CN115863522A - 光半导体元件密封用片 - Google Patents

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Abstract

提供光扩散性优异、且光取出效率优异的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片，其具备具有光扩散层和防反射层的密封部(2)。光半导体元件密封用片(1)在将功能层层叠于片(1)的单面的状态下，从前述功能层侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L* 1、a* 1、b* 1、从片(1)侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L* 2、a* 2、b* 2分别为满足下述式(1)～(3)的值。‑5<L* 1‑L* 2<5(1)‑5<a* 1‑a* 2<5(2)‑5<b* 1‑b* 2<5(3)。

Description

光半导体元件密封用片
技术领域
本发明涉及光半导体元件密封用片。更详细而言，本发明涉及适合于迷你/微型LED等自发光型显示装置的光半导体元件的密封的片。
背景技术
近年，作为新一代型的显示装置，设计了以迷你/微型LED显示装置(Mini/MicroLight Emitting Diode Display)为代表的自发光型显示装置。关于迷你/微型LED显示装置，作为基本构成，使用高密度地排列有大量微小的光半导体元件(LED芯片)的基板作为显示面板，该光半导体元件被密封材料密封，在最表层层叠有树脂薄膜、玻璃板等覆盖构件。
对于使用了背光等自发光型显示装置的显示器而言，存在因光半导体元件的光源而导致亮度产生不均(亮度不均)的问题。专利文献1中，作为能够抑制亮度不均的粘合片，公开了一种粘合片，其具有具备含有光扩散微粒的光扩散粘合剂层和不含光扩散微粒的透明粘合剂层的复合型粘合剂层，上述光扩散粘合剂层和上述透明粘合剂层中的至少一层由活性能量射线固化性粘合剂形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2021-38365号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，专利文献1公开的粘合片虽然通过光扩散粘合剂层发挥光扩散功能，但另一方面，入射至粘合片的光由于在光扩散粘合剂层内发生反射而被封闭在层内，光难以从层中被释放，粘合片的光取出效率低。因此，有在对光半导体元件进行密封的用途中使用上述粘合片时的亮度不充分的问题。
本发明是基于上述情况而作出的，其目的在于，提供光扩散性优异、且光取出效率优异的光半导体元件密封用片。
用于解决问题的方案
本发明人等为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现，根据具备光扩散层的光半导体元件密封用片的、在层叠有功能层的状态下从两侧测得的L*(SCE)的差、a*(SCE)的差和b*(SCE)的差小于±5的光半导体元件密封用片，光扩散性优异、且光取出效率优异。本发明是基于这些见解而完成的。
即，本发明提供一种光半导体元件密封用片，其用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，
上述片具备包含光扩散层和防反射层的密封部，
在将功能层层叠于上述片的单面的状态下，将从上述功能层侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 1、a* 1、b* 1，将从上述片侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 2、a* 2、b* 2时，上述L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2和b* 2分别为满足下述式(1)～(3)的值。
-5<L* 1-L* 2<5 (1)
-5<a* 1-a* 2<5 (2)
-5<b* 1-b* 2<5 (3)
上述光半导体元件密封用片通过使密封部具备光扩散层，从而光扩散性优异。另外，通过使密封部具备防反射层，从而例如在熄灭时抑制由上述金属布线等造成的光的反射，画面的美观良好、外观性优异。另外，上述光半导体元件密封用片大多层叠有功能层而使用。因此，在层叠有功能层的光半导体元件密封用片中，通过使上述L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2和b* 2分别为满足上述式(1)～(3)的值、即从两侧测定的L*(SCE)的差、a*(SCE)的差和b*(SCE)的差小于±5，光半导体元件发出的光与辨识者隔着光半导体元件密封用片而辨识的光的明亮度、色调成为相同程度，因此光半导体元件密封用片的光取出效率和光扩散性良好。
优选上述光半导体元件密封用片在将上述功能层层叠于其单面的状态下的从上述功能层侧测得的总透光率为2～30％。通过使上述总透光率为2％以上，光取出效率优异，能够进一步确保光半导体装置的亮度。通过使上述总透光率为30％以下，能够进一步提高光半导体装置中的金属布线等的防反射功能、对比度。
优选上述密封部依次具有：上述光扩散层、上述防反射层、以及上述光扩散层或不以发挥光扩散功能为目的的无色透明层。通过具有这样的构成，能够进一步减小从两侧测得的L*(SCE)的差、a*(SCE)的差和b*(SCE)的差，能够进一步提高光半导体装置的亮度。
优选上述光扩散层包含折射率为1.4～1.7的光扩散剂。通过具有这样的构成，能够进一步减小从两侧测得的L*(SCE)的差、a*(SCE)的差和b*(SCE)的差，能够进一步提高光半导体装置的亮度。另外，光半导体元件密封用片的光扩散性也优异。
优选上述光扩散剂由有机硅树脂构成。通过具有这样的构成，能够进一步提高光扩散层的光取出效率、进一步提高光半导体装置的亮度。另外，光半导体元件密封用片的光扩散性也优异。
优选上述功能层包含表面处理层。通过具有这样的构成，层叠有包含表面处理层的功能层的光半导体元件密封用片的光扩散性优异、且光取出效率优异。
另外，本发明提供一种光半导体装置，其具备：基板；配置在上述基板上的光半导体元件；以及通过上述密封部对上述光半导体元件进行密封的上述光半导体元件密封用片。这样的光半导体装置的外观性优异、亮度高、且不易引起亮度不均。
优选上述光半导体装置为自发光型显示装置。
另外，本发明提供一种图像显示装置，其具备上述自发光型显示装置。
发明的效果
本发明的光半导体元件密封用片的光扩散性优异、且光取出效率优异。因此，根据本发明的光半导体元件密封用片，在对光半导体元件进行密封的状态下外观性优异、亮度高、且不易引起亮度不均。并且，通过使用本发明的光半导体元件密封用片，可提供如下的光半导体装置：在光半导体元件未点亮时美观良好、且在光半导体元件点亮时能够使从光半导体元件发出的光高效地以扩散状态通过。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的光半导体元件密封用片的截面图。
图2为使用了本发明的一个实施方式的光半导体元件密封用片的光半导体装置的截面图。
图3为示出将图2所示的光半导体装置平铺而制作的光半导体装置的一个实施方式的外观图。
图4表示示出光半导体装置的制造方法的一个实施方式中的密封工序的状况的截面图。
图5表示示出图4所示的密封工序后得到的层叠体的截面图。
图6表示示出图5所示的层叠体的切割工序中的切割位置的截面图。
附图标记说明
1 光半导体元件密封用片
2 密封部
21 第一密封层
22 第二密封层
23 第三密封层
3 剥离衬垫
4 基材部
41 基材薄膜
42 功能层
5 基板
6 光半导体元件
10、20 光半导体装置
具体实施方式
[光半导体元件密封用片]
本发明的光半导体元件密封用片至少具备包含光扩散层和防反射层的密封部。上述光扩散层和上述防反射层是彼此不同的层，上述密封部包含光扩散层和防反射层这至少两层。需要说明的是，本说明书中，光半导体元件密封用片是指用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片。另外，本说明书中，“对光半导体元件进行密封”是指将光半导体元件的至少一部分填埋至密封部内，或通过上述密封部追随并被覆。上述密封部具有能够填埋光半导体元件的至少一部分、或通过上述密封部追随并被覆的柔软性。
上述防反射层具有在光半导体装置中抑制光半导体元件发出的光的反射的功能。通过具备上述防反射层，例如在显示装置中能够抑制熄灭时因金属布线等造成的光的反射、使画面的美观良好、外观性优异。上述防反射层在上述密封部内可以是单层也可以是多层。
上述光扩散层发挥使光扩散的功能。通过具备上述光扩散层，能够在光半导体装置中抑制亮度不均。上述光扩散层在上述密封部内可以是单层也可以是多层。
上述密封部可以具备除上述防反射层和上述光扩散层以外的其它层。作为上述其它层，可列举出不以发挥光扩散功能为目的的无色透明层(非光扩散层)。
上述密封部至少具备与上述光半导体元件接触的第一密封层。上述密封部优选还具备层叠于上述第一密封层的第二密封层，更优选还具备层叠于上述第二密封层的第三密封层。此时，上述第一密封层、上述第二密封层和上述第三密封层中的至少一层为上述防反射层，至少另一层为上述光扩散层。其中，优选上述第一密封层、上述第二密封层和上述第三密封层中的一层为上述光扩散层、另一层为上述防反射层、剩下的一层为上述光扩散层或上述非光扩散层。上述密封部中，上述防反射层和上述光扩散层的层叠位置没有特别限定。上述光半导体元件密封用片中，第一密封层和第二密封层、第二密封层和第三密封层优选分别直接层叠。
作为第一密封层、第二密封层和第三密封层的层叠结构[第一密封层/第二密封层/第三密封层]，可列举出[光扩散层/防反射层/非光扩散层]、[非光扩散层/防反射层/光扩散层]、[光扩散层/防反射层/光扩散层]、[非光扩散层/光扩散层/防反射层]、[光扩散层/非光扩散层/防反射层]、[光扩散层/光扩散层/防反射层]、[光扩散层/防反射层/防反射层]、[防反射层/光扩散层/非光扩散层]、[防反射层/非光扩散层/光扩散层]、[防反射层/光扩散层/光扩散层]、[防反射层/光扩散层/防反射层]、[防反射层/防反射层/光扩散层]等。
其中，优选第二密封层和/或第三密封层为防反射层、更优选第二密封层为防反射层。第二密封层为防反射层时，第三密封层为防反射层、光扩散层和非光扩散层均可，但优选为光扩散层或非光扩散层。第三密封层为光扩散层或非光扩散层时，优选第一密封层和/或第三密封层为光扩散层。其中，优选第一密封层和第三密封层的一者为光扩散层，另一者为非光扩散层，更优选第一密封层为光扩散层，进一步优选第一密封层为光扩散层，第三密封层为非光扩散层。这些情况下，有亮度不均的抑制效果和外观性更优异的倾向。
作为上述层叠结构[第一密封层/第二密封层/第三密封层]，其中，优选为[光扩散层/防反射层/非光扩散层]、[非光扩散层/防反射层/光扩散层]、[光扩散层/防反射层/光扩散层]、[非光扩散层/光扩散/防反射层]、[光扩散层/非光扩散层/防反射层]。
上述密封部特别优选依次具有上述光扩散层、上述防反射层和上述光扩散层或上述非光扩散层。具有这样的构成时，能够进一步减小从两侧测定的L*(SCE)的差、a*(SCE)的差、和b*(SCE)的差、能够进一步提高光半导体装置的亮度。作为这样的层叠结构[第一密封层/第二密封层/第三密封层]，可列举出[光扩散层/防反射层/非光扩散层]、[非光扩散层/防反射层/光扩散层]、[光扩散层/防反射层/光扩散层]。
第一密封层、第二密封层、和第三密封层可以各自独立地为具有通过辐射线照射而固化的性质的树脂层(辐射线固化性树脂层)，也可以为不具有通过辐射线照射而固化的性质的树脂层(非辐射线固化性树脂层)。作为上述辐射线，例如可列举出电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线等。
第一密封层优选为非辐射线固化性树脂层。通过具有这样的构成，位于上述光半导体元件密封用片的表面的第一密封层对光半导体元件进行密封时的对光半导体元件和基板的密合性优异、光半导体元件的追随性和填埋性优异。其结果，即使在由光半导体元件造成的高度差高的情况下外观性也优异。
优选第二密封层和/或第三密封层为辐射线固化性树脂层。通过具有这样的构成，在光半导体元件的密封后，通过辐射线照射而使第二密封层和/或上述第三密封层固化，光半导体元件密封用片侧面的密合性降低。由此，在平铺状态下邻接的光半导体装置中的片彼此的密合性降低，在将邻接的光半导体装置彼此拉开时，不易引起片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
第一密封层为对光半导体元件进行密封时成为与光半导体元件接触的一侧(即，具备光半导体元件的基板侧)的层。第一密封层可以具有粘合性和/或粘接性，也可以不具有。其中，为了使第一密封层能够以充分的密合力密合于基板和光半导体元件从而充分地对光半导体元件进行密封，优选具有粘合性和/或粘接性。
第二密封层可以具有粘合性和/或粘接性，也可以不具有。其中，优选具有粘合性和/或粘接性。通过具有这样的构成，对光半导体元件进行密封时，能够容易地将光半导体元件密封,另外，与位于光半导体元件侧表面的第一密封层的密合性优异、光半导体元件的密封性更优异。
第三密封层可以具有粘合性和/或粘接性，也可以不具有。其中，优选具有粘合性和/或粘接性。通过具有这样的构成，在将第三密封层与基材部等其它构件层叠的状态下，界面的追随性优异。因此，在利用上述光半导体元件密封用片对光半导体元件进行密封的状态下，第三密封层与所密合或粘接的其它构件不易产生间隙，光扩散性和光取出效率更优异。另外，对光半导体元件进行密封时，能够容易地将光半导体元件密封，进而与第二密封层的密合性优异、光半导体元件的密封性更优异。
本发明的光半导体元件密封用片可以设置在基材部的至少一面，也可以形成于剥离衬垫上的剥离处理面。不具有上述基材部时，可以是光半导体元件密封用片的两面与剥离衬垫接触。剥离衬垫作为上述光半导体元件密封用片的保护材料使用，在对光半导体元件进行密封时被剥去。需要说明的是，基材部和剥离衬垫也可以不必设置。
以下对本发明的光半导体元件密封用片的一个实施方式进行说明。图1为示出本发明的光半导体元件密封用片的一个实施方式的截面图。如图1所示，光半导体元件密封用片1能够用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，具备基材部4和形成在基材部4上的密封部2。基材部4由基材薄膜41和作为表面处理层的功能层42构成，但也可以不具有功能层42，由基材薄膜41构成。密封部2例如由作为光扩散层的第一密封层21、作为防反射层的第二密封层22和作为光扩散层或非光扩散层的第三密封层23的层叠体形成。第二密封层22直接层叠于第一密封层21，第三密封层23直接层叠于第二密封层22。在第一密封层21的单面粘贴有剥离衬垫3，在第三密封层23上粘贴有基材部4。
本发明的光半导体元件密封用片在将功能层层叠于其单面的状态下，将从上述功能层侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 1、a* 1、b* 1，将从上述片侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 2、a* 2、b* 2时，上述L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2和b* 2分别为满足下述式(1)～(3)。
-5<L* 1-L* 2<5 (1)
-5<a* 1-a* 2<5 (2)
-5<b* 1-b* 2<5 (3)
通过使上述L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2和b* 2为分别满足上述式(1)～(3)的值，即，使从两侧测定的L*(SCE)的差、a*(SCE)的差和b*(SCE)的差小于±5，光半导体元件发出的光与辨识者隔着光半导体元件密封用片而辨识的光的明亮度、色调成为相同程度，因此光半导体元件密封用片的光取出效率和光扩散性良好。
上述式(1)中的L* 1-L* 2大于-5、优选大于-3、更优选大于-1。另外，L* 1-L* 2小于5、优选小于4、更优选小于3。
上述式(2)中的a* 1-a* 2大于-5、优选大于-3、更优选大于-1。另外，a* 1-a* 2小于5、优选小于3、更优选小于1、进一步优选小于0.5。
上述式(3)中的b* 1-b* 2大于-5、优选大于-3、更优选大于1.5。另外，b* 1-b* 2小于5、优选小于3、更优选小于1、进一步优选小于0.5。
需要说明的是，在上述光半导体元件密封用片未层叠上述功能层的状态下，将从一面侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 1、a* 1、b* 1，将从另一面侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 2、a* 2、b* 2时，优选上述L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2和b* 2分别为满足上述式(1)～(3)的值。
上述功能层是不包含在上述密封部中的层，可列举出能够对本发明的光半导体元件密封用片赋予各种功能的层。作为上述功能层，例如可列举出包含表面处理层的层。通过具有这样的构成，层叠有包含表面处理层的功能层的光半导体元件密封用片的光扩散性优异、且光取出效率优异。作为上述表面处理层，可列举出防眩处理层(防眩光处理层)、防反射处理层、硬涂处理层等。上述功能层可以层叠于本发明的光半导体元件密封用片中的上述密封部，在具备上述基材部时也可以层叠于上述基材部，优选层叠于上述基材部，优选层叠于上述基材部的与具备上述密封部的一侧的相反侧。
本发明的光半导体元件密封用片可以具备上述功能层。具备上述功能层时，可以另外以不层叠功能层的方式进行上述L*a*b*(SCE)的测定。此时，上述“片侧”是指不具备上述功能层的一侧。本发明的光半导体元件密封用片不具备上述功能层时，另外层叠功能层来进行上述L*a*b*(SCE)的测定。上述功能层优选相对于后述第一密封层侧层叠于后述第三密封层侧。
在图1所示的光半导体元件密封用片1中，在基材部4中的基材薄膜41表面层叠有功能层42。例如，在光半导体元件密封用片1中，L* 1、a* 1和b* 1为从功能层42侧(图1中的上侧)测得的值，L* 2、a* 2和b* 2为将剥离衬垫3剥离或不剥离、从与层叠有功能层4的一侧相反侧即第一密封层21侧(图1中的下侧)测得的值。
(防反射层)
上述防反射层优选至少包含着色剂。上述防反射层优选为由树脂构成的树脂层。上述着色剂只要能够在上述防反射层中溶解或分散，则为染料或颜料均可。从即使少量添加也能够实现低雾度、如颜料那样没有沉降性且容易均匀分布的方面出发，优选为染料。另外，从即使少量添加颜色显现性也高的方面出发，也优选为颜料。使用颜料作为着色剂时，优选导电性低或没有导电性。上述着色剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述着色剂，优选为黑系着色剂。作为上述黑系着色剂，可以使用用于呈现公知惯用的黑色的着色剂(颜料、染料等)，例如可列举出炭黑(炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂炭黑、灯黑、松烟等)、石墨、氧化铜、二氧化锰、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁氧体(非磁性铁氧体、磁性铁氧体等)、磁铁体(magnetite)、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、蒽醌系着色剂、氮化锆等。黑系着色剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。另外，也可以使用组合配混呈现黑色以外的颜色的着色剂而作为黑系着色剂发挥作用的着色剂。
作为上述着色剂，没有特别限定，优选为吸收可见光且具有紫外线透过性的着色剂。即，着色剂优选波长330～400nm下的平均透过率大于波长400～700nm下的平均透过率。另外，着色剂优选波长330～400nm下的透过率的最大值大于波长400～700nm下的透过率的最大值。着色剂的透过率使用通过四氢呋喃(THF)等适当的溶剂或分散介质(波长330～700nm的范围的吸收小的有机溶剂)进行了稀释而使得波长400nm下的透过率为50～60％左右的溶液或分散液进行测定。
作为紫外线的吸收小于可见光的吸收的紫外线透过性的黑色颜料，可列举出商品名“9050BLACK”、商品名“UVBK-0001”(均为TOKUSHIKI CO.,Ltd制)等。作为紫外线透过性的黑色染料，可列举出商品名“SOC-L-0123”(ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES制)等。
通常用作黑系着色剂的炭黑、钛黑的紫外线的吸收大于可见光的吸收(紫外线透过率小于可见透光率)。因此，在对紫外线具有灵敏度的辐射线固化性树脂中添加炭黑等着色剂时，为了光固化而照射的紫外线大多被着色剂吸收，光聚合引发剂所吸收的光量小，光固化需要时间(累积照射光量变多)。另外，所层叠的层的厚度大时，由于到达光照射面的相反侧的面的紫外线少，因此即使进行长时间的光照射，也有光固化不充分的倾向。与此相对，通过使用与可见光相比紫外线的透过率更大的着色剂，能够抑制起因于着色剂的固化阻碍。
关于上述防反射层中的着色剂的含量，从对半导体元件密封用片赋予适当的防反射能力的观点出发，相对于构成防反射层的树脂100质量份，优选为0.01～20质量份、更优选为0.1～15质量份、进一步优选为1～10质量份，根据着色剂的种类、半导体元件密封用片的色调和透光率等适当设定即可。着色剂可以以在适当的溶剂中溶解或分散而成的溶液或分散液的形式添加到组合物中。
上述防反射层的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从确保光半导体装置的辨识性的观点出发，优选为30％以下、更优选为25％以下、进一步优选为20％以下、特别优选为15％以下。另外，从高效地减少光半导体装置的亮度不均的观点出发，上述防反射层的雾度值优选为1％以上、更优选为3％以上、进一步优选为5％以上、特别优选为8％以上、也可以为10％以上。上述防反射层为辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述防反射层的总透光率没有特别限定，从进一步提高光半导体装置中的金属布线等的防反射功能、对比度的观点出发，优选为30％以下、更优选为25％以下、进一步优选为20％以下、特别优选为10％以下。另外，从确保光半导体装置的亮度的观点出发，上述防反射层的总透光率优选为0.5％以上、更优选为1％以上、进一步优选为1.5％以上、特别优选为2％以上、也可以为2.5％以上或3％以上。上述防反射层为辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述防反射层的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JIS K7361-1规定的方法进行测定，可以通过种类、厚度、着色剂的种类、配混量等来控制。
(光扩散层)
上述光扩散层为具有使光扩散的功能的层，优选为由树脂构成的树脂层。上述光扩散层没有限定，优选包含光扩散剂。即，上述光扩散层优选包含分散在树脂层中的光扩散剂。上述光扩散剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述光扩散剂的折射率优选为1.4～1.7、更优选为1.41～1.68、进一步优选为1.42～1.66。上述折射率为上述范围内时，能够进一步减小从两侧测定的L*(SCE)的差、a*(SCE)的差和b*(SCE)的差，能够进一步提高光半导体装置的亮度。另外，光半导体元件密封用片的光扩散性也优异。
从更高效地减少光半导体装置的亮度不均的观点出发，上述光扩散剂与构成光扩散层的树脂(光扩散层中除去光扩散剂之外的树脂层)的折射率差的绝对值优选为0.001以上、更优选为0.01以上、进一步优选为0.02以上、特别优选为0.03以上、也可以为0.04以上或0.05以上。另外，从防止雾度值变得过高、显示高清晰的图像的观点出发，光扩散剂与树脂的折射率差的绝对值优选为5以下、更优选为4以下、进一步优选为3以下。
上述光扩散剂与构成光扩散层的树脂具有适当的折射率差，对光扩散层赋予扩散性能。作为构成光扩散剂的材料，可列举出无机材料、高分子材料等。作为无机材料的材质，例如可列举出二氧化硅、碳酸钙、氢氧化铝、氢氧化镁、粘土、滑石、金属氧化物等。作为高分子材料的材质，例如可列举出有机硅树脂、丙烯酸系树脂(例如，包含聚甲基丙烯酸甲酯等聚甲基丙烯酸酯树脂)、聚苯乙烯树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、聚乙烯树脂、环氧树脂等。
作为构成上述光扩散剂的材料，优选为高分子材料、更优选为有机硅树脂。由此，能够进一步提高光扩散层的光取出效率、进一步提高光半导体装置的亮度。另外，光半导体元件密封用片的光扩散性也优异。
上述光扩散剂的形状没有特别限定，例如可以为正球状、扁平状、不定形状。
上述光扩散剂优选为光扩散性微粒。从对光半导体元件密封用片赋予适当的光扩散性能的观点出发，上述光扩散性微粒的平均粒径优选为0.1μm以上、更优选为0.15μm以上、进一步优选为0.2μm以上、特别优选为0.25μm以上。另外，从防止雾度值变得过高、显示高清晰的图像的观点出发，上述光扩散性微粒的平均粒径优选为12μm以下、更优选为10μm以下、进一步优选为8μm以下。平均粒径例如可以使用库尔特计数器来测定。
关于上述光扩散层中的上述光扩散剂的含量，从对光半导体元件密封用片赋予适当的光扩散性能的观点出发，相对于构成光扩散层的树脂100质量份，优选为5质量份以上、更优选为10质量份以上、进一步优选为20质量份以上、特别优选为30质量份以上。另外，从防止雾度值变得过高、显示高清晰的图像的观点出发，光扩散剂的含量相对于构成光扩散层的树脂100质量份优选为80质量份以下、更优选为70质量份以下。
上述光扩散层的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从光扩散性更优异、高效地减少光半导体装置的亮度不均的观点出发，优选为30％以上、更优选为40％以上、进一步优选为50％以上、特别优选为60％以上、也可以为70％以上、80％以上、90％以上、95％以上、97％以上。需要说明的是，上述光扩散层的雾度值的上限没有特别限定，即，可以为100％、也可以为99％。上述光扩散层为辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述光扩散层的总透光率没有特别限定，从光取出效率优异、确保光半导体装置的亮度的观点出发，优选为40％以上、更优选为60％以上、进一步优选为70％以上、进一步优选为80％以上。另外，上述光扩散层的总透光率的上限值没有特别限定，可以低于100％，也可以为99.9％以下或99％以下。上述光扩散层为辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述光扩散层的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JIS K7361-1规定的方法进行测定，可以通过光扩散层的种类、厚度、光扩散剂的种类、配混量等来控制。
(非光扩散层)
上述非光扩散层是不以发挥使光扩散的功能为目的的无色透明的层，优选为由树脂构成的树脂层。
上述非光扩散层的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从光取出效率优异、使光半导体装置的亮度优异的观点出发，优选低于30％、更优选为10％以下、进一步优选为5％以下、特别优选为1％以下、也可以为0.5％以下。需要说明的是，上述非光扩散层的雾度值的下限没有特别限定。上述非光扩散层为辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述非光扩散层的总透光率没有特别限定，从光取出效率优异、确保光半导体装置的亮度的观点出发，优选为60％以上、更优选为70％以上、进一步优选为80％以上、特别优选为90％以上。另外，上述非光扩散层的总透光率的上限值没有特别限定，可以低于100％、也可以为99.9％以下或99％以下。上述非光扩散层为辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是固化前的值，也可以是固化后的值。
上述非光扩散层的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JIS K7361-1规定的方法进行测定，可以通过非光扩散层的种类、厚度等来控制。
从光取出效率优异、使光半导体装置的亮度优异的观点出发，上述非光扩散层中的着色剂和/或光扩散剂的含量相对于构成非光扩散层的树脂100质量份优选低于0.01质量份、更优选为0.005质量份以下。
<树脂层>
上述防反射层、上述光扩散层和上述非光扩散层为上述树脂层的情况下，作为构成上述树脂层的树脂，可列举出公知惯用的树脂，例如可列举出丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯丙烯酸酯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、橡胶系树脂、环氧系树脂、环氧丙烯酸酯系树脂、氧杂环丁烷系树脂、有机硅树脂、有机硅丙烯酸系树脂、聚酯系树脂、聚醚系树脂(聚乙烯基醚等)、聚酰胺系树脂、氟系树脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃等。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。构成上述防反射层、上述光扩散层和上述非光扩散层的树脂彼此可以相同也可以不同。
上述树脂层为具有粘合性的层(粘合层)的情况下，作为上述树脂，可以使用公知惯用的压敏型粘合剂。作为上述粘合剂，例如可列举出丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂(天然橡胶系、合成橡胶系、它们的混合体系等)、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、聚醚系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氟系粘合剂等。上述粘合剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述丙烯酸系树脂为含有源自丙烯酸系单体(在分子中具有(甲基)丙烯酰基的单体成分)的结构单元作为聚合物的结构单元的聚合物。上述丙烯酸系树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述丙烯酸系树脂优选为以质量比率计包含源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元最多的聚合物。需要说明的是，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”(“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”中的任一者或两者)，其他的也相同。
作为上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出含烃基的(甲基)丙烯酸酯。作为上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯等具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯等。上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，其中，优选具有碳数为1～20(优选为1～14、更优选为2～10、进一步优选为2～6)的直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯。上述碳数为上述范围内时，上述丙烯酸系树脂的玻璃化转变温度的调整容易，容易使树脂层的粘合性更适当。
作为上述具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸环庚酯、(甲基)丙烯酸环辛酯等具有单环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有二环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊基氧乙酯、(甲基)丙烯酸三环戊基酯、(甲基)丙烯酸1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯等具有三环以上的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯等。其中，优选为具有单环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯、更优选为(甲基)丙烯酸环己酯。
作为上述具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
作为上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯，其中，优选包含具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯。进而更优选包含具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯。此时，树脂层的粘合性的平衡良好，光半导体元件的密封性更优异。
为了在上述树脂层中适当地显现由上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，关于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯的比率，相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)，优选为40质量％以上、更优选为50质量％以上、进一步优选为60质量％以上。另外，从能够与其它单体成分共聚并得到该其它单体成分的效果的观点出发，上述比率优选为95质量％以下、更优选为80质量％以下。
关于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯的比率，相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)，优选为30质量％以上、更优选为40质量％以上。另外，上述比率优选为90质量％以下、更优选为70质量％以下。
关于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯的比率，相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)，优选为1质量％以上、更优选为5质量％以上。另外，上述比率优选为30质量％以下、更优选为20质量％以下。
出于导入后述的第1官能团的目的、出于内聚力、耐热性等的改性的目的，上述丙烯酸系树脂可以包含源自能够与上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体成分的结构单元。作为上述其它单体成分，例如可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、含氮原子单体等含极性基团的单体等。上述其它单体成分分别可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述含羧基单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等。作为上述酸酐单体，例如可列举出马来酸酐、衣康酸酐等。
作为上述含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等。
作为上述含缩水甘油基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等。
作为上述含磺酸基单体，例如可列举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等。
作为上述含磷酸基单体，例如可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等。
作为上述含氮原子单体，例如可列举出(甲基)丙烯酰基吗啉等含吗啉基单体、(甲基)丙烯腈等含氰基单体、(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基单体等。
作为构成上述丙烯酸系树脂的上述含极性基团的单体，优选含有含羟基单体。通过使用含羟基单体，后述第1官能团的导入容易。另外，丙烯酸系树脂和上述树脂层的耐水性优异，光半导体元件密封用片即使在成为高湿度的环境下使用时也不易起雾，耐白化性优异。
作为上述含羟基单体，优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯，更优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
为了在上述树脂层中适当地显现由上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分(100质量％)中的上述含极性基团的单体的比率优选为5～50质量％、更优选为10～40质量％。特别是从上述树脂层的耐水性也更优异的观点出发，含羟基单体的比率优选为上述范围内。
作为上述其它单体成分，可以进一步包含(甲基)丙烯酸的己内酯加成物、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯等乙烯基系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟代(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯、含烷氧基取代烃基的(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯氧基苄酯等)丙烯酸酯系单体等。
构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分(100质量％)中的上述其它单体成分的比率例如为3～50质量％左右，也可以为5～40质量％或10～30质量％。
上述丙烯酸系树脂为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以含有源自能够与构成丙烯酸系树脂的单体成分共聚的多官能(甲基)丙烯酸酯的结构单元。作为上述多官能(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。上述多官能性单体可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
为了在上述树脂层中适当地显现由上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分(100质量％)中的上述多官能性单体的比率优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。
上述树脂层为辐射线固化性树脂层时，作为上述树脂层，例如可列举出：含有基础聚合物和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、低聚物成分的层、包含具有辐射线聚合性官能团的聚合物(特别是丙烯酸系树脂)作为基础聚合物的层等。
作为上述辐射线聚合性官能团，可列举出烯属不饱和基团等包含碳-碳不饱和键的基团等辐射线自由基聚合性基团、辐射线阳离子聚合性基团等。作为上述包含碳-碳不饱和键的基团，例如可列举出乙烯基、丙烯基、异丙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基等。作为上述辐射线阳离子聚合性基团，可列举出环氧基、氧杂环丁基、氧杂环戊基等。其中，优选为包含碳-碳不饱和键的基团，更优选为丙烯酰基、甲基丙烯酰基。上述辐射线聚合性官能团可以仅为一种，也可以为两种以上。上述辐射线聚合性官能团的位置可以为聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端的任一者。
上述具有辐射线聚合性官能团的聚合物例如可通过使具有反应性官能团(第1官能团)的聚合物与具有能够与上述第1官能团之间发生反应而形成键的官能团(第2官能团)和上述辐射线聚合性官能团的化合物在维持上述辐射线聚合性官能团的辐射线聚合性的状态下发生反应而键合的方法来制作。因此，上述具有辐射线聚合性官能团的聚合物优选包含源自具有上述第1官能团的聚合物的结构部和源自具有上述第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物的结构部。
作为上述第1官能团与上述第2官能团的组合，例如可列举出羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基等。这些之中，从反应追踪的容易度的观点出发，优选为羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。上述组合可以仅为一种，也可以为两种以上。
作为上述具有放射性聚合性官能团和异氰酸酯基的化合物，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。上述化合物可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
关于上述具有辐射线聚合性官能团的丙烯酸系树脂中的、源自具有上述第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物的结构部的含量，从能够进一步推进辐射线固化性树脂层的固化的观点出发，相对于源自具有上述第1官能团的丙烯酸系树脂的结构部的总量100摩尔，优选为0.5摩尔以上、更优选为1摩尔以上、进一步优选为3摩尔以上、进一步优选为10摩尔以上。上述含量例如为100摩尔以下。
关于上述具有辐射线聚合性官能团的丙烯酸系树脂中的、上述第2官能团相对于上述第1官能团的摩尔比[第2官能团/第1官能团]，从能够进一步推进辐射线固化性树脂层的固化的观点出发，优选为0.01以上、更优选为0.05以上、进一步优选为0.2以上、特别优选为0.4以上。另外，从进一步减少辐射线固化性树脂层中的低分子量物质的观点出发，上述摩尔比优选低于1.0、更优选为0.9以下。
上述丙烯酸系树脂通过将上述的各种单体成分进行聚合而得到。作为其聚合方法，没有特别限定，例如可列举出溶液聚合方法、乳液聚合方法、本体聚合方法、基于活性能量射线照射的聚合方法(活性能量射线聚合方法)等。另外，得到的丙烯酸系树脂为无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中的任一者。
上述具有辐射线聚合性官能团的丙烯酸系树脂例如可以通过如下方法制作：使包含具有第1官能团的单体成分的原料单体聚合(共聚)而得到具有第1官能团的丙烯酸系树脂后，使具有上述第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物在维持辐射线聚合性官能团的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系树脂进行缩合反应或加成反应。
在单体成分的聚合时，可以使用各种通常的溶剂。作为上述溶剂，例如可列举出乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯类；甲苯、苯等芳香族烃类；正己烷、正庚烷等脂肪族烃类；环己烷、甲基环己烷等脂环式烃类；甲乙酮、甲基异丁基酮等酮类等有机溶剂。上述溶剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
单体成分的自由基聚合中使用的聚合引发剂、链转移剂、乳化剂等没有特别限定，可适当选择来使用。需要说明的是，丙烯酸系聚合物的重均分子量可以通过聚合引发剂、链转移剂的使用量、反应条件来控制，根据它们的种类来适当调整其用量。
作为单体成分的聚合中使用的聚合引发剂，可以根据聚合反应的种类来使用热聚合引发剂、光聚合引发剂(光引发剂)等。上述聚合引发剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述热聚合引发剂，没有特别限定，例如可列举出偶氮系聚合引发剂、过氧化物系聚合引发剂、氧化还原系聚合引发剂等。相对于构成上述具有第1官能团的丙烯酸系树脂的全部单体成分的总量100质量份，上述热聚合引发剂的使用量优选为1质量份以下、更优选为0.005～1质量份、进一步优选为0.02～0.5质量份。
作为上述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻醚系光聚合引发剂、苯乙酮系光聚合引发剂、α-酮醇系光聚合引发剂、芳香族磺酰氯系光聚合引发剂、光活性肟系光聚合引发剂、苯偶姻系光聚合引发剂、苯偶酰系光聚合引发剂、二苯甲酮系光聚合引发剂、缩酮系光聚合引发剂、噻吨酮系光聚合引发剂、酰基氧化膦系光聚合引发剂、二茂钛系光聚合引发剂等。其中，优选为苯乙酮系光聚合引发剂。
作为上述苯乙酮系光聚合引发剂，例如可列举出2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(叔丁基)二氯苯乙酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、甲氧基苯乙酮等。
相对于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分的总量100质量份，上述光聚合引发剂的使用量优选为0.005～1质量份、更优选为0.01～0.7质量份、进一步优选为0.18～0.5质量份。若上述使用量为0.005质量份以上(尤其是0.18质量份以上)，则有如下倾向：容易将丙烯酸系树脂的分子量控制得较小，树脂层的残留应力变高，高度差吸收性变得更良好。
上述具有第1官能团的丙烯酸系树脂与上述具有第2官能团和辐射线聚合性官能团的化合物的反应例如可以在溶剂中、在催化剂的存在下搅拌来进行。作为上述溶剂，可列举出上述溶剂。上述催化剂根据第1官能团与第2官能团的组合来适当选择。上述反应中的反应温度例如为5～100℃，反应时间例如为1～36小时。
上述丙烯酸系树脂可以具有源自交联剂的结构部。例如，能够使上述丙烯酸系树脂发生交联而进一步减少上述树脂层中的低分子量物质。另外，能够提高丙烯酸系树脂的重均分子量。需要说明的是，上述丙烯酸系树脂具有辐射线聚合性官能团时，上述交联剂是使除辐射线聚合性官能团之外的官能团彼此(例如第1官能团彼此、第2官能团彼此、或者第1官能团与第2官能团)发生交联的物质。上述交联剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述交联剂，例如可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂、有机硅系交联剂、硅烷系交联剂等。作为上述交联剂，其中，从对光半导体元件的密合性优异的观点、杂质离子少的观点出发，优选为异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂，更优选为异氰酸酯系交联剂。
作为上述异氰酸酯系交联剂(多官能异氰酸酯化合物)，例如可列举出1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等。另外，作为上述异氰酸酯系交联剂，例如还可列举出三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯加成物、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯加成物、三羟甲基丙烷/苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。
源自上述交联剂的结构部的含量没有特别限定，相对于上述丙烯酸系树脂的除源自上述交联剂的结构部之外的总量100质量份，优选含有5质量份以下，更优选为0.001～5质量份、进一步优选为0.01～3质量份。
上述树脂层在防反射层、光扩散层和非光扩散层中，在不损害本发明的效果的范围内可以包含除上述各成分以外的其它成分。作为上述其它成分，可列举出交联促进剂、增粘树脂(松香衍生物、聚萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚等)、低聚物、抗老化剂、填充剂(金属粉、有机填充剂、无机填充剂等)、抗氧化剂、增塑剂、软化剂、表面活性剂、抗静电剂、表面润滑剂、流平剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、阻聚剂、粒状物、箔状物等。上述其它成分分别可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
第一密封层、第二密封层和第三密封层的各层的厚度例如为5～480μm。第一密封层的厚度优选为5～100μm、更优选为10～80μm、进一步优选为20～70μm。第一密封层的厚度为5μm以上时，半导体元件的密封性变得更良好。第一密封层的厚度为100μm以下时，更容易确保光半导体元件的发光时的亮度。
第二密封层的厚度优选为5～100μm、更优选为10～80μm、进一步优选为20～70μm。第二密封层的厚度为5μm以上时，半导体元件的密封性变得更良好。第二密封层的厚度为100μm以下时，更容易确保光半导体元件的发光时的亮度。
第三密封层的厚度优选为30～480μm、更优选为40～380μm、进一步优选为50～280μm。第三密封层的厚度为30μm以上时，半导体元件的密封性变得更良好。第三密封层的厚度为480μm以下时，在平铺状态下将邻接的光半导体装置彼此拉开时，更不易引起光半导体元件密封用片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。
上述密封部(例如，以第一密封层和第三密封层为两个端面的层叠体)的厚度例如为100～500μm、优选为120～400μm、进一步优选为150～300μm。上述厚度为100μm以上时，光半导体元件的密封性变得更良好。上述厚度为500μm以下时，作为片的操作性和平铺工序中的返工性变得更良好，另外不易引起侧面的黏腻。
为树脂层时的第一密封层、第二密封层、和第三密封层例如可通过如下方法制作：将用于形成各层的树脂组合物涂布在剥离衬垫的剥离处理面而形成树脂组合物层后，通过加热而脱溶剂、照射活性能量射线而使单体成分聚合，根据需要进一步加热而使该树脂组合物层固化。
上述树脂组合物可以为任意形态。例如，上述树脂层为粘合层时的树脂组合物(粘合剂组合物)可以为乳液型、溶剂型(溶液型)、活性能量射线固化型、热熔融型(热熔型)等。其中，从容易得到生产率优异的粘合剂层的方面出发，优选为溶剂型、活性能量射线固化型。
作为上述树脂组合物，例如可列举出以树脂为必需成分的树脂组合物、或者以构成上述树脂的单体(单体成分)的混合物(有时称为“单体混合物”)或其部分聚合物为必需成分的树脂组合物等。作为前者，例如可列举出所谓的溶剂型的树脂组合物等。另外，作为后者，例如可列举出所谓的活性能量射线固化型的树脂组合物等。上述“单体混合物”是指包含构成聚合物的单体成分的混合物。另外，上述“部分聚合物”有时也称为“预聚物”、“浆液”等，是指上述单体混合物中的单体成分中的1种或2种以上单体成分部分地发生聚合而成的组合物。
上述树脂组合物可以通过公知惯用的方法来制作。例如，溶剂型的树脂组合物可以通过在含有上述树脂的溶液中根据需要混合着色剂、光扩散剂等添加剂而制作。例如，活性能量射线固化型的树脂组合物可以通过在构成上述树脂的单体成分的混合物或其部分聚合物中根据需要混合添加剂而制作。
需要说明的是，上述树脂组合物的涂布(涂覆)可以利用公知的涂布法。例如可以使用凹版辊涂机、逆转辊涂机、辊舐涂布机、浸渍辊涂机、棒涂机、刮刀涂布机、喷涂机、逗点涂布机、直接涂布机等涂布机。
溶剂型的树脂组合物的加热干燥温度优选为40～200℃、更优选为50～180℃、进一步优选为70～170℃。干燥时间可适当采用适合的时间，例如为5秒～20分钟、优选为5秒～10分钟、更优选为10秒～5分钟。
通过活性能量射线照射来形成树脂层时，可以由上述单体成分制造上述树脂并且形成树脂层。上述单体成分在活性能量射线照射时，可以使用事先将一部分聚合而制成浆液的物质。紫外线照射可以使用高压汞灯、低压汞灯、金属卤化物灯等。
(基材部)
上述基材部在上述光半导体元件密封用片中成为上述密封部的支承体，通过具备上述基材部，上述光半导体元件密封用片的处理性优异。上述基材部可以是单层，也可以是相同或组成、厚度等不同的多层。上述基材部为多层时，各层可以通过粘合剂层等其它层而贴合。需要说明的是，基材部中使用的基材层在使用光半导体元件密封用片对光半导体元件进行密封时是与密封部一起粘贴于具备光半导体元件的基板的部分，在光半导体元件密封用片的使用时(粘贴时)被剥离的剥离衬垫、仅用于保护基材部表面的表面保护薄膜不包括在“基材部”中。基材部例如层叠于第三密封层。
作为构成上述基材部的基材层，例如可列举出玻璃、塑料基材(特别是塑料薄膜)等。作为构成上述塑料基材的树脂，例如可列举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯共聚物、环状烯烃系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烃树脂；聚氨酯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺系树脂；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；芳纶、全芳香族聚酰胺等聚酰胺；聚苯硫醚；氟树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；三乙酰纤维素(TAC)等纤维素树脂；有机硅树脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系树脂；聚砜；聚芳酯；聚乙酸乙烯酯等。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述基材层可以是防反射(AR)薄膜、偏光板、相位差板等各种光学薄膜。上述基材部具有光学薄膜时，上述光半导体元件密封用片可以直接应用于光学构件。
上述塑料薄膜的厚度优选为20～200μm、更优选为40～150μm。上述厚度为20μm以上时，光半导体元件密封用片的支承性和处理性进一步提高。上述厚度为200μm以下时，能够减薄光半导体元件密封用片的厚度，能够使光半导体装置更薄。
出于提高与密封部的密合性、保持性等目的，上述基材部的具备上述密封部的一侧的表面例如可以实施电晕放电处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、电离辐射线处理等物理处理；铬酸处理等化学处理；基于涂布剂(底涂剂)的易粘接处理等表面处理。用于提高密合性的表面处理优选对基材部的密封部侧的表面整体实施。
从作为支承体的功能和表面的耐擦伤性优异的观点出发，上述基材部的厚度优选为5μm以上、更优选为10μm以上。从透明性更优异的观点出发，上述基材部的厚度优选为300μm以下、更优选为200μm以下。
(光半导体元件密封用片)
上述光半导体元件密封用片如上所述，可以具备表面处理层(例如上述防眩处理层、上述防反射处理层、上述硬涂处理层等)等上述功能层。通过具有这样的构成，将上述光半导体装置应用于显示器时，能够抑制显示器的光泽、光的反射，使显示器的美观更良好、或提高显示器表面的耐伤性。上述防眩处理层、上述防反射处理层和上述硬涂处理层可以是具备它们之中的2种以上功能的单一层，也可以是彼此不同的层。上述功能层优选设置在上述基材部的表面(特别是与上述密封部相反一侧的面)。上述防眩处理层、防反射处理层和硬涂处理层分别可以仅具有一层，也可以具有两层以上。
作为上述防反射处理，可以没有特别限制地应用公知的防反射处理，具体而言，可以通过在基材部上形成严密地控制了厚度和折射率的光学薄膜或将上述光学薄膜层叠两层以上而成的防反射处理层来实施。上述防反射处理层通过利用光的干涉效果而使入射光与反射光的反转相位彼此抵消，从而表现出防反射功能。表现出防反射功能的可见光线的波长区域例如为380～780nm，特别是视感度高的波长区域为450～650nm的范围，优选以使其中心波长即550nm下的反射率最小的方式设计防反射处理层。
作为上述防反射处理层，通常可列举出将2～5层光学薄层(严密地控制了厚度和折射率的薄膜)层叠而成的结构的多层防反射处理层。通过使折射率不同的成分仅以规定的厚度形成多层，从而防反射处理层的光学设计的自由度提高，能够进一步提高防反射效果，也能够使分光反射特性在可见光区域中均匀(平坦)。上述光学薄膜中，由于要求高的厚度精度，因此，通常各层的形成利用属于干式方式的真空蒸镀、溅射、CVD等来实施。
作为上述防眩处理，可以没有特别限制地应用公知的防眩处理，例如，可以通过在基材部上形成防眩处理层来实施。作为上述防眩处理层，可以没有限制地采用公知的防眩处理层，通常以在树脂中分散有作为防眩剂的无机或有机的颗粒的层的形式形成。
上述防眩处理层例如可以使用包含树脂、颗粒和触变赋予剂的防眩处理层形成材料来形成。通过上述颗粒和上述触变赋予剂发生聚集，在上述防眩处理层的表面形成凸状部。通过该构成，防眩处理层具有兼顾防眩性和防止白浊的优异的显示特性，并且虽然利用颗粒的聚集而形成防眩处理层，但仍然能够防止会成为外观缺点的防眩处理层表面的突起状物的产生、提高制品的成品率。
不层叠上述功能层的状态下的上述光半导体元件密封用片的雾度值(初始雾度值)没有特别限定，从光扩散性进一步提高、使亮度不均的抑制效果和外观性更优异的观点出发，优选为80％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为95％以上。需要说明的是，上述雾度值的上限没有特别限定。上述雾度值可以是从任一面测得的值。上述光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层时，上述雾度值可以是上述辐射线固化性树脂层的固化前的值，也可以是固化后的值。另外，上述光半导体元件密封用片在将功能层层叠于其单面的状态下，优选从上述功能层侧测得的雾度值(初始雾度值)为上述范围内。
不层叠上述功能层的状态下的上述光半导体元件密封用片的总透光率没有特别限定，从提高光半导体装置中的金属布线等防反射功能、对比度的观点出发，优选为30％以下、更优选为20％以下、进一步优选为5％以下。另外，从光取出效率更优异、确保光半导体装置的亮度的观点出发，上述总透光率优选为0.5％以上。上述光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层时，上述总透光率可以是上述辐射线固化性树脂层的固化前的值，也可以是固化后的值。
上述光半导体元件密封用片在将功能层层叠于其单面的状态下，从上述功能层侧测得的总透光率优选为0.5～30％、更优选为1～25％、进一步优选为2～20％、特别优选为3～15％。上述总透光率为0.5％以上时，光取出效率优异、能够进一步确保光半导体装置的亮度。上述总透光率为30％以下时，能够进一步提高光半导体装置中的金属布线等的防反射功能、对比度。
上述光半导体元件密封用片的雾度值和总透光率分别可以通过JIS K7136、JISK7361-1规定的方法进行测定，可以通过构成上述光半导体元件密封用片的各层的层叠顺序、种类、厚度等来控制。
上述光半导体元件密封用片在将功能层层叠于其单面的状态下，从至少一面侧(优选为两面侧)以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*(SCE)优选为5～60、更优选为8～40、进一步优选为10～20。物体所反射的光包含规则反射光和扩散反射光时，规则反射光是难以通过肉眼辨认的光。L*(SCE)是对不含规则反射光的反射光进行测定的值，L*(SCE)为60以下时，通过肉眼辨识图像显示装置时的外观性优异。L*(SCE)为5以上时，光取出效率更优异、能够进一步确保光半导体装置的亮度。另外，上述光半导体元件密封用片在未层叠上述功能层的状态下的上述L*(SCE)优选为上述范围内。L*(SCE)具体而言可以通过实施例中记载的方法进行测定。
上述光半导体元件密封用片在将功能层层叠于其单面的状态下，从至少一面侧(优选为两面侧)以10°视野、光源D65的条件进行测定时的a*(SCE)优选为-5～5、更优选为-3～3、进一步优选为-2～2。a*(SCE)为上述范围内时，光半导体元件发出的光与辨识者隔着光半导体元件密封用片而辨识的光的明亮度、色调成为相同程度，美观良好。另外，上述光半导体元件密封用片在未层叠上述功能层的状态下的上述a*(SCE)优选为上述范围内。a*(SCE)具体而言可以通过实施例中记载的方法进行测定。
上述光半导体元件密封用片在将功能层层叠于其单面的状态下，从至少一面侧(优选为两面侧)以10°视野、光源D65的条件进行测定时的b*(SCE)优选为-5～5、更优选为-3～3、进一步优选为-2～2。b*(SCE)为上述范围内时，光半导体元件发出的光与辨识者隔着光半导体元件密封用片而辨识的光的明亮度、色调成为相同程度，美观良好。另外，上述光半导体元件密封用片在未层叠上述功能层的状态下的上述b*(SCE)优选为上述范围内。b*(SCE)具体而言可以通过实施例中记载的方法进行测定。
L*(SCE)越接近于1则外观性越优异。本说明书中，L*a*b*(SCE)可以使用公知惯用的分光测色计来测定。上述L*a*b*(SCE)的测定可以在将透明层贴合于上述密封部的状态下进行。例如在上述密封部具有粘合性的情况下等，测定时的处理性提高。作为上述透明层，可列举出剥离衬垫、塑料基板等。从对L*a*b*(SCE)的影响小的观点出发，上述透明层优选雾度值为30％以下和/或总透光率为80％以上。上述L*a*b*(SCE)具体而言例如可以通过实施例中记载的方法进行测定。另外，上述光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层时，理想的是在更接近于使用时的状态的状态下测定，因此上述辐射线固化性树脂层的固化后的各自的值(L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、b* 2、L* 1-L* 2、a* 1-a* 2和b* 1-b* 2)可以为上述范围内，上述辐射线固化性树脂层的固化前的各自的值也可以为上述范围内。
使用将上述光半导体元件密封用片的密封部(第一密封层)贴合于玻璃板而得到的测定样品，通过下述光扩散效果确认试验测得的圆状的直径优选为20mm以上、更优选为25mm以上、进一步优选为26mm以上。上述圆状的直径为20mm以上时，光扩散性更优异、亮度不均进一步被抑制。另外，上述光半导体元件密封用片在将功能层层叠于其单面的状态下，使用将密封部(第一密封层)贴合于玻璃板而得到的测定样品，通过下述光扩散效果确认试验测得的圆状的直径优选为上述范围内。
<光扩散效果确认试验>
在屏幕上设置LED灯，使玻璃板与LED灯密合，从LED灯隔着玻璃板向屏幕上照射光时，将上述屏幕上出现直径为16mm的圆状的光的位置作为LED灯的位置。然后，在使将上述光半导体元件密封用片的密封部(第一密封层)贴合于玻璃板而得到的测定样品的玻璃板侧与LED灯密合的状态下，测定从LED灯隔着玻璃板和光半导体元件密封用片向屏幕上照射光时出现的圆状的光的直径。
从提高图像显示装置中的金属布线等的防反射功能、对比度、并且更高效地减少偏色的观点出发，本发明的光半导体元件密封用片的厚度优选为10～600μm、更优选为20～550μm、进一步优选为30～500μm、进一步优选为40～450μm、特别优选为50～400μm。需要说明的是，本发明的光半导体元件密封用片包含基材部时，基材部包括在本发明的光半导体元件密封用片的厚度中，但剥离衬垫不包括在本发明的光半导体元件密封用片的厚度中。
本发明的光半导体元件密封用片的光扩散性优异、且光取出效率优异。因此，根据本发明的光半导体元件密封用片，在对光半导体元件进行密封的状态下外观性优异、亮度高、且不易引起亮度不均。并且，通过使用本发明的光半导体元件密封用片，可提供如下的光半导体装置：在光半导体元件未点亮时美观良好、且在光半导体元件点亮时能够使从光半导体元件发出的光高效地以扩散状态通过。
[剥离衬垫]
上述剥离衬垫是用于被覆上述光半导体元件密封用片表面而进行保护的要素，在对配置有光半导体元件的基板贴合光半导体元件密封用片时从该片被剥去。
作为上述剥离衬垫，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。
上述剥离衬垫的厚度例如为10～200μm、优选为15～150μm、更优选为20～100μm。上述厚度为10μm以上时，在剥离衬垫的加工时不易因切缝而断裂。上述厚度为200μm以下时，在使用时更容易从上述光半导体元件密封用片将剥离衬垫剥离。
[光半导体元件密封用片的制造方法]
对本发明的光半导体元件密封用片的制造方法的一个实施方式进行说明。例如，对于图1所示的光半导体元件密封用片1，例如如上所述地各自制作分别被2张剥离衬垫的剥离处理面夹持的第一密封层21、第二密封层22和第三密封层23。贴合于第一密封层21的一个剥离衬垫为剥离衬垫3。
接着，将粘贴于第三密封层23的一个剥离衬垫剥离而露出第三密封层23表面，将露出面贴合于基材部4。然后，将粘贴于第二密封层22的一个剥离衬垫剥离，在剥离第三密封层23表面的剥离衬垫而露出的第三密封层23表面贴合第二密封层22的露出面。
接着，将粘贴于第一密封层21的一个剥离衬垫(非剥离衬垫3的剥离衬垫)剥离，在剥离第二密封层22表面的剥离衬垫而露出的第二密封层22表面贴合第一密封层21的露出面。需要说明的是，各种层的层叠可以使用公知的辊、层压机来进行。如此操作，能够制作在基材部4上依次层叠有第三密封层23、第二密封层22、第一密封层21和剥离衬垫3的图1所示的光半导体元件密封用片1。
使用本发明的光半导体装置密封用片，在配置有光半导体元件的基板上贴合第一密封层而对光半导体元件进行密封，由此能够得到光半导体装置。具体而言，首先，从本发明的光半导体元件密封用片将剥离衬垫剥离而露出第一密封层。然后，在具备基板和配置在上述基板上的光半导体元件(优选为多个光半导体元件)的光学构件的、配置有光半导体元件的基板面上贴合本发明的光半导体元件密封用片的露出面、即第一密封层面，在上述光学构件具备多个光半导体元件的情况下，进一步以辐射线第一密封层填充多个光半导体元件间的间隙的方式进行配置，将多个光半导体元件一并密封。如此操作，能够使用本发明的光半导体装置密封用片对光半导体元件进行密封。另外，也可以通过使用本发明的光半导体装置密封用片在减压环境下或者边加压边贴合，从而对光半导体元件进行密封。作为这种方法，例如可列举出日本特开2016-29689号公报、日本特开平6-97268中公开的方法。
[光半导体装置]
可以使用本发明的光半导体元件密封用片来制作光半导体装置。使用本发明的光半导体元件密封用片而制造的光半导体装置具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及通过密封部对上述光半导体元件进行密封的本发明的光半导体元件密封用片或该片固化而成的固化物。上述固化物在本发明的光半导体元件密封用片具备辐射线固化性树脂层的情况下，是上述辐射线固化性树脂层通过辐射线照射而固化得到的固化物。
作为上述光半导体元件，例如可列举出蓝色发光二极管、绿色发光二极管、红色发光二极管、紫外线发光二极管等发光二极管(LED)。
上述光半导体装置中，本发明的光半导体元件密封用片在将光半导体元件作为凸部、将多个光半导体元件间的间隙作为凹部时对凹凸的追随性优异，光半导体元件的追随性和填埋性优异，因此优选一次性对多个光半导体元件进行密封。
图2示出使用图1所示的光半导体元件密封用片1的光半导体装置的一个实施方式。图2所示的光半导体装置10具备：基板5、配置在基板5的一个面的多个光半导体元件6、以及用于对光半导体元件6进行密封的光半导体元件密封用片1。光半导体元件密封用片1是从图1所示的光半导体元件密封用片1剥离了剥离衬垫3而得到的。多个光半导体元件6一次性地被密封部密封。第一密封层21追随由多个光半导体元件6形成的凹凸形状而与光半导体元件6和基板5密合，将光半导体元件6填埋。
需要说明的是，在图2所示的光半导体装置10中，光半导体元件6被完全填埋在第一密封层21内而密封，且被第二密封层22和第三密封层23间接地密封。即，光半导体元件6被由第一密封层21、第二密封层22和第三密封层23的层叠体形成的密封部2所密封。上述光半导体装置不限定于这种方式，也可以是如下方式：光半导体元件6的一部分从第一密封层21突出，该一部分被填埋在第二密封层22、或第二密封层22和第三密封层23内，利用第一密封层21和第二密封层22、或利用第一密封层21、第二密封层22和第三密封层23将光半导体元件6完全填埋而密封。
上述光半导体装置可以为各个光半导体装置平铺而成的装置。即，上述光半导体装置可以是多个光半导体装置在平面方向上配置成瓷砖状而成的装置。
图3示出配置多个光半导体装置而制作的光半导体装置的一个实施方式。图3所示的光半导体装置20为多个光半导体装置10在纵向上为4个、在横向上为4个的共计16个在平面方向上配置(平铺)成瓷砖状而成的。在邻接的2个光半导体装置10间的边界20a，光半导体装置10彼此邻接。
上述光半导体装置优选为液晶画面的背光，特别优选为整面直下型的背光。另外，可以通过将上述背光与显示面板组合而制成图像显示装置。上述光半导体装置为液晶画面的背光时的光半导体元件为LED元件。例如，上述背光中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件输送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色光的各LED元件在显示面板的基板上隔着金属布线层交替排列。金属布线层由铜等金属形成，其反射各LED元件的发光而降低图像的辨识性。另外，RGB的各色的各LED元件发出的光会发生混色，对比度降低。
另外，上述光半导体装置优选为自发光型显示装置。另外，可以通过将上述自发光型显示装置与根据需要的显示面板组合而制成图像显示装置。上述光半导体装置为自发光型显示装置时的光半导体元件为LED元件。作为上述自发光型显示装置，可列举出有机电致发光(有机EL)显示装置、上述背光等。例如，在上述自发光型显示装置中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件输送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色光的各LED元件在基板上隔着金属布线层交替排列。金属布线层由铜等金属形成，其调整各LED元件的发光程度而显示各色。
本发明的光半导体元件密封用片能够用于可弯折使用的光半导体装置，例如具有可弯折的图像显示装置(柔性显示器)(特别是可折叠的图像显示装置(折叠式显示器))的光半导体装置。具体而言，能够用于可折叠的背光和可折叠的自发光型显示装置等。
本发明的光半导体元件密封用片的光半导体元件的追随性和填埋性优异，因此在上述光半导体装置为迷你LED显示装置的情况和为微型LED显示装置的情况下均可优选使用。
[光半导体装置的制造方法]
上述光半导体装置例如可通过至少具备切割工序的制造方法来制造，所述切割工序中，对层叠体进行切割而得到光半导体装置，所述层叠体具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的本发明的光半导体元件密封用片或辐射线固化性树脂层固化而成的固化物。上述固化物是本发明的光半导体元件密封用片通过辐射线照射进行固化而成的固化物，具体而言，具备本发明的光半导体元件密封用片可具备的辐射线固化性树脂层通过辐射线照射进行固化而成的固化物。
上述制造方法可以进一步具备如下的辐射线照射工序：对层叠体照射辐射线而使上述辐射线固化性树脂层固化，得到上述固化物，所述层叠体具备：上述基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的上述光半导体元件密封用片。
上述制造方法可以在上述辐射线照射工序之前具备如下的密封工序：将上述光半导体元件密封用片贴合于设置在上述基板上的上述光半导体元件，利用上述密封部对上述光半导体元件进行密封。
另外，上述制造方法可以进一步具备如下的平铺工序：将上述切割工序中得到的多个光半导体装置以在平面方向上接触的方式进行排列。以下，适当参考图2所示的光半导体装置10和图3所示的光半导体装置20的制造方法来进行说明。
(密封工序)
上述密封工序中，将本发明的光半导体元件密封用片贴合于配置有光半导体元件的基板，通过密封部对光半导体元件进行密封。上述密封工序中，具体而言，如图4所示，将剥离了剥离衬垫3的光半导体元件密封用片1的第一密封层21以与基板5的配置有光半导体元件6的面相对的方式进行配置，将光半导体元件密封用片1贴合于基板5的配置有光半导体元件6的面，如图5所示地将光半导体元件6填埋于密封部2。
光半导体元件密封用片1具备辐射线固化性树脂层时，如图4所示，贴合中使用的基板5与图2所示的光半导体装置10中的基板5相比在平面方向上更宽地延伸，在基板5的端部附近未配置光半导体元件6。另外，此时，贴合的光半导体元件密封用片1与贴合中使用的基板5相比在平面方向上更宽地延伸。即，在密封工序中所贴合的光半导体元件密封用片1的与基板5相对的面的面积大于在密封工序中所贴合的基板5的与光半导体元件密封用片1相对的面的面积。这是因为：在光半导体元件密封用片1和基板5的层叠体中，用于光半导体装置的区域在后续的辐射线照射工序中充分进行固化，光半导体元件密封用片1和基板5的有可能固化不充分的端部附近在后续的切割工序中会被切割而去除。
上述贴合时的温度例如为室温～110℃的范围内。另外，在上述贴合时可以进行减压或加压。通过减压、加压，能够抑制在密封部与基板或光半导体元件之间形成空隙。另外，在上述密封工序中，优选在减压下将光半导体元件密封用片贴合，然后进行加压。减压时的压力例如为1～100Pa，减压时间例如为5～600秒。另外，加压时的压力例如为0.05～0.5MPa，减压时间例如为5～600秒。
(辐射线照射工序)
上述辐射线照射工序中，对在配置有上述光半导体元件的上述基板上贴合上述光半导体元件密封用片而得到的层叠体(例如在上述密封工序中得到的层叠体)照射辐射线，从而使上述辐射线固化性树脂层固化。作为上述辐射线，如上所述，可列举出电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、X射线等。其中，优选为紫外线。辐射线照射时的温度例如为室温～100℃的范围内，照射时间例如为1分钟～1小时。
(切割工序)
上述切割工序中，对层叠体进行切割，所述层叠体具备：基板、配置在上述基板上的光半导体元件、以及对上述光半导体元件进行密封的本发明的光半导体元件密封用片或辐射线固化性树脂层固化而成的固化物。此处，上述层叠体具备上述固化物时，在供于切割工序的层叠体中，光半导体元件密封用片的固化物和基板5如上所述，与最终得到的光半导体装置10相比在平面方向上更宽地延伸。并且，上述切割工序中，切割光半导体元件密封用片的固化物和基板的侧端部并去除。具体而言，在图6所示的虚线的位置进行切割，将侧端部去除。上述切割可以通过公知惯用的方法来进行，例如可以通过使用切割刀片的方法、利用激光照射来进行。如此操作，能够制造例如图2所示的光半导体装置10。
(平铺工序)
上述平铺工序中，将上述切割工序中得到的多个光半导体装置以在平面方向上接触的方式排列而平铺。如此操作，能够制造例如图3所示的光半导体装置20。
实施例
以下举出实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明不受这些实施例的任何限定。
制造例1
(非光扩散层1的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为0.1质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATED-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的非光扩散层1。
制造例2
(防反射层1的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为0.1质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATED-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和9.2质量份的黑色颜料分散液(商品名“9050Black”、TOKUSHIKI CO.,Ltd制)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的防反射层1。
制造例3
(光扩散层1的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物83质量份中添加以固体成分换算计为1.2质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATED-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)、30质量份的有机硅树脂(商品名“Tospearl 145”、Momentive Performance Materials Japan制、折射率：1.42、平均粒径：4.5μm)、16质量份的丙烯酸3-苯氧基苄酯(商品名“LIGHT ACRYLATE POB-A”、共荣社化学株式会社制)和1质量份的商品名“Omnirad651”后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的光扩散层1。
制造例4
(光扩散层2的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物83质量份中添加以固体成分换算计为0.08质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATED-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)、30质量份的有机硅树脂(商品名“Tospearl 145”、Momentive Performance Materials Japan制、折射率：1.42、平均粒径：4.5μm)、16质量份的丙烯酸3-苯氧基苄酯(商品名“LIGHT ACRYLATE POB-A”、共荣社化学株式会社制)和1质量份的商品名“Omnirad651”后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的光扩散层2。
制造例5
(非光扩散层2的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为1.5质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATED-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的非光扩散层2。
制造例6
(光扩散层3的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份、和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为0.1质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATED-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和3质量份的氧化钛(商品名“Tipure R706”、杜邦公司制、折射率：约2.5、平均粒径：0.36μm)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的光扩散层3。
制造例7
(光扩散层4的制作)
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份和1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入四口烧瓶中，在氮气氛下暴露于紫外线而进行部分光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。向该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计为1.5质量份的异氰酸酯化合物(商品名“TAKENATED-101A”、三井化学株式会社制、固体成分75质量％)和3质量份的氧化钛(商品名“Tipure R706”、杜邦公司制、折射率：约2.5、平均粒径：0.36μm)后，将它们均匀混合而制备光聚合性组合物。
将上述光聚合性组合物涂布在剥离衬垫(商品名“MRA50”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了剥离处理、厚度50μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合剥离衬垫(商品名“MRF38”、三菱化学公司制)的剥离处理面。接着，利用黑光照射强度为5mW/cm2的紫外线进行聚合直至累积光量为3600mJ/cm2，制作作为粘合层的光扩散层4。
实施例1
(光半导体元件密封用片的制作)
从制造例1得到的光扩散层1将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而使粘合面露出。将上述光扩散层1的露出面贴合于基材薄膜(商品名“Diafoil T912E75(UE80-)”、三菱化学公司制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施了易粘接处理、厚度75μm)的易粘接处理面，在基材薄膜上形成由光扩散层1形成的第三密封层。
接着，从第三密封层(光扩散层1)表面将剥离衬垫(商品名“MRA50”)剥离而使粘合面露出。在第三密封层的露出面贴合从制造例2得到的防反射层1将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而露出的粘合面，在第三密封层上形成由防反射层1形成的第二密封层。
接着，从第二密封层(防反射层1)表面将剥离衬垫(商品名“MRA50”)剥离而使粘合面露出。在第二密封层的露出面贴合从制造例3得到的非光扩散层1将剥离衬垫(商品名“MRF38”)剥离而露出的粘合面，在第二密封层上形成由非光扩散层1形成的第一密封层。
然后，在室温(23℃)下，利用手动辊以不混入气泡的方式进行贴合，在遮光下放置两天。如此操作，得到由[剥离衬垫/非光扩散层1/防反射层1/光扩散层1/基材薄膜]形成的光半导体元件密封用片。
实施例2～3、比较例1～5
(光半导体元件密封用片的制作)
作为第一密封层、第二密封层和第三密封层，形成表中所示的层，除此以外与实施例1同样地得到光半导体元件密封用片。
<评价>
针对实施例和比较例得到的光半导体元件密封用片、以及在这些光半导体元件密封用片的基材薄膜表面设置有作为功能层的防眩处理层的片，进行以下的评价。将结果示于表中。表中，“片整体(无防眩处理层)”表示实施例和比较例得到的光半导体元件密封用片，“片整体(有防眩处理层)”表示对基材薄膜表面实施了防眩处理的光半导体元件密封用片。
需要说明的是，关于具备防眩处理层的光半导体元件密封用片，在各实施例和比较例中，作为基材薄膜，使用预先在上述基材薄膜的与第三密封层贴合的一侧的相反侧设置了防眩处理层的基材薄膜，除此以外，与各实施例和比较例同样地制作。具备防眩处理层的基材薄膜如以下所述地制作。
(带防眩处理层的基材薄膜的制作方法)
作为防眩处理层形成材料所含的树脂，准备紫外线固化型多官能丙烯酸酯树脂(商品名“UA-53H”、新中村化学工业株式会社制)40质量份和以季戊四醇三丙烯酸酯为主成分的多官能丙烯酸酯(商品名“Viscoat#300”、大阪有机化学工业株式会社制)60质量份。相对于上述树脂的树脂合计固体成分100质量份，混合作为防眩处理层形成颗粒的丙烯酸与苯乙烯的共聚颗粒(商品名“TECHPOLYMER SSX-103DXE”、积水化成品工业株式会社制)
7.0质量份、有机硅树脂(商品名“TOSPEARL130”、Momentive PerformanceMaterials Japan制)3质量份、作为触变赋予剂的合成蒙皂石(商品名“SUMECTON SAN”、KUNIMINE INDUSTRIES CO.,LTD.制)2.5质量份、光聚合引发剂(商品名“OMNIRAD907”、BASF公司制)3质量份和流平剂(商品名“GRANDIC PC4100”、DIC株式会社制)0.15质量份。利用甲苯/环戊酮混合溶剂(质量比80/20)对该混合物进行稀释而使得固体成分浓度为40质量％，制备防眩处理层形成材料(涂覆液)。
作为透光性基材，准备透明塑料薄膜基材(商品名“KC4UY”、TAC、Konica Minolta,Inc.制)。在上述透明塑料薄膜基材的单面，使用棒涂机将上述防眩处理层形成材料(涂覆液)形成涂膜。然后，将该形成有涂膜的透明塑料薄膜基材输送至干燥工序。在干燥工序中，通过在80℃下加热1分钟而使上述涂膜干燥。然后，利用高压汞灯照射累积光量300mJ/cm2的紫外线，对上述涂膜进行固化处理而形成厚度8.5μm的防眩处理层，得到雾度成为25％的防眩性薄膜(带防眩处理层的基材薄膜)。
(1)总透光率(各层)
从实施例和比较例使用的各粘合层(被2张剥离衬垫夹持的形态)剥离单侧的剥离衬垫，将露出的各粘合层表面贴合于玻璃板(载玻片、型号“S-9112”、松浪硝子工业株式会社制)。然后，剥去另一侧的剥离衬垫，制作具有[玻璃板/粘合层]的层构成的测定样品。针对上述测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率。从粘合层侧入射测定光来进行测定。
(2)雾度值(各层)
针对为了测定上述(1)总透光率而制作的测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率和扩散透过率。然后，通过“扩散透过率/总透光率×100”的数学式求出测定样品的雾度值，作为初始雾度值。
(3)总透光率(光半导体元件密封用片)
从光半导体元件密封用片将剥离衬垫剥离，将露出的粘合层面贴合于玻璃板(载玻片、型号“S-9112”、松浪硝子工业株式会社制)而制作测定样品。针对上述测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率。从基材薄膜侧(第一面侧)入射测定光来进行测定。
(4)雾度值(光半导体元件密封用片)
针对为了测定上述(3)总透光率而制作的测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)测定总透光率和扩散透过率。然后，通过“扩散透过率/总透光率×100”的数学式求出测定样品的雾度值，作为雾度值。从基材薄膜侧(第一面侧)入射测定光来进行测定。
(5)L*a*b*(SCE)(带剥离衬垫)
将光半导体元件密封用片以基材薄膜侧向外的方式静置于黑板(亚克力制、黑色、尺寸：45mm×50mm×1mm、水上灾害防具株式会社制)的平坦的面上。然后，从基材薄膜侧(第一面侧)利用分光测色计(商品名“CM-26dG”、Konica Minolta,Inc.制)进行L*(SCE)、a*(SCE)和b*(SCE)的测定。另外，将光半导体元件密封用片以剥离衬垫面向外的方式静置于黑板的平坦的面。然后，从剥离衬垫面侧(第二面侧)利用分光测色计(商品名“CM-26dG”、Konica Minolta,Inc.制)进行L*(SCE)、a*(SCE)和b*(SCE)的测定。需要说明的是，以测色计的测定区域来到测定样品的中央的方式进行设置，按照下述条件进行测定。另外，在利用上述分光测色计进行测定前，按照制造商手册实施零点校正、白色校正、GROSS校正。需要说明的是，贴合于密封部的剥离衬垫的雾度值为10.2％、总透光率为91.2％。
<测定条件>
测定方法：色和光泽
几何：di：8°、de：8°
规则反射光处理：SCI+SCE
观察光源：D65
观察条件：10°视野
测定直径：MAV(8mm)
UV条件：100％Full
自动平均测定：3次
零点校正步骤：有效
(6)L*a*b*(SCE)(无剥离衬垫)
从光半导体元件密封用片将贴合于密封部的剥离衬垫剥离，在黑板(亚克力制、黑色、尺寸：45mm×50mm×1mm、水上灾害防具株式会社制)上贴合露出的密封部，使用手动辊，以单行1次、不混入气泡的方式对基材薄膜上进行加压，使密封部与黑板密合。然后，以上述基材薄膜侧向外的方式静置于黑板的平坦的面上。然后，从基材薄膜侧(第一面侧)利用分光测色计(商品名“CM-26dG”、Konica Minolta,Inc.制)进行L*(SCE)、a*(SCE)和b*(SCE)的测定。另外，从光半导体元件密封用片将贴合于密封部的剥离衬垫剥离，以露出的密封部面侧向外的方式静置于黑板的平坦的面上。然后，从密封部面侧(第二面侧)利用分光测色计(商品名“CM-26dG”、Konica Minolta,Inc.制)进行L*(SCE)、a*(SCE)和b*(SCE)的测定。需要说明的是，以测色计的测定区域来到测定样品的中央的方式进行设置，按照与上述(5)的评价同样的条件进行测定。另外，在利用上述分光测色计进行测定前，按照制造商手册实施零点校正、白色校正、GROSS校正。
(7)光扩散效果确认试验
将光半导体元件密封用片的剥离衬垫剥离，使用手动辊以不混入气泡的方式贴合于玻璃板(载玻片、型号“S-9112”、松浪硝子工业株式会社制、76mm×52mm×1.0～1.2mm)。贴合后，在25℃、遮光下放置30分钟。所粘贴的光半导体元件密封用片的尺寸适当地切成与玻璃板同样的尺寸，制作测定样品。在屏幕的上部以高度为2.4cm的方式设置LED灯(商品名“LK-3PG”、EK JAPAN CO.,LTD.制)。使得到的测定样品的玻璃板侧与LED灯密合。在LED灯上连接电池盒(商品名“AP-180”、EK JAPAN CO.,LTD.制)而使LED灯点亮，测定屏幕上映出的圆状的映像的直径。在没有光半导体元件密封用片而仅对玻璃板进行测定时，屏幕上映出的光的直径为16mm。隔着光半导体元件密封用片测定时，光径为20mm以上时，判断为有光扩散效果。
(8)判定
基于上述评价(3)和(6)(有防眩处理层)的结果，作为光取出效率和光扩散效果，基于以下的基准进行判定。并且，作为综合判定，针对具备防眩处理层的光半导体密封用片，将光取出效率为○或△且光扩散效果为○的情况记为○，即使只有1个×的情况也记为×。
光取出效率：将总透光率为3％以上的情况记为○、将总透光率为2％以上且低于3％的情况记为△、将总透光率低于2％的情况记为×。
光扩散效果：将20mm以上的情况记为○、将低于20mm的情况记为×。
[表1]
Figure BDA0004014462700000481
[表2]
Figure BDA0004014462700000491
如表1所示，本发明的光半导体元件密封用片(实施例)评价为光取出效率和光扩散性优异。另一方面，如表2所示，L*(SCE)的差大的情况下，评价为光取出效率差(比较例1、2)。特别是关于比较例2，不具备防眩处理层的光半导体元件密封用片的光扩散性优异，但具备防眩处理层时光扩散性差。另外，不具有光扩散层时光扩散性差(比较例3)。另外，L*(SCE)的差大的情况下，也有时评价为光扩散性差(比较例4、5)。

Claims (9)

1.一种光半导体元件密封用片，其用于对配置在基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，
所述片具备具有光扩散层和防反射层的密封部，
在将功能层层叠于所述片的单面的状态下，将从该所述功能层侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 1、a* 1、b* 1，将从所述片侧以10°视野、光源D65的条件进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)分别记为L* 2、a* 2、b* 2时，所述L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2和b* 2分别为满足下述式(1)～(3)的值：
-5<L* 1-L* 2<5 (1)
-5<a* 1-a* 2<5 (2)
-5<b* 1-b* 2<5 (3)。
2.根据权利要求1所述的光半导体元件密封用片，其中，将所述功能层层叠于所述片的单面的状态下的从所述功能层侧测得的总透光率为2～30％。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其中，所述密封部依次具有：所述光扩散层、所述防反射层、以及所述光扩散层或不以发挥光扩散功能为目的的无色透明层。
4.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其中，所述光扩散层包含折射率为1.4～1.7的光扩散剂。
5.根据权利要求4所述的光半导体元件密封用片，其中，所述光扩散剂由有机硅树脂构成。
6.根据权利要求1或2所述的光半导体元件密封用片，其中，所述功能层包含表面处理层。
7.一种光半导体装置，其具备：基板；配置在所述基板上的光半导体元件；以及通过所述密封部对所述光半导体元件进行密封的权利要求1～6中任一项所述的光半导体元件密封用片。
8.根据权利要求7所述的光半导体装置，其为自发光型显示装置。
9.一种图像显示装置，其具备权利要求8所述的自发光型显示装置。
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