JP2016048764A - 光半導体素子封止組成物、光半導体素子封止成形体、光半導体素子封止シート、光半導体装置および封止光半導体素子 - Google Patents

Abstract

【課題】光の取出効率を向上させることのできる光半導体素子封止組成物、光半導体素子封止成形体、光半導体素子封止シート、それらを備える光半導体装置および封止光半導体素子を提供すること。
【解決手段】光半導体素子封止波長変換組成物は、封止樹脂と、光拡散性有機粒子とを含有する光半導体素子封止波長変換組成物であり、封止樹脂の屈折率ｎｅと、光拡散性有機粒子の屈折率ｎｌとの差の絶対値（｜ｎｅ−ｎｌ｜）が、０．０２０以上、０．１３５以下であり、光拡散性有機粒子の光半導体素子封止波長変換組成物に対する含有割合が、１質量％以上、１０質量％以下であり、光半導体素子５の封止に使用される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体素子封止組成物、光半導体素子封止成形体、光半導体素子封止シート、光半導体装置および封止光半導体素子、詳しくは、光半導体素子封止組成物、光半導体素子封止成形体、光半導体素子封止シート、それらを備える光半導体装置および封止光半導体素子に関する。

従来、高エネルギーの光を発光できる発光装置として、白色光半導体装置が知られている。

そのような白色光半導体装置としては、例えば、シリカ粒子を分散させた封止材と、封止材によって被覆された光半導体素子とを備える光半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１では、シリコーンエラストマー５ｇに、シリカ粒子５ｇを加えて、それらを分散し、液状樹脂組成物を調製し、これから第１封止材を調製し、それによって、光半導体素子を封止している。

特開２０１１−２２８５２５号公報

しかるに、特許文献１に記載の光半導体装置では、光の取出効率を十分に向上させることができないという不具合がある。

本発明の目的は、光の取出効率を向上させることのできる光半導体素子封止組成物、光半導体素子封止成形体、光半導体素子封止シート、それらを備える光半導体装置および封止光半導体素子を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の光半導体素子封止組成物は、封止樹脂と、光拡散性有機粒子とを含有する光半導体素子封止組成物であり、前記封止樹脂の屈折率と、前記光拡散性有機粒子の屈折率との差の絶対値が、０．０２０以上、０．１３５以下であり、前記光拡散性有機粒子の前記光半導体素子封止組成物に対する含有割合が、１質量％以上、１０質量％以下であり、光半導体素子の封止に使用されることを特徴としている。

この光半導体素子封止組成物によれば、封止樹脂の屈折率と、光拡散性有機粒子の屈折率との差の絶対値が特定範囲内であり、また、光拡散性有機粒子の含有割合が特定範囲内にあり、光半導体素子封止組成物が光半導体素子の封止に使用されるので、光半導体素子から発光される光の取出効率を向上させることができる。

また、この光半導体素子封止組成物によれば、光拡散性有機粒子の比重を、封止樹脂の比重に近接させることができる。そのため、光半導体素子封止組成物において、光拡散性有機粒子を封止樹脂に均一に分散させることができる。

また、本発明の光半導体素子封止組成物では、前記光拡散性有機粒子の平均粒子径が、５μｍ超過、１５μｍ以下であることが好適である。

この光半導体素子封止組成物によれば、光拡散性有機粒子の平均粒子径が特定範囲内にあるので、光の取出効率をより一層向上させることができる。

また、本発明の光半導体素子封止組成物では、前記光拡散性有機粒子の前記光半導体素子封止組成物に対する含有割合が、５質量％以上であることが好適である。

この光半導体素子封止組成物によれば、光拡散性有機粒子の光半導体素子封止組成物に対する含有割合が特定の下限以上であるので、光の取出効率をより一層向上させることができる。

また、本発明の光半導体素子封止組成物では、前記封止樹脂の屈折率と、前記光拡散性有機粒子の屈折率との差の絶対値が、０．０２５以上、０．１００以下であることが好適である。

この光半導体素子封止組成物によれば、封止樹脂の屈折率と、光拡散性有機粒子の屈折率との差の絶対値が特定範囲内にあるので、光の取出効率をより一層向上させることができる。

また、本発明の光半導体素子封止組成物は、蛍光体を含有することが好適である。

この光半導体素子封止組成物によれば、光半導体素子から発光された光を、蛍光体によって波長変換することができる。そのため、高エネルギーの光を照射することができる。

本発明の光半導体素子封止成形体は、上記した光半導体素子封止組成物を成形することにより得られることを特徴としている。

この光半導体素子封止成形体は、上記した光半導体素子封止組成物を成形することにより得られるので、光半導体素子を確実に封止しながら、光半導体素子から発光される光の取出効率を向上させることができる。

本発明の光半導体素子封止シートは、上記した光半導体素子封止組成物をシート状に成形することにより得られることを特徴としている。

この半導体素子封止シートは、上記した光半導体素子封止組成物をシート状に成形することにより得られるので、運搬性に優れながら、光半導体素子から発光される光の取出効率を向上させることができる。

本発明の光半導体装置は、基板と、前記基板に実装される光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する上記した光半導体素子封止成形体とを備えることを特徴としている。

この光半導体装置は、光の取出効率に優れる光半導体素子封止成形体を有するので、発光特性に優れる。

また、本発明の光半導体装置は、基板と、前記基板に実装される光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する上記した光半導体素子封止シートとを備えることを特徴としている。

この光半導体装置は、光の取出効率に優れる光半導体素子封止シートを有するので、発光特性に優れる。

本発明の封止光半導体素子は、光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する上記した光半導体素子封止成形体とを備えることを特徴としている。

この封止光半導体素子は、光の取出効率に優れる光半導体素子封止成形体を有するので、発光特性に優れる。

本発明の封止光半導体素子は、光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する上記した光半導体素子封止シートとを備えることを特徴としている。

この封止光半導体素子は、光の取出効率に優れる光半導体素子封止シートを有するので、発光特性に優れる。

本発明の光半導体素子封止組成物、光半導体素子封止成形体および光半導体素子封止シートは、光半導体素子から発光される光の取出効率を向上させることができる。

本発明の光半導体装置および封止光半導体素子は、光の取出効率に優れる光半導体素子封止シートおよび光半導体素子封止成形体を有するので、発光特性に優れる。

図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の光半導体装置の一実施形態を製造する方法を説明する工程図であって、図１Ａは、本発明の光半導体素子封止シートの一実施形態である光半導体素子封止波長変換シートおよび第１剥離シートを備える封止部材を用意する工程、図１Ｂは、光半導体素子封止波長変換シートによって光半導体素子を被覆して封止する工程を示す。 図２Ａ〜図２Ｃは、半導体装置を製造する方法の変形例を説明する工程図であって、図２Ａは、封止部材と、第２剥離シートおよび光半導体素子を備える素子部材とをそれぞれ用意する工程、図２Ｂは、光半導体素子封止波長変換シートによって光半導体素子を被覆して封止する工程、図２Ｃは、封止光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図３Ａおよび図３Ｂは、半導体装置を製造する方法の変形例を説明する工程図であって、図３Ａは、実装基板を用意する工程、図３Ｂは、光半導体素子封止波長変換組成物を実装基板に塗布する工程を示す。 図４Ａおよび図４Ｂは、半導体装置を製造する方法の変形例を説明する工程図であって、図４Ａは、ハウジングを備える実装基板を用意する工程、図４Ｂは、半導体素子封止波長変換組成物をハウジング内にポッティングする工程を示す。

［光半導体素子封止波長変換組成物］
本発明の光半導体素子封止組成物の一実施形態である光半導体素子封止波長変換組成物は、封止樹脂と、光拡散性有機粒子とを必須成分として含有しており、例えば、封止樹脂と、光拡散性有機粒子と、蛍光体とを含有している。以下、各原料について説明する。

（封止樹脂）
封止樹脂は、例えば、光半導体素子を封止するための封止材として使用される透明性の樹脂が挙げられる。具体的には、封止樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。

２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。ただし、２段反応硬化性樹脂は、強度の加熱によって、Ａステージ状態から、Ｂステージ状態を維持することなく、一度にＣステージ状態となることもできる。なお、Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。

１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。なお、１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。一方、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含む。

封止樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。封止樹脂として、好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

上記した封止樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。

アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。

平均組成式（１）：
Ｒ^１ _ａＲ^２ _ｂＳｉＯ_{（４−ａ−ｂ）／２}
（式中、Ｒ^１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ^２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ^１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ^１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。

Ｒ^１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。

Ｒ^１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

Ｒ^２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。

非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。

一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。

置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。

置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。

１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。

Ｒ^２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。

ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。

ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。

アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。

アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。

また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。

平均組成式（２）：
Ｈ_ｃＲ^３ _ｄＳｉＯ_{（４−ｃ−ｄ）／２}
（式中、Ｒ^３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ^３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ^２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。

ｃは、好ましくは、０．５以下である。

ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。

また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。

上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ^２およびＲ^３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、Ｒ^２およびＲ^３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ^２およびＲ^３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。このフェニル系シリコーン樹脂組成物は、Ｂステージ状態となることができる１段反応硬化性樹脂である。

一方、Ｒ^２およびＲ^３の両方の炭化水素がメチル基である場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、メチル系シリコーン樹脂組成物とされる。メチル系シリコーン樹脂組成物は、Ｂステージ状態となることができない１段反応硬化性樹脂である。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。

ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。

ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１００００ｐｐｍ以下、好ましくは、１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。

上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製されて使用される。

上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。その後、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。

なお、フェニル系シリコーン樹脂組成物がＢステージ（半硬化）状態にあるときには、固体状である。そして、このＢステージ状態のフェニル系シリコーン樹脂組成物は、熱可塑性および熱硬化性を併有することができる。つまり、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。

一方、上記したメチル系シリコーン樹脂組成物では、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、停止することなく、促進されて、完結する。これによって、Ａステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。メチル系シリコーン樹脂組成物には、市販品が用いられる。市販品として、例えば、ＥＬＡＳＴＯＳＩＬシリーズ（旭化成ワッカーシリコーン社製、具体的には、ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５などのメチル系シリコーン樹脂組成物）、ＫＥＲシリーズ（信越シリコーン社製）などが挙げられる。

縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。

封止樹脂の屈折率ｎｅは、例えば、１．４０以上、好ましくは、１．４１以上であり、また例えば、１．６０以下、好ましくは、１．５７以下である。また、光半導体素子封止波長変換組成物が、メチル系シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、封止樹脂の屈折率ｎｅは、例えば、１．４０以上であり、また、例えば、１．５０以下、好ましくは、１．５０未満、好ましくは、１．４５以下である。また、光半導体素子封止波長変換組成物が、フェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、光半導体素子封止波長変換組成物の屈折率ｎｅは、例えば、１．５０以上、好ましくは、１．５３以上であり、また、例えば、１．６０以下、好ましくは、１．５７以下である。

光半導体素子封止波長変換組成物の屈折率ｎｅは、アッベ屈折率計によって算出される。なお、封止樹脂が熱硬化性樹脂である場合に、硬化状態（完全硬化状態）の屈折率として算出される。なお、硬化前の封止樹脂の屈折率は、硬化後の封止樹脂の屈折率と実質的に同一である。

封止樹脂の比重は、例えば、０．９０以上、好ましくは、０．９５以上であり、また、例えば、１．３以下、好ましくは、１．２以下である。

光半導体素子封止波長変換組成物におけ封止樹脂の含有割合は、例えば、３５質量％以上、好ましくは、４０質量％以上、より好ましくは、４５質量％以上であり、また、例えば、６０質量％以下、好ましくは、５５質量％以下、より好ましくは、５０質量％以下である。

（光拡散性有機粒子）
光拡散性有機粒子としては、光半導体素子封止波長変換組成物に光拡散性を付与する有機フィラーが挙げられる。

光拡散性有機粒子の有機材料としては、例えば、熱可塑性樹脂が挙げられる。具体的には、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。

このような光拡散性有機粒子のうち、光拡散性、入手性の観点から、好ましくは、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂が挙げられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステル）を含有するモノマーを重合させることにより得られるポリ（メタ）アクリル酸エステルである。例えば、ポリ（メタ）アクリル酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メタ）アクリル酸プロピル、ポリ（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸メチル−（メタ）アクリル酸エチル共重合体などが挙げられる。

スチレン系樹脂は、例えば、スチレン系モノマーを含有するモノマーを重合させることにより得られるスチレン系重合体である。スチレン系樹脂としては、例えば、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレンなどが挙げられる。

なお、上記アクリル系樹脂およびスチレン系樹脂は、アクリル系モノマーおよびスチレン系モノマー以外の共重合性モノマーを含有する共重合体であってもよい。共重合性モノマーとして、好ましくは、（メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、エチレン、ブタジエンが挙げられる。これら共重合性モノマーは、単独使用、あるいは、２種以上併用される。

これらの光拡散性有機粒子は、架橋されていてもよい。すなわち、好ましくは、架橋アクリル系樹脂、架橋スチレン系樹脂が挙げられる。

光拡散性有機粒子は、単独使用または併用することができる。

光拡散性有機粒子は、上記した有機材料からなるので、光拡散性有機粒子の比重を、封止樹脂の比重に近接させることができる。そのため、光半導体素子封止波長変換組成物において、光拡散性有機粒子を封止樹脂により均一に分散させることができる。

光拡散性有機粒子としては、具体的には、有機粒子として、積水化成品工業社のＳＳＸシリーズ（屈折率１．４９、架橋ポリメタクリル酸メチル粒子）、ＳＢＸシリーズ（屈折率１．５９、架橋ポリスチレン粒子）、ＭＳＸシリーズ（屈折率１．４９５〜１．５９５、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体架橋粒子）、ＭＢシリーズ（屈折率１．４９、ポリメタクリル酸メチル粒子）、ＢＭＸシリーズ（屈折率１．４９、架橋ポリメタクリル酸ブチル粒子）、トスパールシリーズ（シリコーン粒子）などが挙げられる。

光拡散性有機粒子の屈折率ｎｌは、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５５０以上、好ましくは、より好ましくは、１．５６以上であり、また、例えば、１．６００以下である。光拡散性粒子がアクリル系樹脂である場合には、その屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．４９以上であり、また、例えば、１．６０以下、好ましくは、１．５７以下である。光拡散性粒子がスチレン系樹脂である場合には、その屈折率は、例えば、１．５４以上、好ましくは、１．５５０以上であり、また、例えば、１．６５以下、好ましくは、１．６０以下である。光拡散性有機粒子の屈折率が上記範囲内にあれば、次に説明する屈折率差の絶対値を所望の範囲に設定することができる。

そして、封止樹脂の屈折率ｎｅと、光拡散性有機粒子の屈折率ｎｌとの差（屈折率差。ｎｅ−ｎｌ）の絶対値（｜ｎｅ−ｎｌ｜）は、０．０２０以上、０．１３５以下である。上記した屈折率差の絶対値が上記上限を超過すれば、あるいは、上記した屈折率差の絶対値が上記下限に満たなければ、光半導体素子封止波長変換組成物における光の取出効率を効率的に向上させることができない。

また、上記した屈折率差の絶対値（｜ｎｅ−ｎｌ｜）は、好ましくは、０．０２０以上、より好ましくは、０．０５０以上であり、また、好ましくは、０．１００以下、より好ましくは、０．０８５以下である。上記した屈折率差の絶対値が上記下限以上、または、上記上限以下であれば、光半導体素子封止波長変換組成物における光の取出効率を効率的に向上させることができる。

光拡散性有機粒子の平均粒子径（最大長さの平均）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、より好ましくは、４μｍ以上、さらに好ましくは、５μｍ以上、とりわけ好ましくは、５μｍ超過であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１５μｍ以下、さらに好ましくは、１０μｍ以下である。光拡散性有機粒子の平均粒子径が上記した範囲内であれば、光半導体素子封止波長変換組成物における光の取出効率を効率的に向上させることができる。光拡散性有機粒子の平均粒子径は、Ｄ５０値として算出される。具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。

光拡散性有機粒子の比重は、例えば、０．９０以上、好ましくは、０．９５以上、より好ましくは、１．０以上であり、また、例えば、１．５以下、好ましくは、１．３以下、より好ましくは、１．２５以下である。

光拡散性有機粒子の含有割合は、光半導体素子封止波長変換組成物に対して、１質量％以上、１０質量％以下である。光拡散性有機粒子の含有割合が上記下限に満たない場合、あるいは、光拡散性有機粒子の含有割合が上記上限を超える場合には、光半導体素子封止波長変換組成物における光の取出効率を効率的に向上させることができない。

また、光拡散性有機粒子の含有割合は、光半導体素子封止波長変換組成物に対して、好ましくは、５質量％以上である。上記した光拡散性有機粒子の含有割合が上記下限以上であれば、光半導体素子封止波長変換組成物における光の取出効率を効率的に向上させることができる。

また、光拡散性有機粒子の含有割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、２質量部以上、好ましくは、５質量部以上、より好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、３０質量部以下、好ましくは、２２質量部以下、より好ましくは、１５質量部以下である。

（蛍光体）
蛍光体は、波長変換機能を有しており、光半導体素子封止波長変換組成物に波長変換機能を付与することができる。つまり、蛍光体は、本発明の光半導体素子封止シートを光半導体素子封止波長変換シート１（後述）と役することができる。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。

蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

蛍光体の比重は、例えば、２．０を超え、また、例えば、９．０以下である。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。

さらに、上記した光半導体素子封止波長変換組成物には、必要に応じて、シランカップリング剤、老化防止剤、変性剤、界面活性剤、染料、顔料、無機粒子（シリカなどの光拡散性無機粒子を含む）、変色防止剤、紫外線吸収剤などの公知の添加物を適宜の割合で添加することができる。

光半導体素子封止波長変換組成物を調製するには、封止樹脂と、光拡散性有機粒子と、蛍光体と、必要により添加剤とを上記した配合割合で配合し、混合する。これによって、光半導体素子封止波長変換組成物をワニスとして調製する。

なお、光半導体素子封止波長変換組成物は、必要に応じて、その調製後に脱泡される。脱泡方法としては、例えば、撹拌脱泡、減圧脱泡（真空脱泡）、遠心脱泡、超音波脱泡などの公知の脱泡方法が挙げられる。

［光半導体素子封止波長変換シートの製造方法］
図１Ａおよび図１Ｂにおいて、紙面上側を上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側を下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）とする。図１Ａおよび図１Ｂ以外の図面についても、図１Ａおよび図１Ｂの方向を基準とする。

図１Ａおよび図１Ｂを参照して、上記した光半導体素子封止波長変換組成物から光半導体素子封止波長変換シート１をシート状に成形して製造する方法について、説明する。

（第１剥離シート２）
この方法では、まず、図１Ａに示すように、第１剥離シート２を用意する。

第１剥離シート２は、光半導体素子封止波長変換シート１の裏面（図１Ａにおける上面）を被覆して保護する保護シートや、光半導体素子封止波長変換組成物（ワニス）の塗工基材として用いられる。

第１剥離シート２は、光半導体素子封止波長変換シート１によって光半導体素子５（図１Ｂ）を封止するまでの間、光半導体素子封止波長変換シート１を保護するために、光半導体素子封止波長変換シート１の表面（図１Ａにおける上面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第１剥離シート２は、光半導体素子封止波長変換シート１の出荷・搬送・保管時において、光半導体素子封止波長変換シート１の裏面（図１Ａにおける上面）を被覆するように積層され、光半導体素子封止波長変換シート１の使用直前において、光半導体素子封止波長変換シート１の裏面から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がすことができる、樹脂から形成される可撓性フィルムである。つまり、第１剥離シート２は、可撓性フィルムのみからなる。また、可撓性フィルムの貼着面は、必要により剥離処理されている。

第１剥離シート２としては、特に制限されないが、例えば、ポリエステルフィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム）、ポリカーボネートフィルム、ポリオレフィンフィルム（例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム）、ポリスチレンフィルム、アクリルフィルム、シリコーン樹脂フィルム、フッ素樹脂フィルムなどの樹脂シート、例えば、ガラスプレートなどの離型プレートが挙げられる。

なお、第１剥離シート２の表面（光半導体素子封止波長変換シート１が形成される側の面、図１Ａにおける下面）には、光半導体素子封止波長変換シート１からの剥離性を高めるため、必要により、剥離処理が施されている。

第１剥離シート２の厚みは、例えば、取扱性、コストの観点から、例えば、２０〜１００μｍである。

（光半導体素子封止波長変換シート１）
次いで、この方法では、光半導体素子封止波長変換シート１を、第１剥離シート２の表面に配置する。具体的には、光半導体素子封止波長変換シート１を第１剥離シート２の下面に積層する。

詳しくは、例えば、光半導体素子封止波長変換組成物（ワニス）を、第１剥離シート２の表面（下面）に、例えば、塗布する。塗布方法としては、例えば、アプリケータ、キャスト、スピン、ロールなどの公知の塗布方法が挙げられる。

その後、光半導体素子封止波長変換組成物がＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含む場合には、熱硬化性樹脂を半硬化させる。具体的には、加熱により、光半導体素子封止波長変換組成物を硬化（半硬化）させる。

つまり、Ａステージの熱硬化性樹脂を含有する光半導体素子封止波長変換組成物をＢステージ化する。加熱条件として、温度が、７０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。時間が、例えば、５分以上、好ましくは、８分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。

これにより、第１剥離シート２の表面（図１Ａにおける下面）に、固体状の光半導体素子封止波長変換シート１が配置される。

これによって、光半導体素子封止波長変換シート１が製造される。光半導体素子封止波長変換シート１は、上記した光半導体素子封止波長変換組成物をシート状に成形した成形体である。

光半導体素子封止波長変換シート１は、好ましくは、封止樹脂がＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含む場合には、半硬化状態（Ｂステージ状態）の光半導体素子封止波長変換組成物からシート状に形成されている。さらに、好ましくは、光半導体素子封止波長変換シート１は、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、Ｂステージの光半導体素子封止波長変換シート１は、加熱により、一旦、可塑化した後、硬化することができる。

また、光半導体素子封止波長変換シート１では、光拡散性有機粒子および蛍光体が、マトリクスとしての封止樹脂中に均一に分散されている。

さらに、光半導体素子封止波長変換シート１は、具体的には、所定の厚みを有し、前後方向（上下方向に直交する方向）および左右方向（上下方向および前後方向に直交する方向）に延び、平坦な上面および平坦な下面を有している。光半導体素子封止波長変換シート１は、第１剥離シート２の下面全面に配置されている。

また、光半導体素子封止波長変換シート１は、後述する光半導体装置１０（図１Ｂ参照）および封止光半導体素子９（図２Ｂ参照）ではなく、光半導体装置１０および封止光半導体素子９の一部品、すなわち、光半導体装置１０および封止光半導体素子９を作製するための部品であり、光半導体素子５および光半導体素子５を搭載する基板６を含むことなく、構成されている。

そのため、第１剥離シート２および光半導体素子封止波長変換シート１を備える封止部材３は、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

つまり、封止部材３は、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状に形成されている。封止部材３は、光半導体素子５および／または基板６を含まず、好ましくは、第１剥離シート２と光半導体素子封止波長変換シート１とからなる。

Ｂステージの封止樹脂を含有する光半導体素子封止波長変換組成物から光半導体素子封止波長変換シート１が形成される場合において、Ｂステージの光半導体素子封止波長変換シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’は、例えば、３Ｐａ以上、好ましくは、１２Ｐａ以上であり、また、例えば、１４０Ｐａ以下、好ましくは、７０Ｐａ以下である。光半導体素子封止波長変換シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’は、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、温度範囲２０〜１５０℃の条件における動的粘弾性測定で得られる。

また、厚み６００μｍのときにおける、波長４６０ｎｍの光に対する光半導体素子封止波長変換シート１の透過率は、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上、さらに好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、１００％以下である。光半導体素子封止波長変換シート１の透過率は、例えば、積分球を用いて測定される。

光半導体素子封止波長変換シート１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

なお、光半導体素子封止波長変換シート１は、光半導体素子５の寸法、形状、配置、個数などに応じて、適宜の寸法および／または形状に加工（例えば、カッティングなど）される。

そして、この光半導体素子封止波長変換シート１は、次に説明する光半導体素子５の封止に使用される。

［光半導体装置の製造方法］
次に、図１Ａに示す光半導体素子封止波長変換シート１を用いて、光半導体素子５を封止して、光半導体装置１０を製造する方法について図１Ｂを参照して説明する。

（実装基板の用意）
光半導体装置１０の製造方法では、図１Ｂに示すように、まず、実装基板４を用意する。

実装基板４は、基板６と、基板６に実装される光半導体素子５とを備える。

基板６は、図１Ｂに示すように、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状をなし、例えば、絶縁基板である。また、基板６は、上面に配置される端子（図示せず）を備えている。基板６の前後方向長さおよび左右方向長さは、適宜設定される。

光半導体素子５は、例えば、ＬＥＤまたはＬＤなどの光学素子であって、好ましくは、青色光を発光する光学素子（具体的には、青色ＬＥＤ）である。光半導体素子５は、前後方向および左右方向に沿う略平板状に形成されている。また光半導体素子５は、平面視略矩状をなし、上下方向および前後方向に沿う断面形状、および、上下方向および左右方向に沿う断面形状が、略矩形状に形成されている。光半導体素子５は、基板６の上面に対してフリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。光半導体素子５の（上下方向長さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子５の前後方向長さおよび左右方向長さは、適宜設定される。光半導体素子５の前後方向長さおよび左右方向長さは、基板６の前後方向長さおよび左右方向長さより短く調整されている。

次いで、この方法では、光半導体素子封止波長変換シート１によって、光半導体素子５を被覆する。具体的には、封止部材３の光半導体素子封止波長変換シート１によって、光半導体素子５を埋設する。

光半導体素子封止波長変換シート１の前後方向長さおよび左右方向長さは、基板６の前後方向長さおよび左右方向長さより短く、また、光半導体素子５の前後方向長さおよび左右方向長さより長く調整されている。

光半導体素子封止波長変換シート１が、Ｂステージ状態の熱硬化性樹脂を含有し、熱可塑性および熱硬化性を併有する場合には、光半導体素子封止波長変換シート１によって光半導体素子５を埋設する。具体的には、熱プレスによって、まず、Ｂステージ状態の熱硬化性樹脂樹脂を含有する光半導体素子封止波長変換シート１を可塑化する。続いて、可塑化した光半導体素子封止波長変換シート１（が含有する熱硬化性樹脂）が加熱によって完全硬化（Ｃステージ化）する。

熱プレスの温度は、例えば、熱可塑・熱硬化性シリコーン樹脂の熱可塑温度またはそれ以上であって、好ましくは、熱可塑および熱硬化を一度に実施する観点から、熱硬化温度またはそれ以上であって、具体的には、例えば、６０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１２０℃以下である。熱プレスの時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、３分間以上であり、また、例えば、２０分間以下、好ましくは、１５分間以下である。また、プレス圧は、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは、０．３ＭＰａ以上であり、また、例えば、５ＭＰａ以下、好ましくは、３ＭＰａ以下である。

一方、光半導体素子封止波長変換シート１が、Ｂステージ状態の熱硬化性樹脂を含有し、熱可塑性および熱硬化性を併有しない場合（熱硬化性のみを有する場合）には、まず、図示しない公知の粘着剤を用いて、Ｂステージ状態の光半導体素子封止波長変換シート１を光半導体素子５および基板６に貼着（接着）する。粘着剤の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下であり、また、例えば、１０μｍ以上である。その後、光半導体素子封止波長変換シート１を備える封止部材３と、実装基板４とを加熱する。加熱温度は、例えば、９０℃以上、好ましくは、１０５℃以上であり、また、例えば、１６０℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。加熱時間は、例えば、１０分間以上、好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、１２０分間以下、好ましくは、６０分間以下である。

これによって、Ｂステージ状態の封止樹脂がＣステージ（完全硬化）する。つまり、Ｂステージ状態の光半導体素子封止波長変換シート１がＣステージ（完全硬化）する。

（生成物）
封止樹脂がフェニル系シリコーン樹脂組成物を含む場合において、フェニル系シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物の生成物、つまり、硬化物が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、フェニル系シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。

上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。

平均組成式（３）：
Ｒ^５ _ｅＳｉＯ_{（４−ｅ）／２}
（式中、Ｒ^５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
Ｒ^５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ^２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ^３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。

ｅは、好ましくは、０．７以上、１．０以下である。

そして、生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。

生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合が上記した下限に満たない場合には、Ｂステージの光半導体素子封止波長変換シート１（図１Ａ参照）の熱可塑性を確保することができず、つまり、後述する光半導体素子封止波長変換シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が所望範囲を超えるため、光半導体素子５を確実に埋設して封止することができない場合がある。

一方、生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合が上記した上限以下であれば、Ｃステージの光半導体素子封止波長変換シート１（図１Ａ参照）の可撓性の低下を防止することができる。

生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ^５で示される）におけるフェニル基濃度である。

生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ^５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、後述する実施例において記載され、また、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。

その後、図１Ｂの矢印で示すように、第１剥離シート２を光半導体素子封止波長変換シート１から剥離する。具体的には、第１剥離シート２を、光半導体素子封止波長変換シート１の上面から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がす。

これによって、基板６と、基板６に実装される光半導体素子５と、光半導体素子５を封止する光半導体素子封止波長変換シート１とを備える光半導体装置１０が得られる。好ましくは、光半導体装置１０は、第１剥離シート２を含まず、基板６と、光半導体素子５と、光半導体素子封止波長変換シート１とからなる。

そして、この光半導体装置１０では、基板６の端子から光半導体素子５に電気エネルギーが入力されて、光半導体素子５が発光する。そうすると、光半導体素子５から発光された光は、封止樹脂を透過して、光拡散性有機粒子によって拡散される。また、光の一部は、蛍光体によって波長変換される。そして、光半導体素子封止波長変換シート１によって拡散され波長変換された光は、光半導体素子封止波長変換シート１の上方および側方（前後方向および左右方向）に放射される。

（作用効果）
そして、光半導体素子封止波長変換組成物からシート状に成形された光半導体素子封止波長変換シート１によれば、封止樹脂の屈折率ｎｅと、光拡散性有機粒子の屈折率ｎｌとの差（ｎｅ−ｎｌ）の絶対値（｜ｎｅ−ｎｌ｜）が特定範囲内であり、また、光拡散性有機粒子の含有割合が特定範囲内にあり、光半導体素子封止波長変換シート１が光半導体素子５の封止に使用されるので、光半導体素子５から発光される光の取出効率を向上させることができる。

この光半導体素子封止波長変換シート１によれば、光拡散性有機粒子が有機材料からなるので、光拡散性有機粒子の比重を、封止樹脂の比重に近接させることができる。そのため、光半導体素子封止波長変換組成物、ひいては、光半導体素子封止波長変換シート１において、光拡散性有機粒子を封止樹脂に均一に分散させることができる。そのため、光の取出効率をより一層向上させることができる。

この光半導体素子封止波長変換シート１によれば、光半導体素子５から発光された光を、蛍光体によって波長変換することができる。そのため、高エネルギーの光を照射することができる。

また、この光半導体素子封止波長変換シート１は、光半導体素子封止波長変換組成物を成形することにより得られるので、光半導体素子５を確実に封止しながら、光半導体素子５から発光される光の取出効率を向上させることができる。

さらに、この光半導体素子封止波長変換シート１は、光半導体素子封止波長変換組成物をシート状に成形することにより得られるので、運搬性に優れる。つまり、第１剥離シート２および光半導体素子封止波長変換シート１をともに、前後方向に延びる長尺状に形成しても、ロール状でコンパクトに製造することができ、そのため、運搬性に優れる。さらに、第１剥離シート２および光半導体素子封止波長変換シート１を備える封止部材３をロール状で製造すれば、ロールトゥロール法を採用することができ、そのため、生産性に優れる。

この光半導体装置１０は、光の取出効率に優れる光半導体素子封止波長変換シート１を有するので、発光特性に優れる。

［変形例］
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

上記した一実施形態では、本発明の光半導体素子封止組成物および光半導体素子封止シートの一実施形態として、蛍光体を含有する光半導体素子封止波長変換組成物および光半導体素子封止波長変換シート１を挙げて説明しているが、例えば、波長変換機能を有しない光半導体素子封止組成物および光半導体素子封止シート１とすることもできる。つまり、上記した一実施形態では、光半導体素子封止波長変換シート１を、蛍光体を含有する光半導体素子封止波長変換組成物からシート状に形成しているが、これに限定されず、例えば、蛍光体を含有しない光半導体素子封止組成物からシート状に形成することができる。

つまり、光半導体素子封止組成物は、封止樹脂と、光拡散性有機粒子とを含有している。

また、図１Ｂに示さないが、光半導体装置１０において、光半導体素子封止シート１の上面に、別途、蛍光体を含有する波長変換シートを配置することもできる。

上記の変形例によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

好ましくは、図１Ｂに示すように、蛍光体を含有する光半導体素子封止波長変換シート１、および、光半導体素子封止波長変換シート１を備える光半導体装置１０が挙げられる。

この実施形態によれば、別途、波長変換シートを設ける必要がないので、構成を簡単にすることができ、製造コストを低減することができる。

また、上記した一実施形態において、光半導体素子封止波長変換シート１が、Ｂステージ状態の熱硬化性樹脂を含有する場合には、上記した粘着剤を用いることなく、Ｂステージ状態の光半導体素子封止波長変換シート１によって光半導体素子５を埋設している。しかし、例えば、光半導体素子封止波長変換シート１をＣステージ状態で予め調製し、これによって、粘着剤を用いて、光半導体素子５に貼着することもできる。

好ましくは、Ｂステージの光半導体素子封止波長変換シート１によって光半導体素子５を埋設する。この実施形態によれば、粘着剤を用いる必要がないので、構成を簡単にすることができ、製造コストを低減することができる。

上記した一実施形態では、図１Ｂに示すように、光半導体素子封止波長変換シート１によって、基板６に予め実装された光半導体素子５を封止しているが、例えば、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、基板６（図２Ｃ参照）にまだ実装されず、第２剥離シート８に配置された光半導体素子５を封止することもできる。

この光半導体装置１０の製造方法では、図２Ａに示すように、まず、上記した封止部材３を用意する。

また、別途、素子部材７を用意する。

素子部材７は、第２剥離シート８と、第２剥離シート８の表面（上面）に配置される光半導体素子５とを備える。

第２剥離シート８は、光半導体素子封止波長変換シート１によって光半導体素子５を被覆して封止して、封止光半導体素子９を得た後、封止光半導体素子９を剥離するまでの間、封止光半導体素子９の光半導体素子５（図２Ｂ参照）を保護するために、封止光半導体素子９における光半導体素子５の裏面（図２Ｂにおける下面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第２剥離シート８は、封止光半導体素子９の出荷・搬送・保管時において、光半導体素子５を支持し、光半導体素子５の裏面（図２Ｂにおける下面）を被覆するように、光半導体素子５の裏面に積層され、光半導体素子５の基板６に対する実装直前において、図２Ｂの仮想線で示すように、封止光半導体素子９を引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、第２剥離シート８は、可撓性フィルムのみからなる。

第２剥離シート８は、上記した第１剥離シート２と同様の材料から形成されている。また、第２剥離シート８を、加熱により封止光半導体素子９が容易に剥離できる熱剥離シートから形成することもできる。

図２Ａに示すように、次いで、封止部材３と素子部材７とを、光半導体素子封止波長変換シート１と光半導体素子５とが向かい合うように、対向配置する。

図２Ｂに示すように、続いて、封止部材３を素子部材７に対して近接させて、光半導体素子封止波長変換シート１によって光半導体素子５を埋設する。なお、光半導体素子封止波長変換シート１は、光半導体素子５から露出する第２剥離シート８の上面にも配置される。

これによって、図２Ｂの実線で示すように、光半導体素子封止波長変換シート１と、光半導体素子封止波長変換シート１により被覆されて封止される光半導体素子５と、光半導体素子５および光半導体素子封止波長変換シート１の下面に配置される第２剥離シート８と、光半導体素子封止波長変換シート１の上面に配置される第１剥離シート２とを備える剥離シート付き封止光半導体素子１１が得られる。

剥離シート付き封止光半導体素子１１は、封止光半導体素子９と、第２剥離シート８および第１剥離シート２とを含んでおり、光半導体装置１０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

封止光半導体素子９は、光半導体素子５と、光半導体素子５を封止する光半導体素子封止波長変換シート１とを備える。具体的には、封止光半導体素子９は、第２剥離シート８および／または第１剥離シート２を含まず、好ましくは、光半導体素子封止波長変換シート１と、光半導体素子５とからなる。

その後、第１剥離シート２を、光半導体素子封止波長変換シート１の上面から剥離する。これによって、光半導体素子封止波長変換シート１および光半導体素子５を備える封止光半導体素子９が得られる。封止光半導体素子９は、第１剥離シート２を含まず、好ましくは、光半導体素子封止波長変換シート１および光半導体素子５からなる。

その後、図２Ｂの矢印で示すように、封止光半導体素子９を、第２剥離シート８から剥離する。具体的には、封止光半導体素子９を、第２剥離シート８から上側に向かって引き剥がす。封止光半導体素子９も、光半導体装置１０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

次いで、図２Ｃに示すように、封止光半導体素子９を基板６に実装する。具体的には、封止光半導体素子９の光半導体素子５の端子（図示せず）を、基板６の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。

これにより、基板６と、基板６に実装される封止光半導体素子９とを備える光半導体装置１０を得る。好ましくは、光半導体装置１０は、基板６と、封止層被覆光半導体素子１０とからなる。つまり、光半導体装置１０は、第２剥離シート８を含まず、好ましくは、基板６と、光半導体素子５と、光半導体素子封止波長変換シート１とからなる。

そして、図２Ａ〜図２Ｃで示す変形例によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

また、上記した一実施形態では、光半導体素子封止波長変換組成物からシート状に成形された光半導体素子封止波長変換シート１および第１剥離シート２を備える封止部材３を作製し、封止部材３によって光半導体素子５を封止しているが、例えば、図３Ｂに示すように、光半導体素子封止波長変換組成物を実装基板４に直接配置することもできる。

この方法では、図３Ａに示すように、まず、光半導体素子５および基板６を備える実装基板４を用意する。

次いで、図３Ｂに示すように、液状の光半導体素子封止波長変換組成物を、光半導体素子５を被覆するように、基板６の上に配置する。液状の光半導体素子封止波長変換組成物は、Ａステージ状態であり、その２５℃における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、３，０００ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは、５，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、５００，０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは、２００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。

光半導体素子封止波長変換組成物を、光半導体素子５を被覆するように、基板６に配置するには、例えば、液状の光半導体素子封止波長変換組成物を塗布する。液状の光半導体素子封止波長変換組成物を塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が挙げられる。

これにより、光半導体素子封止波長変換組成物からなる皮膜１３が形成される。

封止樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、皮膜１３は、例えば、Ａステージ状態の熱硬化性樹脂を含む光半導体素子封止波長変換組成物からなる。そのため、皮膜１３は、Ａステージ状態である。

その後、光半導体素子封止波長変換組成物がＡステージ状態の熱硬化性樹脂を含む場合には、皮膜１３を加熱して、Ｃステージ化する。なお、Ｃステージ化では、Ｂステージ状態を得ることなく、あるいは、Ｂステージ状態を得た後、Ａステージ状態からＣステージ状態となる。

これによって、光半導体素子封止波長変換成形体としての光半導体素子封止波長変換シート１が、基板６の上において、光半導体素子５を封止する状態で作製される。そして、基板６、光半導体素子５および光半導体素子封止波長変換シート１を備える光半導体装置１０が得られる。

また、図３Ａの変形例では、実装基板４が、ハウジング１４を備えていない。一方、図４Ａに示すように、実装基板４が、ハウジング１４を備えることもできる。

つまり、図４Ａに示すように、実装基板４は、基板６、光半導体素子５およびハウジング１４を備えている。好ましくは、基板６、光半導体素子５およびハウジング１４からなる。

ハウジング１４は、基板６の上に設けられ、平面視略矩形枠状あるいは平面視略円環状（図４Ａでハウジング１４の平面視形状が図示されず）に形成されている。ハウジング１４は、上方に向かって次第に幅狭となる略台形筒状に形成されている。ハウジング１４は、平面視において、光半導体素子５を囲むように、光半導体素子５の外側に間隔を隔てて配置されている。

そして、このハウジング１４を備える実装基板４の光半導体素子５を光半導体素子封止波長変換組成物によって封止するには、まず、図４Ａに示すように、基板６、光半導体素子５およびハウジング１４を備える実装基板４を用意する。

次いで、図４Ｂに示すように、液状の光半導体素子封止波長変換組成物を、ハウジング１４内に、直接配置する。好ましくは、液状の光半導体素子封止波長変換組成物を、ハウジング１４内にポッティングする。

これによって、液状の光半導体素子封止波長変換組成物からなる皮膜１３を得る。

その後、光半導体素子封止波長変換組成物がＡステージ状態の熱硬化性樹脂を含む場合には、皮膜１３を加熱して、Ｃステージ化する。

これによって、光半導体素子封止波長変換成形体２０が、基板６の上において、光半導体素子５を封止する状態で成形される。光半導体素子封止波長変換成形体２０は、光半導体素子５の外形およびハウジング１４の内形に対応する形状に形成されている。光半導体素子封止波長変換成形体２０は、具体的には、上方に向かうに従って次第に幅広となる略円錐台状をなし、下面には、光半導体素子５に対応する凹部が形成されている。

そして、基板６、光半導体素子５および光半導体素子封止波長変換成形体２０を備える光半導体装置１０が得られる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らそれらに限定されない。以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。

実施例１（封止樹脂：メチル系シリコーン樹脂組成物）
ディスポーザルカップに、シリコーン樹脂組成物（商品名「ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５」、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、Ｂステージ状態となることができない１段反応硬化性樹脂、屈折率１．４１０、比重１．０２、旭化成ワッカーシリコーン社製）５．０ｇ、ＹＡＧ蛍光体（商品名「Ｙ４６８」、平均粒子径１７μｍ、比重４．５８、ネモト・ルミマテリアル社製）４．５ｇ、および、架橋ポリメタクリル酸メチル粒子（商品名「ＳＳＸ−１０８」、光拡散性有機粒子、屈折率１．４９５、比重１．２０、平均粒子径８μｍ、積水化成品工業社製）０．５ｇを添加し、スパチュラで５分間撹拌した後、さらに、攪拌機・脱泡装置（マゼルスター、クラボウ社製）にて撹拌脱泡を３分間実施した。これにより、光半導体素子封止波長変換組成物（ワニス）を調製した。

次いで、調製した光半導体素子封止波長変換組成物を、第１剥離シート２（ポリエステルフィルム、商品名「ＳＳ４Ｃ」、厚み１００μｍ、ニッパ社製）の表面（下面）に、アプリケータ（「ベーカーアプリケーターＹＢＡ型」、目盛は２．０〜３．０に調整、ヨシミツ精機社製）で塗布して、皮膜を形成した。

次いで、皮膜をオーブンの中に入れ、１０５℃で１０分間加熱することにより、光半導体素子封止波長変換組成物を完全硬化（Ｃステージ化）させて、図１Ａに示すように、Ｃステージの光半導体素子封止波長変換シート１（膜厚１６０〜２３５μｍ）を製造した。つまり、第１剥離シート２および光半導体素子封止波長変換シート１からなる封止部材３を製造した。

その後、ポンチ（直径２ｍｍ）にて、光半導体素子封止波長変換シート１をカッティングした。図１Ｂに示すように、基板６および基板６に実装された光半導体素子５（ＬＥＤ、Ｅｐｉｓｔａｒ、寸法１．１４ｍｍ×１．１４ｍｍ、厚み１５０μｍ、エピスター社製）を備える実装基板４を用意した。次いで、測定顕微鏡で、封止部材３を実装基板４に対して位置合わせし、光半導体素子封止波長変換シート１を光半導体素子５および基板６に対して粘着剤を用いて貼着した。

その後、第１剥離シート２を光半導体素子封止波長変換シート１から剥離した。

これによって、基板６、光半導体素子５および光半導体素子封止波長変換シート１を備える光半導体装置１０を作製した。

実施例２〜７および比較例１〜５、７〜１１（封止樹脂：メチル系シリコーン樹脂組成物）
光半導体素子封止波長変換組成物の配合処方を表１および表２に記載に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理して、光半導体素子封止波長変換組成物を調製し、次いで、光半導体素子封止波長変換シート１を製造し、続いて、光半導体装置１０を作製した。

実施例８（封止樹脂：フェニル系シリコーン樹脂組成物）
メチル系シリコーン樹脂組成物（Ｂステージ状態となることができない１段反応硬化性樹脂）に代えて、フェニル系シリコーン樹脂組成物（Ｂステージ状態となることができる１段反応硬化性樹脂）を用いて、光半導体素子封止波長変換組成物を調製し、また、粘着剤を用いることなく、熱プレスによって、Ｂステージの光半導体素子封止波長変換シート１をＣステージ化した以外は、実施例１と同様に処理して、光半導体装置１０を作製した。

すなわち、フェニル系シリコーン樹脂組成物を、下記の合成例および調製例に従って、調製した。

（合成例１）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．１５（ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_２／２）_０．６０（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_０．２５
平均組成式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ）_０．１５（ＣＨ_３）_０．９０（Ｃ_６Ｈ_５）_０．８５ＳｉＯ_１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ^１がビニル基、Ｒ^２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。

（合成例２）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．３１（（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＳｉＯ_２／２）_０．２２（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_０．４７
平均組成式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ）_０．３１（ＣＨ_３）_０．６２（Ｃ_６Ｈ_５）_０．９１ＳｉＯ_１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ^１がビニル基、Ｒ^２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。

（合成例３）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．３３（（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＳｉＯ_２／２）_０．２２（Ｃ_６Ｈ_５ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．４５
平均組成式：
Ｈ_０．３３（ＣＨ_３）_０．６６（Ｃ_６Ｈ_５）_０．８９ＳｉＯ_１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ^３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。

（調製例１）
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体（商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％）５ｍｇを混合して、屈折率１．５６５のフェニル系シリコーン樹脂組成物を調製した。

また、熱プレスでは、加熱温度が、９０℃、加熱時間が１０分間、プレス圧が１．０ＭＰａであった。熱プレスによって、Ｂステージ状態の光半導体素子封止波長変換組成物は、一旦、熱可塑可して、光半導体素子５を被覆し、引き続き、熱硬化（Ｃステージ化）した。

実施例９および比較例６（封止樹脂：フェニル系シリコーン樹脂組成物）
光半導体素子封止波長変換組成物の配合処方を表１および表２に記載に従って変更した以外は、実施例９と同様に処理して、光半導体素子封止波長変換組成物を調製し、次いで、光半導体素子封止波長変換シート１を製造し、続いて、光半導体装置１０を作製した。

（シリコーン樹脂組成物の硬化状態の屈折率の評価）
メチル系シリコーン樹脂組成物およびフェニル系シリコーン樹脂組成物のそれぞれについて、硬化状態の屈折率を測定した。

具体的には、メチル系シリコーン樹脂組成物およびフェニル系シリコーン樹脂組成物のそれぞれを単独で、すなわち、光拡散性有機粒子および蛍光体を含有せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ）させて、硬化物を得た。次いで、得られた硬化物をアッベ屈折率計によって測定した。

その後、メチル系シリコーン樹脂組成物の硬化物の屈折率は、１．４１０であり、フェニル系シリコーン樹脂組成物の硬化物の屈折率は、１．５６５であった。

（フェニル系シリコーン樹脂組成物から得られる硬化物の炭化水素基（Ｒ^５）におけるフェニル基の含有割合の測定）
フェニル系シリコーン樹脂組成物（つまり、光拡散性有機粒子が含まれていないフェニル系シリコーン樹脂組成物）の反応により得られる硬化物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ^５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。

具体的には、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物を、光拡散性有機粒子および蛍光体を添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、硬化物（完全硬化状態）を得た。

次いで、得られた硬化物の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ^５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。

その結果、４８モル％であった。

（全光束およびその向上効果）
＜全光束＞
各実施例および各比較例の光半導体装置１０の全光束を、瞬間マルチ測光システ（ＭＣＰＤ−９８００、大塚電子社製）によって測定した。測定条件は以下の通りである。

電流値：３００ｍＡ
電圧：３．５Ｖ
露光時間：１９ｍｓ
積算回数：１６
＜全光束の向上効果＞
封止樹脂がメチル系シリコーン樹脂組成物である実施例１〜７および比較例２〜５、７〜１１における光拡散性有機粒子に基づく全光束の向上効果を下記式によって算出して評価した。
｛［実施例１〜７および比較例１〜５、７〜１１のそれぞれの全光束］−［比較例１の全光束］｝／［［比較例１の全光束］］×１００（％）
また、封止樹脂がフェニル系シリコーン樹脂組成物である実施例８および９における光拡散性有機粒子に基づく全光束の向上効果を下記式によって算出して評価した。
｛［実施例８および９のそれぞれの全光束］−［比較例６の全光束］｝／［［比較例６の全光束］］×１００（％）

表１および表２中の成分の詳細を下記に示す。
・メチル系シリコーン樹脂組成物：商品名「ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５」、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、Ｂステージ状態となることができない１段反応硬化性樹脂、屈折率１．４１０、比重１．０２、旭化成ワッカーシリコーン社製
・フェニル系シリコーン樹脂組成物：付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、Ｂステージ状態となることができる１段反応硬化性樹脂、屈折率１．５６５、比重１．１０、調製例１にて調製
・「ＳＳＸ−１０５」：商品名、架橋メタクリル酸メチル粒子、光拡散性有機粒子、屈折率１．４９５、比重１．２０、平均粒子径５μｍ、積水化成品工業社製
・「ＳＳＸ−１０８」：商品名、架橋メタクリル酸メチル粒子、光拡散性有機粒子、屈折率１．４９５、比重１．２０、平均粒子径８μｍ、積水化成品工業社製
・「ＳＳＸ−１１０」：商品名、架橋メタクリル酸メチル粒子、光拡散性有機粒子、屈折率１．４９５、比重１．２０、平均粒子径１０μｍ、積水化成品工業社製
・「ＳＳＸ−１０８ＬＸＥ」：商品名、架橋メタクリル酸メチル粒子、光拡散性有機粒子、屈折率１．５４５、平均粒子径８μｍ、比重１．２０、積水化成品工業社製
・ＳＢＸ−８：商品名、架橋ポリスチレン粒子、光拡散性有機粒子、屈折率１．５９２、平均粒子径８μｍ、比重１．０６、積水化成品工業社製
・「トスパール２０００Ｂ」：商品名、シリコーン粒子、屈折率１．４２、比重１．３２、平均粒子径６．０μｍ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製
・「ＦＢ−３ｓｄｃ」：商品名、シリカ粒子、光拡散性無機粒子、屈折率１．４５、比重１．０、平均粒子径３．４μｍ、電気化学工業社製
・「ＦＢ−７ｓｄｃ」：商品名、シリカ粒子、光拡散性無機粒子、屈折率１．４５、比重１．０、平均粒子径５．８μｍ、電気化学工業社製

１ 光半導体素子封止波長変換シート（光半導体素子封止シート）
５ 光半導体素子
６ 基板
９ 封止光半導体素子
１０ 光半導体装置
２０ 光半導体素子封止波長変換成形体

Claims (11)

1. 封止樹脂と、光拡散性有機粒子とを含有する光半導体素子封止組成物であり、
   前記封止樹脂の屈折率と、前記光拡散性有機粒子の屈折率との差の絶対値が、０．０２０以上、０．１３５以下であり、
   前記光拡散性有機粒子の前記光半導体素子封止組成物に対する含有割合が、１質量％以上、１０質量％以下であり、
   光半導体素子の封止に使用されることを特徴とする、光半導体素子封止組成物。
2. 前記光拡散性有機粒子の平均粒子径が、５μｍ超過、１５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の光半導体素子封止組成物。
3. 前記光拡散性有機粒子の前記光半導体素子封止組成物に対する含有割合が、５質量％以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の光半導体素子封止組成物。
4. 前記封止樹脂の屈折率と、前記光拡散性有機粒子の屈折率との差の絶対値が、０．０２５以上、０．１００以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体素子封止組成物。
5. 蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体素子封止組成物。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の光半導体素子封止組成物を成形することにより得られることを特徴とする、光半導体素子封止成形体。
7. 請求項１〜５のいずれかに記載の光半導体素子封止組成物をシート状に成形することにより得られることを特徴とする、光半導体素子封止シート。
8. 基板と、
   前記基板に実装される光半導体素子と、
   前記光半導体素子を封止する請求項６に記載の光半導体素子封止成形体と
   を備えることを特徴とする、光半導体装置。
9. 基板と、
   前記基板に実装される光半導体素子と、
   前記光半導体素子を封止する請求項７に記載の光半導体素子封止シートと
   を備えることを特徴とする、光半導体装置。
10. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子を封止する請求項６に記載の光半導体素子封止成形体と
    を備えることを特徴とする、封止光半導体素子。
11. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子を封止する請求項７に記載の光半導体素子封止シートと
    を備えることを特徴とする、封止光半導体素子。

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