KR101986849B1 - Uv 경화형 접착성 실리콘 조성물, uv 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트, 광반도체 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상온에서 미경화 상태에 있어서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태이기 때문에 취급이 용이하고, 형광체가 균일하게 분산되고, LED 칩의 표면에 피복하여 필요한 부분에만 경화층을 용이하게 형성할 수 있는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 제공한다.
해결 수단은 (A) R1SiO3 /2, R2 2SiO2 /2, R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하고(R4는 비닐기 또는 알릴기), R2 2SiO2 /2 단위가 5 내지 300개 연속해서 반복하는 구조를 포함하는 수지 구조 오르가노폴리실록산, (B) R1SiO3 /2, R2 2SiO2 /2, R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하고, R2 2SiO2 /2 단위가 5 내지 300개 연속해서 반복하는 구조를 포함하는 수지 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산, (C) 광활성형 촉매를 포함하고, 미경화 상태에 있어서 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태인 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이다.

Description

UV 경화형 접착성 실리콘 조성물, UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트, 광반도체 장치 및 그의 제조 방법 {UV CURABLE ADHESIVE SILICONE COMPOSITION, UV CURABLE ADHESIVE SILICONE COMPOSITION SHEET, OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물, UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트, 광반도체 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
현재, 실리콘 수지는 내광성이 우수하다는 점에서, 발광 다이오드(LED) 소자의 밀봉, 보호를 위해서 피복하는 재료로서 주목받고 있다(특허문헌 1). 또한, 발광 다이오드 분야에서는 파장 변환을 위해서 형광체를 사용하는 것은 알려져 있다(특허문헌 2). 형광체를 분산시킨 필름으로서는 열경화 타입의 실리콘 수지가 실용화되어 있지만(특허문헌 3), 경화에 히드로실릴화 반응을 이용하기 때문에, 열경화 타입의 실리콘 수지 조성물에서는 미리 백금계 촉매가 첨가되어 있는 경우가 많다. 그 결과, 배합 직후부터 반응이 진행되기 때문에, 포트라이프를 확보하기 위한 반응 제어제도 배합되어 있다. 그러나, 그 결과 상기 조성물의 경화 속도가 느려지기 때문에 가열 경화중에 조성물이 유동하여 형상이 변화된다는 문제를 일으킨다.
또한, 특허문헌 4에는 경화 촉매로서 (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금을 함유하는 광경화성 오르가노폴리실록산 조성물이 기재되어 있다. (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금은 광 조사하지 않으면 활성화되지 않기 때문에, 광 미조사의 상태에서는 오르가노폴리실록산 조성물의 점도가 증가하지 않아 포트라이프가 우수하다. 특허문헌 4는 조사 파장 영역 200nm 내지 400nm의 광을 조사하여 (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금 촉매를 활성화함으로써 오르가노폴리실록산 조성물을 경화시키는 방법이 기재되어 있다.
그러나, 특허문헌 4에 기재된 방법에서는, 경화 전의 성상이 유동성을 갖기 때문에 오르가노폴리실록산 조성물이 완전히 경화될 때까지의 동안에 수지 조성물이 유동하여 목적의 형상을 갖는 경화물을 얻을 수 없다는 문제가 있다.
또한, 광반도체 소자(예를 들면 LED 칩)만의 피복이나 본딩 패드를 뚫는 것이 필요한 경우가 있기 때문에, 종래의 열경화가 아니라 리소그래피로 패터닝 가능한 필름이 요구되고 있다. 또한, LED 등에 있어서는 LED 칩을 피복하는 수지층에는 높은 내열성, 내자외선성 등도 요구된다. 또한, 종래의 제조 장치로 이러한 수지층을 형성할 수 있으면 바람직하다.
또한, 일반적으로 백색 LED에서는 형광체를 분산시킨 실리콘 수지나 에폭시 수지로 LED 칩을 피복하는 등의 방법에 의해, 형광체를 칩 근방에 분산시켜 청색광을 의사 백색광으로 변환시키고 있다. 그러나 형광체의 수지층 중에서의 분산이 불균일하거나 치우침이 있으면 색 편차가 일어나기 쉽기 때문에, 균일한 백색광을 만들어 내기 위해서는 형광체가 피복 수지층 중에 균일하게 분산되는 것이 필요하다. 그 때문에, 스크린 인쇄나 형광체를 침강시킴으로써 피복 수지층의 하방 근방에 분산시키는 방법 등이 검토되고 있지만, 제조 공정이 복잡화되거나 얻어지는 안정화의 정도가 불충분하다는 문제가 있었다. 따라서, 형광체를 칩 표면에 균일하게 분산시킬 수 있는 용이한 기술이 요구되고 있다.
일본 특허 공개 제2004-339482호 공보 일본 특허 공표 제2005-524737호 공보 일본 특허 공개 제2009-235368호 공보 일본 특허 공개 제2010-47646호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 가열 경화중에 수지 조성물이 유동하지 않아 초기의 형상을 유지한 채로 경화하는 것이 가능한 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이고, 또한 (1) 미경화 상태에 있어서 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태이기 때문에 취급이 용이하고, (2) 형광체를 포함하는 경우에는 상기 형광체가 균일하게 분산되고, 또한 그의 분산 상태가 경시적으로 안정되고, (3) 반도체 소자(LED 소자 등의 광반도체 소자를 포함함)의 표면에 용이하게 피복하고, UV 광원과 마스크를 이용하여 필요한 부분만을 경화시킴으로써 수지 경화층을 용이하게 형성할 수 있는 접착성 실리콘 조성물 시트를 형성 가능한 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따르면
(A) R1SiO3 /2 단위, R2 2SiO2 /2 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2 및 R3은 독립적으로 수산기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기 및 페닐기 중 어느 하나를 나타내고, R4는 비닐기 또는 알릴기를 나타내고, a는 0, 1 또는 2이고, b는 1, 2 또는 3이며, a+b는 2 또는 3임),
상기 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조를 포함하는 수지 구조의 오르가노폴리실록산,
(B) R1SiO3/2 단위, R2 2SiO2/2 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2 및 R3은 독립적으로 상기한 바와 같고, c는 0, 1 또는 2이고, d는 1 또는 2이며, c+d는 2 또는 3임),
상기 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조를 포함하는 수지 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산,
(C) 광활성형 촉매
를 함유하고, 미경화 상태에 있어서 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태인 것을 특징으로 하는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 제공한다.
이와 같은 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 가열 경화중에 수지 조성물이 유동하지 않아, 초기의 형상을 유지한 채 경화하는 것이 가능한 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이 된다. 또한, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물에 따르면, 상온에서 미경화 상태(즉, 비가열 처리하)에 있어서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태이기 때문에, 취급이 용이한 접착성 실리콘 조성물 시트로 광반도체 소자의 표면에 용이하게 피복하고, UV 광원과 마스크를 이용하여 필요한 부분만을 경화시킴으로써 수지 경화층을 용이하게 형성할 수 있는 접착성 실리콘 조성물 시트가 형성 가능해진다. 또한, 본 발명에 있어서 「반고체」란, 가소성을 가지면서 유동성을 갖지 않는 성질을 갖고, 온도·응력·변형 등의 외부로부터의 스트레스에 의해 액체 또는 고체의 성질을 나타내는 상태인 것을 의미한다.
또한, 「상온」이란, 통상의 상태에 있어서의 주위 온도를 나타내고, 통상 15 내지 30℃의 범위이고, 전형적으로는 25℃이다.
또한, 이 경우 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 (D) 형광체를 더 함유하는 것임이 바람직하다.
이와 같이 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이 (D) 형광체를 함유하는 경우에도, 형광체가 균일하게 분산되고, 또한 그의 분산 상태가 경시적으로 안정된 수지 경화층을 얻을 수 있다.
또한, 이 경우 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 상기 (A) 내지 (C) 성분의 합계 100질량부에 대하여 상기 (D) 성분의 형광체를 0.1 내지 100질량부 함유하는 것임이 바람직하다.
이와 같은 (D) 성분의 형광체 배합량이면, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물로부터 얻어지는 수지 경화층이 보다 확실하게 광반도체 소자로부터의 광을 흡수하여 상이한 파장의 광으로 파장 변환될 수 있다.
또한, 이 경우 상기 (D) 형광체의 입경이 10nm 이상인 것이 바람직하다.
이와 같이, (D) 성분의 형광체의 입경은 10nm 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10nm 내지 10μm, 특히 바람직하게는 10nm 내지 1μm 정도의 것이 사용된다.
또한, 이 경우 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 상기 (A) 성분 중의 비닐기 및 알릴기의 총 몰수에 대한 상기 (B) 성분 중의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 총 몰수가 몰비로 0.1 내지 4.0이 되는 양인 것이 바람직하다.
이와 같은 (B) 성분의 배합량이면, (A) 성분과 (B) 성분의 히드로실릴화 반응이 양호하게 진행되기 때문에 바람직하다.
또한, 이 경우 상기 R1, R2, R3 중 1개 이상을 수산기로 할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 조성물 중의 (A) 성분 및/또는 (B) 성분 중에 실라놀기를 함유하는 것으로 할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 시트 형상으로 성형하여 이루어지는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트를 제공한다.
이와 같이 본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 시트 형상으로 성형해서 이루어지는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트는, 취급하기 쉬워 작업성이 양호하고, LED 칩 등의 광반도체 소자 표면에 적층시킴으로써 용이하게 접착할 수 있다. 또한, 이 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트는 미경화 상태에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태이므로, 충전된 형광체가 보관중에 분리 침강을 일으키는 경우도 없다. 따라서, 형광체가 균일하게 분산된 수지 경화층을 안정되게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트를 사용하여 제조된 광반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트를 사용하여 제조된 광반도체 장치는, 광반도체 소자를 피복하는 수지 경화층이 높은 내열성 및 광투과성을 갖는다. 또한, 형광체가 균일하게 분산된 수지 경화층으로 피복된 광반도체 소자를 갖는 광반도체 장치가 된다.
또한, 본 발명에서는 광반도체 소자 표면에 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트를 배치하는 공정, 광 조사 공정, 그 후 가열 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트는 LED 칩 등의 광반도체 소자의 표면에 배치함으로써 용이하게 LED 칩을 피복하는 것이 가능하고, 또한 상기 시트에 대하여 UV 광원과 마스크를 이용한 리소그래피를 행함으로써 필요한 부분만을 겔상으로 경화시키고, 그 후 용제로 불필요한 미경화 부분을 용해 현상함으로써 수지 경화층을 필요한 부분에만 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 가열 경화중에 수지 조성물이 유동하지 않아 초기의 형상을 유지한 채 경화하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 조성물을 시트 형상으로 성형하여 이루어지는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트는 미경화 상태에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태이므로, 취급하기 쉬워 작업성이 양호하고, 통상의 다이본드 마운터 등의 마운트 장치이어도 용이하게 반도체 소자 표면에 적층·접착할 수 있다. 또한, 충전된 형광체가 보관중에 분리 침강을 일으키는 경우도 없다. 그리고, 상기 조성물 시트를 경화시킴으로써, 형광체가 균일하게 분산된 수지 경화층을 균일한 층 두께로 효율적으로 안정적으로 형성할 수 있다. 따라서, 양산성이 우수하다. 또한, 얻어지는 형광체 함유 수지 경화층에서는 형광체가 균일하게 분산되어 있으므로 색 편차는 일어나기 어렵고, 연색성이 양호하다. 또한, 얻어지는 경화물은 경질 수지이면서 가요성이 우수하고, 표면의 태크가 적은 경화물(수지 경화층)이 된다.
도 1은 실시예에 있어서 색도의 측정을 위해서 제작한 플립 칩 구조의 LED 장치를 도시한 개략도이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
상기와 같이, 종래 광반도체 소자를 피복하기 위한 조성물에는, 완전히 경화할 때까지의 동안에 조성물이 유동하여 목적의 형상을 갖는 경화물을 얻을 수 없다는 문제나, 형광체의 수지층 중에서의 분산이 불균일하거나 치우침이 있거나 하는 문제가 있었다.
따라서, 가열 경화중에 수지 조성물이 유동하지 않아 초기의 형상을 유지한 채 경화하는 것이 가능한 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이고, 또한 취급이 용이하고, 형광체가 균일하게 분산되고, 그의 분산 상태가 경시적으로 안정된 접착성 실리콘 조성물 시트를 형성 가능한 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이 요구되고 있다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 행한 결과, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. 즉, 본 발명은
(A) R1SiO3 /2 단위, R2 2SiO2 /2 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2 및 R3은 독립적으로 수산기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기 및 페닐기 중 어느 하나를 나타내고, R4는 비닐기 또는 알릴기를 나타내고, a는 0, 1 또는 2이고, b는 1, 2 또는 3이며, a+b는 2 또는 3임),
상기 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조를 포함하는 수지 구조의 오르가노폴리실록산,
(B) R1SiO3/2 단위, R2 2SiO2/2 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2 및 R3은 독립적으로 상기한 바와 같고, c는 0, 1 또는 2이고, d는 1 또는 2이며, c+d는 2 또는 3임),
상기 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조를 포함하는 수지 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산,
(C) 광활성형 촉매
를 함유하고, 미경화 상태에 있어서 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태인 것을 특징으로 하는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 기재에 있어서, Me는 메틸기, Et는 에틸기, Ph는 페닐기, 그리고 Vi는 비닐기를 나타낸다.
UV 경화형 접착성 실리콘 조성물
-(A) 수지 구조의 오르가노폴리실록산-
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물의 중요한 (A) 성분인 수지 구조(즉, 3차원 망상 구조)의 오르가노폴리실록산은 R1SiO3/2 단위, R2 2SiO2/2 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2 및 R3은 독립적으로 수산기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기 및 페닐기 중 어느 하나를 나타내고, R4는 비닐기 또는 알릴기를 나타내고, a는 0, 1 또는 2이고, b는 1, 2 또는 3이며, a+b는 2 또는 3임), 상기 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개, 바람직하게는 10 내지 300개, 보다 바람직하게는 15 내지 200개, 더욱 바람직하게는 20 내지 100개인 구조를 부분적으로 함유하는 수지 구조의 오르가노폴리실록산이다.
또한, 상기 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조란, 일반식 (1):
Figure 112013004650935-pat00001
(여기서, R2는 상기와 동일하고, m은 5 내지 300의 정수)
로 표시되는 직쇄상 디오르가노폴리실록산 연쇄 구조를 의미한다.
(A) 성분의 오르가노폴리실록산 중에 존재하는 R2 2SiO2/2 단위 전체의 적어도 일부, 바람직하게는 50몰% 이상(50 내지 100몰%), 특히는 80몰% 이상(80 내지 100몰%)이 분자 중에서 상기 일반식 (1)로 표시되는 연쇄 구조를 형성하고 있는 것이 바람직하다.
(A) 성분의 분자 중에 있어서는, R2 2SiO2 /2 단위는 폴리머 분자를 직쇄상으로 연신하도록 작용하고, R1SiO3 /2 단위는 폴리머 분자를 분지시키거나 또는 3차원 망상화시킨다. R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위 중의 R4(비닐기 또는 알릴기)는 후술하는 (B) 성분이 갖는 R3 cHdSiO(4-c-d/2) 단위의 규소 원자에 결합한 수소 원자(즉, SiH기)와 히드로실릴화 부가 반응함으로써 본 발명의 조성물을 경화시키는 역할을 한다.
(A) 성분을 구성하는 필수의 3종의 실록산 단위의 몰비, 즉 R1SiO3/2 단위:R2 2SiO2/2 단위:R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위의 몰비는 90∼24:75∼9:50∼1, 특히 70∼28:70∼20:10∼2(단, 합계로 100)인 것이 얻어지는 경화물의 특성상 바람직하다.
또한, 상기 (A) 성분의 테트라히드로푸란(THF)을 전개 용매로 한 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 3,000 내지 1,000,000, 특히 10,000 내지 100,000의 범위에 있으면, 상기 폴리머는 보다 확실하게 가소성 고체 상태 또는 반고체 상태이어서 작업성, 경화성 등으로부터 바람직하다.
이와 같은 수지 구조의 오르가노폴리실록산은 각 단위의 원료가 되는 화합물을 생성 폴리머 중에서 상기 3종의 실록산 단위가 소요의 몰비가 되도록 조합하고, 예를 들면 산의 존재하에서 공가수분해 축합을 행함으로써 합성할 수 있다.
여기서, R1SiO3/2 단위의 원료로서는 MeSiCl3, EtSiCl3, PhSiCl3, 프로필트리클로로실란, 시클로헥실트리클로로실란 등의 클로로실란류, 이들 각각의 클로로실란류에 대응하는 메톡시실란류 등의 알콕시시란류 등을 예시할 수 있다.
R2 2SiO2 /2 단위의 원료로서는,
ClMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2Cl,
HOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OH,
MeOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OMe,
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OMe,
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)mSiMe2OMe
(여기서, m=5 내지 150의 정수(평균값), n=5 내지 300의 정수(평균값)) 등을 예시할 수 있다.
또한, R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위는 R3R4SiO2/2 단위, R3 2R4SiO1/2 단위, R4 2SiO2/2 단위, 및 R3R4 2SiO1/2 단위로부터 선택되는 1종의 실록산 단위 또는 2종 이상의 실록산 단위의 조합인 것을 나타낸다. 그의 원료로서는 Me2ViSiCl, MeViSiCl2, Ph2ViSiCl, PhViSiCl2 등의 클로로실란류, 이들 클로로실란의 각각에 대응하는 메톡시실란류 등의 알콕시시란류 등을 예시할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, (A) 성분의 오르가노폴리실록산을 상기 원료 화합물의 공가수분해 및 축합에 의해 제조할 때에는, R1SiO3 /2 단위, R2 2SiO2 /2 단위 및/또는 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위에 실라놀기를 갖는 실록산 단위가 포함되는 경우가 있다. 즉, R1, R2, R3 중 1개 이상이 수산기인 실록산 단위가 포함되는 경우가 있다. (A) 성분의 오르가노폴리실록산은 이러한 실라놀기 함유 실록산 단위를 통상 전체 실록산 단위에 대하여 10몰% 이하(0 내지 10몰%), 바람직하게는 5몰% 이하(0 내지 5몰%) 정도 함유하는 것일 수도 있다. 상기 실라놀기 함유 실록산 단위로서는, 예를 들면 R1(HO)SiO2/2 단위, R1(HO)2SiO1 /2 단위, R2 2(HO)SiO1/2 단위, R3R4(HO)SiO1/2 단위, R4 2(HO)SiO1/2 단위(여기서, R1 내지 R4는 상기한 바와 같음) 등을 들 수 있다.
-(B) 수지 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산-
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물의 중요한 (B) 성분인 수지 구조(즉, 3차원 망상 구조)의 오르가노하이드로젠폴리실록산은 R1SiO3/2 단위, R2 2SiO2/2 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2, R3은 상기한 바와 같고, c는 0, 1 또는 2이고, d는 1 또는 2이며, c+d는 2 또는 3임), 바람직하게는 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위 중 c는 2, d는 1로 이루어지고, 상기 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개, 바람직하게는 10 내지 300개, 보다 바람직하게는 15 내지 200개, 더욱 바람직하게는 20 내지 100개인 직쇄상의 실록산 구조를 부분적으로 함유하는 수지 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산이다.
또한, R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조란, (B) 성분 중에 존재하는 R2 2SiO2 /2 단위의 적어도 일부, 바람직하게는 50몰% 이상(50 내지 100몰%), 특히는 80몰% 이상(80 내지 100몰%)이, (B) 성분의 분자 중에서 상기 일반식 (1)로 표시되는 직쇄상 디오르가노폴리실록산 연쇄 구조를 형성하고 있는 것을 의미한다.
(B) 성분의 분자 중에 있어서도, R2 2SiO2 /2 단위는 폴리머 분자를 직쇄상으로 연신하도록 작용하고, R1SiO3 /2 단위는 폴리머 분자를 분지시키거나 또는 3차원 망상화시킨다. R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위 중의 규소에 결합한 수소 원자는 상술한 (A) 성분이 갖는 알케닐기와 히드로실릴화 부가 반응함으로써 본 발명의 조성물을 경화시키는 역할을 한다.
(B) 성분을 구성하는 필수의 3종의 실록산 단위의 몰비, 즉 R1SiO3/2 단위:R2 2SiO2 /2 단위:R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위의 몰비는 90∼24:75∼9:50∼1, 특히 70∼28:70∼20:10∼2(단, 합계로 100)인 것이 얻어지는 경화물의 특성상 바람직하다.
또한, 상기 (B) 성분의 테트라히드로푸란(THF)을 전개 용매로 한 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 3,000 내지 1,000,000, 특히 10,000 내지 100,000의 범위에 있는 것이 작업성, 경화물의 특성 등의 점으로부터 바람직하다.
이와 같은 수지 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산은 각 단위의 원료가 되는 화합물을 생성 폴리머 중에서 상기 3종의 실록산 단위가 소요의 몰비가 되도록 조합하여 공가수분해를 행함으로써 합성할 수 있다.
여기서, R1SiO3/2 단위의 원료로서는 MeSiCl3, EtSiCl3, PhSiCl3, 프로필트리클로로실란, 시클로헥실트리클로로실란이나 각각의 클로로실란에 대응하는 메톡시실란 등의 알콕시시란 등을 예시할 수 있다.
R2 2SiO2/2 단위의 원료로서는,
ClMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2Cl,
HOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OH,
MeOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OMe,
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OMe,
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OMe
(여기서, m=5 내지 150의 정수(평균값), n=5 내지 300의 정수(평균값)) 등을 예시할 수 있다.
또한, R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위는 R3HSiO2/2 단위, R3 2HSiO1/2 단위, H2SiO2/2 단위, R3H2SiO1/2 단위로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 실록산 단위의 임의의 조합인 것을 나타내고, 그의 원료로서는 Me2HSiCl, MeHSiCl2, Ph2HSiCl, PhHSiCl2 등의 클로로실란류, 이들 클로로실란류에 대응하는 메톡시실란류 등의 알콕시시란류 등을 예시할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 (B) 성분의 오르가노폴리실록산을 상기 원료 화합물의 공가수분해 및 축합에 의해 제조할 때에는 R1SiO3/2 단위, R2 2SiO2/2 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위에 실라놀기를 갖는 실록산 단위가 포함되는 경우가 있다. 즉, R1, R2, R3 중 1개 이상이 수산기인 실록산 단위가 포함되는 경우가 있다. (B) 성분의 오르가노폴리실록산은 이러한 실라놀기 함유 실록산 단위를 통상 전체 실록산 단위에 대하여 10몰% 이하(0 내지 10몰%), 바람직하게는 5몰% 이하(0 내지 5몰%) 정도 함유하는 것일 수도 있다. 상기 실라놀기 함유 실록산 단위로서는, 예를 들면 R1(HO)SiO2/2 단위, R1(HO)2SiO1/2 단위, R2 2(HO)SiO1/2 단위, R3H(HO)SiO1/2 단위, H2(HO)SiO1/2 단위(여기서, R1 내지 R3은 상기한 바와 같음)를 들 수 있다.
(B) 성분의 오르가노하이드로젠폴리실록산의 배합량은 (A) 성분 중의 비닐기 및 알릴기의 합계량에 대한 (B) 성분 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자(SiH기)의 몰비로 0.1 내지 4.0이 되는 양, 특히 바람직하게는 0.5 내지 3.0, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 2.0이 되는 양인 것이 바람직하다. 0.1 이상이면 경화 반응이 양호하게 진행되어 실리콘 경화물을 얻을 수 있고, 4.0 이하이면 경화물 중의 미반응(잔존) SiH기가 소량이 되어 경화물의 물성이 경시적으로 변화될 우려가 없기 때문에 바람직하다.
-(C) 광활성형 촉매-
종래의 열경화 타입의 실리콘 수지 조성물에는, 미리 광활성형이 아닌 백금계 촉매가 첨가되어 있는 경우가 많다(예를 들면 특허문헌 3). 본 발명에서는, 촉매로서 광활성형의 것을 이용하는 것을 특징으로 한다. (C) 성분은 광활성을 갖는 촉매이면 특별히 제한되는 것이 아니고, 특히는 광활성형의 백금족 금속 촉매 또는 니켈계 촉매이다. 백금족 금속 촉매는 백금계, 팔라듐계, 로듐계의 것을 사용할 수 있고, 그 중에서도 백금계 촉매인 것이 바람직하다. 해당 백금계 촉매로서는, β-디케토네이트백금 착체 촉매, 예를 들면 트리메틸(아세틸아세토나토)백금 착체, 트리메틸(3,5-헵탄디오네이트)백금 착체, 트리메틸(메틸아세토아세테이트)백금 착체, 비스(2,4-펜탄디오나토)백금 착체, 비스(2,4-헥산디오나토)백금 착체, 비스(2,4-헵탄디오나토)백금 착체, 비스(3,5-헵탄디오나토)백금 착체, 비스(1-페닐-1,3-부탄디오나토)백금 착체, 비스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오나토)백금 착체를 들 수 있다. 또한, (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금을 사용할 수도 있다. 니켈계 촉매로서는, 예를 들면 비스(2,4-펜탄디오나토)니켈 착체를 사용할 수 있다. 이들은 1종을 단독으로도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 본 발명의 경화 방법에서 사용하는 촉매로서는 비스(2,4-펜탄디오나토)백금 착체, 관용명 비스(아세틸아세토나토)백금(Ⅱ)가 바람직하다.
(C) 성분의 배합량은 경화를 위한 유효량이면 되며, 통상 상기 (A) 및 (B) 성분의 합계량에 대하여, 예를 들면 백금족 금속으로서 질량 환산으로 0.1 내지 1000ppm, 특히 바람직하게는 0.5 내지 500ppm의 범위로 사용된다.
상기 (A) 내지 (C) 성분을 함유하는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 가열 경화중에 수지 조성물이 유동하지 않아, 초기의 형상을 유지한 채 경화하는 것이 가능하다. 또한, 상기 조성물로부터는, 미경화 상태에 있어서 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태이어서 취급이 용이한 접착성 실리콘 조성물 시트를 형성할 수 있다. 또한, 이 접착성 실리콘 조성물 시트는 반도체 소자(LED 소자 등의 광반도체 소자를 포함함) 등의 표면에 용이하게 접착하여 UV 광원과 마스크를 이용하여 필요한 부분만을 경화시킴으로써 수지 경화층을 필요한 부분에만 용이하게 형성할 수 있는 것이 된다.
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물에는 상술한 (A) 내지 (C) 성분 이외에도 필요에 따라 그 자체 공지의 각종 첨가제를 배합할 수 있다.
-(D) 형광체-
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을, LED 소자를 피복하는 수지층의 형성 등에 이용하는 경우에는, 상기 조성물은 상기 (A) 내지 (C) 성분 이외에 파장 변환을 위한 (D) 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은, 이와 같이 (D) 형광체를 포함하는 경우에도 상기 형광체가 균일하게 분산되고, 또한 그의 분산 상태가 경시적으로 안정된 수지 경화층을 얻을 수 있다.
(D) 성분의 형광체는 공지의 형광체이면 어느 것이어도 되며, 그의 배합량은 (A) 내지 (C)의 전체 성분 100질량부에 대하여 통상 0.1 내지 100질량부의 범위로 한다. (D) 성분의 형광체는, 예를 들면 실라스 레이저 측정 장치 등의 레이저광 회절법에 의한 입도 분포 측정에 있어서의 입경의 범위로서, 통상 그의 입경이 10nm 이상이면 되고, 바람직하게는 10nm 내지 10μm, 보다 바람직하게는 10nm 내지 1μm 정도의 것이 사용된다.
형광 물질은, 예를 들면 질화물계 반도체를 발광층으로 하는 반도체 발광 다이오드로부터의 광을 흡수하여 상이한 파장의 광으로 파장 변환되는 것이면 된다. 예를 들면, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소로 주로 부활되는 질화물계 형광체·산질화물계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 전이 금속계 원소에 의해 주로 부활되는 알칼리토류 할로겐 아파타이트 형광체, 알칼리토류 금속 붕산할로겐 형광체, 알칼리토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리토류 규산염 형광체, 알칼리토류 황화물 형광체, 알칼리토류 티오갈레이트 형광체, 알칼리토류 질화규소 형광체, 게르만산염 형광체, 또는 Ce 등의 란타노이드계 원소로 주로 부활되는 희토류 알루민산염 형광체, 희토류 규산염 형광체 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소로 주로 부활되는 유기 및 유기 착체 형광체, Ca-Al-Si-O-N계 옥시질화물 유리 형광체 등으로부터 선택되는 적어도 어느 1 이상인 것이 바람직하다. 구체예로서, 하기 형광체를 사용할 수 있는데, 이에 한정되지 않는다.
Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소로 주로 부활되는 질화물계 형광체는 M2Si5N8:Eu(M은 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn으로부터 선택되는 적어도 1종임) 등이 있다. 또한, M2Si5N8:Eu 외에 MSi7N10:Eu, M1.8Si5O0.2N8:Eu, M0.9Si7O0.1N10:Eu(M은 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn으로부터 선택되는 적어도 1종임) 등도 있다.
Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소로 주로 부활되는 산질화물계 형광체는 MSi2O2N2:Eu(M은 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn으로부터 선택되는 적어도 1종임) 등이 있다.
Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 전이 금속계 원소에 의해 주로 부활되는 알칼리토류 할로겐 아파타이트 형광체에는 M5(PO4)3X:R(M은 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn으로부터 선택되는 적어도 1종이고, X는 F, Cl, Br, I로부터 선택되는 적어도 1종이고, R은 Eu, Mn, Eu와 Mn 중 어느 1종 이상임) 등이 있다.
알칼리토류 금속 붕산할로겐 형광체에는 M2B5O9X:R(M은 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn으로부터 선택되는 적어도 1종이고, X는 F, Cl, Br, I로부터 선택되는 적어도 1종이고, R은 Eu, Mn, Eu와 Mn 중 어느 1종 이상임) 등이 있다.
알칼리토류 금속 알루민산염 형광체에는 SrAl2O4:R, Sr4Al14O25:R, CaAl2O4:R, BaMg2Al16O27:R, BaMg2Al16O12:R, BaMgAl10O17:R(R은 Eu, Mn, Eu와 Mn 중 어느 1종 이상임) 등이 있다.
알칼리토류 금속 황화물 형광체에는 La2O2S:Eu, Y2O2S:Eu, Gd2O2S:Eu 등이 있다.
Ce 등의 란타노이드계 원소로 주로 부활되는 희토류 알루민산염 형광체에는 Y3Al5O12:Ce, (Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce, Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce, (Y,Gd)3(Al,Ga)5O12의 조성식으로 표시되는 YAG계 형광체 등이 있다. 또한, Y의 일부 또는 전부를 Tb, Lu 등으로 치환한 Tb3Al5O12:Ce, Lu3A15O12:Ce 등도 있다.
그 밖의 형광체에는 ZnS:Eu, Zn2GeO4:Mn, MGa2S4:Eu(M은 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn으로부터 선택되는 적어도 1종이고, X는 F, Cl, Br, I로부터 선택되는 적어도 1종임) 등이 있다.
상술한 형광체는 원하는 바에 따라 Eu 대신에 또는 Eu에 더하여 Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti로부터 선택되는 1종 이상을 함유시킬 수도 있다.
Ca-Al-Si-O-N계 옥시질화물 유리 형광체란, 몰% 표시로 CaCO3을 CaO로 환산하여 20 내지 50몰%, Al2O3을 0 내지 30몰%, SiO를 25 내지 60몰%, AlN을 5 내지 50몰%, 희토류 산화물 또는 전이 금속 산화물을 0.1 내지 20몰%로 하고, 5성분의 합계가 100몰%가 되는 옥시질화물 유리를 모체 재료로 한 형광체이다. 또한, 옥시질화물 유리를 모체 재료로 한 형광체에서는 질소 함유량이 15wt% 이하인 것이 바람직하고, 희토류 산화물 이온 외에 증감제가 되는 다른 희토류 원소 이온을 희토류 산화물로 하여 형광 유리 중에 0.1 내지 10몰%의 범위의 함유량으로 공부활제로서 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 형광체 이외의 형광체로서 마찬가지의 성능, 효과를 갖는 형광체도 사용할 수 있다.
·무기 충전제:
예를 들면, 흄드실리카, 흄드이산화티탄 등의 보강성 무기 충전제, 탄산칼슘, 규산칼슘, 이산화티탄, 산화제2철, 카본 블랙, 산화아연 등의 비보강성 무기 충전제 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전제는 합계로 (A) 및 (B) 성분의 합계량 100질량부당 600질량부 이하(0 내지 600질량부)의 범위로 적절하게 배합할 수 있다.
·접착 조제:
또한, 본 발명의 조성물에는 접착성을 부여하기 위해서 접착 조제를 필요에 따라 더 첨가할 수 있다. 접착 조제로서는, 예를 들면 1 분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자(SiH기), 규소 원자에 결합한 알케닐기(예를 들면 Si-CH=CH2기), 알콕시실릴기(예를 들면 트리메톡시실릴기), 에폭시기(예를 들면 글리시독시프로필기, 3,4-에폭시시클로헥실에틸기)로부터 선택되는 관능성기를 적어도 2종, 바람직하게는 2종 또는 3종 함유하는 직쇄상 또는 환상의 규소 원자수 4 내지 50개, 바람직하게는 4 내지 20개 정도의 오르가노실록산 올리고머, 하기 일반식 (2)로 표시되는 오르가노옥시실릴 변성 이소시아누레이트 화합물 및/또는 그의 가수분해 축합물(오르가노실록산 변성 이소시아누레이트 화합물) 등을 들 수 있다.
Figure 112013004650935-pat00002
[식 중, R19는 하기 식 (3)
Figure 112013004650935-pat00003
(여기서, R20은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 1가 탄화수소기이고, s는 1 내지 6, 특히 1 내지 4의 정수임)
으로 표시되는 유기기 또는 지방족 불포화 결합을 함유하는 1가 탄화수소기인데, R19 중 적어도 1개는 식 (3)의 유기기임]
일반식 (2)에 있어서의 R19의 지방족 불포화 결합을 함유하는 1가 탄화수소기로서는 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 이소부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등의 탄소 원자수 2 내지 8, 특히 2 내지 6의 알케닐기, 시클로헥세닐기 등의 탄소 원자수 6 내지 8의 시클로알케닐기 등을 들 수 있다. 또한, 식 (3)에 있어서의 R20의 1가 탄화수소기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기 등의 알킬기, 상기 R19에 대하여 예시한 알케닐기 및 시클로알케닐기, 또한 페닐기 등의 아릴기 등의 탄소 원자수 1 내지 8, 특히 1 내지 6의 1가 탄화수소기를 들 수 있고, 바람직하게는 알킬기이다.
또한, 접착 조제로서는 하기 식으로 나타내는 화합물이 예시된다.
Figure 112013004650935-pat00004
(식 중, g 및 h는 각각 0 내지 50의 범위의 양의 정수이며, 또한 g+h가 2 내지 50, 바람직하게는 4 내지 20을 만족하는 것임)
Figure 112013004650935-pat00005
Figure 112013004650935-pat00006
상기 유기 규소 화합물 중 얻어지는 경화물에 특히 양호한 접착성을 초래하는 화합물로서는, 1 분자 중에 규소 원자 결합 알콕시기와, 알케닐기 또는 규소 원자 결합 수소 원자(SiH기)를 갖는 유기 규소 화합물이다.
접착 조제의 배합량은 (A) 성분 100질량부에 대하여 통상 10질량부 이하(즉, 0 내지 10질량부), 바람직하게는 0.1 내지 8질량부, 보다 바람직하게는 0.2 내지 5질량부 정도 배합할 수 있다. 10질량부 이하이면, 경화물의 경도에 악영향을 미치거나 표면 태크성을 높이거나 할 우려가 없다.
또한, 필요에 따라 본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태를 유지하여 액상으로 되지 않을 정도로 액상 실리콘 성분을 첨가할 수 있다. 이와 같은 액상 실리콘 성분으로서는, 25℃에서 점도 1 내지 100,000mPa.s 정도의 것이 바람직하고, 예를 들면 비닐실록산, 하이드로젠실록산, 알콕시실록산, 하이드록시실록산 및 이들의 혼합물을 들 수 있고, 첨가량은 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이 상온에서 가소성 고체 상태 내지 반고체 상태를 유지하는 것이 조건이고, 통상 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물에 대하여 50질량% 이하이다.
UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트는 상술한 본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 시트 형상으로 성형하여 이루어지는 것이다.
본 발명의 조성물을 시트 형상으로 가공하는 수단으로서는, 예를 들면 필름 코터, 열 프레스기 등을 들 수 있다. 이들 수단을 이용하여 조성물을 시트 형상으로 가공하기 위해서는, 예를 들면 조성물을 가압용 베이스 필름과 박리 필름의 사이에 끼우고, 열 프레스기를 이용하여 통상 60 내지 120℃, 바람직하게는 70 내지 100℃의 온도에서 0.5 내지 10t/cm2, 바람직하게는 1 내지 7t/cm2의 압력하에서 약 1 내지 약 30분간, 바람직하게는 2 내지 10분간 압축 성형을 행한다.
가압용 베이스 필름으로서는 PET 필름, 불소계 수지 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등을 들 수 있고, 박리 필름으로서는 불소계 수지 코팅한 PET 필름, 실리콘 수지 코팅한 PET 필름, 불소계 수지 필름 등을 들 수 있다.
이와 같은 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물로 형성되는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트는, 상온에서 미경화 상태에 있어서 가소성의 고체 상태 내지 반고체 상태이기 때문에 취급이 용이하다. 또한, LED 칩 등의 반도체 소자의 표면에 용이하게 접착시킬 수 있어, UV 광원과 마스크를 이용하여 필요한 부분만을 경화시켜, 용제로 불필요한 미경화 부분을 용해 현상함으로써, 경화층을 필요한 부분에만 형성하는 것이 가능한 접착성 실리콘 조성물 시트가 된다. 또한, 본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물이 형광체를 포함하는 경우에는, 형광체가 균일하게 분산되고 또한 그의 분산 상태가 경시적으로 안정된 경화물(수지 경화층)을 얻을 수 있다.
본 발명에서 사용하는 자외선(UV)의 광원으로서는, 예를 들면 UV-LED 램프, 고압 수은등, 초고압 수은등, 저압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 카본 아크 램프, 크세논 램프 등을 들 수 있다. 조사하는 광의 파장은 200nm 내지 400nm, 바람직하게는 250 내지 400nm이고, 단파장, 휘선 스펙트럼, 연속 스펙트럼 중 어느 것일 수도 있다. 조사량은 적산 광량으로서 100mJ/cm2 내지 100,000mJ/cm2, 바람직하게는 100mJ/cm2 내지 10,000mJ/cm2, 보다 바람직하게는 100mJ/cm2 내지 5,000mJ/cm2이다. 상기 조사량이면, 극히 단시간의 광 조사로 실리콘 수지 조성물을 겔화할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서 겔화란, 수지 조성물의 경화 반응이 일부 진행되어 수지 조성물이 용제에 대하여 불용으로 된 상태를 의미한다.
상기한 본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트는, 특정 파장을 갖는 광을 조사함으로써 실리콘 수지 조성물이 겔화되는 것을 특징으로 한다. 실리콘 수지 조성물에 특정 파장을 갖는 광을, 예를 들면 0.5 내지 10초, 특히는 1 내지 5초 조사하면, 그 후 10 내지 600초, 특히는 60 내지 300초로 실리콘 수지 조성물이 겔화된다.
계속해서, 상기 겔화된 시트를 가열함으로써 완전히 경화된다. 이에 의해 가열중에 수지 조성물이 유동하지 않아 초기의 형상을 유지한 채 경화할 수 있다. 가열 경화는 25 내지 200℃, 바람직하게는 100 내지 180℃에서 3분 내지 72시간, 바람직하게는 1 내지 6시간 행한다. 상기 가열 경화 조건은 작업 조건 및 생산성과 발광 소자나 하우징 내열성의 밸런스로부터 적절하게 선정하면 된다.
광반도체 장치 및 그의 제조 방법
본 발명에 따르면, 광반도체 소자(예를 들면 LED 소자)의 표면에 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트를 배치하는 공정, 광 조사 공정, 그 후 가열 경화 공정을 갖는 광반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 이에 의해, 수지 경화층으로 상기 LED 소자 표면이 피복된 피복 LED 소자를 갖는 발광 장치가 얻어진다.
이와 같은 접착성 실리콘 조성물 시트를 이용한 광반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 접착성 실리콘 조성물 시트는 1 내지 500μm, 바람직하게는 10 내지 300μm의 두께로 사용되는 것이 바람직한데, 형광체의 함유량이나 발광 효율 등에 따라 적절하게 조정된다. 상기 시트의 크기는 피복되는 LED 소자의 사이즈에 맞추면 된다. 상기 시트를 LED 소자의 표면에 배치한 후, 광 조사로 겔화시키고, 그 후 가열하여 완전 경화시킨다. UV 조사·가열 경화의 조건은 상기한 바와 같고, 통상 1차 경화 후 2차 경화시킨다.
이와 같이, 본 발명의 접착성 실리콘 조성물 시트를 이용함으로써 UV 광원과 마스크를 이용한 리소그래피에 의해 필요한 부분만을 경화시키고, 용제로 불필요한 미경화 부분을 용해 현상함으로써 수지 경화층을 필요한 부분에만 용이하게 형성할 수 있다.
경화물(수지 경화층)
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 및 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트에 의해 얻어지는 경화물은 내열성 및 광투과성이 우수하다. 또한, 본 발명은 두께 1mm의 층 상태로 23℃에 있어서의 파장 450nm의 광의 투과율이 90% 내지 100%, 특히는 95% 내지 100%인 경화물을 제공할 수 있다. 이 때문에, 상기 경화물은 발광 다이오드(LED), 유기 전계 발광 소자(유기 EL), 레이저 다이오드, LED 어레이 등의 광반도체 소자의 밀봉재 등으로서 바람직하게 이용할 수 있다. 투과율이 두께 1mm로 요구되는 이유는, LED 칩을 피복하여 렌즈를 형성하였을 때의 렌즈의 두께가 약 1mm이기 때문이다.
본 발명의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물의 경화물로 광반도체 소자를 밀봉하는 양태는 특별히 제한되는 것이 아니지만, 예를 들면 개구부를 갖는 하우징 내에 배치된 광반도체 소자를 덮도록 상술한 실리콘 수지 조성물을 충전하고, UV 조사·가열하여 경화시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 매트릭스화된 기판 상에 광반도체 소자를 탑재하고, 인쇄법, 트랜스퍼 성형, 인젝션 성형, 압축 성형을 사용하여 제조할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실리콘 수지 조성물은 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태인데, 40 내지 120℃, 바람직하게는 80 내지 100℃ 정도의 예열에 의해 연화·융해되어 사출 성형도 가능한 성상이 된다.
광반도체 소자를 포팅이나 인젝션법으로 피복 보호하는 경우에는, 조성물은 주형시에 액상인 것이 바람직하다. 또한, 광반도체 장치를 트랜스퍼 성형으로 제조하는 경우에는, 상기 조성물을 펠릿화한 것을 성형에 이용할 수도 있다.
트랜스퍼 성형이나 인젝션 성형을 사용하는 경우에는, 150 내지 180℃의 온도, 20 내지 50kgf/cm2의 압력에서 1 내지 5분간 성형하는 것이 좋다. 트랜스퍼 성형이나 인젝션 성형을 사용하는 경우에는, 후 경화(2차 경화 또는 포스트 큐어)를 150 내지 200℃, 1 내지 4시간의 조건으로 행할 수도 있다.
또한, 압착은 통상 실온 내지 300℃ 이하에서 10MPa 이하(통상 0.01 내지 10의 MPa) 가압하에서 행할 수 있고, 바람직하게는 5MPa 이하(예를 들면 0.1 내지 5MPa), 특히는 0.5 내지 5MPa이다. 경화는 통상 50 내지 200℃, 특히 70 내지 180℃에서 1 내지 30분, 특히 2 내지 10분이다. 또한, 50 내지 200℃, 특히 70 내지 180℃에서 0.1 내지 10시간, 특히 1 내지 4시간의 포스트 큐어를 행할 수 있다.
<실시예>
이하, 합성예 및 실시예와 비교예를 나타내며 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다. 또한, Ph는 페닐기, Me는 메틸기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
본 발명 중에서 언급하는 중량 평균 분자량이란, 하기 조건으로 측정한 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌을 표준 물질로 한 중량 평균 분자량을 가리키는 것으로 한다.
[측정 조건]
전개 용매:THF
유량:0.6mL/min
검출기:시차 굴절률 검출기(RI)
칼럼:TSK 가드칼럼(Guardcolomn) 슈퍼(Super)H-L
TSK겔 슈퍼H4000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSK겔 슈퍼H3000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSK겔 슈퍼H2000(6.0mmI.D.×15cm×2)
(모두 토소사 제조)
칼럼 온도:40℃
시료 주입량:20μL(농도 0.5중량%의 THF 용액)
[합성예 1]
-비닐기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (A1)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol, Me2ViSiCl:6mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 비닐기 함유 수지 (A1)을 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06으로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 65,000, 융점은 58℃였다.
[합성예 2]
-히드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (B1)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol, Me2HSiCl:6mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 히드로실릴기 함유 수지 (B1)을 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3 /2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2 /2]0.01[Me2HSiO1 /2]0.06으로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 56,000, 융점은 56℃였다.
[합성예 3]
-비닐기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (A2)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol, Me2ViSiCl:9mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 비닐기 함유 수지 (A2)를 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.09로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 62,000, 융점은 61℃였다.
[합성예 4]
-히드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (B2)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol, Me2HSiCl:9mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 히드로실릴기 함유 수지 (B2)를 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)33-SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.09로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 55,000, 융점은 54℃였다.
[합성예 5]
-비닐기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (A3)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, ClMe2SiO(Me2SiO)7SiMe2Cl:1mol, Me2ViSiCl:6mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 비닐기 함유 수지 (A3)을 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06으로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 45,000, 융점은 56℃였다.
[합성예 6]
-히드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (B3)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, ClMe2SiO(Me2SiO)7SiMe2Cl:1mol, Me2HSiCl:6mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 히드로실릴기 함유 수지 (B3)을 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)7-SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06으로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 42,000, 융점은 54℃였다.
[합성예 7]
-비닐기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (A4)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, HOMe2SiO(Me2SiO)98SiMe2OH:1mol, Me2ViSiCl:6mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 비닐기 함유 수지 (A4)를 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06으로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 62,000, 융점은 60℃였다.
[합성예 8]
-히드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산 수지 (B4)-
PhSiCl3로 표시되는 오르가노실란:27mol, HOMe2SiO(Me2SiO)98SiMe2OH:1mol, Me2HSiCl:6mol을 톨루엔 용매에 용해 후, 수중에 적하하고, 공가수분해하고, 또한 수세, 알칼리 세정으로 중화, 탈수 후, 용제를 스트리핑하고, 히드로실릴기 함유 수지 (B4)를 합성하였다.
이 수지는 구성하는 실록산 단위 및 [-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]로 표시되는 구조의 구성비가 식:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-(Me2SiO)98-SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06으로 표시된다. 이 수지의 중량 평균 분자량은 60,000, 융점은 58℃였다.
(실시예 1)
합성예 1의 비닐기 함유 수지 (A1):189g, 합성예 2의 히드로실릴기 함유 수지 (B1):189g, 반응 억제제로서 아세틸렌알코올계 에티닐시클로헥사놀:0.2g, 비스(아세틸아세토나토)백금(Ⅱ)(도쿄화성공업(주) 제조) 0.1g을 톨루엔 10% 용해하여 첨가한 조성물 90질량부에 대하여 입경 5μm(평균 입경)의 형광체(YAG)를 10질량부 더 첨가하여 60℃로 가온하고, 또한 시클로헥사논을 수지 조성분의 20% 첨가하고, 플라네터리 믹서로 잘 교반하여 실리콘 수지 조성물을 제조하였다. 이 조성물은 건조한 상태 25℃에서 가소성의 고체였다.
1) 색도 측정
상기 조성물을 50μm PTFE 필름(가압용 베이스 필름) 상에 필름 코터로 블레이드를 100μm로 도포하여 100℃에서 2분 건조하여 50μm의 고형 필름을 작성하였다. 이 고형물을 또한 25μm PTFE 필름(박리 필름)과의 사이에 끼우고, 롤로 니핑하여 두께 50μm의 시트 형상으로 성형하였다.
얻어진 조성물 시트를 박리 필름째 칩 사이즈로 절단하여 소편화하였다. 도 1에 도시한 바와 같이, 얻어진 필름편을 조성물측이 LED 칩에 접촉하도록 GaN계 LED 칩(1) 상에 탑재한 후에 박리 필름을 제거하였다. 다음에 콘택트 홀만을 커버한 포토마스크를 통하여 UV-LED 조사기(오무론사 제조, ZUV-C20H)를 이용하여 UV 365nm(적산 광량:2000mJ/cm2)를 조사하였다. 또한 미경화부를 IPA로 현상하고, 또한 이것을 150℃에서 60분간 가열하여 경화시켜, LED 칩(1) 상에 형광체 함유 수지 경화층(2)을 형성하였다. 이와 같이 하여 얻어진 형광체 함유 수지 경화층(2)으로 피복된 LED 칩(1)을 이용하여 세라믹 회로 기판(3) 상에 도 1에 도시한 바와 같은 플립 칩 구조의 발광 반도체(LED) 장치를 제작하였다. 도면 중, (4)는 와이어 콘택트부, (5)는 금 와이어이다. LED 각 3개를 발광시켜 오츠카전자 제조 LED 광학 특성 모니터(LE-3400)에 의해 색도를 측정하였다.
2) 기계적 특성
조성물을 컴프레션 성형기로 압축 성형하고, UV-LED 조사기(오무론사 제조, ZUV-C20H)를 이용하여 UV 365nm(적산 광량:2000mJ/cm2)를 조사하여 겔화하고, 또한 이것을 150℃, 4시간 경화시킨 것에 대하여 JIS K 6251 및 JIS K 6253에 준거하여 인장 강도(0.2mm 두께), 경도(타입 D형 스프링 시험기를 이용하여 측정) 및 절단시 신장(0.2mm 두께)을 측정하였다.
3) 표면의 태크성
상기 기계 특성의 평가와 마찬가지로 경화시킨 경화물 표면의 태크성을 지촉으로 확인하였다. 또한, 시판의 은가루(평균 입경 5μm) 중에 경화물을 두고, 취출한 후, 에어를 분사하여 표면에 먼지처럼 부착된 은가루가 떨어지는지 시험하였다.
4) 형광체의 분산 안정성
알루미나 기반 상에 형성된 직경 6mm, 중앙부 깊이 2mm의 오목부에 상기 조제 직후의 수지 조성물을 넣고, 상기 기계 특성의 평가와 마찬가지로 UV 조사·가열 경화하여 두께 2mm, 직경 6mm의 원반 형상 성형물을 성형하였다. 이 성형물의 상부 표면층(두께 2mm)과 하부 표면층(두께 2mm)의 각각으로부터 일부 잘라내고, 각각을 800℃에서 가열하여 회화하고, 얻어진 재 중의 형광체의 함유량(질량%)을 측정하고, 상부와 하부에 있어서의 함유량을 비교하였다.
또한, 상기 조성물을 -20℃의 냉동고 내에 3개월간 보관한 후에 조성물을 상기와 마찬가지로 성형하고, 마찬가지로 하여 상부와 하부에 있어서의 형광체의 함유량을 비교하였다. 이렇게 해서 형광체의 분산 안정성을 측정하였다.
이들 각 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2)
합성예 3의 비닐기 함유 수지 (A-2):189g, 합성예 4의 히드로실릴기 함유 수지 (B-2):189g, 반응 억제제로서 아세틸렌알코올계 에티닐시클로헥사놀:0.2g, (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(시그마알드리치재팬(주) 제조) 0.1g을 10% 톨루엔에 용해시켜 첨가한 조성물 70질량부에 대하여, 입경 5μm(평균 입경)의 형광체(YAG)를 30질량부 더 첨가한 후, 이들을 60℃로 가온한 플라네터리 믹서로 잘 교반하여 실리콘 수지 조성물을 제조하였다. 이 조성물은 25℃에 있어서 가소성의 고체였다. 상기 조성물을 실시예 1과 마찬가지로 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
합성예 1의 비닐기 함유 수지 (A-1):189g, 합성예 2의 히드로실릴기 함유 수지 (B-1): 189g, 반응 억제제로서 아세틸렌알코올계 에티닐시클로헥사놀:0.2g, (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(시그마알드리치재팬(주) 제조) 0.1g을 10% 톨루엔에 용해시켜 첨가한 조성물을 60℃로 가온한 플라네터리 믹서로 잘 교반하여 실리콘 수지 조성물을 제조하였다. 이 조성물은 25℃에 있어서 가소성의 고체였다. 이 조성물을 평가한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
합성예 5의 비닐기 함유 수지 (A-3):189g, 합성예 6의 히드로실릴기 함유 수지 (B-3):189g, 반응 억제제로서 아세틸렌알코올계 에티닐시클로헥사놀:0.2g, (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(시그마알드리치재팬(주) 제조) 0.1g을 10% 톨루엔에 용해시켜 첨가한 조성물을 60℃로 가온한 플라네터리 믹서로 잘 교반하여 실리콘 수지 조성물을 제조하였다. 이 조성물은 25℃에 있어서 가소성의 고체였다. 이 조성물을 평가한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
합성예 7의 비닐기 함유 수지 (A-4):189g, 합성예 8의 히드로실릴기 함유 수지 (B-4):189g, 반응 억제제로서 아세틸렌알코올계 에티닐시클로헥사놀:0.2g, (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(시그마알드리치재팬(주) 제조)0.1g을 10% 톨루엔에 용해시켜 첨가한 조성물을 60℃로 가온한 플라네터리 믹서로 잘 교반하여 실리콘 수지 조성물을 제조하였다. 이 조성물은 25℃에 있어서 가소성의 고체였다. 이 조성물을 평가한 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 1)
실시예 1에서 제조한 실리콘 수지 조성물 대신에 반복 단위수 5 내지 300개의 직쇄상 디오르가노폴리실록산 연쇄 구조를 함유하지 않고 상온에서 액체인 비닐기 함유 오르가노폴리실록산 수지를 주제로 하는 시판의 부가 반응 경화형 실리콘 바니시인 KJR-632(상품명, 신에츠가가쿠공업(주) 제조) 90질량부를 이용하고, 또한 실시예 1과 동일한 입경 5μm(평균 입경)의 형광체(YAG) 10질량부를 첨가한 후, 60℃로 가온한 플라네터리 믹서로 잘 교반한 조성물에 대하여 표 1 기재의 경화 조건으로 경화시켜 각 특성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
실시예 1에서 제조한 실리콘 수지 조성물 대신에 반복 단위수 5 내지 300개의 직쇄상 디오르가노폴리실록산 연쇄 구조를 함유하지 않고 상온에서 액체인 비닐기 함유 오르가노폴리실록산 수지를 주제로 하는 시판의 부가 반응 경화형 실리콘 바니시인 KJR-632L-1(상품명, 신에츠화학공업(주) 제조) 70질량부를 이용하고, 또한 실시예 1과 동일한 입경 5μm(평균 입경)의 형광체(YAG) 30질량부를 첨가한 후, 60℃로 가온한 플라네터리 믹서로 잘 교반한 조성물에 대하여 표 1 기재의 경화 조건으로 경화시켜 각 특성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112013004650935-pat00007
(주)
*1:비닐기 함유 수지 중의 규소 원자 결합 비닐기에 대한 히드로실릴기 함유 수지 중의 규소 원자 결합 수소 원자의 몰비
실시예 1 내지 5의 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 가열 경화중에 조성물이 유동하지 않아 초기의 형상을 유지한 채 경화할 수 있었다. 또한, 실시예 1 및 실시예 2의 조성물에서는 형광체가 균일하게 분산되고, 또한 그의 분산 상태가 경시적으로 안정된 수지 경화층을 얻을 수 있었다. 또한, 상기 조성물로 형성된 시트를 이용함으로써 리소그래피에 의해 필요한 부분에만 수지 경화층을 형성할 수 있었다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
1 : LED 칩
2 : 형광체 함유 수지 경화층
3 : 세라믹 회로 기판
4 : 와이어 콘택트부
5 : 금 와이어

Claims (17)

  1. (A) R1SiO3/2 단위, R2 2SiO2/2 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2 및 R3은 독립적으로 수산기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기 및 페닐기 중 어느 하나를 나타내고, R4는 비닐기 또는 알릴기를 나타내고, a는 0, 1 또는 2이고, b는 1, 2 또는 3이며, a+b는 2 또는 3임),
    상기 R2 2SiO2/2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조를 포함하는 수지 구조의 오르가노폴리실록산,
    (B) R1SiO3/2 단위, R2 2SiO2/2 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하고(여기서, R1, R2 및 R3은 독립적으로 상기한 바와 같고, c는 0, 1 또는 2이고, d는 1 또는 2이며, c+d는 2 또는 3임),
    상기 R2 2SiO2/2 단위의 적어도 일부가 연속해서 반복하여 이루어지고, 그의 반복수가 5 내지 300개인 구조를 포함하는 수지 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산
    (C) (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금 및 비스(아세틸아세토나토)백금(Ⅱ)으로부터 선택되는 광활성형 촉매
    를 함유하고, 미경화 상태에 있어서 상온에서 가소성의 고체 상태 또는 반고체 상태인 것을 특징으로 하는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 시트 형상으로 성형하여 이루어지는 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트를 소편화하는 공정,
    상기 소편화된 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트를 광반도체 소자 표면에 배치하는 공정,
    포토 마스크를 통해 UV 광을 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트에 조사하는 리소그래피 공정,
    상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물 시트의 미경화 부분을 용제로 용해 현상하는 공정,
    가열 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 (D) 형광체를 더 함유하는 것임을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물을 상기 (A) 내지 (C) 성분의 합계 100질량부에 대하여 상기 (D) 성분의 형광체를 0.1 내지 100질량부 함유하는 것으로 함을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 (D) 형광체의 입경이 10nm 이상인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 (D) 형광체의 입경이 10nm 이상인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 상기 (A) 성분 중의 비닐기 및 알릴기의 총 몰수에 대한 상기 (B) 성분 중의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 총 몰수가 몰비로 0.1 내지 4.0이 되는 양인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 상기 (A) 성분 중의 비닐기 및 알릴기의 총 몰수에 대한 상기 (B) 성분 중의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 총 몰수가 몰비로 0.1 내지 4.0이 되는 양인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 상기 (A) 성분 중의 비닐기 및 알릴기의 총 몰수에 대한 상기 (B) 성분 중의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 총 몰수가 몰비로 0.1 내지 4.0이 되는 양인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 상기 (A) 성분 중의 비닐기 및 알릴기의 총 몰수에 대한 상기 (B) 성분 중의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 총 몰수가 몰비로 0.1 내지 4.0이 되는 양인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 UV 경화형 접착성 실리콘 조성물은 상기 (A) 성분 중의 비닐기 및 알릴기의 총 몰수에 대한 상기 (B) 성분 중의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 총 몰수가 몰비로 0.1 내지 4.0이 되는 양인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 R1, R2, R3 중 1개 이상이 수산기인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치의 제조 방법.
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