 상태가 될 수 있다. 메틸계 실리콘 수지 조성물로는, 시판품이 이용된다. 시판품으로서 예를 들면, ELASTOSIL 시리즈(아사히화성왁카실리콘사제, 구체적으로는, ELASTOSIL LR7665 등의 메틸계 실리콘 수지 조성물), KER 시리즈(신에쓰실리콘사제) 등을 들 수 있다.
축합·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은 2단 반응 경화성 수지이고, 구체적으로는, 예를 들면, 일본 특허공개 2010-265436호 공보, 일본 특허공개 2013-187227호 공보 등에 기재되는 제 1∼제 8 축합·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 일본 특허공개 2013-091705호 공보, 일본 특허공개 2013-001815호 공보, 일본 특허공개 2013-001814호 공보, 일본 특허공개 2013-001813호 공보, 일본 특허공개 2012-102167호 공보 등에 기재되는 바구니형 옥타실세스퀴옥세인 함유 실리콘 수지 조성물 등을 들 수 있다. 한편, 축합·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은 고체상이고, 열가소성 및 열경화성을 병유한다.
봉지 수지의 굴절률 ne는, 예를 들면, 1.40 이상, 바람직하게는 1.41 이상이며, 또한 예를 들면, 1.60 이하, 바람직하게는 1.57 이하이다. 또한, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물이 메틸계 실리콘 수지 조성물을 함유하는 경우에는, 봉지 수지의 굴절률 ne는, 예를 들면, 1.40 이상이며, 또한, 예를 들면, 1.50 이하, 바람직하게는 1.50 미만, 바람직하게는 1.45 이하이다. 또한, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물이 페닐계 실리콘 수지 조성물을 함유하는 경우에는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물의 굴절률 ne는, 예를 들면, 1.50 이상, 바람직하게는 1.53 이상이며, 또한, 예를 들면, 1.60 이하, 바람직하게는 1.57 이하이다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물의 굴절률 ne는 아베 굴절률계에 의해 산출된다. 한편, 봉지 수지가 열경화성 수지인 경우에, 경화 상태(완전 경화 상태)의 굴절률로서 산출된다. 한편, 경화 전의 봉지 수지의 굴절률은 경화 후의 봉지 수지의 굴절률과 실질적으로 동일하다.
봉지 수지의 비중은, 예를 들면, 0.90 이상, 바람직하게는 0.95 이상이며, 또한, 예를 들면, 1.3 이하, 바람직하게는 1.2 이하이다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 있어서 봉지 수지의 함유 비율은, 예를 들면, 35질량% 이상, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 45질량% 이상이며, 또한, 예를 들면, 60질량% 이하, 바람직하게는 55질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하이다.
(광 확산성 유기 입자)
광 확산성 유기 입자로서는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 광 확산성을 부여하는 유기 필러를 들 수 있다.
광 확산성 유기 입자의 유기 재료로서는, 예를 들면, 열가소성 수지를 들 수 있다. 구체적으로는, 아크릴계 수지, 스타이렌계 수지, 아크릴-스타이렌계 수지, 실리콘계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 벤조구아나민계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리에스터계 수지, 폴리아마이드계 수지, 폴리이미드계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독 사용 또는 병용할 수 있다.
이와 같은 광 확산성 유기 입자 중, 광 확산성, 입수성의 관점에서, 바람직하게는 아크릴계 수지, 스타이렌계 수지를 들 수 있다.
아크릴계 수지는, (메트)아크릴산 에스터(아크릴산 에스터 및/또는 메타크릴산 에스터)를 함유하는 모노머를 중합시키는 것에 의해 얻어지는 폴리(메트)아크릴산 에스터이다. 예를 들면, 폴리(메트)아크릴산 메틸, 폴리(메트)아크릴산 에틸, 폴리(메트)아크릴산 프로필, 폴리(메트)아크릴산 뷰틸, (메트)아크릴산 메틸-(메트)아크릴산 에틸 공중합체 등을 들 수 있다.
스타이렌계 수지는, 예를 들면, 스타이렌계 모노머를 함유하는 모노머를 중합시키는 것에 의해 얻어지는 스타이렌계 중합체이다. 스타이렌계 수지로서는, 예를 들면, 폴리스타이렌, 폴리-α-메틸 스타이렌 등을 들 수 있다.
한편, 상기 아크릴계 수지 및 스타이렌계 수지는, 아크릴계 모노머 및 스타이렌계 모노머 이외의 공중합성 모노머를 함유하는 공중합체여도 된다. 공중합성 모노머로서, 바람직하게는, (메트)아크릴산, 아크릴로나이트릴, 에틸렌, 뷰타다이엔을 들 수 있다. 이들 공중합성 모노머는 단독 사용, 또는 2종 이상 병용된다.
이들 광 확산성 유기 입자는 가교되어 있어도 된다. 즉, 바람직하게는 가교 아크릴계 수지, 가교 스타이렌계 수지를 들 수 있다.
광 확산성 유기 입자는 단독 사용 또는 병용할 수 있다.
광 확산성 유기 입자는, 상기한 유기 재료로 이루어지므로, 광 확산성 유기 입자의 비중을, 봉지 수지의 비중에 근접시킬 수 있다. 그 때문에, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 있어서, 광 확산성 유기 입자를 봉지 수지에 보다 균일하게 분산시킬 수 있다.
광 확산성 유기 입자로서는, 구체적으로는, 유기 입자로서 세키스이화성품공업사의 SSX 시리즈(굴절률 1.49, 가교 폴리메타크릴산 메틸 입자), SBX 시리즈(굴절률 1.59, 가교 폴리스타이렌 입자), MSX 시리즈(굴절률 1.495∼1.595, 메타크릴산 메틸-스타이렌 공중합체 가교 입자), MB 시리즈(굴절률 1.49, 폴리메타크릴산 메틸 입자), BMX 시리즈(굴절률 1.49, 가교 폴리메타크릴산 뷰틸 입자), 토스펄 시리즈(실리콘 입자) 등을 들 수 있다.
광 확산성 유기 입자의 굴절률 nl은, 예를 들면, 1.45 이상, 바람직하게는 1.550 이상, 보다 바람직하게는 1.56 이상이며, 또한, 예를 들면, 1.600 이하이다. 광 확산성 입자가 아크릴계 수지인 경우에는, 그 굴절률은, 예를 들면, 1.45 이상, 바람직하게는 1.49 이상이며, 또한, 예를 들면, 1.60 이하, 바람직하게는 1.57 이하이다. 광 확산성 입자가 스타이렌계 수지인 경우에는, 그 굴절률은, 예를 들면, 1.54 이상, 바람직하게는 1.550 이상이며, 또한, 예를 들면, 1.65 이하, 바람직하게는 1.60 이하이다. 광 확산성 유기 입자의 굴절률이 상기 범위 내에 있으면, 다음에 설명하는 굴절률차의 절대값을 희망하는 범위로 설정할 수 있다.
그리고, 봉지 수지의 굴절률 ne와 광 확산성 유기 입자의 굴절률 nl의 차(굴절률차. ne-nl)의 절대값(｜ne-nl｜)은 0.020 이상 0.135 이하이다. 상기한 굴절률차의 절대값이 상기 상한을 초과하면, 또는, 상기한 굴절률차의 절대값이 상기 하한에 미치지 않으면, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 있어서의 광의 취출 효율을 효율적으로 향상시킬 수 없다.
또한, 상기한 굴절률차의 절대값(｜ne-nl｜)은, 바람직하게는 0.020 이상, 보다 바람직하게는 0.050 이상이며, 또한, 바람직하게는 0.100 이하, 보다 바람직하게는 0.085 이하이다. 상기한 굴절률차의 절대값이 상기 하한 이상, 또는, 상기 상한 이하이면, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 있어서의 광의 취출 효율을 효율적으로 향상시킬 수 있다.
광 확산성 유기 입자의 평균 입자경(최대 길이의 평균)은, 예를 들면, 1μm 이상, 바람직하게는 3μm 이상, 보다 바람직하게는 4μm 이상, 더 바람직하게는 5μm 이상, 특히 바람직하게는 5μm 초과이며, 또한, 예를 들면, 100μm 이하, 바람직하게는 20μm 이하, 보다 바람직하게는 15μm 이하, 더 바람직하게는 10μm 이하이다. 광 확산성 유기 입자의 평균 입자경이 상기한 범위 내이면, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 있어서의 광의 취출 효율을 효율적으로 향상시킬 수 있다. 광 확산성 유기 입자의 평균 입자경은 D50값으로서 산출된다. 구체적으로는, 레이저 회절식 입도 분포계에 의해 측정된다.
광 확산성 유기 입자의 비중은, 예를 들면, 0.90 이상, 바람직하게는 0.95 이상, 보다 바람직하게는 1.0 이상이며, 또한, 예를 들면, 1.5 이하, 바람직하게는 1.3 이하, 보다 바람직하게는 1.25 이하이다.
광 확산성 유기 입자의 함유 비율은, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 대해서, 1질량% 이상 10질량% 이하이다. 광 확산성 유기 입자의 함유 비율이 상기 하한에 미치지 않는 경우, 또는, 광 확산성 유기 입자의 함유 비율이 상기 상한을 초과하는 경우에는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 있어서의 광의 취출 효율을 효율적으로 향상시킬 수 없다.
또한, 광 확산성 유기 입자의 함유 비율은, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 대해서, 바람직하게는 5질량% 이상이다. 상기한 광 확산성 유기 입자의 함유 비율이 상기 하한 이상이면, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 있어서의 광의 취출 효율을 효율적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 광 확산성 유기 입자의 함유 비율은, 봉지 수지 100질량부에 대해서, 예를 들면, 2질량부 이상, 바람직하게는 5질량부 이상, 보다 바람직하게는 10질량부 이상이며, 또한, 예를 들면, 30질량부 이하, 바람직하게는 22질량부 이하, 보다 바람직하게는 15질량부 이하이다.
(형광체)
형광체는, 파장 변환 기능을 갖고 있어, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 파장 변환 기능을 부여할 수 있다. 즉, 형광체는 본 발명의 광 반도체 소자 봉지 시트를 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)(후술)로 쓸 수 있다. 형광체로서는, 예를 들면, 청색광을 황색광으로 변환시킬 수 있는 황색 형광체, 청색광을 적색광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체 등을 들 수 있다.
황색 형광체로서는, 예를 들면, (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu, (Sr,Ba)2SiO4:Eu(바륨오쏘실리케이트(BOS)) 등의 실리케이트 형광체, 예를 들면, Y3Al5O12:Ce(YAG(이트륨·알루미늄·가넷):Ce), Tb3Al3O12:Ce(TAG(터븀·알루미늄·가넷):Ce) 등의 가넷형 결정 구조를 갖는 가넷형 형광체, 예를 들면, Ca-α-SiAlON 등의 산질화물 형광체 등을 들 수 있다.
적색 형광체로서는, 예를 들면, CaAlSiN3:Eu, CaSiN2:Eu 등의 질화물 형광체 등을 들 수 있다.
형광체의 형상으로서는, 예를 들면, 구상, 판상, 바늘상 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 유동성의 관점에서, 구상을 들 수 있다.
형광체의 최대 길이의 평균값(구상인 경우에는, 평균 입자경)은, 예를 들면, 0.1μm 이상, 바람직하게는 1μm 이상이며, 또한, 예를 들면, 200μm 이하, 바람직하게는 100μm 이하여도 된다.
형광체의 비중은, 예를 들면, 2.0을 초과하고, 또한, 예를 들면, 9.0 이하이다.
형광체는 단독 사용 또는 병용할 수 있다.
형광체의 배합 비율은, 봉지 수지 100질량부에 대해서, 예를 들면, 0.1질량부 이상, 바람직하게는 0.5질량부 이상이며, 예를 들면, 80질량부 이하, 바람직하게는 50질량부 이하이다.
추가로, 상기한 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에는, 필요에 따라, 실레인 커플링제, 노화 방지제, 변성제, 계면활성제, 염료, 안료, 무기 입자(실리카 등의 광 확산성 무기 입자를 포함한다), 변색 방지제, 자외선 흡수제 등의 공지의 첨가물을 적절한 비율로 첨가할 수 있다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 조제하기 위해서는, 봉지 수지와, 광 확산성 유기 입자와, 형광체와, 필요에 따라 첨가제를 상기한 배합 비율로 배합하여 혼합한다. 이에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 바니시로서 조제한다.
한편, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물은, 필요에 따라서, 그 조제 후에 탈포된다. 탈포 방법으로서는, 예를 들면, 교반 탈포, 감압 탈포(진공 탈포), 원심 탈포, 초음파 탈포 등의 공지의 탈포 방법을 들 수 있다.
[광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트의 제조 방법]
도 1A 및 도 1B에 있어서, 지면 상측을 상측(제 1 방향 한쪽 측, 두께 방향 한쪽 측), 지면 하측을 하측(제 1 방향 다른 쪽 측, 두께 방향 다른 쪽 측)으로 한다. 도 1A 및 도 1B 이외의 도면에 대해서도, 도 1A 및 도 1B의 방향을 기준으로 한다.
도 1A 및 도 1B를 참조하여, 상기한 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로부터 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 시트상으로 성형하여 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
(제 1 박리 시트(2))
이 방법에서는, 우선, 도 1A에 나타내는 바와 같이, 제 1 박리 시트(2)를 준비한다.
제 1 박리 시트(2)는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 이면(도 1A에 있어서의 상면)을 피복하여 보호하는 보호 시트나, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물(바니시)의 도공 기재로서 이용된다.
제 1 박리 시트(2)는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)(도 1B)를 봉지하기까지의 동안에, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 보호하기 위해서, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 표면(도 1A에 있어서의 상면)에 박리 가능하게 첩착되어 있다. 즉, 제 1 박리 시트(2)는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 출하·반송·보관 시에 있어서, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 이면(도 1A에 있어서의 상면)을 피복하도록 적층되고, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 사용 직전에 있어서, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 이면으로부터 대략 U자상으로 만곡되도록 잡아 뗄 수 있는, 수지로 형성되는 가요성 필름이다. 즉, 제 1 박리 시트(2)는 가요성 필름만으로 이루어진다. 또한, 가요성 필름의 첩착면은, 필요에 따라 박리 처리되어 있다.
제 1 박리 시트(2)로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리에스터 필름(예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름), 폴리카보네이트 필름, 폴리올레핀 필름(예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름), 폴리스타이렌 필름, 아크릴 필름, 실리콘 수지 필름, 불소 수지 필름 등의 수지 시트, 예를 들면, 유리 플레이트 등의 이형 플레이트를 들 수 있다.
한편, 제 1 박리 시트(2)의 표면(광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 형성되는 측의 면, 도 1A에 있어서의 하면)에는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라, 박리 처리가 실시되어 있다.
제 1 박리 시트(2)의 두께는, 예를 들면, 취급성, 비용의 관점에서, 예를 들면, 20∼100μm이다.
(광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1))
다음으로, 이 방법에서는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를, 제 1 박리 시트(2)의 표면에 배치한다. 구체적으로는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 제 1 박리 시트(2)의 하면에 적층한다.
상세히는, 예를 들면, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물(바니시)을, 제 1 박리 시트(2)의 표면(하면)에, 예를 들면, 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들면, 애플리케이터, 캐스트, 스핀, 롤 등의 공지의 도포 방법을 들 수 있다.
그 후, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물이 B 스테이지 상태가 될 수 있는 열경화성 수지를 포함하는 경우에는, 열경화성 수지를 반경화시킨다. 구체적으로는, 가열에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 경화(반경화)시킨다.
즉, A 스테이지의 열경화성 수지를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 B 스테이지화한다. 가열 조건으로서, 온도가 70℃ 이상, 바람직하게는 80℃ 이상이며, 또한, 120℃ 이하, 바람직하게는 100℃ 이하이다. 시간이, 예를 들면, 5분 이상, 바람직하게는 8분 이상이며, 또한, 예를 들면, 30분 이하, 바람직하게는 20분 이하이다.
이에 의해, 제 1 박리 시트(2)의 표면(도 1A에 있어서의 하면)에, 고체상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 배치된다.
이에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 제조된다. 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 상기한 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 시트상으로 성형한 성형체이다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 바람직하게는, 봉지 수지가 B 스테이지 상태가 될 수 있는 열경화성 수지를 포함하는 경우에는, 반경화 상태(B 스테이지 상태)의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로부터 시트상으로 형성되어 있다. 또, 바람직하게는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는 열가소성 및 열경화성을 병유한다. 즉, B 스테이지의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 가열에 의해, 일단 가소화된 후, 경화될 수 있다.
또한, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에서는, 광 확산성 유기 입자 및 형광체가, 매트릭스로서의 봉지 수지 중에 균일하게 분산되어 있다.
또, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 전후 방향(상하 방향에 직교하는 방향) 및 좌우 방향(상하 방향 및 전후 방향에 직교하는 방향)으로 연장되어, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖고 있다. 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는 제 1 박리 시트(2)의 하면 전면에 배치되어 있다.
또한, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 후술하는 광 반도체 장치(10)(도 1B 참조) 및 봉지 광 반도체 소자(9)(도 2B 참조)는 아니고, 광 반도체 장치(10) 및 봉지 광 반도체 소자(9)의 일 부품, 즉, 광 반도체 장치(10) 및 봉지 광 반도체 소자(9)를 제작하기 위한 부품이며, 광 반도체 소자(5) 및 광 반도체 소자(5)를 탑재하는 기판(6)을 포함함이 없이 구성되어 있다.
그 때문에, 제 1 박리 시트(2) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비하는 봉지 부재(3)는, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
즉, 봉지 부재(3)는 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장되는 대략 직사각형 평판상으로 형성되어 있다. 봉지 부재(3)는 광 반도체 소자(5) 및/또는 기판(6)을 포함하지 않고, 바람직하게는 제 1 박리 시트(2)와 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)로 이루어진다.
B 스테이지의 봉지 수지를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로부터 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 형성되는 경우에 있어서, B 스테이지의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 80℃의 전단 저장 탄성률 G'는, 예를 들면, 3Pa 이상, 바람직하게는 12Pa 이상이며, 또한, 예를 들면, 140Pa 이하, 바람직하게는 70Pa 이하이다. 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 80℃의 전단 저장 탄성률 G'는, 주파수 1Hz, 승온 속도 20℃/분, 온도 범위 20∼150℃의 조건에 있어서의 동적 점탄성 측정으로 얻어진다.
또한, 두께 600μm일 때에 있어서의, 파장 460nm의 광에 대한 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 투과율은, 예를 들면, 70% 이상, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 90% 이상, 더 바람직하게는 95% 이상이며, 또한, 예를 들면, 100% 이하이다. 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 투과율은, 예를 들면, 적분구를 이용하여 측정된다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 두께는, 예를 들면, 10μm 이상, 바람직하게는 50μm 이상이며, 또한, 예를 들면, 1000μm 이하, 바람직하게는 500μm 이하이다.
한편, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 광 반도체 소자(5)의 치수, 형상, 배치, 개수 등에 따라, 적절한 치수 및/또는 형상으로 가공(예를 들면, 커팅 등)된다.
그리고, 이 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 다음에 설명하는 광 반도체 소자(5)의 봉지에 사용된다.
[광 반도체 장치의 제조 방법]
다음으로, 도 1A에 나타내는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 이용해서 광 반도체 소자(5)를 봉지하여 광 반도체 장치(10)를 제조하는 방법에 대해서 도 1B를 참조하여 설명한다.
(실장 기판의 준비)
광 반도체 장치(10)의 제조 방법에서는, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 우선, 실장 기판(4)을 준비한다.
실장 기판(4)은, 기판(6)과, 기판(6)에 실장되는 광 반도체 소자(5)를 구비한다.
기판(6)은, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장되는 대략 직사각형 평판상을 이루며, 예를 들면, 절연 기판이다. 또한, 기판(6)은, 상면에 배치되는 단자(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 기판(6)의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이는 적절히 설정된다.
광 반도체 소자(5)는, 예를 들면, LED 또는 LD 등의 광학 소자이고, 바람직하게는 청색광을 발광하는 광학 소자(구체적으로는, 청색 LED)이다. 광 반도체 소자(5)는, 전후 방향 및 좌우 방향을 따르는 대략 평판상으로 형성되어 있다. 또한 광 반도체 소자(5)는, 평면시 대략 직사각형상을 이루어, 상하 방향 및 전후 방향을 따르는 단면 형상, 및 상하 방향 및 좌우 방향을 따르는 단면 형상이, 대략 직사각형상으로 형성되어 있다. 광 반도체 소자(5)는, 기판(6)의 상면에 대해서 플립 칩 실장되거나, 또는, 와이어 본딩 접속되어 있다. 광 반도체 소자(5)의 (상하 방향 길이)는, 예를 들면, 0.1μm 이상, 바람직하게는 0.2μm 이상이며, 또한, 예를 들면, 500μm 이하, 바람직하게는 200μm 이하이다. 광 반도체 소자(5)의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이는 적절히 설정된다. 광 반도체 소자(5)의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이는, 기판(6)의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이보다 짧게 조정되어 있다.
다음으로, 이 방법에서는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)를 피복한다. 구체적으로는, 봉지 부재(3)의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)를 매설한다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이는, 기판(6)의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이보다 짧게, 또한, 광 반도체 소자(5)의 전후 방향 길이 및 좌우 방향 길이보다 길게 조정되어 있다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 B 스테이지 상태의 열경화성 수지를 함유하고, 열가소성 및 열경화성을 병유하는 경우에는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)를 매설한다. 구체적으로는, 열프레스에 의해, 우선, B 스테이지 상태의 열경화성 수지를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 가소화한다. 이어서, 가소화한 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)(가 함유하는 열경화성 수지)가 가열에 의해 완전 경화(C 스테이지화)된다.
열프레스의 온도는, 예를 들면, 열가소·열경화성 실리콘 수지의 열가소 온도 또는 그 이상이고, 바람직하게는 열가소 및 열경화를 한번에 실시하는 관점에서, 열경화 온도 또는 그 이상이고, 구체적으로는, 예를 들면, 60℃ 이상, 바람직하게는 70℃ 이상이며, 또한, 예를 들면, 150℃ 이하, 바람직하게는 120℃ 이하이다. 열프레스의 시간은, 예를 들면, 1분간 이상, 바람직하게는 3분간 이상이며, 또한, 예를 들면, 20분간 이하, 바람직하게는 15분간 이하이다. 또한, 프레스압은, 예를 들면, 0.1MPa 이상, 바람직하게는 0.3MPa 이상이며, 또한, 예를 들면, 5MPa 이하, 바람직하게는 3MPa 이하이다.
한편, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 B 스테이지 상태의 열경화성 수지를 함유하고, 열가소성 및 열경화성을 병유하지 않는 경우(열경화성만을 갖는 경우)에는, 우선, 도시하지 않는 공지의 점착제를 이용하여, B 스테이지 상태의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 광 반도체 소자(5) 및 기판(6)에 첩착(접착)한다. 점착제의 두께는, 예를 들면, 50μm 이하, 바람직하게는 30μm 이하이며, 또한, 예를 들면, 10μm 이상이다. 그 후, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비하는 봉지 부재(3)와 실장 기판(4)을 가열한다. 가열 온도는, 예를 들면, 90℃ 이상, 바람직하게는 105℃ 이상이며, 또한, 예를 들면, 160℃ 이하, 바람직하게는 150℃ 이하이다. 가열 시간은, 예를 들면, 10분간 이상, 바람직하게는 30분간 이상이며, 또한, 예를 들면, 120분간 이하, 바람직하게는 60분간 이하이다.
이에 의해, B 스테이지 상태의 봉지 수지가 C 스테이지화(완전 경화)된다. 즉, B 스테이지 상태의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 C 스테이지화(완전 경화)된다.
(생성물)
봉지 수지가 페닐계 실리콘 수지 조성물을 포함하는 경우에 있어서, 페닐계 실리콘 수지 조성물의 반응(C 스테이지화 반응)에서는, 알켄일기 함유 폴리실록세인의 알켄일기 및/또는 사이클로알켄일기와, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 하이드로실릴기의 하이드로실릴 부가 반응이 더 촉진된다. 그 후, 알켄일기 및/또는 사이클로알켄일기, 또는, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인의 하이드로실릴기가 소실되어, 하이드로실릴 부가 반응이 완결되는 것에 의해, C 스테이지의 페닐계 실리콘 수지 조성물의 생성물, 즉, 경화물이 얻어진다. 즉, 하이드로실릴 부가 반응의 완결에 의해, 페닐계 실리콘 수지 조성물에 있어서 경화성(구체적으로는, 열경화성)이 발현된다.
상기한 생성물은 하기 평균 조성식(3)으로 표시된다.
평균 조성식(3):
R5 eSiO(4-e)/2
(식 중, R5는, 페닐기를 포함하는, 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기(단, 알켄일기 및 사이클로알켄일기를 제외한다.)를 나타낸다. e는 0.5 이상 2.0 이하이다.)
R5로 표시되는 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기로서는, 식(1)의 R2로 표시되는 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기, 및 식(2)의 R3으로 표시되는 비치환 또는 치환된 탄소수 1∼10의 1가의 탄화수소기와 동일한 것이 예시된다. 바람직하게는 비치환된 1가의 탄화수소기, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기를 들 수 있고, 더 바람직하게는 페닐기 및 메틸기의 병용을 들 수 있다.
e는, 바람직하게는 0.7 이상 1.0 이하이다.
그리고, 생성물의 평균 조성식(3)의 R5에 있어서의 페닐기의 함유 비율은, 예를 들면, 30몰% 이상, 바람직하게는 35몰% 이상이며, 또한, 예를 들면, 55몰% 이하, 바람직하게는 50몰% 이하이다.
생성물의 평균 조성식(3)의 R5에 있어서의 페닐기의 함유 비율이 상기한 하한에 미치지 않는 경우에는, B 스테이지의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)(도 1A 참조)의 열가소성을 확보할 수 없어, 즉, 후술하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 80℃의 전단 저장 탄성률 G'가 희망 범위를 초과하기 때문에, 광 반도체 소자(5)를 확실히 매설하여 봉지할 수 없는 경우가 있다.
한편, 생성물의 평균 조성식(3)의 R5에 있어서의 페닐기의 함유 비율이 상기한 상한 이하이면, C 스테이지의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)(도 1A 참조)의 가요성의 저하를 방지할 수 있다.
생성물의 평균 조성식(3)의 R5에 있어서의 페닐기의 함유 비율은, 생성물의 규소 원자에 직접 결합하는 1가의 탄화수소기(평균 조성식(3)에 있어서 R5로 표시된다)에 있어서의 페닐기 농도이다.
생성물의 평균 조성식(3)의 R5에 있어서의 페닐기의 함유 비율은, 1H-NMR 및 29Si-NMR에 의해 산출된다. R5에 있어서의 페닐기의 함유 비율의 산출 방법의 상세는, 후술하는 실시예에 있어서 기재되고, 또한, 예를 들면, WO 2011/125463 등의 기재에 기초하여, 1H-NMR 및 29Si-NMR에 의해 산출된다.
그 후, 도 1B의 화살표로 나타내는 바와 같이, 제 1 박리 시트(2)를 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)로부터 박리한다. 구체적으로는, 제 1 박리 시트(2)를, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 상면으로부터 대략 U자상으로 만곡되도록 잡아 뗀다.
이에 의해, 기판(6)과, 기판(6)에 실장되는 광 반도체 소자(5)와, 광 반도체 소자(5)를 봉지하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비하는 광 반도체 장치(10)가 얻어진다. 바람직하게는, 광 반도체 장치(10)는 제 1 박리 시트(2)를 포함하지 않고, 기판(6)과, 광 반도체 소자(5)와, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)로 이루어진다.
그리고, 이 광 반도체 장치(10)에서는, 기판(6)의 단자로부터 광 반도체 소자(5)에 전기 에너지가 입력되어, 광 반도체 소자(5)가 발광한다. 그렇게 되면, 광 반도체 소자(5)로부터 발광된 광은, 봉지 수지를 투과하여, 광 확산성 유기 입자에 의해 확산된다. 또한, 광의 일부는, 형광체에 의해 파장 변환된다. 그리고, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 확산되고 파장 변환된 광은, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 상방 및 측방(전후 방향 및 좌우 방향)으로 방사된다.
(작용 효과)
그리고, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로부터 시트상으로 성형된 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의하면, 봉지 수지의 굴절률 ne와 광 확산성 유기 입자의 굴절률 nl의 차(ne-nl)의 절대값(｜ne-nl｜)이 특정 범위 내이며, 또한, 광 확산성 유기 입자의 함유 비율이 특정 범위 내에 있고, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 광 반도체 소자(5)의 봉지에 사용되므로, 광 반도체 소자(5)로부터 발광되는 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
이 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의하면, 광 확산성 유기 입자가 유기 재료로 이루어지므로, 광 확산성 유기 입자의 비중을 봉지 수지의 비중에 근접시킬 수 있다. 그 때문에, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물, 나아가서는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 있어서, 광 확산성 유기 입자를 봉지 수지에 균일하게 분산시킬 수 있다. 그 때문에, 광의 취출 효율을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
이 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의하면, 광 반도체 소자(5)로부터 발광된 광을, 형광체에 의해 파장 변환시킬 수 있다. 그 때문에, 고에너지의 광을 조사할 수 있다.
또한, 이 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 성형하는 것에 의해 얻어지므로, 광 반도체 소자(5)를 확실히 봉지하면서, 광 반도체 소자(5)로부터 발광되는 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또, 이 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 시트상으로 성형하는 것에 의해 얻어지므로, 운반성이 우수하다. 즉, 제 1 박리 시트(2) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 함께, 전후 방향으로 연장되는 장척상으로 형성하여도, 롤상으로 컴팩트하게 제조할 수 있고, 그 때문에, 운반성이 우수하다. 또, 제 1 박리 시트(2) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비하는 봉지 부재(3)를 롤상으로 제조하면, 롤-투-롤법을 채용할 수 있고, 그 때문에, 생산성이 우수하다.
이 광 반도체 장치(10)는, 광의 취출 효율이 우수한 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 가지므로, 발광 특성이 우수하다.
[변형예]
변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
상기한 일 실시형태에서는, 본 발명의 광 반도체 소자 봉지 조성물 및 광 반도체 소자 봉지 시트의 일 실시형태로서, 형광체를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 들어 설명하고 있지만, 예를 들면, 파장 변환 기능을 갖지 않는 광 반도체 소자 봉지 조성물 및 광 반도체 소자 봉지 시트(1)로 할 수도 있다. 즉, 상기한 일 실시형태에서는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를, 형광체를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로부터 시트상으로 형성하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 형광체를 함유하지 않는 광 반도체 소자 봉지 조성물로부터 시트상으로 형성할 수 있다.
즉, 광 반도체 소자 봉지 조성물은 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하고 있다.
또한, 도 1B에 나타내지 않지만, 광 반도체 장치(10)에 있어서, 광 반도체 소자 봉지 시트(1)의 상면에, 별도로, 형광체를 함유하는 파장 변환 시트를 배치할 수도 있다.
상기의 변형예에 의해서도, 상기한 일 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 나타낼 수 있다.
바람직하게는, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 형광체를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1), 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비하는 광 반도체 장치(10)를 들 수 있다.
이 실시형태에 의하면, 별도로, 파장 변환 시트를 설치할 필요가 없으므로, 구성을 간단히 할 수 있어, 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 상기한 일 실시형태에 있어서, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가 B 스테이지 상태의 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 상기한 점착제를 이용함이 없이, B 스테이지 상태의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)를 매설하고 있다. 그러나, 예를 들면, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 C 스테이지 상태로 미리 조제하고, 이에 의해, 점착제를 이용하여 광 반도체 소자(5)에 첩착할 수도 있다.
바람직하게는, B 스테이지의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)를 매설한다. 이 실시형태에 의하면, 점착제를 이용할 필요가 없으므로, 구성을 간단히 할 수 있어, 제조 비용을 저감할 수 있다.
상기한 일 실시형태에서는, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해, 기판(6)에 미리 실장된 광 반도체 소자(5)를 봉지하고 있지만, 예를 들면, 도 2A 및 도 2B에 나타내는 바와 같이, 기판(6)(도 2C 참조)에 아직 실장되지 않고 제 2 박리 시트(8)에 배치된 광 반도체 소자(5)를 봉지할 수도 있다.
이 광 반도체 장치(10)의 제조 방법에서는, 도 2A에 나타내는 바와 같이, 우선, 상기한 봉지 부재(3)를 준비한다.
또한, 별도로 소자 부재(7)를 준비한다.
소자 부재(7)는, 제 2 박리 시트(8)와, 제 2 박리 시트(8)의 표면(상면)에 배치되는 광 반도체 소자(5)를 구비한다.
제 2 박리 시트(8)는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)를 피복해서 봉지하여, 봉지 광 반도체 소자(9)를 얻은 후, 봉지 광 반도체 소자(9)를 박리하기까지의 동안에, 봉지 광 반도체 소자(9)의 광 반도체 소자(5)(도 2B 참조)를 보호하기 위해서, 봉지 광 반도체 소자(9)에 있어서의 광 반도체 소자(5)의 이면(도 2B에 있어서의 하면)에 박리 가능하게 첩착되어 있다. 즉, 제 2 박리 시트(8)는, 봉지 광 반도체 소자(9)의 출하·반송·보관 시에 있어서, 광 반도체 소자(5)를 지지하고, 광 반도체 소자(5)의 이면(도 2B에 있어서의 하면)을 피복하도록, 광 반도체 소자(5)의 이면에 적층되고, 광 반도체 소자(5)의 기판(6)에 대한 실장 직전에 있어서, 도 2B의 가상선으로 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(9)를 잡아 뗄 수 있는 가요성 필름이다. 즉, 제 2 박리 시트(8)는 가요성 필름만으로 이루어진다.
제 2 박리 시트(8)는, 상기한 제 1 박리 시트(2)와 마찬가지의 재료로 형성되어 있다. 또한, 제 2 박리 시트(8)를, 가열에 의해 봉지 광 반도체 소자(9)가 용이하게 박리될 수 있는 열박리 시트로 형성할 수도 있다.
도 2A에 나타내는 바와 같이, 다음으로, 봉지 부재(3)와 소자 부재(7)를, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)와 광 반도체 소자(5)가 마주 보도록, 대향 배치한다.
도 2B에 나타내는 바와 같이, 이어서, 봉지 부재(3)를 소자 부재(7)에 대해서 근접시켜, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 광 반도체 소자(5)를 매설한다. 한편, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)는, 광 반도체 소자(5)로부터 노출되는 제 2 박리 시트(8)의 상면에도 배치된다.
이에 의해, 도 2B의 실선으로 나타내는 바와 같이, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)와, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)에 의해 피복되어 봉지되는 광 반도체 소자(5)와, 광 반도체 소자(5) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 하면에 배치되는 제 2 박리 시트(8)와, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 상면에 배치되는 제 1 박리 시트(2)를 구비하는 박리 시트 부착 봉지 광 반도체 소자(11)가 얻어진다.
박리 시트 부착 봉지 광 반도체 소자(11)는, 봉지 광 반도체 소자(9)와, 제 2 박리 시트(8) 및 제 1 박리 시트(2)를 포함하고 있고, 광 반도체 장치(10)를 제작하기 위한 부품이며, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
봉지 광 반도체 소자(9)는, 광 반도체 소자(5)와, 광 반도체 소자(5)를 봉지하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비한다. 구체적으로는, 봉지 광 반도체 소자(9)는 제 2 박리 시트(8) 및/또는 제 1 박리 시트(2)를 포함하지 않고, 바람직하게는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)와 광 반도체 소자(5)로 이루어진다.
그 후, 제 1 박리 시트(2)를, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)의 상면으로부터 박리한다. 이에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1) 및 광 반도체 소자(5)를 구비하는 봉지 광 반도체 소자(9)가 얻어진다. 봉지 광 반도체 소자(9)는 제 1 박리 시트(2)를 포함하지 않고, 바람직하게는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1) 및 광 반도체 소자(5)로 이루어진다.
그 후, 도 2B의 화살표로 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(9)를, 제 2 박리 시트(8)로부터 박리한다. 구체적으로는, 봉지 광 반도체 소자(9)를, 제 2 박리 시트(8)로부터 상측을 향해 잡아 뗀다. 봉지 광 반도체 소자(9)도, 광 반도체 장치(10)를 제작하기 위한 부품이며, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
다음으로, 도 2C에 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(9)를 기판(6)에 실장한다. 구체적으로는, 봉지 광 반도체 소자(9)의 광 반도체 소자(5)의 단자(도시하지 않음)를, 기판(6)의 단자(도시하지 않음)와 접촉시켜, 전기적으로 접속시킨다.
이에 의해, 기판(6)과, 기판(6)에 실장되는 봉지 광 반도체 소자(9)를 구비하는 광 반도체 장치(10)를 얻는다. 바람직하게는, 광 반도체 장치(10)는 기판(6)과 봉지층 피복 광 반도체 소자(10)로 이루어진다. 즉, 광 반도체 장치(10)는 제 2 박리 시트(8)를 포함하지 않고, 바람직하게는, 기판(6)과, 광 반도체 소자(5)와, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)로 이루어진다.
그리고, 도 2A∼도 2C에서 나타내는 변형예에 의해서도, 상기한 일 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 나타낼 수 있다.
또한, 상기한 일 실시형태에서는, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로부터 시트상으로 성형된 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1) 및 제 1 박리 시트(2)를 구비하는 봉지 부재(3)를 제작하여, 봉지 부재(3)에 의해 광 반도체 소자(5)를 봉지하고 있지만, 예를 들면, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 실장 기판(4)에 직접 배치할 수도 있다.
이 방법에서는, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 우선, 광 반도체 소자(5) 및 기판(6)을 구비하는 실장 기판(4)을 준비한다.
다음으로, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 액상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을, 광 반도체 소자(5)를 피복하도록 기판(6) 상에 배치한다. 액상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물은 A 스테이지 상태이며, 그의 25℃에서의 점도는, 예를 들면, 1,000mPa·s 이상, 바람직하게는 3,000mPa·s 이상, 보다 바람직하게는 5,000mPa·s 이상이며, 또한, 예를 들면, 1,000,000mPa·s 이하, 바람직하게는 500,000mPa·s 이하, 보다 바람직하게는 200,000mPa·s 이하이다.
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을, 광 반도체 소자(5)를 피복하도록 기판(6)에 배치하기 위해서는, 예를 들면, 액상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 도포한다. 액상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 도포하기 위해서는, 예를 들면, 디스펜서, 애플리케이터, 슬릿트 다이 코터 등의 도포 장치를 들 수 있다.
이에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로 이루어지는 피막(13)이 형성된다.
봉지 수지가 열경화성 수지인 경우에는, 피막(13)은, 예를 들면, A 스테이지 상태의 열경화성 수지를 포함하는 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로 이루어진다. 그 때문에, 피막(13)은 A 스테이지 상태이다.
그 후, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물이 A 스테이지 상태의 열경화성 수지를 포함하는 경우에는, 피막(13)을 가열하여, C 스테이지화한다. 한편, C 스테이지화에서는, B 스테이지 상태를 얻음이 없이, 또는, B 스테이지 상태를 얻은 후, A 스테이지 상태로부터 C 스테이지 상태가 된다.
이에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 성형체로서의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)가, 기판(6) 상에서 광 반도체 소자(5)를 봉지하는 상태로 제작된다. 그리고, 기판(6), 광 반도체 소자(5) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비하는 광 반도체 장치(10)가 얻어진다.
또한, 도 3A의 변형예에서는, 실장 기판(4)이 하우징(14)을 구비하고 있지 않다. 한편, 도 4A에 나타내는 바와 같이, 실장 기판(4)이 하우징(14)을 구비할 수도 있다.
즉, 도 4A에 나타내는 바와 같이, 실장 기판(4)은, 기판(6), 광 반도체 소자(5) 및 하우징(14)을 구비하고 있다. 바람직하게는, 기판(6), 광 반도체 소자(5) 및 하우징(14)으로 이루어진다.
하우징(14)은, 기판(6) 상에 설치되며, 평면시 대략 직사각형 틀상 또는 평면시 대략 원환상(도 4A에서 하우징(14)의 평면시 형상이 도시되지 않음)으로 형성되어 있다. 하우징(14)은, 상방을 향하여 점차 협폭(狹幅)이 되는 대략 사다리꼴 통상으로 형성되어 있다. 하우징(14)은, 평면시에 있어서, 광 반도체 소자(5)를 둘러싸도록, 광 반도체 소자(5)의 외측에 간격을 두고 배치되어 있다.
그리고, 이 하우징(14)을 구비하는 실장 기판(4)의 광 반도체 소자(5)를 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물에 의해 봉지하기 위해서는, 우선, 도 4A에 나타내는 바와 같이, 기판(6), 광 반도체 소자(5) 및 하우징(14)을 구비하는 실장 기판(4)을 준비한다.
다음으로, 도 4B에 나타내는 바와 같이, 액상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을, 하우징(14) 내에 직접 배치한다. 바람직하게는, 액상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을, 하우징(14) 내에 폿팅한다.
이에 의해, 액상의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물로 이루어지는 피막(13)을 얻는다.
그 후, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물이 A 스테이지 상태의 열경화성 수지를 포함하는 경우에는, 피막(13)을 가열하여, C 스테이지화한다.
이에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 성형체(20)가, 기판(6) 상에서 광 반도체 소자(5)를 봉지하는 상태로 성형된다. 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 성형체(20)는, 광 반도체 소자(5)의 외형 및 하우징(14)의 내형에 대응하는 형상으로 형성되어 있다. 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 성형체(20)는, 구체적으로는, 상방을 향함에 따라 점차 광폭이 되는 대략 원뿔대상을 이루고, 하면에는, 광 반도체 소자(5)에 대응하는 오목부가 형성되어 있다.
그리고, 기판(6), 광 반도체 소자(5) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 성형체(20)를 구비하는 광 반도체 장치(10)가 얻어진다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 전혀 그들로 한정되지 않는다. 이하에 나타내는 실시예의 수치는, 상기의 실시형태에 있어서 기재되는 수치(즉, 상한값 또는 하한값)로 대체할 수 있다.
실시예 1(봉지 수지: 메틸계 실리콘 수지 조성물)
디스포절 컵에, 실리콘 수지 조성물(상품명 「ELASTOSIL LR7665」, 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, B 스테이지 상태가 될 수 없는 1단 반응 경화성 수지, 굴절률 1.410, 비중 1.02, 아사히화성왁카실리콘사제) 5.0g, YAG 형광체(상품명 「Y468」, 평균 입자경 17μm, 비중 4.58, 네모토·루미머티리얼사제) 4.5g, 및 가교 폴리메타크릴산 메틸 입자(상품명 「SSX-108」, 광 확산성 유기 입자, 굴절률 1.495, 비중 1.20, 평균 입자경 8μm, 세키스이화성품공업사제) 0.5g을 첨가하고, 스파튤라로 5분간 교반한 후, 추가로 교반기·탈포 장치(마제루스타, 구라보사제)로 교반 탈포를 3분간 실시했다. 이에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물(바니시)을 조제했다.
다음으로, 조제한 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을, 제 1 박리 시트(2)(폴리에스터 필름, 상품명 「SS4C」, 두께 100μm, 닛파사제)의 표면(하면)에, 애플리케이터(「베이커 애플리케이터-YBA형」, 눈금은 2.0∼3.0으로 조정, 요시미쓰정기사제)로 도포하여, 피막을 형성했다.
다음으로, 피막을 오븐 중에 넣고, 105℃에서 10분간 가열하는 것에 의해, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 완전 경화(C 스테이지화)시켜, 도 1A에 나타내는 바와 같이, C 스테이지의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)(막 두께 160∼235μm)를 제조했다. 즉, 제 1 박리 시트(2) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)로 이루어지는 봉지 부재(3)를 제조했다.
그 후, 펀치(직경 2mm)로 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 커팅했다. 도 1B에 나타내는 바와 같이, 기판(6) 및 기판(6)에 실장된 광 반도체 소자(5)(LED, Epistar, 치수 1.14mm×1.14mm, 두께 150μm, 에피스타사제)를 구비하는 실장 기판(4)을 준비했다. 다음으로, 측정 현미경으로, 봉지 부재(3)를 실장 기판(4)에 대해서 위치 맞추고, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 광 반도체 소자(5) 및 기판(6)에 대해서 점착제를 이용하여 첩착했다.
그 후, 제 1 박리 시트(2)를 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)로부터 박리했다.
이에 의해, 기판(6), 광 반도체 소자(5) 및 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 구비하는 광 반도체 장치(10)를 제작했다.
실시예 2∼7 및 비교예 1∼5, 7∼11(봉지 수지: 메틸계 실리콘 수지 조성물)
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물의 배합 처방을 표 1 및 표 2의 기재에 따라 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 조제하고, 다음으로, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 제조하고, 이어서, 광 반도체 장치(10)를 제작했다.
실시예 8(봉지 수지: 페닐계 실리콘 수지 조성물)
메틸계 실리콘 수지 조성물(B 스테이지 상태가 될 수 없는 1단 반응 경화성 수지) 대신에 페닐계 실리콘 수지 조성물(B 스테이지 상태가 될 수 있는 1단 반응 경화성 수지)을 이용하여 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 조제하고, 또한, 점착제를 이용함이 없이 열프레스에 의해 B 스테이지의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 C 스테이지화한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여, 광 반도체 장치(10)를 제작했다.
즉, 페닐계 실리콘 수지 조성물을, 하기의 합성예 및 조제예에 따라 조제했다.
(합성예 1)
교반기, 환류 냉각관, 투입구 및 온도계가 장비된 4구 플라스크에, 1,3-다이바이닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록세인 93.2g, 물 140g, 트라이플루오로메테인설폰산 0.38g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 교반하면서 메틸페닐다이메톡시실레인 729.2g과 페닐트라이메톡시실레인 330.5g의 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하하고, 그 후, 1시간 가열 환류했다. 그 후, 냉각하고, 하층(수층)을 분리하여 제거하고, 상층(톨루엔 용액)을 3회 수세했다. 수세한 톨루엔 용액에 수산화칼륨 0.40g을 가하고, 물 분리관으로부터 물을 제거하면서 환류했다. 물의 제거 완료 후, 추가로 5시간 환류하고, 냉각했다. 그 후, 아세트산 0.6g을 투입하여 중화시킨 후, 여과하여 얻어진 톨루엔 용액을 3회 수세했다. 그 후, 감압 농축하는 것에 의해, 액체상의 알켄일기 함유 폴리실록세인 A를 얻었다. 알켄일기 함유 폴리실록세인 A의 평균 단위식 및 평균 조성식은 이하와 같다.
평균 단위식:
((CH2=CH)(CH3)2SiO1 /2)0.15(CH3C6H5SiO2 /2)0.60(C6H5SiO3 /2)0.25
평균 조성식:
(CH2=CH)0.15(CH3)0.90(C6H5)0.85SiO1 .05
즉, 알켄일기 함유 폴리실록세인 A는, R1이 바이닐기, R2가 메틸기 및 페닐기이며, a=0.15, b=1.75인 상기 평균 조성식(1)로 표시된다.
또한, 겔 투과 크로마토그래피에 의해, 알켄일기 함유 폴리실록세인 A의 폴리스타이렌 환산된 중량 평균 분자량을 측정한 바, 2300이었다.
(합성예 2)
교반기, 환류 냉각관, 투입구 및 온도계가 장비된 4구 플라스크에, 1,3-다이바이닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록세인 93.2g, 물 140g, 트라이플루오로메테인설폰산 0.38g 및 톨루엔 500g을 투입하여 혼합하고, 교반하면서 다이페닐다이메톡시실레인 173.4g과 페닐트라이메톡시실레인 300.6g의 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하하고, 적하 종료 후, 1시간 가열 환류했다. 그 후, 냉각하고, 하층(수층)을 분리하여 제거하고, 상층(톨루엔 용액)을 3회 수세했다. 수세한 톨루엔 용액에 수산화칼륨 0.40g을 가하고, 물 분리관으로부터 물을 제거하면서 환류했다. 물의 제거 완료 후, 추가로 5시간 환류하고, 냉각했다. 아세트산 0.6g을 투입하여 중화시킨 후, 여과하여 얻어진 톨루엔 용액을 3회 수세했다. 그 후, 감압 농축하는 것에 의해, 액체상의 알켄일기 함유 폴리실록세인 B를 얻었다. 알켄일기 함유 폴리실록세인 B의 평균 단위식 및 평균 조성식은 이하와 같다.
평균 단위식:
(CH2=CH(CH3)2SiO1 /2)0.31((C6H5)2SiO2 /2)0.22(C6H5SiO3 /2)0.47
평균 조성식:
(CH2=CH)0.31(CH3)0.62(C6H5)0.91SiO1 .08
즉, 알켄일기 함유 폴리실록세인 B는, R1이 바이닐기, R2가 메틸기 및 페닐기이며, a=0.31, b=1.53인 상기 평균 조성식(1)로 표시된다.
또한, 겔 투과 크로마토그래피에 의해, 알켄일기 함유 폴리실록세인 B의 폴리스타이렌 환산된 중량 평균 분자량을 측정한 바, 1000이었다.
(합성예 3)
교반기, 환류 냉각관, 투입구 및 온도계가 장비된 4구 플라스크에, 다이페닐다이메톡시실레인 325.9g, 페닐트라이메톡시실레인 564.9g, 및 트라이플루오로메테인설폰산 2.36g을 투입하여 혼합하고, 1,1,3,3-테트라메틸다이실록세인 134.3g을 가하고, 교반하면서 아세트산 432g을 30분에 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 혼합물을 교반하면서 50℃로 승온하여 3시간 반응시켰다. 실온까지 냉각한 후, 톨루엔과 물을 가하고, 잘 혼합하여 정치하고, 하층(수층)을 분리하여 제거했다. 그 후, 상층(톨루엔 용액)을 3회 수세한 후, 감압 농축하는 것에 의해, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인 C(가교제 C)를 얻었다.
하이드로실릴기 함유 폴리실록세인 C의 평균 단위식 및 평균 조성식은 이하와 같다.
평균 단위식:
(H(CH3)2SiO1 /2)0.33((C6H5)2SiO2 /2)0.22(C6H5PhSiO3 /2)0.45
평균 조성식:
H0 .33(CH3)0.66(C6H5)0.89SiO1 .06
즉, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인 C는, R3이 메틸기 및 페닐기이며, c=0.33, d=1.55인 상기 평균 조성식(2)로 표시된다.
또한, 겔 투과 크로마토그래피에 의해, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인 C의 폴리스타이렌 환산된 중량 평균 분자량을 측정한 바, 1000이었다.
(조제예 1)
알켄일기 함유 폴리실록세인 A(합성예 1) 20g, 알켄일기 함유 폴리실록세인 B(합성예 2) 25g, 하이드로실릴기 함유 폴리실록세인 C(합성예 3, 가교제 C) 25g, 및 백금 카보닐 착체(상품명 「SIP6829.2」, Gelest사제, 백금 농도 2.0질량%) 5mg을 혼합하여, 굴절률 1.565의 페닐계 실리콘 수지 조성물을 조제했다.
또한, 열프레스에서는, 가열 온도가 90℃, 가열 시간이 10분간, 프레스압이 1.0MPa였다. 열프레스에 의해, B 스테이지 상태의 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물은, 일단 열가소화되어 광 반도체 소자(5)를 피복하고, 계속해서, 열경화(C 스테이지화)되었다.
실시예 9 및 비교예 6(봉지 수지: 페닐계 실리콘 수지 조성물)
광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물의 배합 처방을 표 1 및 표 2의 기재에 따라 변경한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 처리하여, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 조성물을 조제하고, 다음으로, 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(1)를 제조하고, 이어서, 광 반도체 장치(10)를 제작했다.
(실리콘 수지 조성물의 경화 상태의 굴절률의 평가)
메틸계 실리콘 수지 조성물 및 페닐계 실리콘 수지 조성물의 각각에 대하여, 경화 상태의 굴절률을 측정했다.
구체적으로는, 메틸계 실리콘 수지 조성물 및 페닐계 실리콘 수지 조성물의 각각을 단독으로, 즉, 광 확산성 유기 입자 및 형광체를 함유하지 않고, 100℃ 1시간으로 반응(완전 경화, C 스테이지화)시켜, 경화물을 얻었다. 다음으로, 얻어진 경화물을 아베 굴절률계에 의해 측정했다.
그 후, 메틸계 실리콘 수지 조성물의 경화물의 굴절률은 1.410이며, 페닐계 실리콘 수지 조성물의 경화물의 굴절률은 1.565였다.
(페닐계 실리콘 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물의 탄화수소기(R5)에 있어서의 페닐기의 함유 비율의 측정)
페닐계 실리콘 수지 조성물(즉, 광 확산성 유기 입자가 포함되어 있지 않은 페닐계 실리콘 수지 조성물)의 반응에 의해 얻어지는 경화물 중, 규소 원자에 직접 결합하는 탄화수소기(평균 조성식(3)의 R5)에 있어서의 페닐기의 함유 비율(몰%)을 1H-NMR 및 29Si-NMR에 의해 산출했다.
구체적으로는, A 스테이지의 페닐계 실리콘 수지 조성물을, 광 확산성 유기 입자 및 형광체를 첨가하지 않고 100℃ 1시간으로 반응(완전 경화, C 스테이지화)시켜, 경화물(완전 경화 상태)을 얻었다.
다음으로, 얻어진 경화물의 1H-NMR 및 29Si-NMR를 측정함으로써, 규소 원자에 직접 결합하고 있는 탄화수소기(R5)에 있어서의 페닐기가 차지하는 비율(몰%)을 산출했다.
그 결과, 48몰%였다.
(전광속 및 그 향상 효과)
<전광속>
각 실시예 및 각 비교예의 광 반도체 장치(10)의 전광속을, 순간 멀티 측광 시스템(MCPD-9800, 오쓰카전자사제)에 의해 측정했다. 측정 조건은 이하와 같다.
전류값: 300mA
전압: 3.5V
노광 시간: 19ms
적산 횟수: 16
<전광속의 향상 효과>
봉지 수지가 메틸계 실리콘 수지 조성물인 실시예 1∼7 및 비교예 2∼5, 7∼11에 있어서의 광 확산성 유기 입자에 기초하는 전광속의 향상 효과를 하기 식에 의해 산출하여 평가했다.
{[실시예 1∼7 및 비교예 1∼5, 7∼11의 각각의 전광속]-[비교예 1의 전광속]}/[[비교예 1의 전광속]]×100(%)
또한, 봉지 수지가 페닐계 실리콘 수지 조성물인 실시예 8 및 9에 있어서의 광 확산성 유기 입자에 기초하는 전광속의 향상 효과를 하기 식에 의해 산출하여 평가했다.
{[실시예 8 및 9의 각각의 전광속]-[비교예 6의 전광속]}/[[비교예 6의 전광속]]×100(%)
표 1 및 표 2 중의 성분의 상세를 하기에 나타낸다.
·메틸계 실리콘 수지 조성물: 상품명 「ELASTOSIL LR7665」, 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, B 스테이지 상태가 될 수 없는 1단 반응 경화성 수지, 굴절률 1.410, 비중 1.02, 아사히화성왁카실리콘사제
·페닐계 실리콘 수지 조성물: 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, B 스테이지 상태가 될 수 있는 1단 반응 경화성 수지, 굴절률 1.565, 비중 1.10, 조제예 1에서 조제
·「SSX-105」: 상품명, 가교 메타크릴산 메틸 입자, 광 확산성 유기 입자, 굴절률 1.495, 비중 1.20, 평균 입자경 5μm, 세키스이화성품공업사제
·「SSX-108」: 상품명, 가교 메타크릴산 메틸 입자, 광 확산성 유기 입자, 굴절률 1.495, 비중 1.20, 평균 입자경 8μm, 세키스이화성품공업사제
·「SSX-110」: 상품명, 가교 메타크릴산 메틸 입자, 광 확산성 유기 입자, 굴절률 1.495, 비중 1.20, 평균 입자경 10μm, 세키스이화성품공업사제
·「SSX-108LXE」: 상품명, 가교 메타크릴산 메틸 입자, 광 확산성 유기 입자, 굴절률 1.545, 평균 입자경 8μm, 비중 1.20, 세키스이화성품공업사제
·SBX-8: 상품명, 가교 폴리스타이렌 입자, 광 확산성 유기 입자, 굴절률 1.592, 평균 입자경 8μm, 비중 1.06, 세키스이화성품공업사제
·「토스펄 2000B」: 상품명, 실리콘 입자, 굴절률 1.42, 비중 1.32, 평균 입자경 6.0μm, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사제
·「FB-3sdc」: 상품명, 실리카 입자, 광 확산성 무기 입자, 굴절률 1.45, 비중 1.0, 평균 입자경 3.4μm, 덴키화학공업사제
·「FB-7sdc」: 상품명, 실리카 입자, 광 확산성 무기 입자, 굴절률 1.45, 비중 1.0, 평균 입자경 5.8μm, 덴키화학공업사제
한편, 상기 발명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이는 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에게 분명한 본 발명의 변형예는 후기 특허청구범위에 포함된다.
광 반도체 소자 봉지 조성물은 광 반도체 소자의 봉지에 이용된다.
1: 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 시트(광 반도체 소자 봉지 시트)
5: 광 반도체 소자
6: 기판
9: 봉지 광 반도체 소자
10: 광 반도체 장치
20: 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 성형체
5: 광 반도체 소자
6: 기판
9: 봉지 광 반도체 소자
10: 광 반도체 장치
20: 광 반도체 소자 봉지 파장 변환 성형체
Claims (11)
- 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하는 광 반도체 소자 봉지 조성물이며,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하이고,
광 반도체 소자의 봉지에 사용되는 것을 특징으로 하는, 광 반도체 소자 봉지 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 확산성 유기 입자의 평균 입자경이 5μm 초과 15μm 이하인 것을 특징으로 하는, 광 반도체 소자 봉지 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 5질량% 이상인 것을 특징으로 하는, 광 반도체 소자 봉지 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.025 이상 0.100 이하인 것을 특징으로 하는, 광 반도체 소자 봉지 조성물. - 제 1 항에 있어서,
형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는, 광 반도체 소자 봉지 조성물. - 광 반도체 소자 봉지 조성물을 성형하는 것에 의해 얻어지고,
상기 광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하고,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 광 반도체 소자 봉지 성형체. - 광 반도체 소자 봉지 조성물을 시트상으로 성형하는 것에 의해 얻어지고,
상기 광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하고,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 광 반도체 소자 봉지 시트. - 기판과,
상기 기판에 실장되는 광 반도체 소자와,
상기 광 반도체 소자를 봉지하는 광 반도체 소자 봉지 성형체
를 구비하고,
상기 광 반도체 소자 봉지 성형체는, 광 반도체 소자 봉지 조성물을 성형하는 것에 의해 얻어지고,
상기 광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하고,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 광 반도체 장치. - 기판과,
상기 기판에 실장되는 광 반도체 소자와,
상기 광 반도체 소자를 봉지하는 광 반도체 소자 봉지 시트
를 구비하고,
상기 광 반도체 소자 봉지 시트는, 광 반도체 소자 봉지 조성물을 시트상으로 성형하는 것에 의해 얻어지고,
상기 광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하고,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 광 반도체 장치. - 광 반도체 소자와,
상기 광 반도체 소자를 봉지하는 광 반도체 소자 봉지 성형체
를 구비하고,
상기 광 반도체 소자 봉지 성형체는, 광 반도체 소자 봉지 조성물을 성형하는 것에 의해 얻어지고,
상기 광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하고,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 봉지 광 반도체 소자. - 광 반도체 소자와,
상기 광 반도체 소자를 봉지하는 광 반도체 소자 봉지 시트
를 구비하고,
상기 광 반도체 소자 봉지 시트는, 광 반도체 소자 봉지 조성물을 시트상으로 성형하는 것에 의해 얻어지고,
상기 광 반도체 소자 봉지 조성물은, 봉지 수지와 광 확산성 유기 입자를 함유하고,
상기 봉지 수지의 굴절률과 상기 광 확산성 유기 입자의 굴절률의 차의 절대값이 0.020 이상 0.135 이하이며,
상기 광 확산성 유기 입자의 상기 광 반도체 소자 봉지 조성물에 대한 함유 비율이 1질량% 이상 10질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 봉지 광 반도체 소자.
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