JP2018041638A - 光半導体素子被覆用シート - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照して、本発明の光半導体素子被覆用シート(以下、単に被覆シートとも略する。)の一実施形態を説明する。
被覆シート1は、光半導体素子を直接的または間接的に被覆するように使用されるシートであって、面方向(厚み方向に直交する方向、前後方向および左右方向)に延びる略板(シート)形状を有する。被覆シート1は、白色層2と光拡散層3とを厚み方向に順に備える。好ましくは、被覆シート1は、白色層2と、光拡散層3とのみからなる。
白色層2は、面方向に延びる略板(シート)形状を有する。白色層2は、三層被覆素子5において、非発光時の外観を白色にする白色層である。
光拡散層3は、面方向に延びる略板(シート)形状を有する。光拡散層3は、光半導体素子6(図3B参照)から発光された光を拡散させる拡散層である。
被覆シート1は、例えば、剥離シート4の表面(図1では、下面)に白色層2を形成する白色層形成工程、および、白色層2の表面(図1では、下面)に光拡散層3を形成する光拡散層形成工程により、製造することができる。
白色層2を形成するには、例えば、まず、白色脂組成物(ワニス)を調製する。具体的には、白色粒子と、第1の樹脂と、必要により、白色粒子以外の粒子(充填材、チクソ付与粒子など)とを配合して、混合することにより、調製される。
光拡散層3を形成するには、例えば、まず、光拡散層組成物(ワニス)を調製する。具体的には、光拡散粒子と、第2の樹脂と、必要により、光拡散粒子以外の粒子(充填材、チクソ付与粒子など)とを配合して、混合することにより、調製される。
次いで、図2A〜図2Fを参照して、被覆シート1を光半導体素子6に被覆する方法を説明する。具体的には、被覆シート1を蛍光体層被覆素子8に被覆して、三層被覆素子5を製造する方法を説明する。
用意工程では、図2Aに示すように、蛍光体層被覆素子集合体11を用意する。
プレス工程では、図2Bおよび図2Cに示すように、被覆シート1を蛍光体層被覆素子集合体11に対して、熱プレスする。
剥離工程では、図2Dの仮想線に示すように、剥離シート4を三層被覆素子集合体12から剥離する。すなわち、剥離シート4を白色層2から引き剥がす。
切断工程では、図2Eに示すように、三層被覆素子集合体12を切断(個片化)する。
被覆シート1は、白色粒子を含有する白色層2と、光拡散粒子を含有する光拡散層3とを厚み方向に順に備えるため、蛍光体層被覆素子8に、白色粒子を含有する白色層2と、光拡散粒子を含有する光拡散層3を配置することができる。
以下の変形例において、図1−図3Bの実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細を省略する。
[1]光拡散層3を、周波数1Hzおよび昇温速度20℃/分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線が、極小値を有する。
[2]極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にある。
[3]極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上、90,000Pa以下の範囲にある。好ましくは、10,000Pa以上、より好ましくは、20,000Pa以上、さらに好ましくは、30,000Pa以上であり、また、好ましくは、70,000Pa以下である。
特開2016−037562号公報の実施例に記載の調製例1に準拠して、Aステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物(Bステージとなることができる1段反応硬化性樹脂)を調製した。
酸化チタン:白色粒子、平均粒子径0.36μm、商品名「R706S」、デュポン社製
シリカ粒子:光拡散粒子、屈折率1.45、平均粒子径3.4μm、商品名「FB−3SDC」、デンカ社製
ガラス粒子:充填材、屈折率1.55、組成および組成比率(質量%):SiO2/Al2O3/CaO/MgO=60/20/15/5の無機粒子、平均粒子径20μm
ヒュームドシリカ:チクソ付与粒子、平均粒子径7nm、商品名「R976S」、エボニック社製
実施例1
シリコーン樹脂組成物46.6質量%、酸化チタン3.0質量%、ガラス粒子48.5質量%、および、ヒュームドシリカ1.9質量%を混合して、白色組成物を調製した。白色組成物を、剥離シート(セパレータ、品名「SE−1」、厚み50μm、フジコー社製)の上にコンマコータ―で塗布し、120℃10分で加熱することにより、Cステージの白色層を形成した。白色層の厚みは、100μmとした。
白色組成物(すなわち、白色層)の酸化チタンの配合割合、光拡散組成物(すなわち、光拡散層)のシリカ粒子の配合割合、ならびに、白色層および光拡散層の厚みを表1に記載の配合割合または厚みに変更した以外は、実施例1と同様にして、被覆シートを作製した。
白色組成物において、酸化チタンを配合しない以外は、実施例1と同様にして、被覆シートを作製した。すなわち、比較例1の被覆シートでは、非白色層(透明層)および光拡散層から形成されていた。
光拡散組成物において、シリカ粒子を配合しない以外は、実施例1と同様にして、被覆シートを作製した。すなわち、比較例2の被覆シートでは、白色層および非光拡散層(透明層)から形成されていた。
光拡散層のシリカ粒子の配合割合、ならびに、白色層の厚みを表1に記載の配合割合または厚みに変更し、かつ、光拡散組成物の加熱条件を80℃、20分にした以外は、実施例1と同様にして、被覆シートを作製した。
光拡散層および白色層の厚みは、測定計(リニアゲージ、シチズン社製)により測定した。
各実施例および各比較例の被覆シートの明度を、紫外可視近赤外分光光度計を用いて、積分球における透過率測定方法にて測定した。
スライドガラス70上に、各実施例および各比較例で作製した光拡散層3を配置することにより、半値角測定用のサンプル71を作製した。
実施例1および実施例16で得られたBステージの蛍光体層を、下記の条件で、動的粘弾性測定した。
粘弾性装置:回転式レオメータ(C−VOR装置、マルバーン社製)
サンプル形状:円板形状
サンプル寸法:厚み225μm、直径8mm
歪量:10%
周波数:1Hz
プレート径:8mm
プレート間ギャップ:200μm
昇温速度20℃/分
温度範囲:20〜200℃
このときの貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線を図7に示す。
光半導体素子(1.1mm角、厚み150μm、エピスター社製)の上面および側面が蛍光体層(黄色蛍光体含有)で被覆された平面視略矩形状の蛍光体層被覆素子を複数用意した。光半導体素子の上面に配置される蛍光体層の厚みは200μmであった。
上記と同様にして、蛍光体層被覆素子集合体を得た(図4A)。
各実施例および各比較例の三層被覆素子A〜Bを、ダイオード基板にフリップチップ実装して、光半導体装置を得た。この光半導体装置に、300mAの電流を印加して、光半導体装置を発光させた。このときの正面方向(0°:上方向)から斜め方向(−60°〜60°)に放射する光の色度(CIE、y)を測定し、0°における光の色度と、±60における光の色度との差(Δu´v´)を求めた。
各実施例および各比較例の三層被覆素子A〜Bの外観を、白色層側から目視にて観察し、以下のように評価した。結果を表1に示す。
◎:下地(蛍光体層)の色(黄色)が完全に確認できなかった。
○:下地の色がほとんど確認できなかった。
△:下地の色が僅かに確認できた。
×:下地の色がはっきりと確認できた。
各実施例および各比較例の三層被覆素子A〜Bを、ダイオード基板にフリップチップ実装して、光半導体装置を得た。この光半導体装置に、300mAの電流を印加して、全光束を測定した。なお、マルチチャンネル分光器(「MCPD−9800」、大塚電子社製)を用いて、露光時間19ms、積算回数16回の測定条件にて測定した。結果を表1に示す。
2 白色層
3 光拡散層
6 光半導体素子
Claims (9)
- 光半導体素子を直接的または間接的に被覆するように使用されるシートであって、
白色粒子を含有する白色層と、光拡散粒子を含有する光拡散層とを厚み方向に順に備えることを特徴とする、光半導体素子被覆用シート。 - 前記光半導体素子被覆用シートの厚み方向における明度L*が、51.2以上67.7以下であることを特徴とする、請求項1に記載の光半導体素子被覆用シート。
- 前記光半導体素子被覆用シートの厚み方向における明度L*が、55.7以上66.6以下であることを特徴とする、請求項2に記載の光半導体素子被覆用シート。
- 前記光拡散層の半値角が、20°以上120°以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆用シート。
- 前記光拡散層の半値角が、40°以上120°以下であることを特徴とする、請求項4に記載の光半導体素子被覆用シート。
- 前記白色層の厚みが、30μm以上200μm以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆用シート。
- 前記光拡散層の厚みが、30μm以上600μm以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆用シート。
- 前記光拡散層が、Bステージの樹脂を含有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆用シート。
- 前記光拡散層は、周波数1Hzおよび昇温速度20℃/分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線が、極小値を有し、
前記極小値における温度Tが、40℃以上200℃以下の範囲にあり、
前記極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上90,000Pa以下の範囲にあることを特徴とする、請求項8に記載の光半導体素子被覆用シート。
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