CN103214852B - Uv固化型粘着性硅酮组合物及其片材、光半导体装置及其制造方法 - Google Patents

Uv固化型粘着性硅酮组合物及其片材、光半导体装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明是一种UV固化型粘着性硅酮组合物，包含：(A)树脂结构有机聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2、R2 2SiO2/2'及R3 aR4 bSiO(4－a－b)/2单元所组成（R4为乙烯基或烯丙基），并包含R2 2SiO2/2单元连续重复5～300个的结构；(B)树脂结构有机氢聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2、R2 2SiO2/2、及R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元所组成，并包含R2 2SiO2/2单元连续重复5～300个的结构；及，(C)光活性型催化剂；并且，在未固化状态下，常温为可塑性的固体状或半固体状。由此，提供一种UV固化型粘着性硅酮组合物，容易操作，可以容易地仅于所需部分形成固化层。

Description

UV固化型粘着性硅酮组合物及其片材、光半导体装置及其制 造方法
技术领域
本发明涉及一种UV固化型粘着性硅酮组合物、UV固化型粘着性硅酮组合物片材、光半导体装置及其制造方法。
背景技术
现今，硅树脂由于耐光性优异，因此作为用以密封及保护发光二极管(LightEmitting Diode，LED)元件的被覆材料，而受到关注（专利文献1）。并且，已知在发光二极管领域中，使用荧光体来转换波长（专利文献2）。作为分散有荧光体的薄膜，热固化型硅树脂逐渐实用化（专利文献3），但由于在固化中使用氢化硅烷化反应，因此，通常预先在热固化型硅树脂组合物中添加铂系催化剂。结果由于在调配后立即进行反应，因此，也调配有用以确保使用时限的反应控制剂。但是，结果由于该组合物的固化速度减慢，因此存在加热固化中组合物流动且形状变化的问题。
并且，在专利文献4中，记载有一种光固化性有机聚硅氧烷组合物，它是含有(甲基环戊二烯基)三甲基铂，来作为固化催化剂。由于(甲基环戊二烯基)三甲基铂在未经光照射时为惰性，因此，在未照射光的状态下，有机聚硅氧烷组合物的粘度并不增加，使用时限优异。专利文献4记载有以下方法：通过照射照射波长区域为200nm～400nm的光而使(甲基环戊二烯基)三甲基铂催化剂活化，从而使有机聚硅氧烷组合物固化。
但是，在专利文献4所记载的方法中，存在以下问题：由于固化前的性质状态具有流动性，因此树脂组合物在有机聚硅氧烷组合物完全固化以前会流动，而无法获得具有目标形状的固化物。
并且，由于需要仅被覆光半导体元件（例如，LED晶片(LED chip)）或空出焊垫(bonding pad)，因此需要一种薄膜，所述薄膜并非利用先前的热固化，而是利用光刻可图案化。并且，在LED等中，还要求被覆LED晶片的树脂层具有高耐热性、耐紫外线性等。并且，如果可利用先前的制造装置来形成所述树脂层，就更为方便。
并且，在白色LED中，一般是通过利用分散有荧光体的硅树脂或环氧树脂来被覆LED晶片等方法，将荧光体分散至晶片附近，从而将蓝光转换为拟似白光。但是，由于如果荧光体在树脂层中分散不均或有偏颇，就容易发生色差，因此，要制造出均匀的白光，就需要将荧光体均匀地分散到被覆树脂层中。因此，一直在研究一种利用网板印刷、或使荧光体沉积，而分散于被覆树脂层的下方附近的方法等，但是，存在制造工序复杂，或所获得的稳定化的程度不充分的问题。因此，谋求一种可以将荧光体均匀地分散到晶片表面上的简便技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-339482号公报
专利文献2：日本特表2005-524737号公报
专利文献3：日本特开2009-235368号公报
专利文献4：日本特开2010-47646号公报
发明内容
本发明是有鉴于所述情况而完成，目的在于提供一种UV固化型粘着性硅酮组合物，所述UV固化型粘着性硅酮组合物的树脂组合物在加热固化中不会流动，可以维持初始形状地固化，进而，可以形成一种粘着性硅酮组合物片材，所述粘着性硅酮组合物片材(1)由于在未固化状态下，常温为可塑性的固体状或半固体状，因此容易操作；(2)当包含荧光体时，该荧光体均匀地分散，且它的分散状态长时间稳定；(3)容易被覆半导体元件（包含LED元件等光半导体元件）的表面，并通过使用UV光源与掩膜，仅将所需部分固化，从而可以容易地形成树脂固化层。
为了解决上述课题，根据本发明，提供一种UV固化型粘着性硅酮组合物，其特征在于，其含有：
(A)树脂结构的有机聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 aR4 bSiO(4-a－b)/2单元所组成（此处，R1、R2、及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基、及苯基中的任一个，R4表示乙烯基或烯丙基，a为0、1或2，b为1、2或3，且a＋b为2或3），
并包含上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构；
(B)树脂结构的有机氢聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元所组成（此处，R1、R2及R3独立如上所述，c为0、1或2，d为1或2，且c＋d为2或3），
并包含上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构；及，
(C)光活性型催化剂；
并且，在未固化状态下，常温为可塑性的固体状或半固体状。
此种UV固化型粘着性硅酮组合物的树脂组合物在加热固化中不会流动，可以维持初始形状地固化。并且，根据该UV固化型粘着性硅酮组合物，可以形成一种粘着性硅酮组合物片材，所述粘着性硅酮组合物片材由于在常温且未固化状态（即，非加热处理下）中，为可塑性的固体状或者半固体状，因此容易操作，且容易被覆在光半导体元件的表面，并通过使用UV光源与掩膜，仅将所需部分固化，从而可以容易地形成树脂固化层。另外，在本发明中，“半固体”是指以下状态：具有带有可塑性但不带有流动性的性质，且受到温度、应力、歪斜等外部压力而呈现为液体或固体的性质。
并且，“常温”是表示一般状态下的周围温度，一般为15～30℃的范围，典型为25℃。
并且此时，优选为，前述UV固化型粘着性硅酮组合物，进一步含有(D)荧光体。
这样一来，即使当UV固化型粘着性硅酮组合物含有(D)荧光体时也可以获得一种树脂固化层，其荧光体均匀地分散且它的分散状态长时间稳定。
并且此时，优选为，前述UV固化型粘着性硅酮组合物，相对于前述(A)～(C)成分的合计100质量份，含有前述(D)成分的荧光体0.1～100质量份。
如果为此种(D)成分的荧光体调配量，那么由前述UV固化型粘着性硅酮组合物所获得的树脂固化层可以更为确实地吸收光半导体元件的光，并转换为不同波长的光。
并且此时，前述(D)荧光体的粒径，优选为10nm以上。
这样一来，(D)成分的荧光体的粒径，优选为使用10nm以上，更适合使 用10nm～10μm，尤其适合使用10nm～1μm左右。
并且此时，前述UV固化型粘着性硅酮组合物优选为，前述(B)成分中的直接键结于硅原子上的氢原子的总摩尔数，相对于前述(A)成分中的乙烯基及烯丙基的总摩尔数的摩尔比为0.1～4.0的量。
如果为此种(B)成分的调配量，那么由于(A)成分与(B)成分的氢化硅烷化反应良好地进行，因而优选。
并且此时，可以使前述R1、R2、及R3中的一个以上为羟基。
这样一来，可以使本发明的组合物中的(A)成分及/或(B)成分中，含有硅烷醇基。
并且，在本发明中，提供一种UV固化型粘着性硅酮组合物片材，它是将前述UV固化型粘着性硅酮组合物成型为片材状而成。
这样一来，将本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物成型为片材状而成的UV固化型粘着性硅酮组合物片材容易操作且作业性良好，通过积层于LED晶片等光半导体元件表面上，可以容易地粘着。并且，由于此UV固化性粘着性硅酮组合物片材在未固化状态下为可塑性的固体状或半固体状，因此，所填充的荧光体也不会在保管中发生分离沉积。因此，可以稳定地形成一种荧光体均匀分散的树脂固化层。
并且，在本发明中，提供一种光半导体装置，它是使用UV固化型粘着性硅酮组合物片材制造而成。
使用本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物片材制造而成的光半导体装置的被覆光半导体元件的树脂固化层具有高耐热性及透光性。并且，光半导体装置具有由荧光体均匀分散的树脂固化层所被覆的光半导体元件。
并且，在本发明中，提供一种光半导体装置的制造方法，特征在于具有以下工序：在光半导体元件表面上配置前述UV固化型粘着性硅酮组合物片材；照射光；及，后续加热。
本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物片材，通过配置于LED晶片等光半导体元件的表面，可以容易地被覆LED晶片，并且，通过使用UV光源与掩膜对该片材进行微影制程，仅将所需部分固化为凝胶状，然后利用溶剂将不需要的未固化部分溶解显影，从而可以容易地仅于所需部分形成树脂固化层。
本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物，树脂组合物在加热固化中不会流动，可以维持初始形状地固化。并且，将该组合物成型为片材状而成的UV固化性粘着性硅酮组合物片材由于在未固化状态下为可塑性的固体状或半固体状，因此容易操作且作业性良好，利用普通的粘晶机(die bond mounter)等安装(mount)装置也可以容易地积层、粘着于半导体元件表面。并且，所填充的荧光体也不会在保管中发生分离沉积。并且，通过使该组合物片材固化，可以以均匀的层厚，高效且稳定地形成荧光体均匀分散的树脂固化层。因此，量产性优异。并且，在所获得的含有荧光体的树脂固化层中，由于荧光体均匀地分散，因此不易发生色差，演色性良好。并且，所获得的固化物（树脂固化层）虽然是硬质树脂但可挠性优异，表面的粘性较少。
附图说明
图1是表示实施例中为了测定色度而制作的倒装晶片结构的LED装置的概要图。
具体实施方式
以下，更详细地说明本发明。
如上所述，在先前用于被覆光半导体元件的组合物中，存在以下问题：组合物在完全固化以前会流动，而无法获得具有目标形状的固化物；或，荧光体在树脂层中分散不均，或有偏差。
因此，谋求一种UV固化型粘着性硅酮组合物，树脂组合物在加热固化中不会流动，可以维持初始形状地固化，并且，可以形成一种粘着性硅酮组合物片材，所述粘着性硅酮组合物片材容易操作，荧光体均匀地分散，它的分散状态长时间稳定。
本发明人为了达成上述目的，进行反复探讨研究，结果完成了本发明。即，本发明是一种UV固化型粘着性硅酮组合物，其特征在于，其含有：
(A)树脂结构的有机聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 aR4 bSiO(4-a－b)/2单元所组成（此处，R1、R2、及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基、及苯基中的任一个，R4表示乙烯基或烯丙基，a为0、1或2，b为1、2或3，且a＋b为2或3），
并包含上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构；
(B)树脂结构的有机氢聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元所组成（此处，R1、R2及R3独立如上所述，c为0、1或2，d为1或2，且c＋d为2或3），
并包含上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构；及，
(C)光活性型催化剂；
并且，在未固化状态下，常温为可塑性的固体状或半固体状。以下，进一步详细地说明本发明。另外，在以下记载中，Me表示甲基，Et表示乙基，Ph表示苯基，并且Vi表示乙烯基。
UV固化型粘着性硅酮组合物
-(A)树脂结构的有机聚硅氧烷-
作为本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物重要的(A)成分的树脂结构（即，三维网状结构）的有机聚硅氧烷，是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 aR4 bSiO(4-a－b)/2单元所组成（此处，R1、R2、及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基、及苯基中的任一个，R4表示乙烯基或烯丙基，a为0、1或2，b为1、2或3，且a＋b为2或3），且部分含有上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个、优选为10～300个、更优选为15～200个、进一步优选为20～100个的结构。
另外，上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构是指，由通式(1)所表示的直链状二有机聚硅氧烷锁链结构
（此处，R2与上述相同，m为5～300的整数）。
优选为，存在于(A)成分的有机聚硅氧烷中的R2 2SiO2/2单元整体的至少一 部分，优选为50摩尔%以上（50～100摩尔%），尤其优选为80摩尔%以上（80～100摩尔%），在分子中形成由所述通式(1)所表示的锁链结构。
在(A)成分的分子中，R2 2SiO2/2单元起到将聚合物分子延伸为直链状的作用，R1SiO3/2单元使聚合物分子成为支链或三维网状。R3 aR4 bSiO(4－a－b)/2单元中的R4（乙烯基或烯丙基）与后述(B)成分所具有的R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元的键结于硅原子的氢原子（即，SiH基）进行氢化硅烷化加成反应，从而起到使本发明的组合物固化的作用。
从所获得的固化物的特性来说，构成(A)成分所必须的三种硅氧烷单元的摩尔比，即R1SiO3/2单元：R2 2SiO2/2单元：R3 aR4 bSiO(4－a－b)/2单元的摩尔比为90～24：75～9：50～1，尤其为70～28：70～20：10～2（其中，合计为100），较为优选。
并且，利用将四氢呋喃(THF)作为洗脱剂的凝胶渗透色谱法(Gel PermeationChromatography，GPC)，测定此(A)成分的聚苯乙烯换算重量平均分子量为3,000～1,000,000，尤其为10,000～100,000的范围，那么该聚合物更确实地成为可塑性固体状或半固体状，从作业性、固化性等来看，较为适宜。
此种树脂结构的有机聚硅氧烷可以利用以下方法合成：组合作为各单元原料的化合物，使上述三种硅氧烷单元在生成聚合物中为所需摩尔比，并且例如，在酸的存在下，进行共水解缩合。
此处，作为R1SiO3/2单元的原料，可以例示：MeSiCl3、EtSiCl3、PhSiCl3、丙基三氯硅烷、及环己基三氯硅烷等氯硅烷类；及，与这些各个氯硅烷类相对应的甲氧基硅烷类等烷氧基硅烷类等。
作为R2 2SiO2/2单元的原料，可以例示：
ClMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2Cl、
HOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OH、
MeOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OMe、
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OMe、
及MeOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OMe
（此处，m＝5～150的整数(平均值)，n＝5～300的整数(平均值)）等。
并且，R3 aR4 bSiO(4－a－b)/2单元是表示选自R3R4SiO2/2单元、R3 2R4SiO1/2单元、R4 2SiO2/2单元、及R3R4 2SiO1/2单元中的一种硅氧烷单元或两种以上硅氧烷单元的组合。作为它的原料，可以例示：Me2ViSiCl、MeViSiCl2、Ph2ViSiCl、及PhViSiCl2等氯硅烷类；及，与这些各个氯硅烷相对应的甲氧基硅烷类等烷氧基硅烷类等。
另外，在本发明中，当利用上述原料化合物的共水解及缩合来制造(A)成分的有机聚硅氧烷时，可能包含在R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元及/或R3 aR4 bSiO(4－a－b)/2单元中具有硅烷醇基的硅氧烷单元。即，可能包含R1、R2、及R3中的一个以上为羟基的硅氧烷单元。通常相对于全部硅氧烷单元，(A)成分的有机聚硅氧烷可以含有10摩尔%以下（0～10摩尔%），优选为5摩尔%以下（0～5摩尔%）左右的含有所述硅烷醇基的硅氧烷单元。作为上述含有硅烷醇基的硅氧烷单元，可以列举例如：R1(HO)SiO2/2单元、R1(HO)2SiO1/2 单元、R2 2(HO)SiO1/2单元、R3R4(HO)SiO1/2单元、及R4 2(HO)SiO1/2单元（此处，R1～R4如上所述）等。
-(B)树脂结构的有机氢聚硅氧烷-
作为本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物重要的(B)成分的树脂结构（即，三维网状结构）的有机氢聚硅氧烷，是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 cHdSiO(4-c－d)/2单元所组成（此处，R1、R2、及R3如上所述，c为0、1或2，d为1或2，且c＋d为2或3），理想为R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元中，c为2，d为1而组成，部分含有上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个、优选为10～300个、更优选为15～200个、进一步优选为20～100个的直链状硅氧烷结构。
另外，R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构是指，存在于(B)成分中的R2 2SiO2/2单元的至少一部分，优选为50摩尔%以上（50～100摩尔%），尤其优选为80摩尔%以上（80～100摩尔%），在(B)成分的分子中，形成由上述通式(1)所表示的直链状二有机聚硅氧烷锁链结构。
在(B)成分的分子中，R2 2SiO2/2单元也起到将聚合物分子延伸为直链状的作用，R1SiO3/2单元使聚合物分子成为支链或三维网状。R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元中的键结于硅的氢原子与上述(A)成分所具有的烯基进行氢化硅烷化加成反应，从而起到使本发明的组合物固化的作用。
从所获得的固化物的特性来说，构成(B)成分所必须的三种硅氧烷单元的摩尔比，即R1SiO3/2单元：R2 2SiO2/2单元：R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元的摩尔比为90～24：75～9：50～1，尤其为70～28：70～20：10～2（其中，合计为100），较为优选。
并且，利用将四氢呋喃(THF)作为洗脱剂的GPC，测定此(B)成分的聚苯乙烯换算重量平均分子量为3,000～1,000,000，尤其为10,000～100,000的范围，那么从作业性、固化物的特性等来看，较为适宜。
此种树脂结构的有机氢聚硅氧烷可以利用以下方法合成：组合作为各单元原料的化合物，使上述三种硅氧烷单元在生成聚合物中为所需摩尔比，并且进行共水解。
此处，作为R1SiO3/2单元的原料，可以例示：MeSiCl3、EtSiCl3、PhSiCl3、丙基三氯硅烷、环己基三氯硅烷、或与各个氯硅烷相对应的甲氧基硅烷等烷氧基硅烷等。
作为R2 2SiO2/2单元的原料，可以例示：
ClMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2Cl、
HOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OH、
MeOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OMe、
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OMe、
及MeOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OMe
（此处，m＝5～150的整数(平均值)，n＝5～300的整数(平均值)）等。
并且，R3 cHdSiO(4-c－d)/2单元是表示选自R3HSiO2/2单元、R3 2HSiO1/2单元、H2SiO2/2单元、及R3H2SiO1/2单元中的一种或两种以上硅氧烷单元的任意组 合，作为它的原料，可以例示：Me2HSiCl、MeHSiCl2、Ph2HSiCl、及PhHSiCl2 等氯硅烷类；及，与这些氯硅烷类相对应的甲氧基硅烷类等烷氧基硅烷类等。
另外，在本发明中，当利用上述原料化合物的共水解及缩合来制造(B)成分的有机氢聚硅氧烷时，可能包含在R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元中具有烷醇基的硅氧烷单元。即，可能包含R1、R2、及R3中的一个以上为羟基的硅氧烷单元。通常相对于全部硅氧烷单元，(B)成分的有机氢聚硅氧烷可以含有10摩尔%以下（0～10摩尔%），优选为5摩尔%以下（0～5摩尔%）左右的含有所述硅烷醇基的硅氧烷单元。作为上述含有硅烷醇基的硅氧烷单元，可以列举例如：R1(HO)SiO2/2单元、R1(HO)2SiO1/2 单元、R2 2(HO)SiO1/2单元、R3H(HO)SiO1/2单元、及H2(HO)SiO1/2单元（此处，R1～R3如上所述）。
(B)成分的有机氢聚硅氧烷的调配量为，(B)成分中的键结于硅原子的氢原子（SiH基）与(A)成分中的乙烯基及烯丙基的合计量的摩尔比为0.1～4.0的量，尤其优选为0.5～3.0，进一步优选为0.8～2.0的量。如果为0.1以上，那么固化反应良好地进行并可以获得硅固化物，如果为4.0以下，那么固化物中未反应（残留）的SiH基为少量，无需担心固化物的物性随着时间变化，因而优选。
-(C)光活性型催化剂-
在先前的热固化型硅树脂组合物中，大多会预先添加非光活性型铂系催化剂（例如，专利文献3）。在本发明中，特征在于使用光活性型催化剂来作为催化剂。(C)成分并无特别限制，为具有光活性的催化剂即可，尤其是光活性型铂族金属催化剂或镍系催化剂。铂族金属催化剂可以使用铂系、钯系、及铑系催化剂，其中优选为铂系催化剂。作为该铂系催化剂，可以列举β-二酮铂络合物催化剂，例如：三甲基(乙酰丙酮)铂络合物、三甲基(3,5-庚二酮酸)铂络合物、三甲基(乙酰乙酸甲酯)铂络合物、双(2,4-戊二酮酸)铂络合物、双(2,4-己二酮酸)铂络合物、双(2,4-庚二酮酸)铂络合物、双(3,5-庚二酮酸)铂络合物、双(1-苯基-1,3-丁二酮酸)铂络合物、及双(1,3-二苯基-1,3-丙二酮酸)铂络合物。并且，也可以使用(甲基环戊二烯基)三甲基铂。作为镍系催化剂，可以使用例如，双(2,4-戊二酮酸)镍络合物。这些可以单独使用一种或组合两种以上使用。其中，作为本发明的固化方法所使用的催化剂，优选为双(2,4- 戊二酮酸)铂络合物，惯用名为双(乙酰丙酮)铂(II)。
(C)成分的调配量为用以固化的有效剂量即可，通常，相对于上述(A)及(B)成分的合计量，例如，铂族金属质量换算为0.1～1000ppm，尤其优选为0.5～500ppm的范围内使用。
含有上述(A)～(C)成分的UV固化型粘着性硅酮组合物，它的树脂组合物在加热固化中不会流动，可以维持初始形状地固化。并且，由该组合物可以形成粘着性硅酮组合物片材，所述粘着性硅酮组合物片材在未固化状态下，常温为可塑性的固体状或半固体状，容易操作。并且，此粘着性硅酮组合物片材容易粘着于半导体元件（包含LED元件等光半导体元件）等的表面，并通过使用UV光源与掩膜，仅将所需部分固化，从而可以容易地仅于所需部分形成树脂固化层。
除了上述(A)～(C)成分以外，还可以根据需要，向本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物中，调配本身公知的各种添加剂。
-(D)荧光体-
在将本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物用于形成被覆LED元件的树脂层等时，除上述(A)～(C)成分以外，优选为该组合物含有用以转换波长的(D)荧光体。这样一来，即使当本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物含有(D)荧光体时，也可以获得一种该荧光体均匀地分散、且它的分散状态长时间稳定的树脂固化层。
(D)成分的荧光体可为任意的公知荧光体，相对于(A)～(C)总成分100质量份，它的调配量通常为0.1～100质量份的范围。所使用的(D)成分的荧光体，例如，作为利用CILAS激光测定装置等的激光衍射法进行粒度分布测定的粒径的范围，通常其粒径可以为10nm以上，较适宜为10nm～10μm，更适宜为10nm～1μm左右。
荧光物质可以是吸收例如，将氮化物系半导体作为发光层的半导体发光二极管的光，并波长转换为不同波长的光。优选为选自例如，以Eu、Ce等镧系元素大部分活化的氮化物系荧光体/氧氮化物系荧光体；利用Eu等镧系、Mn等过渡金属系元素大部分活化的碱土类卤磷灰石荧光体；碱土类金属卤硼酸盐荧光体；碱土类金属铝酸盐荧光体；碱土类硅酸盐荧光体；碱土类硫化物荧光体；碱土类硫化镓(thiogallate)荧光体；碱土类氮化硅荧光体；锗酸 盐荧光体；或以Ce等镧系元素大部分活化的稀土类铝酸盐荧光体；稀土类硅酸盐荧光体；或以Eu等镧系元素大部分活化的有机及有机络合物荧光体；及，Ca-Al-Si-O-N系氧氮化物玻璃荧光体等的至少任意1个以上。作为具体例，可以使用下述荧光体，但是并不限定于此。
以Eu、Ce等镧系元素大部分活化的氮化物系荧光体有M2Si5N8：Eu（M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。）等。并且，除了M2Si5N8：Eu以外，还有MSi7N10：Eu、M1.8Si5O0.2N8：Eu、M0.9Si7O0.1N10：Eu（M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。）等。
以Eu、Ce等镧系元素大部分活化的氧氮化物系荧光体有MSi2O2N2：Eu（M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。）等。
作为利用Eu等镧系、Mn等过渡金属系元素大部分活化的碱土类卤磷灰石荧光体，有M5(PO4)3X：R（M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。X为选自F、Cl、Br、及I的至少一种。R为Eu、Mn、及Eu与Mn中的任一种以上。）等。
作为碱土类金属卤硼酸盐荧光体，有M2B5O9X：R（M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。X为选自F、Cl、Br、及I的至少一种。R为Eu、Mn、及Eu与Mn中的任一种以上。）等。
作为碱土类金属铝酸盐荧光体，有SrAl2O4：R、Sr4Al14O25：R、CaAl2O4：R、BaMg2Al16O27：R、BaMg2Al16O12：R、BaMgAl10O17：R（R为Eu、Mn、及Eu与Mn中的任一种以上。）等。
作为碱土类金属硫化物荧光体，有La2O2S：Eu、Y2O2S：Eu、及Gd2O2S：Eu等。
作为以Ce等镧系元素大部分活化的稀土类铝酸盐荧光体，有由Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12 的组成式所表示的YAG系荧光体等。并且，也有以Tb、Lu等取代部份或全部Y的Tb3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce等。
作为其他的荧光体，有ZnS：Eu、Zn2GeO4：Mn、MGa2S4：Eu（M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。X为选自F、Cl、Br、及I的至少一种。)等。
上述荧光体也可以根据需要，除Eu以外，还含有选自Tb、Cu、Ag、 Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、及Ti的一种以上，或用它们代替Eu。
Ca-Al-Si-O-N系氧氮化物玻璃荧光体是指将氧氮化物玻璃作为母体材料的荧光体，其中，所述氧氮化物玻璃以摩尔%表示，CaCO3换算成CaO为20～50摩尔%、Al2O3为0～30摩尔%、SiO为25～60摩尔%、AlN为5～50摩尔%、及稀土类氧化物或过渡金属氧化物为0.1～20摩尔%，且5种成分合计为100摩尔%。另外，在将氧氮化物玻璃作为母体材料的荧光体中，优选氮含量为15wt%以下，优选为在荧光玻璃中，作为共活化剂，包含除稀土类氧化物离子以外的作为增感剂的其他稀土类元素离子的稀土类氧化物，含量在0.1～10摩尔%范围内。
并且，也可以使用上述荧光体以外的具有相同性能、效果的荧光体。
·无机填充剂：
可以列举例如：气相二氧化硅(fumed silica)、气相二氧化钛等加强型无机填充剂；及碳酸钙、硅酸钙、二氧化钛、氧化铁、碳黑、及氧化锌等非加强型无机填充剂等。这些无机填充剂可以在相对于(A)及(B)成分的合计量每100质量份合计为600质量份以下（0～600质量份）的范围内适当调配。
·粘着助剂：
并且，可以根据需要，向本发明的组合物中添加粘着助剂，以便进一步赋予粘着性。作为粘着助剂，可以列举例如有机硅氧烷低聚物，它在一分子中含有选自键结于硅原子的氢原子（SiH基）、键结于硅原子的烯基（例如，Si-CH=CH2基）、烷氧基甲硅烷基（例如，三甲氧基甲硅烷基）、环氧基（例如，缩水甘油醚氧基丙基、及3,4-环氧环己基乙基）的官能性基中的至少两种、优选为两种或三种的直链状或环状且硅原子数4～50个，优选为4～20个左右；由下述通式(2)所表示的有机氧基甲硅烷基改质异氰脲酸酯化合物及/或其水解缩合物（有机硅氧烷改质异氰脲酸酯化合物）等。
（式中，R19是由下述式(3)
（此处，R20为氢原子或碳原子数为1～6的一价烃基，s为1～6，尤其为1～4的整数。）
所表示的有机基、或含有脂肪族不饱和键的一价烃基，R19中的至少1个为式(3)的有机基。）
作为通式(2)中的R19的含有脂肪族不饱和键的一价烃基，可以列举：乙烯基、烯丙基、异丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、及己烯基等碳原子数为2～8，尤其为2～6的烯基；及环己烯基等碳原子数为6～8环烯基等。并且，作为式(3)中的R20的一价烃基，可以列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、及环己基等烷基；针对上述R19所例示的烯基及环烯基；以及苯基等芳基等碳原子数为1～8，尤其为1～6的一价烃基，优选为烷基。
进而，作为粘着助剂，可以例示由下述式所表示的化合物。
（式中，g及h分别为0～50范围的正整数，且满足g＋h为2～50，优选为4～20。）
在上述有机硅化合物中，作为使所获得的固化物具有尤为良好的粘着性的化合物，为一分子中具有键结于硅原子的烷氧基、及烯基或键结于硅原子的氢原子（SiH基）的有机硅化合物。
粘着助剂的调配量为，相对于(A)成分100质量份，通常可以调配为10质量份以下（即，0～10质量份），优选为0.1～8质量份，更优选为0.2～5质量份左右。如果为10质量份以下，那么无需担心会对固化物的硬度带来不 良影响、或表面粘性增高。
并且，还根据需要添加液状硅成分，且使本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物常温下维持可塑性的固体状或者半固体状，不会成为液状。作为此种液状硅成分，优选为25℃下粘度为1～100,000mPa.s左右，可以列举例如：乙烯基硅氧烷、氢硅氧烷(hydrogensiloxane)、烷氧基硅氧烷、羟基硅氧烷(hydroxy siloxane)及它们的混合物，在UV固化型粘着性硅酮组合物常温维持可塑性固体状或者半固体状的条件下，添加量相对于UV固化型粘着性硅酮组合物通常为50质量%以下。
UV固化型粘着性硅酮组合物片材
本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物片材是将上述本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物成型为片材状而成。
作为将本发明的组合物加工成片材状的手段，可以列举例如：镀膜机(filmcoater)及热压机等。使用这些手段将组合物加工成片材状，例如，将组合物夹持于加压用基底薄膜与剥离薄膜之间，使用热压机，通常以60～120℃、优选为70～100℃的温度，于0.5～10t/cm2、优选为1～7t/cm2的压力下，进行压缩成型约1～约30分钟、优选为2～10分钟。
作为加压用基底薄膜，可以列举：PET薄膜、氟系树脂薄膜、聚乙烯薄膜、及聚丙烯薄膜等；作为剥离薄膜，可以列举：氟系树脂涂层的PET薄膜、硅树脂涂层的PET薄膜、及氟系树脂薄膜等。
由此种上述UV固化型粘着性硅酮组合物所形成的UV固化型粘着性硅酮组合物片材，由于在常温且未固化状态下为可塑性的固体状或者半固体状，因此容易操作。并且，此粘着性硅酮组合物片材可以容易地粘着于LED晶片等半导体元件的表面，通过使用UV光源与掩膜，仅将所需部分固化，利用溶剂将不需要的未固化部分溶解显影，从而可以仅于所需部分形成固化层。进而，当本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物包含荧光体时，可以获得一种荧光体均匀地分散、且它的分散状态长时间稳定的固化物（树脂固化层）。
作为本发明所使用的紫外线(UV)的光源，可以列举例如：UV-LED灯、高压水银灯、超高压水银灯、低压水银灯、金属卤化灯、碳弧灯(carbon arc lamp)、及氙气灯等。所照射的光的波长为200nm～400nm，优选为250～400 nm，可为单波长、明线光谱、及连续光谱中的任一种。照射量的累计光量为100mJ/cm2～100,000mJ/cm2，优选为100mJ/cm2～100,00mJ/cm2，更优选为100mJ/cm2～5,000mJ/cm2。如果为上述照射量，那么可以利用极短时间的光照射，将硅树脂组合物凝胶化。另外，在本发明中，凝胶化是指树脂组合物的固化反应部分进行，且树脂组合物不溶于溶剂的状态。
上述本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物片材的特征在于：通过照射具有特定波长的光，而使硅树脂组合物得以凝胶化。如果向硅树脂组合物上照射具有特定波长的光例如0.5～10秒、尤其1～5秒，在后续的10～600秒、尤其60～300秒中，硅树脂组合物得以凝胶化。
接着，通过加热该经凝胶化的片材，来完全固化。由此，树脂组合物在加热中不会流动，可以维持初始形状地固化。加热固化是以25～200℃、优选为100～180℃，进行3分钟～72小时、优选为1～6小时。该加热固化条件可以根据作业条件及生产性与发光元件或框体耐热性的均衡而适当选定。
光半导体装置及其制造方法
根据本发明，提供一种光半导体装置的制造方法，具有以下工序：在光半导体元件（例如，LED元件）的表面上配置上述UV固化型粘着性硅酮组合物片材；照射光；及，后续加热固化。由此，可以获得的一种发光装置，所述发光装置具有以树脂固化层被覆前述LED元件表面的被覆LED元件。
在使用此种粘着性硅酮组合物片材的光半导体装置的制造方法中，优选为，上述粘着性硅酮组合物片材是使用1～500μm、优选为10～300μm的厚度，根据荧光体的含量或发光效率等而适当调整。该片材的大小适合所被覆的LED元件的尺寸即可。在将该片材配置于LED元件的表面上之后，利用光照射而凝胶化，然后加热使其完全固化。UV照射/加热固化的条件如上所述，通常在一次固化后进行二次固化。
这样一来，使用本发明的粘着性硅酮组合物片材，通过使用UV光源与掩膜的光刻，仅将所需部分固化，并利用溶剂将不需要的未固化部分溶解显影，从而可以容易地仅于所需部分形成树脂固化层。
固化物（树脂固化层）
利用本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物及UV固化型粘着性硅酮组合物片材所获得的固化物，耐热性及透光性优异。并且，本发明可以提供一种固化物，所述固化物在厚度为1mm的层状态下，23℃中的波长450nm的透光率为90%～100%，尤其为95%～100%。因此，该固化物可适当用作发光二极管(LED)、有机电场发光元件（有机EL）、激光二极管、及发光二极管阵列(LED Array)等光半导体元件的密封材料等。穿透率要求为厚度1mm的理由是，当被覆LED晶片而形成透镜时，透镜的厚度为约1mm。
利用本发明的UV固化型粘着性硅酮组合物的固化物来密封光半导体元件的形态并无特别限制，可以使用以下方法：例如，填充上述硅树脂组合物，覆盖配置于具有开口部的框体内的光半导体元件，并进行UV照射/加热，从而使其固化。并且，还可以在经矩阵化的基板上搭载光半导体元件，并使用印刷法、传递成型、注射成型、及压缩成型来制造。
另外，本发明的硅树脂组合物常温为可塑性的固体状或半固体状，通过40～120℃、优选为80～100℃左右的预热来软化、熔解，从而成为也可射出成型的性质状态。
当利用罐烧法(potting process)或注射法被覆保护光半导体元件时，组合物在铸造时优选为液状。并且，当利用传递成型来制造光半导体装置时，也可将该组合物微粒化后再用于成型。
当使用传递成型或注射成型时，可以150～180℃的温度、20～50kgf/cm2 的压力，成型1～5分钟。当使用传递成型或注射成型时，也可以在150～200℃、1～4小时的条件下，进行后固化（二次固化或后固化(postcure)）。
另外，压接通常可于室温～300℃以下、且10MPa以下（通常0.01～10MPa）的加压下进行，优选为5MPa以下（例如，0.1～5MPa）、尤其0.5～5MPa。固化通常是在50～200℃、尤其70～180℃下，固化1～30分钟、尤其2～10分钟。并且，可以在50～200℃、尤其70～180℃下，进行0.1～10小时、尤其1～4小时的后固化。
[实施例]
以下，示出合成例及实施例与比较例，具体地说明本发明，但是，本发明并不限制于下述实施例。并且，Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯 基。
本发明中所提及的重量平均分子量是指，将以下述条件测定的利用凝胶渗透色谱法(GPC)的聚苯乙烯作为基准物质的重量平均分子量。
[测定条件]
洗脱剂：THF
流量：0.6mL/min
检测器：示差折射率检测器(Refractive Index，RI)
色谱柱：TSK Guardcolomn SuperH-L
TSKgel SuperH4000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH3000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH2000(6.0mmI.D.×15cm×2)
（均为日本东曹公司(TOSOH CORPORATION)制造）
色谱柱温度：40℃
试样注入量：20μL（浓度为0.5重量%的THF溶液）
[合成例1]
-含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A1)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl：1mol、及Me2ViSiCl：6mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解，进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有乙烯基的树脂(A1)。
此树脂的所构成的硅氧烷单元、及由[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06来表示。此树脂的重量平均分子量为65,000，熔点为58℃。
[合成例2]
-含有氢硅烷基(hydrosilyl)的有机聚硅氧烷树脂(B1)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl：1mol、及Me2HSiCl：6mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解， 进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有氢硅烷基的树脂(B1)。
该树脂的所构成的硅氧烷单元、及由[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06来表示。该树脂的重量平均分子量为56,000，熔点为56℃。
[合成例3]
-含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A2)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl：1mol、及Me2ViSiCl：9mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解，进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有乙烯基的树脂(A2)。
该树脂的所构成的硅氧烷单元、及由[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.09来表示。该树脂的重量平均分子量为62,000，熔点为61℃。
[合成例4]
-含有氢硅烷基的有机聚硅氧烷树脂(B2)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl：1mol、及Me2HSiCl：9mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解，进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有氢硅烷基的树脂(B2)。
该树脂的所构成的硅氧烷单元、及由[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.09来表示。该树脂的重量平均分子量为55,000，熔点为54℃。
[合成例5]
-含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A3)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)7SiMe2Cl：1mol、及Me2ViSiCl：6mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解，进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有乙烯基的树脂(A3)。
该树脂的所构成的硅氧烷单元、及[-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06来表示。该树脂的重量平均分子量为45,000，熔点为56℃。
[合成例6]
-含有氢硅烷基的有机聚硅氧烷树脂(B3)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)7SiMe2Cl：1mol、及Me2HSiCl：6mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解，进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有氢硅烷基的树脂(B3)。
该树脂的所构成的硅氧烷单元、及[-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06来表示。该树脂的重量平均分子量为42,000，熔点为54℃。
[合成例7]
-含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A4)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、HOMe2SiO(Me2SiO)98SiMe2OH：1mol、及Me2ViSiCl：6mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解，进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有乙烯基的树脂(A4)。
该树脂的所构成的硅氧烷单元、及[-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06来表示。该树 脂的重量平均分子量为62,000，熔点为60℃。
[合成例8]
-含有氢硅烷基的有机聚硅氧烷树脂(B4)-
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：27mol、HOMe2SiO(Me2SiO)98SiMe2OH：1mol、及Me2HSiCl：6mol溶解于甲苯溶媒，然后滴入水中，进行共水解，进一步利用水洗、碱洗来中和、脱水后，将溶剂汽提，从而合成含有氢硅烷基的树脂(B4)。
该树脂的所构成的硅氧烷单元、及[-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]所表示的结构的构成比是由式：[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06来表示。该树脂的重量平均分子量为60,000，熔点为58℃。
（实施例1）
将合成例1的含有乙烯基的树脂(A1)：189g、合成例2的含有氢硅烷基的树脂(B1)：189g、作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔环己醇：0.2g、及双(乙酰丙酮)铂(II)（日本东京化成工业(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.)(股)制造）0.1g溶解加入至10%甲苯中而制成组合物，相对于所述组合物90质量份，进一步加入粒径为5μm（平均粒径）的荧光体(YAG)10质量份，并加温至60℃，进一步加入树脂组成分20%的环己酮，利用行星式拌合机搅拌，从而制备硅树脂组合物。此组合物在干燥状态且25℃中为可塑性的固体。
1)色度测定
利用镀膜机，将上述组合物涂布在50μm的PTFE薄膜（加压用基底薄膜）上，利用刮刀(blade)使它成为100μm，并以100℃干燥2分钟，从而制成50μm的固形薄膜。将此固形物进一步夹持在与25μm的PTFE薄膜（剥离薄膜）之间，利用辊来轧压，从而成型为厚度50μm的片材状。
将所获得的组合物片材连带剥离薄膜一同切割成晶片尺寸进行小片化。如图1所示，将所获得的薄膜片载置于GaN系LED晶片1上，使组合物侧与LED晶片接触，然后去除剥离薄膜。然后，隔着仅覆盖接触孔的光掩膜，使用UV-LED照射器（日本欧姆龙公司(OMRONCorporation)制造， ZUV-C20H），照射UV365nm（累计光量：2000mJ/cm2）。进一步，利用IPA将未固化部份显影，进一步将其以150℃加热60分钟使其固化，在LED晶片1上形成含有荧光体的树脂固化层2。这样一来，使用由所获得的含有荧光体的树脂固化层2被覆的LED晶片1，在陶瓷电路基板3上制作如图1所示的倒装晶片结构的发光半导体(LED)装置。图中，4为引线接触部，5为金线。使LED各3个发光，并利用大冢电子有限公司(Otsuka Electronics Co.,Ltd)制造的LED光学特性监视器（LE-3400），来测定色度。
2)机械特性
利用压缩成型机将组合物压缩成型，使用UV-LED照射器（日本欧姆龙公司制造，ZUV-C20H），照射UV365nm（累计光量：2000mJ/cm2）进行凝胶化，进一步将其以150℃，固化4小时后，依照JIS K6251及JIS K6253，测定拉伸强度（0.2mm厚）、硬度（使用类型D型弹簧试验机测定）及切割时延伸（0.2mm厚）。
3)表面的粘性
利用手指触摸，确认与上述机械特性的评估同样地固化的固化物表面的粘性。进而，将固化物放置在市售银粉（平均粒径为5μm）中，取出后，进行吹气，来试验是否可以去掉像尘埃一样附着于表面上的银粉。
4)荧光体的分散稳定性
向形成于氧化铝底座上的直径为6mm、中央部深度为2mm的凹部中，放入上述刚制备后的树脂组合物，与上述机械特性的评估相同地，进行UV照射/加热固化，从而成型为厚度2mm、直径6mm的圆盘状成型物。分别从该成型物的上部表面层（厚度2mm）与下部表面层（厚度2mm）切下一部份，分别以800℃加热并灰化，测定所获得的灰中的荧光体含量（质量%），比较上部与下部中的含量。
进而，将该组合物在－20℃的冷冻室内保管3个月后，与上述相同地使组合物成型，同样地比较上部与下部中的荧光体含量。如此测定荧光体的分散稳定性。
这些各测定结果示于表1。
（实施例2）
将合成例3的含有乙烯基的树脂(A-2)：189g、合成例4的含有氢硅烷基的树脂(B-2)：189g、作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔环己醇：0.2g、及(甲基环戊二烯基)三甲基铂（西格玛奥德里奇(日本)(Sigma-Aldrich Co.LLC.)(股)制造）0.1g溶解加入至10%甲苯而制成组合物，相对于所述组合物70质量份，进一步加入粒径为5μm（平均粒径）的荧光体(YAG)30质量份后，将这些利用加温至60℃的行星式拌合机仔细搅拌，从而制备硅树脂组合物。此组合物在25℃中为可塑性的固体。与实施例1相同地评估此组合物。结果示于表1。
（实施例3）
将合成例1的含有乙烯基的树脂(A-1)：189g、合成例2的含有氢硅烷基的树脂(B-1)：189g、作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔环己醇：0.2g、及(甲基环戊二烯基)三甲基铂（西格玛奥德里奇(日本)(股)制造）0.1g溶解加入至10%甲苯中而制成组合物，并利用加温至60℃的行星式拌合机仔细搅拌所述组合物，从而制备硅树脂组合物。此组合物在25℃中为可塑性的固体。评估此组合物的结果示于表1。
（实施例4）
将合成例5的含有乙烯基的树脂(A-3)：189g、合成例6的含有氢硅烷基的树脂(B-3)：189g、作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔环己醇：0.2g、及(甲基环戊二烯基)三甲基铂（西格玛奥德里奇(日本)(股)制造）0.1g溶解加入至10%甲苯中而制成组合物，并利用加温至60℃的行星式拌合机仔细搅拌所述组合物，从而制备硅树脂组合物。此组合物在25℃中为可塑性的固体。评估此组合物的结果示于表1。
（实施例5）
将合成例7的含有乙烯基的树脂(A-4)：189g、合成例8的含有氢硅烷基的树脂(B-4)：189g、作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔环己醇：0.2g、及(甲基环戊二烯基)三甲基铂（西格玛奥德里奇(日本)(股)制造）0.1g溶解加入至10%甲苯中而制成组合物，并利用加温至60℃的行星式拌合机仔细搅拌所述 组合物，从而制备硅树脂组合物。此组合物在25℃中为可塑性的固体。评估此组合物的结果示于表1。
（比较例1）
使用市售的加成反应固化型硅清漆KJR-632（商品名，日本信越化学工业(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)(股)制造）90质量份，来代替实施例1中制备的硅树脂组合物，其中，加成反应固化型硅清漆KJR-632是将不含重复单元数为5～300个的直链状二有机聚硅氧烷锁链结构且常温为液体的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂作为主剂；进而，与实施例1相同地，加入粒径为5μm（平均粒径）的荧光体(YAG)10质量份，然后在表1记载的固化条件下，将利用加温至60℃的行星式拌合机仔细搅拌的组合物固化，并评估各特性。结果示于表1。
（比较例2）
使用市售加成反应固化型硅清漆KJR-632L-1（商品名，日本信越化学工业(股)制造）70质量份，来代替实施例1中制备的硅树脂组合物，其中，所述加成反应固化型硅清漆KJR-632L-1是将不含重复单元数为5～300个的直链状二有机聚硅氧烷锁链结构且常温为液体的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂作为主剂；进而，与实施例1相同地，加入粒径为5μm（平均粒径）的荧光体(YAG)30质量份，然后在表1记载的固化条件下，将利用加温至60℃的行星式拌合机仔细搅拌的组合物固化，并评估各特性。结果示于表1。
表1
（注）*1：含有氢硅烷基的树脂中的硅原子键结氢原子与含有乙烯基的树脂中的硅原子键结乙烯基的摩尔比
实施例1至实施例5的UV固化型粘着性硅酮组合物，组合物在加热固化中不会流动，可以维持初始形状地固化。并且，利用实施例1及实施例2的组合物，可以获得一种荧光体均匀地分散、且它的分散状态长时间稳定的 树脂固化层。并且，通过使用由该组合物所形成的片材，可利用光刻仅于所需部分形成树脂固化层。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，具有和本发明的权利要求书中所述的技术思想实质上相同的结构，并发挥相同作用效果的技术方案，均包含在本发明的技术范围内。

Claims (11)

1.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括：
小片化工序，该小片化工序将UV固化型粘着性硅酮组合物片材进行小片化，所述UV固化型粘着性硅酮组合物片材是将UV固化型粘着性硅酮组合物成型为片材状而成；
配置工序，该配置工序将该小片化的UV固化型粘着性硅酮组合物片材配置于光半导体元件表面；
微影制程工序，该微影制程工序隔着光掩膜对前述UV固化型粘着性硅酮组合物片材照射UV；
溶解显影工序，该溶解显影工序利用溶剂将前述UV固化型粘着性硅酮组合物片材的未固化部分溶解显影；
加热固化工序；
前述UV固化型粘着性硅酮组合物含有：
(A)树脂结构的有机聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 aR4 bSiO(4－a－b)/2单元所组成，并且，此处，R1、R2、及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基、及苯基中的任一个，R4表示乙烯基或烯丙基，a为0、1或2，b为1、2或3，且a+b为2或3，
并且，包含上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构；
(B)树脂结构的有机氢聚硅氧烷，它是由R1SiO3/2单元、R2 2SiO2/2单元、及R3 cHdSiO(4－c－d)/2单元所组成，并且，此处，R1、R2及R3独立如上所述，c为0、1或2，d为1或2，且c+d为2或3，
并且，包含上述R2 2SiO2/2单元的至少一部分连续重复而成且重复数为5～300个的结构；及，
(C)光活性型催化剂；
并且，在未固化状态下，常温为可塑性的固体状或半固体状。
2.如权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述UV固化型粘着性硅酮组合物，进一步含有(D)荧光体。
3.如权利要求2所述的光半导体装置的制造方法，其中，其相对于前述(A)～(C)成分的合计100质量份，含有前述(D)成分的荧光体0.1～100质量份。
4.如权利要求2所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述(D)荧光体的粒径为10nm以上。
5.如权利要求3所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述(D)荧光体的粒径为10nm以上。
6.如权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述UV固化型粘着性硅酮组合物中，前述(B)成分中的直接键结于硅原子上的氢原子的总摩尔数，相对于前述(A)成分中的乙烯基及烯丙基的总摩尔数的摩尔比为0.1～4.0的量。
7.如权利要求2所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述UV固化型粘着性硅酮组合物中，前述(B)成分中的直接键结于硅原子上的氢原子的总摩尔数，相对于前述(A)成分中的乙烯基及烯丙基的总摩尔数的摩尔比为0.1～4.0的量。
8.如权利要求3所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述UV固化型粘着性硅酮组合物中，前述(B)成分中的直接键结于硅原子上的氢原子的总摩尔数，相对于前述(A)成分中的乙烯基及烯丙基的总摩尔数的摩尔比为0.1～4.0的量。
9.如权利要求4所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述UV固化型粘着性硅酮组合物中，前述(B)成分中的直接键结于硅原子上的氢原子的总摩尔数，相对于前述(A)成分中的乙烯基及烯丙基的总摩尔数的摩尔比为0.1～4.0的量。
10.如权利要求5所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述UV固化型粘着性硅酮组合物中，前述(B)成分中的直接键结于硅原子上的氢原子的总摩尔数，相对于前述(A)成分中的乙烯基及烯丙基的总摩尔数的摩尔比为0.1～4.0的量。
11.如权利要求1至10中的任一项所述的光半导体装置的制造方法，其中，前述R1、R2、及R3中的一个以上为羟基。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI567498B (zh) * 2012-04-06 2017-01-21 Ａｚ電子材料盧森堡有限公司 負型感光性矽氧烷組成物
CN104870585B (zh) * 2012-12-21 2017-06-20 道康宁公司 用于压缩模制或层合的热熔型固化性有机硅组合物
CN106796978B (zh) * 2014-06-25 2019-09-17 美国陶氏有机硅公司 层状聚合物结构和方法
CN105400486A (zh) * 2014-09-10 2016-03-16 郝建强 一种紫外线/湿气双固化有机硅树脂组成物
DE102015110429A1 (de) * 2015-06-29 2017-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung
KR102279871B1 (ko) 2016-09-26 2021-07-21 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 경화 반응성 실리콘 겔 및 이의 용도
JP6681317B2 (ja) * 2016-11-21 2020-04-15 信越化学工業株式会社 紫外線硬化型シリコーン組成物及び硬化皮膜形成方法
WO2018186165A1 (ja) 2017-04-06 2018-10-11 東レ・ダウコーニング株式会社 液状硬化性シリコーン接着剤組成物、その硬化物およびその用途
KR20200032145A (ko) * 2017-08-04 2020-03-25 와커 헤미 아게 귀금속 촉매의 안정화
CN109306259A (zh) * 2018-09-07 2019-02-05 东莞市贝特利新材料有限公司 一种光固化有机硅胶粘剂及其在贴合触摸屏中的应用
TW202010632A (zh) * 2018-09-10 2020-03-16 美商陶氏有機矽公司 用於生產光學聚矽氧總成之方法、及藉其生產之光學聚矽氧總成
JP6897695B2 (ja) * 2019-01-28 2021-07-07 信越化学工業株式会社 紫外線硬化型シリコーン接着剤組成物および積層体の製造方法
WO2021200643A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 ダウ・東レ株式会社 硬化性ホットメルトシリコーン組成物、その硬化物、及び前記組成物又は硬化物を含む積層体
GB202108979D0 (en) 2021-06-23 2021-08-04 Johnson Matthey Plc Hydrosilylation catalysts

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI226357B (en) 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
JP2005524737A (ja) 2002-05-06 2005-08-18 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 波長変換する反応性樹脂材料及び発光ダイオード素子
US6908682B2 (en) * 2002-09-12 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic
JP4338554B2 (ja) 2003-04-23 2009-10-07 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物
EP2653923A1 (en) * 2004-08-11 2013-10-23 Dow Corning Corporation Method for forming semipermeable membranes for sensor applications using photopolymerizable silicone materials
US7314770B2 (en) * 2004-11-18 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20070092736A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7858198B2 (en) * 2007-04-10 2010-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor-containing adhesive silicone composition, composition sheet formed of the composition, and method of producing light emitting device using the sheet
JP5201063B2 (ja) * 2008-04-15 2013-06-05 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物及びその硬化物
JP5342830B2 (ja) * 2008-08-19 2013-11-13 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光硬化性オルガノポリシロキサン組成物
DE102009002231A1 (de) * 2009-04-06 2010-10-07 Wacker Chemie Ag Bei Raumtemperatur selbsthaftende Pt-katalysierte additions-vernetzende Siliconzusammensetzungen

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