JP5583703B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(A) R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 aR4 bSiO(4−a−b)/2単位からなり(ここで、R1、R2、及びR3は独立に水酸基、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、及びフェニル基のいずれかを示し、R4はビニル基又はアリル基を示し、aは0、1又は2で、bは1、2又は3で、かつa+bは2又は3である。)、
上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個である構造を含む樹脂構造のオルガノポリシロキサン、
(B) R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 cHdSiO(4−c−d)/2単位からなり(ここで、R1、R2及びR3は独立に上記の通りであり、cは0、1又は2で、dは1又は2で、かつc+dは2又は3である。)、
上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個である構造を含む樹脂構造のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(C) 光活性型触媒
を含有し、未硬化状態において常温で可塑性の固体状もしくは半固体状であることを特徴とするUV硬化型接着性シリコーン組成物を提供する。
また、「常温」とは、通常の状態における周囲温度を示し、通常15〜30℃の範囲であり、典型的には25℃である。
上記のように、従来、光半導体素子を被覆するための組成物には、完全に硬化するまでの間に組成物が流動し、目的の形状を有する硬化物を得ることができない問題や、蛍光体の樹脂層中での分散が不均一であったり偏りがあったりするという問題があった。
そこで、加熱硬化中に樹脂組成物が流動することなく、初期の形状を維持したまま硬化することが可能なUV硬化型接着性シリコーン組成物であり、更に、取扱いが容易であり、蛍光体が均一に分散し、その分散状態が経時的に安定である接着性シリコーン組成物シートを形成可能なUV硬化型接着性シリコーン組成物が求められている。
(A) R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 aR4 bSiO(4−a−b)/2単位からなり(ここで、R1、R2、及びR3は独立に水酸基、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、及びフェニル基のいずれかを示し、R4はビニル基又はアリル基を示し、aは0、1又は2で、bは1、2又は3で、かつa+bは2又は3である。)、
上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個である構造を含む樹脂構造のオルガノポリシロキサン、
(B) R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 cHdSiO(4−c−d)/2単位からなり(ここで、R1、R2及びR3は独立に上記の通りであり、cは0、1又は2で、dは1又は2で、かつc+dは2又は3である。)、
上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個である構造を含む樹脂構造のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(C) 光活性型触媒
を含有し、未硬化状態において常温で可塑性の固体状もしくは半固体状であることを特徴とするUV硬化型接着性シリコーン組成物である。
−(A)樹脂構造のオルガノポリシロキサン−
本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物の重要な(A)成分である樹脂構造(即ち、三次元網状構造)のオルガノポリシロキサンは、R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 aR4 bSiO(4−a−b)/2単位からなり(ここで、R1、R2、及びR3は独立に水酸基、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、及びフェニル基のいずれかを示し、R4はビニル基又はアリル基を示し、aは0、1又は2で、bは1、2又は3で、かつa+bは2又は3である。)、上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個、好ましくは10〜300個、より好ましくは15〜200個、更に好ましくは20〜100個である構造を部分的に含有する樹脂構造のオルガノポリシロキサンである。
で表される直鎖状ジオルガノポリシロキサン連鎖構造を意味する。
ClMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2Cl、
HOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OH、
MeOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OMe、
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OMe、
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OMe
(ここで、m=5〜150の整数(平均値)、n=5〜300の整数(平均値))
等を例示することができる。
本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物の重要な(B)成分である樹脂構造(即ち、三次元網状構造)のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 cHdSiO(4−c−d)/2単位からなり(ここで、R1、R2、R3は上記の通りであり、cは0,1又は2で、dは1又は2で、かつc+dは2又は3である)、望ましくはR3 cHdSiO(4−c−d)/2単位のうちcは2、dは1からなり、上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個、好ましくは10〜300個、より好ましくは15〜200個、更に好ましくは20〜100個である直鎖状のシロキサン構造を部分的に含有する樹脂構造のオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。
ClMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2Cl、
HOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OH、
HOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OH、
MeOMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2OMe、
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(PhMeSiO)nSiMe2OMe、
MeOMe2SiO(Me2SiO)m(Ph2SiO)nSiMe2OMe
(ここで、m=5〜150の整数(平均値)、n=5〜300の整数(平均値))
等を例示することができる。
従来の熱硬化タイプのシリコーン樹脂組成物では、予め、光活性型ではない白金系触媒が添加されていることが多い(例えば特許文献3)。本発明では、触媒として光活性型のものを用いることを特徴とする。(C)成分は光活性を有する触媒であれば特に制限されるものではなく、特には光活性型の白金族金属触媒あるいはニッケル系触媒である。白金族金属触媒は、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものが使用でき、中でも白金系触媒であるのが好ましい。当該白金系触媒としては、β−ジケトネート白金錯体触媒、例えば、トリメチル(アセチルアセトナト)白金錯体、トリメチル(3,5−ヘプタンジオネート)白金錯体、トリメチル(メチルアセトアセテート)白金錯体、ビス(2,4−ペンタンジオナト)白金錯体、ビス(2,4−へキサンジオナト)白金錯体、ビス(2,4−へプタンジオナト)白金錯体、ビス(3,5−ヘプタンジオナト)白金錯体、ビス(1−フェニル−1,3−ブタンジオナト)白金錯体、ビス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)白金錯体が挙げられる。また、(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金を使用することもできる。ニッケル系触媒としては、例えばビス(2,4−ペンタンジオナト)ニッケル錯体を使用することができる。これらは1種を単独でも2種以上を組み合わせて使用してもよい。中でも本発明の硬化方法で使用する触媒としては、ビス(2,4−ペンタンジオナト)白金錯体、慣用名ビス(アセチルアセトナト)白金(II)が好ましい。
本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物には、上述した(A)〜(C)成分以外にも、必要に応じて、それ自体公知の各種の添加剤を配合することができる。
本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物を、LED素子を被覆する樹脂層の形成等に用いる場合には、該組成物は上記(A)〜(C)成分以外に、波長変換のための(D)蛍光体を含有することが好ましい。本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物は、このように、(D)蛍光体を含む場合であっても、該蛍光体が均一に分散し、しかもその分散状態が経時的に安定である樹脂硬化層を得ることができる。
例えば、ヒュームドシリカ、ヒュームド二酸化チタン等の補強性無機充填剤、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、二酸化チタン、酸化第二鉄、カーボンブラック、酸化亜鉛等の非補強性無機充填剤等を挙げることができる。これらの無機充填剤は、合計で、(A)及び(B)成分の合計量100質量部当り600質量部以下(0〜600質量部)の範囲で適宜配合することができる。
また、本発明の組成物には、更に接着性を付与するため、接着助剤を必要に応じて添加できる。接着助剤としては、例えば、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)、ケイ素原子に結合したアルケニル基(例えばSi−CH=CH2基)、アルコキシシリル基(例えばトリメトキシシリル基)、エポキシ基(例えばグリシドキシプロピル基、3,4−エポキシシクロヘキシルエチル基)から選ばれる官能性基を少なくとも2種、好ましくは2種又は3種含有する直鎖状又は環状のケイ素原子数4〜50個、好ましくは4〜20個程度のオルガノシロキサンオリゴマー、下記一般式(2)で示されるオルガノオキシシリル変性イソシアヌレート化合物及び/又はその加水分解縮合物(オルガノシロキサン変性イソシアヌレート化合物)などが挙げられる。
で表される有機基、又は脂肪族不飽和結合を含有する一価炭化水素基であるが、R19の少なくとも1個は式(3)の有機基である。)
本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物シートは、上述の本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物をシート状に成形してなるものである。
本発明の組成物をシート状に加工する手段としては、例えばフィルムコータ、熱プレス機等をあげることができる。これらの手段を用いて組成物をシート状に加工するには、例えば組成物を、加圧用ベースフィルムと剥離フィルムとの間に挟み、熱プレス機を用いて通常60〜120℃、好ましくは70〜100℃の温度で、0.5〜10t/cm2、好ましくは1〜7t/cm2の圧力下で、約1〜約30分間、好ましくは2〜10分間圧縮成形を行う。
本発明によれば、光半導体素子(例えばLED素子)の表面に、上記のUV硬化型接着性シリコーン組成物シートを配置する工程、光照射工程、その後加熱硬化工程を有する光半導体装置の製造方法を提供する。これにより、樹脂硬化層で前記LED素子表面が被覆された被覆LED素子を有する発光装置が得られる。
本発明のUV硬化型接着性シリコーン組成物及びUV硬化型接着性シリコーン組成物シートにより得られる硬化物は耐熱性及び光透過性に優れる。また、本発明は厚さ1mmの層状態で23℃における波長450nmの光の透過率が90%〜100%、特には95%〜100%である硬化物を提供することができる。このため、該硬化物は、発光ダイオード(LED)、有機電界発光素子(有機EL)、レーザーダイオード、LEDアレイ等の光半導体素子の封止材等として好適に利用することができる。透過率が厚さ1mmで求められる理由は、LEDチップを被覆してレンズを形成した時のレンズの厚さが約1mmであるからである。
尚、本発明のシリコーン樹脂組成物は、常温で可塑性の固体状もしくは半固体状であるが、40〜120℃、好ましくは80〜100℃程度の予熱によって軟化・融解して射出成形も可能な性状となる。
[測定条件]
展開溶媒:THF
流量:0.6mL/min
検出器:示差屈折率検出器(RI)
カラム:TSK Guardcolomn SuperH−L
TSKgel SuperH4000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH3000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH2000(6.0mmI.D.×15cm×2)
(いずれも東ソー社製)
カラム温度:40℃
試料注入量:20μL(濃度0.5重量%のTHF溶液)
−ビニル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(A1)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol、Me2ViSiCl:6molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ビニル基含有樹脂(A1)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位、及び[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06で示される。この樹脂の重量平均分子量は65,000、融点は58℃であった。
−ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(B1)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol、Me2HSiCl:6molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ヒドロシリル基含有樹脂(B1)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位及び[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06で示される。この樹脂の重量平均分子量は56,000、融点は56℃であった。
−ビニル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(A2)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol、Me2ViSiCl:9molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ビニル基含有樹脂(A2)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位及び[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.09で示される。この樹脂の重量平均分子量は62,000、融点は61℃であった。
−ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(B2)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl:1mol、Me2HSiCl:9molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ヒドロシリル基含有樹脂(B2)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位及び[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)33−SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.09で示される。この樹脂の重量平均分子量は55,000、融点は54℃であった。
−ビニル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(A3)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)7SiMe2Cl:1mol、Me2ViSiCl:6molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ビニル基含有樹脂(A3)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位、及び[−SiMe2O−(Me2SiO)7−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)7−SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06で示される。この樹脂の重量平均分子量は45,000、融点は56℃であった。
−ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(B3)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiO(Me2SiO)7SiMe2Cl:1mol、Me2HSiCl:6molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ヒドロシリル基含有樹脂(B3)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位及び[−SiMe2O−(Me2SiO)7−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)7−SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06で示される。この樹脂の重量平均分子量は42,000、融点は54℃であった。
−ビニル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(A4)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、HOMe2SiO(Me2SiO)98SiMe2OH:1mol、Me2ViSiCl:6molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ビニル基含有樹脂(A4)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位、及び[−SiMe2O−(Me2SiO)98−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)98−SiMe2O2/2]0.01[Me2ViSiO1/2]0.06で示される。この樹脂の重量平均分子量は62,000、融点は60℃であった。
−ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン樹脂(B4)−
PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、HOMe2SiO(Me2SiO)98SiMe2OH:1mol、Me2HSiCl:6molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、ヒドロシリル基含有樹脂(B4)を合成した。
この樹脂は、構成するシロキサン単位及び[−SiMe2O−(Me2SiO)98−SiMe2O2/2]で表される構造の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[−SiMe2O−(Me2SiO)98−SiMe2O2/2]0.01[Me2HSiO1/2]0.06で示される。この樹脂の重量平均分子量は60,000、融点は58℃であった。
合成例1のビニル基含有樹脂(A1):189g、合成例2のヒドロシリル基含有樹脂(B1):189g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2g、ビス(アセチルアセトナト)白金(II)(東京化成工業(株)製)0.1gをトルエン10%溶解し加えた組成物90質量部に対して、さらに粒径5μm(平均粒径)の蛍光体(YAG)を10質量部加え60℃に加温し、さらにシクロヘキサノンを樹脂組成分の20%加え、プラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物を調製した。この組成物は、乾燥した状態25℃において可塑性の固体であった。
上記組成物を、50μmPTFEフィルム(加圧用ベースフィルム)上にフィルムコータにてブレードを100μmで塗布し100℃で2分乾燥して50μmの固形フィルムを作成した。この固形物をさらに25μmPTFEフィルム(剥離フィルム)との間に挟み、ロールにてニップして厚さ50μmのシート状に成形した。
得られた組成物シートを剥離フィルムごとチップサイズに切断して小片化した。図1に示すように、得られたフィルム片を組成物側がLEDチップに接触するようにGaN系LEDチップ1上に載せた後に剥離フィルムを除去した。次にコンタクトホールのみをカバーしたフォトマスクを介し、UV−LED照射器(オムロン社製、ZUV−C20H)を用いて、UV 365nm(積算光量:2000mJ/cm2)を照射した。さらに未硬化部をIPAにて現像し、更にこれを150℃で60分間加熱して硬化させ、LEDチップ1上に蛍光体含有樹脂硬化層2を形成した。この様にして得られた蛍光体含有樹脂硬化層2で被覆されたLEDチップ1を用いて、セラミック回路基板3上に図1に示す様なフリップチップ構造の発光半導体(LED)装置を作製した。図中、4はワイヤコンタクト部、5は金ワイヤである。LED各3個を発光させて大塚電子製LED光学特性モニタ(LE−3400)により色度を測定した。
組成物をコンプレッション成型機にて圧縮成型し、UV−LED照射器(オムロン社製、ZUV−C20H)を用いて、UV 365nm(積算光量:2000mJ/cm2)を照射しゲル化し、更にこれを150℃,4時間で硬化させたものについて、JIS K 6251及びJIS K 6253に準拠し、引張強さ(0.2mm厚)、硬さ(タイプD型スプリング試験機を用いて測定)及び切断時伸び(0.2mm厚)を測定した。
上記機械特性の評価と同様に硬化させた硬化物表面のタック性を指触にて確認した。更に、市販の銀紛(平均粒径5μm)中に硬化物を置き、取り出し後、エアーを吹き付けて表面に埃のように付着した銀粉が取れるか試験した。
アルミナ基盤上に形成された直径6mm、中央部深さ2mmの凹部に上記の調製直後の樹脂組成物を入れ、上記機械特性の評価と同様にUV照射・加熱硬化して厚さ2mm、直径6mmの円盤状成型物を成型した。この成型物の上部表面層(厚さ2mm)と下部表面層(厚さ2mm)のそれぞれから一部切り取り、各々を800℃にて加熱して灰化し、得られた灰中の蛍光体の含有量(質量%)を測定し、上部と下部における含有量を比較した。
これらの各測定結果を表1に示す。
合成例3のビニル基含有樹脂(A−2):189g、合成例4のヒドロシリル基含有樹脂(B−2):189g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2g、(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金(シグマアルドリッチジャパン(株)製)0.1gを10%トルエンに溶解して加えた組成物70質量部に対して、さらに粒径5μm(平均粒径)の蛍光体(YAG)を30質量部加えた後、これらを60℃に加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物を調製した。この組成物は、25℃において可塑性の固体であった。該組成物を実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
合成例1のビニル基含有樹脂(A−1):189g、合成例2のヒドロシリル基含有樹脂(B−1):189g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2g、(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金(シグマアルドリッチジャパン(株)製)0.1gを10%トルエンに溶解して加えた組成物を60℃に加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物を調製した。この組成物は、25℃において可塑性の固体であった。この組成物を評価した結果を表1に示す。
合成例5のビニル基含有樹脂(A−3):189g、合成例6のヒドロシリル基含有樹脂(B−3):189g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2g、(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金(シグマアルドリッチジャパン(株)製)0.1gを10%トルエンに溶解して加えた組成物を60℃に加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物を調製した。この組成物は、25℃において可塑性の固体であった。この組成物を評価した結果を表1に示す。
合成例7のビニル基含有樹脂(A−4):189g、合成例8のヒドロシリル基含有樹脂(B−4):189g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2g、(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金(シグマアルドリッチジャパン(株)製)0.1gを10%トルエンに溶解して加えた組成物を60℃に加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物を調製した。この組成物は、25℃において可塑性の固体であった。この組成物を評価した結果を表1に示す。
実施例1で調製したシリコーン樹脂組成物に代えて、繰り返し単位数5〜300個の直鎖状ジオルガノポリシロキサン連鎖構造を含有せず常温で液体のビニル基含有オルガノポリシロキサン樹脂を主剤とする市販の付加反応硬化型シリコーンワニスであるKJR−632(商品名、信越化学工業(株)製)90質量部を用い、更に、実施例1と同じ粒径5μm(平均粒径)の蛍光体(YAG)10質量部を加えた後、60℃に加温したプラネタリーミキサーでよく攪拌した組成物について、表1記載の硬化条件で硬化して各特性を評価した。結果を表1に示す。
実施例1で調製したシリコーン樹脂組成物に代えて、繰り返し単位数5〜300個の直鎖状ジオルガノポリシロキサン連鎖構造を含有せず常温で液体のビニル基含有オルガノポリシロキサン樹脂を主剤とする市販の付加反応硬化型シリコーンワニスであるKJR−632L−1(商品名、信越化学工業(株)製)70質量部を用い、更に、実施例1と同じ粒径5μm(平均粒径)の蛍光体(YAG)30質量部を加えた後、60℃に加温したプラネタリーミキサーでよく攪拌した組成物について、表1記載の硬化条件で硬化して各特性を評価した。結果を表1に示す。
*1:ビニル基含有樹脂中のケイ素原子結合ビニル基に対するヒドロシリル基含有樹脂中のケイ素原子結合水素原子のモル比
Claims (6)
- (A) R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 aR4 bSiO(4−a−b)/2単位からなり(ここで、R1、R2、及びR3は独立に水酸基、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、及びフェニル基のいずれかを示し、R4はビニル基又はアリル基を示し、aは0、1又は2で、bは1、2又は3で、かつa+bは2又は3である。)、
上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個である構造を含む樹脂構造のオルガノポリシロキサン、
(B) R1SiO3/2単位、R2 2SiO2/2単位、及びR3 cHdSiO(4−c−d)/2単位からなり(ここで、R1、R2及びR3は独立に上記の通りであり、cは0、1又は2で、dは1又は2で、かつc+dは2又は3である。)、
上記R2 2SiO2/2単位の少なくとも一部が連続して繰り返してなり、その繰り返し数が5〜300個である構造を含む樹脂構造のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(C) (メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金及びビス(アセチルアセトナト)白金(II)から選ばれる光活性型触媒
を含有し、未硬化状態において常温で可塑性の固体状もしくは半固体状であることを特徴とするUV硬化型接着性シリコーン組成物を、シート状に成形してなるUV硬化型接着性シリコーン組成物シートを小片化する工程、
該小片化されたUV硬化型接着性シリコーン組成物シートを光半導体素子表面に配置する工程、
フォトマスクを介し、UV光を前記UV硬化型接着性シリコーン組成物シートに照射するリソグラフィー工程、
前記UV硬化型接着性シリコーン組成物シートの未硬化部分を溶剤で溶解現像する工程、
加熱硬化する工程を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記UV硬化型接着性シリコーン組成物は、更に(D)蛍光体を含有するものであることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記UV硬化型接着性シリコーン組成物を、前記(A)〜(C)成分の合計100質量部に対して前記(D)成分の蛍光体を0.1〜100質量部含有するものとすることを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記(D)蛍光体の粒径が10nm以上であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記UV硬化型接着性シリコーン組成物は、前記(A)成分中のビニル基及びアリル基の総モル数に対する前記(B)成分中のケイ素原子に直接結合した水素原子の総モル数がモル比で0.1〜4.0となる量であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記R1、R2、R3のうちの一つ以上が水酸基であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光半導体装置の製造方法。
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JP6250065B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2017-12-20 | ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation | 圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物 |
US20170194539A1 (en) * | 2014-06-25 | 2017-07-06 | Dow Corning Corporation | Layered Polymer Structures And Methods |
CN105400486A (zh) * | 2014-09-10 | 2016-03-16 | 郝建强 | 一种紫外线/湿气双固化有机硅树脂组成物 |
DE102015110429A1 (de) * | 2015-06-29 | 2017-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
WO2018056297A1 (ja) | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化反応性シリコーンゲルおよびその用途 |
JP6681317B2 (ja) * | 2016-11-21 | 2020-04-15 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン組成物及び硬化皮膜形成方法 |
KR102478213B1 (ko) | 2017-04-06 | 2022-12-19 | 다우 도레이 캄파니 리미티드 | 액상 경화성 실리콘 접착제 조성물, 그 경화물 및 그 용도 |
JP6983995B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-12-17 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG | 貴金属触媒の安定化 |
CN109306259A (zh) * | 2018-09-07 | 2019-02-05 | 东莞市贝特利新材料有限公司 | 一种光固化有机硅胶粘剂及其在贴合触摸屏中的应用 |
WO2020055815A1 (en) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | Dow Silicones Corporation | Method for producing optical silicone assembly, and optical silicone assembly produced thereby |
JP6897695B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2021-07-07 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン接着剤組成物および積層体の製造方法 |
KR20220161386A (ko) * | 2020-03-30 | 2022-12-06 | 다우 도레이 캄파니 리미티드 | 경화성 핫멜트 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 상기 조성물 또는 경화물을 포함하는 적층체 |
GB202108979D0 (en) | 2021-06-23 | 2021-08-04 | Johnson Matthey Plc | Hydrosilylation catalysts |
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TWI226357B (en) | 2002-05-06 | 2005-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body |
US6908682B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic |
JP4338554B2 (ja) | 2003-04-23 | 2009-10-07 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性シリコーン樹脂組成物 |
CA2575238C (en) * | 2004-08-11 | 2015-04-21 | Dow Corning Corporation | Photopolymerizable silicone materials forming semipermeable membranes for sensor applications |
US7314770B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
US7192795B2 (en) * | 2004-11-18 | 2007-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
US20070092736A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
KR101380062B1 (ko) * | 2007-04-10 | 2014-04-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 형광체 함유 접착성 실리콘 조성물, 상기 조성물로 이루어지는 조성물 시트, 및 상기 시트를 사용하는 발광장치의 제조 방법 |
JP5201063B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物及びその硬化物 |
JP5342830B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2013-11-13 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 光硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
DE102009002231A1 (de) * | 2009-04-06 | 2010-10-07 | Wacker Chemie Ag | Bei Raumtemperatur selbsthaftende Pt-katalysierte additions-vernetzende Siliconzusammensetzungen |
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