CN105518882A - 光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、光半导体装置及封装光半导体元件 - Google Patents

光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、光半导体装置及封装光半导体元件 Download PDF

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Abstract

一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。

Description

光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、光半导体装置及封装光半导体元件
技术领域
本发明涉及光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、光半导体装置及封装光半导体元件，具体涉及光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、具备它们的光半导体装置及封装光半导体元件。
背景技术
迄今，作为能发出高能量的光的发光装置，已知有白色光半导体装置。
作为这种白色光半导体装置，例如提出了具备分散有二氧化硅颗粒的封装材料和通过封装材料被覆的光半导体元件的光半导体装置(例如参见专利文献1。)。
在专利文献1中，向5g有机硅弹性体中加入5g二氧化硅颗粒，将它们分散，制备液态树脂组合物，由此制备第1封装材料，通过其对光半导体元件进行封装。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-228525号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，专利文献1记载的光半导体装置存在无法充分提高光的输出效率的不利情况。
本发明的目的在于提供能够提高光的输出效率的光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、具备它们的光半导体装置及封装光半导体元件。
用于解决问题的方案
本发明的光半导体元件封装组合物的特征在于，其为含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物，前述封装树脂的折射率与前述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，前述光扩散性有机颗粒相对于前述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下，所述光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。
根据该光半导体元件封装组合物，封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值在特定范围内，并且，光扩散性有机颗粒的含有比率在特定范围内，光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装，因此能够提高自光半导体元件发出的光的输出效率。
此外，根据该光半导体元件封装组合物，能够使光扩散性有机颗粒的比重接近封装树脂的比重。因此，在光半导体元件封装组合物中，能够使光扩散性有机颗粒均匀地分散于封装树脂。
此外，在本发明的光半导体元件封装组合物中，优选的是，前述光扩散性有机颗粒的平均粒径大于5μm且为15μm以下。
根据该光半导体元件封装组合物，光扩散性有机颗粒的平均粒径在特定范围内，因此能够更进一步提高光的输出效率。
此外，在本发明的光半导体元件封装组合物中，优选的是，前述光扩散性有机颗粒相对于前述光半导体元件封装组合物的含有比率为5质量％以上。
根据该光半导体元件封装组合物，光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为特定的下限以上，因此能够更进一步提高光的输出效率。
此外，在本发明的光半导体元件封装组合物中，优选的是，前述封装树脂的折射率与前述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.025以上且0.100以下。
根据该光半导体元件封装组合物，封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值在特定范围内，因此能够更进一步提高光的输出效率。
此外，本发明的光半导体元件封装组合物优选含有荧光体。
根据该光半导体元件封装组合物，能够通过荧光体对自光半导体元件发出的光进行波长转换。因此，能够照射高能量的光。
本发明的光半导体元件封装成型体的特征在于，其通过将上述光半导体元件封装组合物成型而得到。
该光半导体元件封装成型体由于通过将上述光半导体元件封装组合物成型而得到，因此能够在对光半导体元件确实地进行封装的同时提高自光半导体元件发出的光的输出效率。
本发明的光半导体元件封装片的特征在于通过将上述光半导体元件封装组合物成型为片状而得到。
该半导体元件封装片由于通过将上述光半导体元件封装组合物成型为片状而得到，因此在运输性优异的同时，能够提高自光半导体元件发出的光的输出效率。
本发明的光半导体装置的特征在于，其具备：基板、安装于前述基板的光半导体元件、以及对前述光半导体元件进行封装的上述光半导体元件封装成型体。
该光半导体装置由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装成型体，因此发光特性优异。
此外，本发明的光半导体装置的特征在于，其具备：基板、安装于前述基板的光半导体元件、以及对前述光半导体元件进行封装的上述光半导体元件封装片。
该光半导体装置由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装片，因此发光特性优异。
本发明的封装光半导体元件的特征在于，其具备光半导体元件和对前述光半导体元件进行封装的上述光半导体元件封装成型体。
该封装光半导体元件由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装成型体，因此发光特性优异。
本发明的封装光半导体元件的特征在于，其具备光半导体元件和对前述光半导体元件进行封装的上述光半导体元件封装片。
该封装光半导体元件由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装片，因此发光特性优异。
发明的效果
本发明的光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体和光半导体元件封装片能够提高自光半导体元件发出的光的输出效率。
本发明的光半导体装置和封装光半导体元件由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装片和光半导体元件封装成型体，因此发光特性优异。
附图说明
图1中的图1A和图1B是对制造本发明的光半导体装置的一个实施方式的方法进行说明的工序图，图1A示出准备具备作为本发明的光半导体元件封装片的一个实施方式的光半导体元件封装波长转换片和第1剥离片的封装构件的工序，图1B示出通过光半导体元件封装波长转换片被覆光半导体元件进行封装的工序。
图2中的图2A、图2B、图2C是对制造半导体装置的方法的变形例进行说明的工序图，图2A示出分别准备封装构件、具备第2剥离片和光半导体元件的元件构件的工序，图2B示出通过光半导体元件封装波长转换片被覆光半导体元件进行封装的工序，图2C示出将封装光半导体元件安装于基板的工序。
图3中的图3A和图3B是对制造半导体装置的方法的变形例进行说明的工序图，图3A示出准备安装基板的工序、图3B示出将光半导体元件封装波长转换组合物涂布于安装基板的工序。
图4中的图4A和图4B是对制造半导体装置的方法的变形例进行说明的工序图，图4A示出准备具备壳体的安装基板的工序，图4B示出将半导体元件封装波长转换组合物灌封到壳体内的工序。
具体实施方式
[光半导体元件封装波长转换组合物]
作为本发明的光半导体元件封装组合物的一个实施方式的光半导体元件封装波长转换组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒作为必要成分，例如含有封装树脂、光扩散性有机颗粒和荧光体。下面对各原料进行说明。
(封装树脂)
对于封装树脂，例如可列举出作为用于封装光半导体元件的封装材料使用的透明性的树脂。具体而言，作为封装树脂，例如可列举出热固性树脂、热塑性树脂，优选列举出热固性树脂。
作为热固性树脂，例如可列举出2阶段反应固化性树脂、1阶段反应固化性树脂。
2阶段反应固化性树脂具有2种反应机理，能够在第1阶段段的反应中从A阶状态进行B阶化(半固化)，接着，在第2阶段段的反应中从B阶状态进行C阶化(完全固化)。即，2阶段反应固化性树脂是能够通过适度的加热条件形成B阶状态的热固性树脂。但是，2阶段反应固化性树脂也可以通过强度的加热从A阶状态开始不维持B阶状态而一次性形成C阶状态。需要说明的是，B阶状态是热固性树脂处于液态的A阶状态与完全固化的C阶状态之间的状态，是略微进行固化和凝胶化、压缩弹性模量小于C阶状态的弹性模量的半固体或固态状态。
1阶段反应固化性树脂具有1个反应机理，能够在第1阶段的反应中从A阶状态进行C阶化(完全固化)。另外，1阶段反应固化性树脂包括在第1阶段的反应途中停止其反应，能够从A阶状态形成B阶状态，通过之后的进一步的加热，第1阶段的反应重新进行，能够从B阶状态进行C阶化(完全固化)的热固性树脂。即，该热固性树脂是能够形成B阶状态的热固性树脂。另一方面，1阶段反应固化性树脂包括无法控制在第1阶段反应的途中停止，即，无法形成B阶状态，一次性地从A阶状态进行C阶化(完全固化)的热固性树脂。
作为封装树脂，可列举出：有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等。作为封装树脂，优选列举出有机硅树脂。
上述封装树脂可以是同一种类或多种类中的任一种。
作为有机硅树脂，从透明性、耐久性、耐热性、耐光性的角度来看，例如可列举出：加成反应固化型有机硅树脂组合物、缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物等有机硅树脂组合物。有机硅树脂可以单独使用，或者也可以组合使用。
加成反应固化型有机硅树脂组合物是1阶段反应固化性树脂，例如含有含链烯基聚硅氧烷、含硅氢基聚硅氧烷和硅氢化催化剂。
含链烯基聚硅氧烷在分子内含有2个以上链烯基和/或环烯基。含链烯基聚硅氧烷具体如下述平均组成式(1)所示。
平均组成式(1)：
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(式中，R1表示碳数2～10的链烯基和/或碳数3～10的环烯基。R2表示无取代或取代的碳数1～10的1价烃基(但链烯基和环烯基除外。)。a为0.05以上且0.50以下，b为0.80以上且1.80以下。)
式(1)中，作为R1所表示的链烯基，例如可列举出：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳数2～10的链烯基。作为R1所表示的环烯基，例如可列举出：环己烯基、降冰片烯基等碳数3～10的环烯基。
作为R1，优选列举出链烯基，更优选列举出碳数2～4的链烯基，进一步优选列举出乙烯基。
R1所表示的链烯基可以是同一种类或多种类中的任一种。
R2所表示的1价烃基是除链烯基和环烯基以外的无取代或取代的碳原子数1～10的1价烃基。
作为无取代的1价烃基，可列举出：例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、戊基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳数1～10的烷基，例如环丙基、环丁基、环戊基、环己基等碳数3～6的环烷基，例如苯基、甲苯基、萘基等碳数6～10的芳基，例如苄基、苄基乙基等碳数7～8的芳烷基。优选列举出碳数1～3的烷基、碳数6～10的芳基，更优选列举出甲基和/或苯基。
另一方面，对于取代的1价烃基，可列举出上述无取代的1价烃基中的氢原子被取代基取代的基团。
作为取代基，可列举出：例如氯原子等卤素原子，例如缩水甘油醚基等。
作为取代的1价烃基，具体可列举出：3-氯丙基、环氧丙氧基丙基等。
1价烃基可以是无取代和取代中的任一种，优选为无取代。
R2所表示的1价烃基可以是同一种类或多种类。优选列举出甲基和/或苯基，更优选列举出甲基和苯基的组合使用。
a优选为0.10以上且0.40以下。
b优选为1.5以上且1.75以下。
含链烯基聚硅氧烷的重均分子量例如为100以上，优选为500以上，并且，例如为10000以下，优选为5000以下。含链烯基聚硅氧烷的重均分子量是通过凝胶渗透色谱测得的基于标准聚苯乙烯的换算值。
含链烯基聚硅氧烷通过适当的方法制备，此外，也可以使用市售品。
此外，含链烯基聚硅氧烷可以是同一种类或多种类。
含硅氢基聚硅氧烷例如分子内含有2个以上硅氢基(SiH基)。含硅氢基聚硅氧烷具体如下述平均组成式(2)所示。
平均组成式(2)：
HcR3 dSiO(4-c-d)/2
(式中，R3表示无取代或取代的碳数1～10的1价烃基(不过，链烯基和/或环烯基除外。)。c为0.30以上且1.0以下，d为0.90以上且2.0以下。)
式(2)中，对于R3所表示的无取代或取代的碳数1～10的1价烃基，可例示出与式(1)的R2所表示的无取代或取代的碳数1～10的1价烃基相同的基团。优选列举出无取代的碳数1～10的1价烃基，更优选列举出碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基，进一步优选列举出甲基和/或苯基。
c优选为0.5以下。
d优选为1.3以上且1.7以下。
含硅氢基聚硅氧烷的重均分子量例如为100以上，优选为500以上，并且，例如为10000以下，优选为5000以下。含硅氢基聚硅氧烷的重均分子量是通过凝胶渗透色谱测得的基于标准聚苯乙烯的换算值。
含硅氢基聚硅氧烷通过适当的方法制备，此外，也可以使用市售品。
此外，含硅氢基聚硅氧烷可以是同一种类或多种类。
上述平均组成式(1)和平均组成式(2)中，R2和R3中的至少任一方的烃基优选含有苯基，更优选的是，R2和R3双方的烃基含有苯基。另外，在R2和R3中的至少任一方的烃基含有苯基时，加成反应固化型有机硅树脂组合物被视为苯基类有机硅树脂组合物。该苯基类有机硅树脂组合物是能够形成B阶状态的1阶段反应固化性树脂。
而在R2和R3双方的烃基为甲基时，加成反应固化型有机硅树脂组合物被作为甲基类有机硅树脂组合物。甲基类有机硅树脂组合物是无法形成B阶状态的1阶段反应固化性树脂。
对于含硅氢基聚硅氧烷的配混比例，将含链烯基聚硅氧烷的链烯基和环烯基的摩尔数相对于含硅氢基聚硅氧烷的硅氢基的摩尔数的比例(链烯基和环烯基的摩尔数/硅氢基的摩尔数)调整至例如为1/30以上，优选为1/3以上，并且，例如为30/1以下，优选为3/1以下。
硅氢化催化剂只要是提高含链烯基聚硅氧烷的链烯基和/或环烯基与含硅氢基聚硅氧烷的硅氢基的硅氢化反应(硅氢基加成)的反应速度的物质(加成催化剂)，就没有特别限定，例如可列举出金属催化剂。作为金属催化剂，可列举出：例如铂黑、氯化铂、氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物、铂-乙酰乙酸酯等铂催化剂，例如钯催化剂，例如铑催化剂等。
对于硅氢化催化剂的配混比例，按金属催化剂的金属量(具体为金属原子)计，相对于含链烯基聚硅氧烷和含硅氢基聚硅氧烷，以质量基准，例如为1.0ppm以上，并且，例如为10000ppm以下，优选为1000ppm以下，更优选为500ppm以下。
加成反应固化型有机硅树脂组合物通过将含链烯基聚硅氧烷、含硅氢基聚硅氧烷和硅氢化催化剂按上述比例配混来制备。
上述加成反应固化型有机硅树脂组合物通过配混含链烯基聚硅氧烷、含硅氢基聚硅氧烷和硅氢化催化剂，制备成A阶(液体)状态来使用。
如上所述，关于苯基类有机硅树脂组合物，其通过所期望条件的加热而发生含链烯基聚硅氧烷的链烯基和/或环烯基与含硅氢基聚硅氧烷的硅氢基的硅氢化加成反应，然后，硅氢化加成反应暂时停止。由此，能够从A阶状态形成B阶(半固化)状态。然后，通过进一步的所期望条件的加热，上述硅氢化加成反应重新进行，完成。由此，能够从B阶状态形成C阶(完全固化)状态。
另外，在苯基类有机硅树脂组合物处于B阶(半固化)状态时，为固态。接着，该B阶状态的苯基类有机硅树脂组合物可以兼具热塑性和热固性。即，B阶的苯基类有机硅树脂组合物通过加热而暂时性地塑化之后，完全固化。
而对于上述甲基类有机硅树脂组合物而言，其发生链烯基和/或环烯基与硅氢基的硅氢化加成反应，反应被促进、完成而不会停止。由此，能够从A阶状态形成C阶(完全固化)状态。甲基类有机硅树脂组合物可使用市售品。作为市售品，例如可列举出ELASTOSIL系列(WACKERASAHIKASEISILICONECO.,LTD.制造、具体为ELASTOSILLR7665等甲基类有机硅树脂组合物)、KER系列(Shin-EtsuSilicone制造)等。
缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物是2阶段反应固化性树脂，具体可列举出：例如日本特开2010-265436号公报、日本特开2013-187227号公报等中记载的第1～第8缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物，例如日本特开2013-091705号公报、日本特开2013-001815号公报、日本特开2013-001814号公报、日本特开2013-001813号公报、日本特开2012-102167号公报等中记载的含笼型八倍半硅氧烷的有机硅树脂组合物等。另外，缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物为固态，兼具热塑性和热固性。
封装树脂的折射率ne例如为1.40以上，优选为1.41以上，并且，例如为1.60以下，优选为1.57以下。此外，在光半导体元件封装波长转换组合物含有甲基类有机硅树脂组合物时，封装树脂的折射率ne例如为1.40以上，并且，例如为1.50以下，优选小于1.50，优选为1.45以下。此外，在光半导体元件封装波长转换组合物含有苯基类有机硅树脂组合物时，光半导体元件封装波长转换组合物的折射率ne例如为1.50以上，优选为1.53以上，并且，例如为1.60以下，优选为1.57以下。
光半导体元件封装波长转换组合物的折射率ne通过阿贝折射率仪算出。其中，在封装树脂为热固性树脂时，以固化状态(完全固化状态)的折射率的形式算出。需要说明的是，固化前的封装树脂的折射率与固化后的封装树脂的折射率实质相同。
封装树脂的比重例如为0.90以上，优选为0.95以上，并且，例如为1.3以下，优选为1.2以下。
光半导体元件封装波长转换组合物中的封装树脂的含有比率例如为35质量％以上，优选为40质量％以上，更优选为45质量％以上，并且，例如为60质量％以下，优选为55质量％以下，更优选为50质量％以下。
(光扩散性有机颗粒)
作为光扩散性有机颗粒，可列举出赋予光半导体元件封装波长转换组合物以光扩散性的有机填料。
作为光扩散性有机颗粒的有机材料，例如可列举出热塑性树脂。具体可列举出：丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、丙烯酸-苯乙烯类树脂、有机硅类树脂、聚碳酸酯类树脂、苯并胍胺类树脂、聚烯烃类树脂、聚酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂等。这些可以单独使用或组合使用。
这种光扩散性有机颗粒当中，从光扩散性、购得性的角度来看，可优选列举出丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂。
丙烯酸类树脂是通过使含有(甲基)丙烯酸酯(丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯)的单体聚合而得的聚(甲基)丙烯酸酯。例如可列举出：聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯、聚(甲基)丙烯酸丙酯、聚(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物等。
苯乙烯类树脂例如为通过使含有苯乙烯系单体的单体聚合而得的苯乙烯系聚合物。作为苯乙烯类树脂，例如可列举出：聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯等。
需要说明的是，上述丙烯酸类树脂和苯乙烯类树脂也可以是含有除丙烯酸类单体和苯乙烯系单体以外的共聚性单体的共聚物。作为共聚性单体，优选列举出(甲基)丙烯酸、丙烯腈、乙烯、丁二烯。这些共聚性单体可单独使用或者组合使用2种以上。
这些光扩散性有机颗粒可以进行了交联。即，优选列举出交联丙烯酸类树脂、交联苯乙烯类树脂。
光扩散性有机颗粒可以单独使用或组合使用。
由于光扩散性有机颗粒由上述有机材料形成，因此能够使光扩散性有机颗粒的比重接近封装树脂的比重。因此，在光半导体元件封装波长转换组合物中，能够使光扩散性有机颗粒更均匀地分散于封装树脂。
作为光扩散性有机颗粒，具体而言，作为有机颗粒，可列举出：积水化成品工业株式会社的SSX系列(折射率1.49、交联聚甲基丙烯酸甲酯颗粒)、SBX系列(折射率1.59、交联聚苯乙烯颗粒)、MSX系列(折射率1.495～1.595、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物交联颗粒)、MB系列(折射率1.49、聚甲基丙烯酸甲酯颗粒)、BMX系列(折射率1.49、交联聚甲基丙烯酸丁酯颗粒)、TOSPEARL系列(有机硅颗粒)等。
光扩散性有机颗粒的折射率nl例如为1.45以上，优选为1.550以上，优选为，更优选为1.56以上，并且，例如为1.600以下。在光扩散性颗粒为丙烯酸类树脂时，其折射率例如为1.45以上，优选为1.49以上，并且，例如为1.60以下，优选为1.57以下。在光扩散性颗粒为苯乙烯类树脂时，其折射率例如为1.54以上，优选为1.550以上，并且，例如为1.65以下，优选为1.60以下。如果光扩散性有机颗粒的折射率在上述范围内，则可以将接下来说明的折射率差的绝对值设定为所期望的范围。
接着，封装树脂的折射率ne与光扩散性有机颗粒的折射率nl之差(折射率差。ne-nl)的绝对值(|ne-nl|)为0.020以上且0.135以下。如果上述折射率差的绝对值超过上述上限或者上述折射率差的绝对值小于上述下限，则无法高效提高光半导体元件封装波长转换组合物中的光的输出效率。
此外，上述折射率差的绝对值(|ne-nl|)优选为0.020以上，更优选为0.050以上，并且，优选为0.100以下，更优选为0.085以下。如果上述折射率差的绝对值为上述下限以上或上述上限以下，则能够提高光半导体元件封装波长转换组合物中的光的输出效率。
光扩散性有机颗粒的平均粒径(最大长度的平均)例如为1μm以上，优选为3μm以上，更优选为4μm以上，进一步优选为5μm以上、尤其优选超过5μm，并且，例如为100μm以下，优选为20μm以下，更优选为15μm以下，进一步优选为10μm以下。如果光扩散性有机颗粒的平均粒径在上述范围内，则能够高效提高光半导体元件封装波长转换组合物中的光的输出效率。光扩散性有机颗粒的平均粒径以D50值的形式算出。具体而言，通过激光衍射式粒度分布计测定。
光扩散性有机颗粒的比重例如为0.90以上，优选为0.95以上，更优选为1.0以上，并且，例如为1.5以下，优选为1.3以下，更优选为1.25以下。
对于光扩散性有机颗粒的含有比率，相对于光半导体元件封装波长转换组合物，为1质量％以上且10质量％以下。在光扩散性有机颗粒的含有比率小于上述下限时、或者光扩散性有机颗粒的含有比率超过上述上限时，无法高效提高光半导体元件封装波长转换组合物中的光的输出效率。
此外，对于光扩散性有机颗粒的含有比率，相对于光半导体元件封装波长转换组合物，优选为5质量％以上。如果上述光扩散性有机颗粒的含有比率为上述下限以上，则能够高效提高光半导体元件封装波长转换组合物中的光的输出效率。
此外，对于光扩散性有机颗粒的含有比率，相对于封装树脂100质量份，例如为2质量份以上，优选为5质量份以上，更优选为10质量份以上，并且，例如为30质量份以下，优选为22质量份以下，更优选为15质量份以下。
(荧光体)
荧光体具有波长转换功能，能够赋予光半导体元件封装波长转换组合物以波长转换功能。即，荧光体能够使本发明的光半导体元件封装片发挥光半导体元件封装波长转换片1(后述)的作用。作为荧光体，例如可列举出：能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可列举出：例如(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(正硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体；例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(铽·铝·石榴石):Ce)等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体；例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。
作为红色荧光体，例如可列举出：CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物荧光体等。
作为荧光体的形状，例如可列举出球状、片状、针状等。从流动性的角度来看，可优选列举出球状。
荧光体的最大长度的平均值(为球状时指平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，并且，例如也为200μm以下，优选为100μm以下。
荧光体的比重例如超过2.0，并且，例如为9.0以下。
荧光体可以单独使用或组合使用。
对于荧光体的配混比例，相对于封装树脂100质量份，例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，例如为80质量份以下，优选为50质量份以下。
进而，在上述光半导体元件封装波长转换组合物中，可以根据需要而以适当的比例添加硅烷偶联剂、防老剂、改性剂、表面活性剂、染料、颜料、无机颗粒(包括二氧化硅等光扩散性无机颗粒)、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的添加物。
要想制备光半导体元件封装波长转换组合物，将封装树脂和光扩散性有机颗粒、荧光体和根据需要而定的添加剂按上述配混比例配混，进行混合。由此，以清漆的形式制备光半导体元件封装波长转换组合物。
另外，光半导体元件封装波长转换组合物根据需要而在其制备后进行脱泡。作为脱泡方法，例如可列举出：搅拌脱泡、减压脱泡(真空脱泡)、离心脱泡、超声波脱泡等公知的脱泡方法。
[光半导体元件封装波长转换片的制造方法]
在图1A和图1B中，以纸面上侧为上侧(第1方向的一侧、厚度方向的一侧)，以纸面下侧为下侧(第1方向另一侧、厚度方向另一侧)。对于图1A和图1B以外的附图也以图1A和图1B的方向为准。
参照图1A和图1B，说明由上述光半导体元件封装波长转换组合物将光半导体元件封装波长转换片1成型为片状进行制造的方法。
(第1剥离片2)
在该方法中，首先如图1A所示准备第1剥离片2。
第1剥离片2用作被覆并保护光半导体元件封装波长转换片1的背面(图1A中的上表面)的保护片、光半导体元件封装波长转换组合物(清漆)的涂覆基材。
第1剥离片2用于到通过光半导体元件封装波长转换片1对光半导体元件5(图1B)进行封装为止的期间保护光半导体元件封装波长转换片1，以可剥离的方式贴附于光半导体元件封装波长转换片1的表面(图1A中的上表面)。即，第1剥离片2是在光半导体元件封装波长转换片1的出货·运输·保管时以被覆光半导体元件封装波长转换片1的背面(图1A中的上表面)的方式层叠、在即将使用光半导体元件封装波长转换片1时能够从光半导体元件封装波长转换片1的背面以成大致U字形弯曲的方式剥离的、由树脂形成柔性薄膜。即，第1剥离片2仅由柔性薄膜形成。此外，柔性薄膜的贴附面根据需要而进行了剥离处理。
作为第1剥离片2，没有特别限制，可列举出：例如聚酯薄膜(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜)、聚碳酸酯薄膜、聚烯烃薄膜(例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜)、聚苯乙烯薄膜、丙烯酸类薄膜、有机硅树脂薄膜、氟树脂薄膜等树脂片，例如玻璃板等脱模板。
另外，在第1剥离片2的表面(形成光半导体元件封装波长转换片1一侧的面、图1A中的下表面)，为了提高自光半导体元件封装波长转换片1的剥离性，可根据需要而实施剥离处理。
关于第1剥离片2的厚度，从例如操作性、成本的角度来看，例如为20～100μm。
(光半导体元件封装波长转换片1)
接着，该方法将光半导体元件封装波长转换片1配置于第1剥离片2的表面。具体而言，将光半导体元件封装波长转换片1层叠于第1剥离片2的下表面。
详细而言，例如将光半导体元件封装波长转换组合物(清漆)例如涂布于第1剥离片2的表面(下表面)。作为涂布方法，例如可列举出点胶机法、浇铸法、旋转法、辊涂法等公知的涂布方法。
然后，在光半导体元件封装波长转换组合物含有能够形成B阶状态的热固性树脂时，使热固性树脂半固化。具体而言，通过加热使光半导体元件封装波长转换组合物固化(半固化)。
即，使含有A阶的热固性树脂的光半导体元件封装波长转换组合物进行B阶化。作为加热条件，温度为70℃以上，优选为80℃以上，并且，为120℃以下，优选为100℃以下。时间例如为5分钟以上，优选为8分钟以上，并且，例如为30分钟以下，优选为20分钟以下。
由此，在第1剥离片2的表面(图1A中的下表面)配置固态的光半导体元件封装波长转换片1。
由此制造光半导体元件封装波长转换片1。光半导体元件封装波长转换片1是将上述光半导体元件封装波长转换组合物成型为片状的成型体。
光半导体元件封装波长转换片1在封装树脂含有能够形成B阶状态的热固性树脂的时，优选由半固化状态(B阶状态)的光半导体元件封装波长转换组合物形成为片状。进一步，优选光半导体元件封装波长转换片1兼具热塑性和热固性。即，B阶的光半导体元件封装波长转换片1通过加热先进行塑化后，能够进行固化。
此外，光半导体元件封装波长转换片1中，光扩散性有机颗粒和荧光体均匀地分散在作为基体的封装树脂中。
进而，关于光半导体元件封装波长转换片1，具体而言，具有规定的厚度，沿前后方向(与上下方向正交的方向)和左右方向(与上下方向和前后方向正交的方向)延伸，具有平坦的上表面和平坦的下表面。光半导体元件封装波长转换片1配置于第1剥离片2的下表面整面。
此外，光半导体元件封装波长转换片1并不是后述的光半导体装置10(参见图1B)和封装光半导体元件9(参见图2B)，而是光半导体装置10和封装光半导体元件9的一个部件，即，用于制作光半导体装置10和封装光半导体元件9的部件，以不包括光半导体元件5和搭载光半导体元件5的基板6的方式构成。
因此，具备第1剥离片2和光半导体元件封装波长转换片1的封装构件3是可以以单独部件的方式流通、在产业上利用的器件。
即，封装构件3形成为沿前后方向和左右方向延伸的大致矩形平板状。封装构件3不包括光半导体元件5和/或基板6，优选由第1剥离片2和光半导体元件封装波长转换片1形成。
在由含有B阶的封装树脂的光半导体元件封装波长转换组合物形成光半导体元件封装波长转换片1的情况下，B阶的光半导体元件封装波长转换片1在80℃的剪切储能模量G’例如为3Pa以上，优选为12Pa以上，并且，例如为140Pa以下，优选为70Pa以下。光半导体元件封装波长转换片1在80℃的剪切储能模量G’通过频率1Hz、升温速度20℃/分钟、温度范围20～150℃的条件下的动态粘弹性测定而得到。
此外，光半导体元件封装波长转换片1在厚度600μm时相对于波长460nm的光的透射率例如为70％以上，优选为80％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上，并且，例如为100％以下。光半导体元件封装波长转换片1的透射率例如使用积分球进行测定。
光半导体元件封装波长转换片1的厚度例如为10μm以上，优选为50μm以上，并且，例如为1000μm以下，优选为500μm以下。
需要说明的是，光半导体元件封装波长转换片1根据光半导体元件5的尺寸、形状、配置、个数等而加工(例如切割等)成适当的尺寸和/或形状。
接着，该光半导体元件封装波长转换片1用于接下来说明的光半导体元件5的封装。
[光半导体装置的制造方法]
接着，参照图1B说明使用图1A所示的光半导体元件封装波长转换片1对光半导体元件5进行封装来制造光半导体装置10的方法。
(安装基板的准备)
光半导体装置10的制造方法如图1B所示，首先准备安装基板4。
安装基板4具备基板6和安装于基板6的光半导体元件5。
基板6如图1B所示，呈沿前后方向和左右方向延伸的大致矩形平板状，例如为绝缘基板。此外，基板6具备配置于上表面的端子(未图示)。基板6的前后方向长度和左右方向长度可适当设定。
光半导体元件5例如为LED或LD等光学元件，优选为发出蓝色光的光学元件(具体为蓝色LED)。光半导体元件5形成为沿前后方向和左右方向的大致平板状。并且，光半导体元件5呈俯视大致矩形，沿上下方向和前后方向的截面形状以及沿上下方向和左右方向的截面形状形成为大致矩形状。光半导体元件5倒装芯片安装或者引线键合连接于基板6的上表面。光半导体元件5的(上下方向长度)例如为0.1μm以上，优选为0.2μm以上，并且，例如为500μm以下，优选为200μm以下。光半导体元件5的前后方向长度和左右方向长度可适当设定。光半导体元件5的前后方向长度和左右方向长度调节得比基板6的前后方向长度和左右方向长度短。
接着，该方法通过光半导体元件封装波长转换片1被覆光半导体元件5。具体而言，通过封装构件3的光半导体元件封装波长转换片1埋设光半导体元件5。
光半导体元件封装波长转换片1的前后方向长度和左右方向长度调节得比基板6的前后方向长度和左右方向长度短、并且比光半导体元件5的前后方向长度和左右方向长度长。
在光半导体元件封装波长转换片1含有B阶状态的热固性树脂、兼具热塑性和热固性的情况下，通过光半导体元件封装波长转换片1埋设光半导体元件5。具体而言，通过热压，首先使含有B阶状态的热固性树脂的光半导体元件封装波长转换片1进行塑化。接着，塑化了的光半导体元件封装波长转换片1(所含有的热固性树脂)通过加热而完全固化(C阶化)。
热压的温度例如为热可塑·热固性有机硅树脂的热塑化温度或其以上，从一次性实施热塑化和热固化的角度来看，优选为热固化温度或其以上，具体例如为60℃以上，优选为70℃以上，并且，例如为150℃以下，优选为120℃以下。热压的时间例如为1分钟以上，优选为3分钟以上，并且，例如为20分钟以下，优选为15分钟以下。此外，压制压力例如为0.1MPa以上，优选为0.3MPa以上，并且，例如为5MPa以下，优选为3MPa以下。
而在光半导体元件封装波长转换片1含有B阶状态的热固性树脂、不兼具热塑性和热固性的情况(仅具有热固性的情况)下，首先，使用未图示的公知的粘合剂将B阶状态的光半导体元件封装波长转换片1贴附(粘接)于光半导体元件5和基板6。粘合剂的厚度例如为50μm以下，优选为30μm以下，并且，例如为10μm以上。然后，对具备光半导体元件封装波长转换片1的封装构件3以及安装基板4进行加热。加热温度例如为90℃以上，优选为105℃以上，并且，例如为160℃以下，优选为150℃以下。加热时间例如为10分钟以上，优选为30分钟以上，并且，例如为120分钟以下，优选为60分钟以下。
由此，B阶状态的封装树脂进行C阶化(完全固化)。即，B阶状态的光半导体元件封装波长转换片1进行C阶化(完全固化)。
(产物)
在封装树脂含有苯基类有机硅树脂组合物的情况下，苯基类有机硅树脂组合物的反应(C阶化反应)中，含链烯基聚硅氧烷的链烯基和/或环烯基与含硅氢基聚硅氧烷的硅氢基的硅氢加成反应进一步被促进。然后，链烯基和/或环烯基或者含硅氢基聚硅氧烷的硅氢基消失，硅氢加成反应结束，从而可得到C阶的苯基类有机硅树脂组合物的产物，即固化物。即，通过硅氢加成反应的结束，在苯基类有机硅树脂组合物中表现出固化性(具体为热固性)。
上述产物以下述平均组成式(3)表示。
平均组成式(3)：
R5 eSiO(4-e)/2
(式中，R5表示包括苯基的、无取代或取代的碳数1～10的1价烃基(但链烯基和环烯基除外。)。e为0.5以上2.0以下。)
作为R5所表示的无取代或取代的碳数1～10的1价烃基，可例示出与式(1)的R2所表示的无取代或取代的碳数1～10的1价烃基以及式(2)的R3所表示的无取代或取代的碳数1～10的1价烃基相同的基团。优选列举出无取代的1价烃基，更优选列举出碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基，进一步优选列举出苯基与甲基的组合使用。
e优选为0.7以上且1.0以下。
接着，产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率例如为30摩尔％以上，优选为35摩尔％以上，并且，例如为55摩尔％以下，优选为50摩尔％以下。
在产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率小于上述下限时，无法确保B阶的光半导体元件封装波长转换片1(参见图1A)的热塑性，即，后述的光半导体元件封装波长转换片1在80℃的剪切储能模量G’会超出所期望的范围，因此有时无法确实地埋设、封装光半导体元件5。
而如果产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率为上述上限以下，则能够防止C阶的光半导体元件封装波长转换片1(参见图1A)的柔性的降低。
产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率是与产物的硅原子直接键合的1价烃基(在平均组成式(3)中R5所表示)中的苯基浓度。
产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率通过1H-NMR和29Si-NMR算出。R5中的苯基的含有比率的算出方法的细节记载于后述的实施例中，并且可基于例如WO2011/125463等的记载通过1H-NMR和29Si-NMR算出。
然后，如图1B的箭头所示，将第1剥离片2自光半导体元件封装波长转换片1剥离。具体而言，将第1剥离片2自光半导体元件封装波长转换片1的上表面以成大致U字形弯曲的方式剥离。
由此，可得到具备基板6、安装于基板6的光半导体元件5以及对光半导体元件5进行封装的光半导体元件封装波长转换片1的光半导体装置10。优选的是，光半导体装置10不包含第1剥离片2，由基板6、光半导体元件5以及光半导体元件封装波长转换片1形成。
接着，该光半导体装置10从基板6的端子向光半导体元件5输入电能，光半导体元件5发光。如此，自光半导体元件5发出的光透过封装树脂，通过光扩散性有机颗粒而扩散。此外，一部分光通过荧光体进行波长转换。接着，通过光半导体元件封装波长转换片1扩散并进行了波长转换的光向光半导体元件封装波长转换片1的上方和侧方(前后方向和左右方向)放射。
(作用效果)
接着，根据由光半导体元件封装波长转换组合物成型为片状的光半导体元件封装波长转换片1，封装树脂的折射率ne与光扩散性有机颗粒的折射率nl之差(ne-nl)的绝对值(|ne-nl|)在特定范围内，并且，光扩散性有机颗粒的含有比率在特定范围内，光半导体元件封装波长转换片1用于光半导体元件5的封装，因此能够提高自光半导体元件5发出的光的输出效率。
根据该光半导体元件封装波长转换片1，由于光扩散性有机颗粒由有机材料形成，因此能够使光扩散性有机颗粒的比重接近封装树脂的比重。因此，在光半导体元件封装波长转换组合物、进而光半导体元件封装波长转换片1中，能够使光扩散性有机颗粒均匀地分散于封装树脂。因此，能够更进一步提高光的输出效率。
根据该光半导体元件封装波长转换片1，能够将自光半导体元件5发出的光通过荧光体进行波长转换。因此，能够照射高能量的光。
此外，由于该光半导体元件封装波长转换片1通过将光半导体元件封装波长转换组合物成型而得到，因此在确实地封装光半导体元件5的同时，能够提高自光半导体元件5发出的光的输出效率。
进而，由于该光半导体元件封装波长转换片1通过将光半导体元件封装波长转换组合物成型为片状而得到，因此运输性优异。即，即使将第1剥离片2和光半导体元件封装波长转换片1都形成为沿前后方向延伸的长条状，也能够以卷状紧凑地进行制造，因此运输性优异。进而，如果以卷状制造具备第1剥离片2和光半导体元件封装波长转换片1的封装构件3，则可以采用辊对辊法，因此生产率优异。
该光半导体装置10由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装波长转换片1，因此发光特性优异。
[变形例]
在变形例中，对于与上述的一个实施方式同样的构件和工序，标以相同的附图标记，省略其详细说明。
上述的一个实施方式中，作为本发明的光半导体元件封装组合物和光半导体元件封装片的一个实施方式，列举了含有荧光体的光半导体元件封装波长转换组合物和光半导体元件封装波长转换片1进行了说明，而例如也可以制成不具有波长转换功能的光半导体元件封装组合物和光半导体元件封装片1。即，上述的一个实施方式中，将光半导体元件封装波长转换片1由含有荧光体的光半导体元件封装波长转换组合物形成为片状，但不限于此，例如可以由不含荧光体的光半导体元件封装组合物形成为片状。
即，光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒。
此外，虽然图1B中未示出，但在光半导体装置10中，也可以在光半导体元件封装片1的上表面另外配置含有荧光体的波长转换片。
通过上述变形例也可以发挥与上述的一个实施方式同样的作用效果。
可优选列举出如图1B所示的含有荧光体的光半导体元件封装波长转换片1以及具备光半导体元件封装波长转换片1的光半导体装置10。
根据该实施方式，不需要另外设置波长转换片，因此可以使构成简化，可以缩减制造成本。
此外，在上述的一个实施方式中，在光半导体元件封装波长转换片1含有B阶状态的热固性树脂的情况下，通过B阶状态的光半导体元件封装波长转换片1埋设光半导体元件5而无需使用上述粘合剂。然而，例如也可以预先以C阶状态制备光半导体元件封装波长转换片1，从而使用粘合剂贴附于光半导体元件5。
优选通过B阶的光半导体元件封装波长转换片1埋设光半导体元件5。根据该实施方式，无需使用粘合剂，因此可以使构成简化，可以缩减制造成本。
上述的一个实施方式如图1B所示，通过光半导体元件封装波长转换片1对预先安装于基板6的光半导体元件5进行封装，而例如也可以如图2A和图2B所示，对未安装于基板6(参见图2C)而配置于第2剥离片8的光半导体元件5进行封装。
该光半导体装置10的制造方法如图2A所示，首先准备上述封装构件3。
此外，另外准备元件构件7。
元件构件7具备第2剥离片8和配置于第2剥离片8的表面(上表面)的光半导体元件5。
第2剥离片8用于通过光半导体元件封装波长转换片1被覆、封装光半导体元件5，得到封装光半导体元件9后，到剥离封装光半导体元件9为止的期间保护封装光半导体元件9的光半导体元件5(参见图2B)，因此以可剥离的方式贴附于封装光半导体元件9中的光半导体元件5的背面(图2B中的下表面)。即，第2剥离片8是在封装光半导体元件9的出货·运输·保管时支撑光半导体元件5，以被覆光半导体元件5的背面(图2B中的下表面)的方式层叠于光半导体元件5的背面，在光半导体元件5即将安装于基板6之前，如图2B的虚线所示，可以剥离封装光半导体元件9的柔性薄膜。即，第2剥离片8仅由柔性薄膜形成。
第2剥离片8由与上述第1剥离片2同样的材料形成。此外，也可以将第2剥离片8由通过加热能够容易地剥离封装光半导体元件9的热剥离片形成。
如图2A所示，接着，将封装构件3和元件构件7以光半导体元件封装波长转换片1与光半导体元件5相对的方式相对配置。
如图2B所示，接着，使封装构件3接近元件构件7，通过光半导体元件封装波长转换片1埋设光半导体元件5。另外，光半导体元件封装波长转换片1还配置于自光半导体元件5露出的第2剥离片8的上表面。
由此，如图2B的实线所示，可得到具备光半导体元件封装波长转换片1、由光半导体元件封装波长转换片1被覆并封装的光半导体元件5、配置于光半导体元件5和光半导体元件封装波长转换片1的下表面的第2剥离片8、以及配置于光半导体元件封装波长转换片1的上表面的第1剥离片2的带剥离片的封装光半导体元件11。
带剥离片的封装光半导体元件11包含封装光半导体元件9以及第2剥离片8和第1剥离片2，是用于制作光半导体装置10的部件，是可作为部件单独流通、在产业上利用的器件。
封装光半导体元件9具备光半导体元件5以及对光半导体元件5进行封装的光半导体元件封装波长转换片1。具体而言，封装光半导体元件9不包括第2剥离片8和/或第1剥离片2，优选由光半导体元件封装波长转换片1和光半导体元件5形成。
然后，将第1剥离片2自光半导体元件封装波长转换片1的上表面剥离。由此，得到具备光半导体元件封装波长转换片1和光半导体元件5的封装光半导体元件9。封装光半导体元件9不包括第1剥离片2，优选由光半导体元件封装波长转换片1和光半导体元件5形成。
然后，如图2B的箭头所示，将封装光半导体元件9自第2剥离片8剥离。具体而言，将封装光半导体元件9自第2剥离片8朝上侧剥离。封装光半导体元件9也是用于制作光半导体装置10的部件，是可作为部件单独流通、在产业上利用的器件。
接着，如图2C所示，将封装光半导体元件9安装于基板6。具体而言，使封装光半导体元件9的光半导体元件5的端子(未图示)与基板6的端子(未图示)接触，进行电连接。
由此，得到具备基板6和安装于基板6的封装光半导体元件9的光半导体装置10。优选光半导体装置10由基板6和封装层被覆光半导体元件10形成。即，光半导体装置10不包括第2剥离片8，优选由基板6、光半导体元件5和光半导体元件封装波长转换片1形成。
接着，通过图2A、图2B和图2C所示的变形例也能够发挥与上述的一个实施方式同样的作用效果。
此外，上述的一个实施方式制作具备由光半导体元件封装波长转换组合物成型为片状的光半导体元件封装波长转换片1和第1剥离片2的封装构件3，通过封装构件3对光半导体元件5进行封装，而例如也可以如图3B所示，将光半导体元件封装波长转换组合物直接配置于安装基板4。
该方法如图3A所示，首先准备具备光半导体元件5和基板6的安装基板4。
接着，如图3B所示，将液态的光半导体元件封装波长转换组合物以被覆光半导体元件5的方式配置于基板6上。液态的光半导体元件封装波长转换组合物处于A阶状态，其25℃下的粘度例如为1,000mPa·s以上，优选为3,000mPa·s以上，更优选为5,000mPa·s以上，并且，例如为1,000,000mPa·s以下，优选为500,000mPa·s以下，更优选为200,000mPa·s以下。
要想将光半导体元件封装波长转换组合物以被覆光半导体元件5的方式配置于基板6，例如涂布液态的光半导体元件封装波长转换组合物。要想涂布液态的光半导体元件封装波长转换组合物，例如可列举出喷涂机、点胶机、狭缝模头涂布机等涂布装置。
由此形成由光半导体元件封装波长转换组合物形成的皮膜13。
在封装树脂为热固性树脂时，皮膜13例如由含有A阶状态的热固性树脂的光半导体元件封装波长转换组合物形成。因此，皮膜13处于A阶状态。
然后，在光半导体元件封装波长转换组合物含有A阶状态的热固性树脂时，将皮膜13加热进行C阶化。需要说明的是，C阶化中不得到B阶状态，或者得到B阶状态后从A阶状态形成C阶状态。
由此，作为光半导体元件封装波长转换成型体的光半导体元件封装波长转换片1在基板6上以封装光半导体元件5的状态制作。于是，可得到具备基板6、光半导体元件5和光半导体元件封装波长转换片1的光半导体装置10。
此外，图3A的变形例中，安装基板4不具备壳体14。而如图4A所示，安装基板4也可以具备壳体14。
即，如图4A所示，安装基板4具备基板6、光半导体元件5和壳体14。优选由基板6、光半导体元件5和壳体14形成。
壳体14设置在基板6上，形成为俯视大致矩形框状或者俯视大致圆环状(图4A中未示出壳体14的俯视形状)。壳体14形成为往上宽度逐渐变窄的大致梯形筒状。壳体14在俯视中以包围光半导体元件5的方式在光半导体元件5的外侧隔开间隔地配置。
接着，要想通过光半导体元件封装波长转换组合物对具备该壳体14的安装基板4的光半导体元件5进行封装，首先，如图4A所示，准备具备基板6、光半导体元件5和壳体14的安装基板4。
接着，如图4B所示，将液态的光半导体元件封装波长转换组合物直接配置于壳体14内。优选将液态的光半导体元件封装波长转换组合物灌封到壳体14内。
由此，得到由液态的光半导体元件封装波长转换组合物形成的皮膜13。
然后，在光半导体元件封装波长转换组合物含有A阶状态的热固性树脂时，对皮膜13加热，进行C阶化。
由此，光半导体元件封装波长转换成型体20在基板6上以封装光半导体元件5的状态成型。光半导体元件封装波长转换成型体20形成为与光半导体元件5的外形和壳体14的内部形状相对应的形状。光半导体元件封装波长转换成型体20具体呈往上宽度逐渐变宽的大致圆锥台状，下表面形成有与光半导体元件5相对应的凹部。
接着，得到具备基板6、光半导体元件5和光半导体元件封装波长转换成型体20的光半导体装置10。
实施例
下面示出实施例和比较例对本发明进行进一步具体说明，但本发明完全不限于此。以下所示的实施例的数值可以被上述实施方式中记载的数值(即，上限值或下限值)所代替。
实施例1(封装树脂：甲基类有机硅树脂组合物)
向一次性杯子中添加有机硅树脂组合物(商品名“ELASTOSILLR7665”、加成反应固化型有机硅树脂组合物、无法形成B阶状态的1阶段反应固化性树脂、折射率1.410、比重1.02、WACKERASAHIKASEISILICONECO.,LTD.制造)5.0g、YAG荧光体(商品名“Y468”、平均粒径17μm、比重4.58、NemotoLumi-MaterialsCo.,Ltd.制造)4.5g以及交联聚甲基丙烯酸甲酯颗粒(商品名“SSX-108”、光扩散性有机颗粒、折射率1.495、比重1.20、平均粒径8μm、积水化成品工业株式会社制造)0.5g，用刮勺搅拌5分钟后，进一步用搅拌器·脱泡装置(Mazerustar、KURABOINDUSTRIESLTD.制造)实施3分钟搅拌脱泡。由此制得光半导体元件封装波长转换组合物(清漆)。
接着，将所制得的光半导体元件封装波长转换组合物用点胶机(“BAKERAPPLICATORYBA型”、刻度调节为2.0～3.0、YOSHIMITSUSEIKI制造)涂布于第1剥离片2(聚酯薄膜、商品名“SS4C”、厚度100μm、NippaCorporation制造)的表面(下表面)，形成皮膜。
接着，将皮膜放入烘箱中，在105℃下加热10分钟，由此使光半导体元件封装波长转换组合物完全固化(C阶化)，如图1A所示，制得C阶的光半导体元件封装波长转换片1(膜厚160～235μm)。即，制得由第1剥离片2和光半导体元件封装波长转换片1形成的封装构件3。
然后，用冲头(直径2mm)对光半导体元件封装波长转换片1进行切割。如图1的B所示，准备具备基板6和安装于基板6的光半导体元件5(LED、Epistar、尺寸1.14mm×1.14mm、厚度150μm、EPISTARCorporation制造)的安装基板4。接着，用测定显微镜将封装构件3相对于安装基板4进行对位，使用粘合剂将光半导体元件封装波长转换片1贴附于光半导体元件5和基板6。
然后，将第1剥离片2自光半导体元件封装波长转换片1剥离。
由此制得具备基板6、光半导体元件5和光半导体元件封装波长转换片1的光半导体装置10。
实施例2～7和比较例1～5、7～11(封装树脂：甲基类有机硅树脂组合物)
对光半导体元件封装波长转换组合物的配方按照表1和表2的记载进行变更，除此之外与实施例1同样进行处理，制得光半导体元件封装波长转换组合物，接着，制得光半导体元件封装波长转换片1，接着，制得光半导体装置10。
实施例8(封装树脂：苯基类有机硅树脂组合物)
代替甲基类有机硅树脂组合物(无法形成B阶状态的1阶段反应固化性树脂)，使用苯基类有机硅树脂组合物(能够形成B阶状态的1阶段反应固化性树脂)制得光半导体元件封装波长转换组合物，并且不使用粘合剂，通过热压对B阶的光半导体元件封装波长转换片1进行C阶化，除此之外与实施例1同样进行处理，制得光半导体装置10。
即，按下述合成例和制备例制得苯基类有机硅树脂组合物。
(合成例1)
向装有搅拌器、回流冷凝管、投加口和温度计的四口烧瓶中投加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、三氟甲烷磺酸0.38g和甲苯500g并混合，边搅拌边用1小时滴加甲基苯基二甲氧基硅烷729.2g与苯基三甲氧基硅烷330.5g的混合物，然后，进行1小时加热回流。然后，冷却，分离去除下层(水层)，对上层(甲苯溶液)进行3次水洗。向经水洗的甲苯溶液中加入氢氧化钾0.40g，一边从水分离管去除水一边进行回流。完成水的去除后，进一步回流5小时，冷却。然后，投加醋酸0.6g进行中和后，对过滤得到的甲苯溶液进行3次水洗。然后，进行减压浓缩，由此得到液态的含链烯基聚硅氧烷A。含链烯基聚硅氧烷A的平均单元式和平均组成式如下。
平均单元式：
((CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2)0.15(CH3C6H5SiO2/2)0.60(C6H5SiO3/2)0.25
平均组成式：
(CH2＝CH)0.15(CH3)0.90(C6H5)0.85SiO1.05
即，含链烯基聚硅氧烷A由R1为乙烯基、R2为甲基和苯基、a＝0.15、b＝1.75的上述平均组成式(1)表示。
此外，通过凝胶渗透色谱测定含链烯基聚硅氧烷A的聚苯乙烯换算的重均分子量，结果为2300。
(合成例2)
向装有搅拌器、回流冷凝管、投加口和温度计的四口烧瓶中投加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、三氟甲烷磺酸0.38g和甲苯500g并混合，边搅拌边用1小时滴加二苯基二甲氧基硅烷173.4g与苯基三甲氧基硅烷300.6g的混合物，滴加结束后，加热回流1小时。然后，冷却，分离去除下层(水层)，对上层(甲苯溶液)进行3次水洗。向经水洗的甲苯溶液中加入氢氧化钾0.40g，一边从水分离管去除水一边进行回流。完成水的去除后，进一步回流5小时，冷却。投加醋酸0.6g进行中和后，对过滤得到的甲苯溶液进行3次水洗。然后，进行减压浓缩，由此得到液态的含链烯基聚硅氧烷B。含链烯基聚硅氧烷B的平均单元式和平均组成式如下。
平均单元式：
(CH2＝CH(CH3)2SiO1/2)0.31((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5SiO3/2)0.47
平均组成式：
(CH2＝CH)0.31(CH3)0.62(C6H5)0.91SiO1.08
即，含链烯基聚硅氧烷B由R1为乙烯基、R2为甲基和苯基、a＝0.31、b＝1.53的上述平均组成式(1)表示。
此外，通过凝胶渗透色谱测定含链烯基聚硅氧烷B的聚苯乙烯换算的重均分子量，结果为1000。
(合成例3)
向装有搅拌器、回流冷凝管、投加口和温度计的四口烧瓶中投加二苯基二甲氧基硅烷325.9g、苯基三甲氧基硅烷564.9g和三氟甲烷磺酸2.36g并混合，加入1,1,3,3-四甲基二硅氧烷134.3g，边搅拌边用30分钟滴加醋酸432g。滴加结束后，边搅拌混合物边升温至50℃，反应3小时。冷却至室温后，加入甲苯和水，充分混合并静置，分离去除下层(水层)。然后，对上层(甲苯溶液)进行3次水洗后，进行减压浓缩，由此得到含硅氢基聚硅氧烷C(交联剂C)。
含硅氢基聚硅氧烷C的平均单元式和平均组成式如下。
平均单元式：
(H(CH3)2SiO1/2)0.33((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5PhSiO3/2)0.45
平均组成式：
H0.33(CH3)0.66(C6H5)0.89SiO1.06
即，含硅氢基聚硅氧烷C由R3为甲基和苯基、c＝0.33、d＝1.55的上述平均组成式(2)表示。
此外，通过凝胶渗透色谱测定含硅氢基聚硅氧烷C的聚苯乙烯换算的重均分子量，结果为1000。
(制备例1)
混合含链烯基聚硅氧烷A(合成例1)20g、含链烯基聚硅氧烷B(合成例2)25g、含硅氢基聚硅氧烷C(合成例3、交联剂C)25g以及铂羰基络合物(商品名“SIP6829.2”、Gelest公司制造、铂浓度2.0质量％)5mg，制得折射率1.565的苯基类有机硅树脂组合物。
此外，在热压中，加热温度为90℃、加热时间为10分钟、压制压力为1.0MPa。通过热压，B阶状态的光半导体元件封装波长转换组合物先进行热塑化，被覆光半导体元件5，接着进行热固化(C阶化)。
实施例9和比较例6(封装树脂：苯基类有机硅树脂组合物)
对光半导体元件封装波长转换组合物的配方按照表1和表2的记载进行变更，除此之外与实施例9同样进行处理，制得光半导体元件封装波长转换组合物，接着，制得光半导体元件封装波长转换片1，接着，制得光半导体装置10。
(有机硅树脂组合物的固化状态的折射率的评价)
针对各个甲基类有机硅树脂组合物和苯基类有机硅树脂组合物，测定固化状态的折射率。
具体而言，使各个甲基类有机硅树脂组合物和苯基类有机硅树脂组合物单独地、即不含光扩散性有机颗粒和荧光体地在100℃下进行1小时的反应(完全固化、C阶)，得到固化物。接着，对所得固化物通过阿贝折射率仪进行测定。
然后，甲基类有机硅树脂组合物的固化物的折射率为1.410，苯基类有机硅树脂组合物的固化物的折射率为1.565。
(由苯基类有机硅树脂组合物得到的固化物的烃基(R5)中的苯基的含有比率的测定)
基于苯基类有机硅树脂组合物(即，不含光扩散性有机颗粒的苯基类有机硅树脂组合物)的反应得到的固化物中直接与硅原子键合的烃基(平均组成式(3)的R5)中的苯基的含有比率(摩尔％)通过1H-NMR和29Si-NMR算出。
具体而言，使A阶的苯基类有机硅树脂组合物在不添加光扩散性有机颗粒和荧光体的情况下在100℃进行1小时的反应(完全固化、C阶化)，得到固化物(完全固化状态)。
接着，通过测定所得固化物的1H-NMR和29Si-NMR，算出苯基在直接与硅原子键合的烃基(R5)中所占的比率(摩尔％)。
结果为48摩尔％。
(总光通量及其提高效果)
<总光通量>
通过Multi-ChannelPhoto-DetectorSystem(MCPD-9800、大塚电子株式会社制造)测定各实施例和各比较例的光半导体装置10的总光通量。测定条件如下。
电流值：300mA
电压：3.5V
曝光时间：19ms
累积回数：16
<总光通量的提高效果>
通过下述式算出并评价基于封装树脂为甲基类有机硅树脂组合物的实施例1～7和比较例2～5、7～11中的光扩散性有机颗粒的总光通量的提高效果。
{[实施例1～7和比较例1～5、7～11各自的总光通量]-[比较例1的总光通量]}/[[比较例1的总光通量]]×100(％)
此外，通过下述式算出并评价基于封装树脂为苯基类有机硅树脂组合物的实施例8和9中的光扩散性有机颗粒的总光通量的提高效果。
{[实施例8和9各自的总光通量]-[比较例6的总光通量]}/[[比较例6的总光通量]]×100(％)
[表1]
[表2]
下面示出表1和表2中的成分的具体情况。
·甲基类有机硅树脂组合物：商品名“ELASTOSILLR7665”、加成反应固化型有机硅树脂组合物、无法形成B阶状态的1阶段反应固化性树脂、折射率1.410、比重1.02、WACKERASAHIKASEISILICONECO.,LTD.制造
·苯基类有机硅树脂组合物：加成反应固化型有机硅树脂组合物、能够形成B阶状态的1阶段反应固化性树脂、折射率1.565、比重1.10、制备例1中制备
·“SSX-105”：商品名、交联甲基丙烯酸甲酯颗粒、光扩散性有机颗粒、折射率1.495、比重1.20、平均粒径5μm、积水化成品工业株式会社制造
·“SSX-108”：商品名、交联甲基丙烯酸甲酯颗粒、光扩散性有机颗粒、折射率1.495、比重1.20、平均粒径8μm、积水化成品工业株式会社制造
·“SSX-110”：商品名、交联甲基丙烯酸甲酯颗粒、光扩散性有机颗粒、折射率1.495、比重1.20、平均粒径10μm、积水化成品工业株式会社制造
·“SSX-108LXE”：商品名、交联甲基丙烯酸甲酯颗粒、光扩散性有机颗粒、折射率1.545、平均粒径8μm、比重1.20、积水化成品工业株式会社制造
·SBX-8：商品名、交联聚苯乙烯颗粒、光扩散性有机颗粒、折射率1.592、平均粒径8μm、比重1.06、积水化成品工业株式会社制造
·“TOSPEARL2000B”：商品名、有机硅颗粒、折射率1.42、比重1.32、平均粒径6.0μm、MomentivePerformanceMaterialsJapanLLC制造
·“FB-3sdc”：商品名、二氧化硅颗粒、光扩散性无机颗粒、折射率1.45、比重1.0、平均粒径3.4μm、电气化学工业株式会社制造
·“FB-7sdc”：商品名、二氧化硅颗粒、光扩散性无机颗粒、折射率1.45、比重1.0、平均粒径5.8μm、电气化学工业株式会社制造
需要说明的是，虽然作为本发明的例示实施方式给出了上述方案，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员所清楚的本发明的变形例是包括在本发明的保护范围内的。
产业上的可利用性
光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。
附图标记说明
1光半导体元件封装波长转换片(光半导体元件封装片)
5光半导体元件
6基板
9封装光半导体元件
10光半导体装置
20光半导体元件封装波长转换成型体

Claims (11)

1.一种光半导体元件封装组合物，其特征在于，其为含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物，
所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，
所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下，
所述光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。
2.根据权利要求1所述的光半导体元件封装组合物，其特征在于，所述光扩散性有机颗粒的平均粒径大于5μm且为15μm以下。
3.根据权利要求1所述的光半导体元件封装组合物，其特征在于，所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为5质量％以上。
4.根据权利要求1所述的光半导体元件封装组合物，其特征在于，所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.025以上且0.100以下。
5.根据权利要求1所述的光半导体元件封装组合物，其特征在于，其含有荧光体。
6.一种光半导体元件封装成型体，其特征在于，其通过将光半导体元件封装组合物成型而得到，
所述光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒，
所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，
所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。
7.一种光半导体元件封装片，其特征在于，其通过将光半导体元件封装组合物成型为片状而得到，
所述光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒，
所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，
所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。
8.一种光半导体装置，其特征在于，其具备：
基板、
安装于所述基板的光半导体元件、以及
对所述光半导体元件进行封装的光半导体元件封装成型体，
所述光半导体元件封装成型体通过将光半导体元件封装组合物成型而得到，
所述光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒，
所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，
所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。
9.一种光半导体装置，其特征在于，其具备：
基板、
安装于所述基板的光半导体元件、以及
对所述光半导体元件进行封装的光半导体元件封装片，
所述光半导体元件封装片通过将光半导体元件封装组合物成型为片状而得到，
所述光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒，
所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，
所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。
10.一种封装光半导体元件，其特征在于，其具备光半导体元件和对所述光半导体元件进行封装的光半导体元件封装成型体，
所述光半导体元件封装成型体通过将光半导体元件封装组合物成型而得到，
所述光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒，
所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，
所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。
11.一种封装光半导体元件，其特征在于，其具备光半导体元件和对所述光半导体元件进行封装的光半导体元件封装片，
所述光半导体元件封装片通过将光半导体元件封装组合物成型为片状而得到，
所述光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒，
所述封装树脂的折射率与所述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下，
所述光扩散性有机颗粒相对于所述光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。
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