CN112563396B - 一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构及制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构，具有双层封装结构：内层为含KSF荧光粉的荧光胶膜；外层是含有无机填料的透明胶膜；首先倒装LED芯片阵列于基板上，其次芯片五面真空保型贴合含KSF荧光粉的荧光胶膜，然后沿封装体外立面切割底部胶膜，再将切割后的封装体二次阵列于基板上，切割后的封装体外面通过真空压合封装含微米级无机填料的有机硅透明胶膜，最后固化后进行CSP封装体切割。本发明具有优异的抗潮气性能和高硬度、导热及抗光衰性能，可以用于大功率LED器件，提升成品CSP封装体的整体性能。

Description

一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构及制 造方法

技术领域

本发明涉及一种背光领域，尤其是涉及一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构及制造方法。

背景技术

随着倒装LED芯片CSP(芯片级封装)制造技术的日渐成熟，TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)采用CSP(芯片级封装)的白光LED作为背光发光元件逐渐成为主流，为追求高色域显示效果，LED荧光粉采用半峰宽较窄的KSF氟化物荧光粉及β-SiAlON荧光粉组合。KSF类荧光粉由于遇水会发生化学反应而变质，虽然荧光粉厂商有进行荧光粉表面钝化处理，但针对长期可靠性要求，单纯的进行KSF荧光粉的表面处理不能阻止水汽的进入，即采用普通的单层五面封装结构不能达到保护KSF荧光粉的目的。所以，需要从结构设计上考虑将含KSF的封装材料置于封装体内层、且封装制造过程中排除以水作为降温介质的切割工艺。

背光应用通常使用中大功率的LED CSP，芯片发出的蓝光激发荧光粉时释放大量的热，而硅胶的导热能力差，普通单层胶膜封装的五面CSP在大功率点亮时，会出现裂胶问题，导致关于失效或者色坐标变化，所以需要解决封装体散热问题。硅胶的硬度相对较低，封装体表面容易划伤，分选机操作性能不佳，所以需要提高封装体的硬度。所以，开发一种抗潮气、高硬度、耐热的芯片级封装LED尤为重要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片级封装结构及制造方法，属于用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构及制造方法。

本发明的技术目的通过下述技术方案予以实现。

一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构(即芯片级封装结构)，具有双层封装结构：内层为含KSF荧光粉的荧光胶膜；外层是含有无机填料的透明胶膜。

荧光胶膜的厚度为30-70um，透明胶膜的厚度为50-80um。

芯片级封装结构的制造方法包括以下步骤：(1)倒装LED晶片阵列于基板上；(2)芯片五面真空保型贴合含KSF荧光粉的荧光胶膜；(3)沿封装体外立面切割底部胶膜；(4)切割后的封装体二次阵列于基板上；(5)切割后的封装体外面通过真空压合封装含微米级无机填料的有机硅透明胶膜；(6)固化后进行芯片级封装体切割。

含KSF荧光粉的荧光胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取：道康宁高折有机硅封装树脂A、B组分共20-99份，KSF荧光粉1-80份，β-SiAlON荧光粉1-80份，搅拌机混合均匀后得到混合物4；每一质量份为1g；优选道康宁高折有机硅封装树脂A、B组分共40-80份，KSF荧光粉10-40份，β-SiAlON荧光粉10-50份；

步骤2，将混合物4挤出或涂覆或压延至离型膜上，形成厚度30-70um均匀的胶膜。

在含有无机填料的透明胶膜中，无机填料的质量百分数为1—60％(即无机填料质量/透明胶膜质量)，优选10—60％。

无机填料为微米级无机填料，通式可以表示为M_{(1-x-y-z-u)+ v}A_xB_yC_zD_uE_vO_{0.5(1+x+2y+3z+3u)}，其中M＝Na，K；A＝Mg、Ca、Sr、Zn；B＝B、Al、Ga；C＝Si、Ge、Sn；D＝Zr、Ti；E＝F、Cl；对各元素的含量，规定x<0.3；0.1<y<0.3；0.4<z<0.7；u<0.3；v<0.1，并且x+y+z+u-v>0.1，具体详见申请人在先申请2019104635590。

含有无机填料的透明胶膜即含微米级无机填料的透明胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取市售成品高折有机硅封装树脂A、B组分(如道康宁OE-6650树脂)共40-99份，1-60份微米级无机填料(两者之和为100质量份)，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物1；

步骤2，将将混合物1挤出或者涂覆或者压延至离型膜上，形成厚度50-80um均匀的有机硅透明胶膜。

含有无机填料的透明胶膜即含微米级无机填料的透明胶膜，还可以按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取：10-50份苯基乙烯基硅树脂，1-60份微米级无机填料，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物2；

所述苯基乙烯基硅树脂的乙烯基含量为0.001重量％-15重量％、粘度为1000-200000mPa.s；

步骤2，按质量称取：0.00005～0.001份抑制剂，0.1～5份增粘剂，3.0×10-4～1.5×10-3份卡式铂金催化剂，氢含量为0.1重量％-1.6重量％、粘度为5-20000mPa.s的苯基含氢硅油，使所述苯基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物2中乙烯基摩尔数的1.01-5倍；

步骤3，将步骤2的各个组分加入到混合物2(各个组分质量之和为100质量份)，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物3，将混合物3通过挤出或者压延或者涂覆的方式制得厚度为50-80um的有机硅透明胶膜。

本发明的芯片级封装结构的制造方法，按照下述步骤进行：

步骤(1)，将倒装LED芯片阵列于基板上，晶片通过耐200℃以上的高温胶带固定，LED芯片(或称为LED晶片)数量为1-10000颗；

在步骤(1)中，所用的倒装LED芯片尺寸为3535、4040、4545或者其他尺寸的额定功率在1w以上的倒装芯片。

步骤(2)，芯片五面真空保型贴合含KSF荧光粉的荧光胶膜12；

在步骤(2)中，荧光胶膜是用道康宁A/B双组份硅胶制备的，荧光粉添加量为5-80重量％(即荧光粉质量/荧光胶膜质量)，通过挤出或者压延或者涂覆的方式，制备成30-70um厚度的薄膜。

步骤(3)，沿步骤(2)得到的封装体的外立面切割底部胶膜；

步骤(4)，切割后的封装体二次阵列于基板上封装，通过耐200℃以上的高温胶带固定；

步骤(5)，阵列后的封装体通过真空压合封装含微米级无机填料的(有机硅)透明胶膜；

在步骤(5)中，所用的含微米级无机填料的(有机硅)透明胶膜可用市售的A/B双组份硅胶，如道康宁OE-6650A/B，40-99份，1-60份微米级无机填料，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后通过挤出或者压延或者涂覆的方式，制备成厚度为50-80um的有机硅透明胶膜。

步骤(6)，于150℃烤箱固化后进行CSP(chip scale package)封装体的切割，形成单颗用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装光源。

在步骤(5)中透明胶膜是一种热熔材料，即一种有机硅树脂半固化预聚物，其流变特性如下：由TA DHR流变仪，直径D＝25mm的椎板测试，震荡频率1Hz，应变0.1％，测试温度范围为25℃—150℃，升温速率为5℃/分，储存模量Gˊ值为20-2000KPa、损耗模量为30-900KPa，凝胶点出现在7.2min；流变特性需满足粘度6000-8000mPa.s，测试温度为60℃，转子旋转速度20RPM。

与现有技术相比，本发明通过双层封装，将KSF荧光粉与硅胶预制成超薄荧光胶膜(30-70um)置于芯片表面而远离封装体表面，然后在外层用预制的含有微米级无机填料的透明荧光胶膜再次封装，无机填料具有优异的防潮性能，充分保护KSF荧光粉免受水汽的影响，而且封装过程中的前两次切割制程均采用基于片状刀具的“干法”切割。这样的结构优点是，首先内层超薄结构产生的热量低而且更容易传导至基板进行散热，其次是外层胶膜中微米级的填料贡献出优异的耐热性能，从而使整体的封装结构具有良好的耐热性能，可用于大功率器件。而且外层胶膜中微米级的填料还增加了外层胶膜的硬度，使封装后的CSP具有更高的硬度，避免划伤而且易于分选机操作。

附图说明

图1为普通五面出光CSP的结构示意图；1-倒装芯片；2-添加荧光粉的有机硅胶膜；3-荧光粉颗粒。

图2为本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的示意图；11-倒装芯片；12-含有KSF荧光粉的荧光胶膜；13-KSF和β-SiAlON的荧光粉组合；14-含有微米级无机填料的有机硅透明胶膜；15-微米级无机填料。

图3为本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法流程图。

具体实施方式

下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。本技术领域的人士可通过说明书中的内容轻易地了解本发明的优点。在进一步描述本发明具体实施方式之前，应理解，本发明的保护范围并不局限于下述特定的实施例；下述实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件，或者按照厂商所建议的条件。当实施例给出数值范围时，应理解，除非本发明另有说明，每个数值范围的两个端点以及两个端点之间任何一个数值均可选用。

图1是现有技术中普通五面出光CSP的结构示意图，倒装芯片外部设置添加荧光粉的有机硅胶膜。本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构如图2所示，其中含有KSF荧光粉的荧光胶膜12保型贴合在倒装芯片11的四周，荧光胶膜的厚度为30um，50um，70um，其中含有KSF和β-SiAlON的荧光粉组合13；最外层是含有微米级无机填料的有机硅透明胶层14，其中含有的微米级无机填料15具有抗潮气性能，能充分保护内层KSF荧光粉不被破坏，厚度为80um。

本发明所使用的各成分物质如下：

(1)荧光胶膜用胶水，LF-1112A、LF-1112B，THE DOW CHEMICAL COMPANY。

(2)KSF和β-SiAlON荧光粉，KR-3K01、GR-MW540K8SD，日本电气化学株式会社。

(3)微米级无机填料，TLF-158,天津德高化成新材料股份有限公司。

(4)有机硅透明层所用胶水，OE-6650A、OE-6650B，THE DOW CHEMICAL COMPANY。

(5)倒装芯片，F36A-CB，华灿光电股份有限公司。

(6)抗沉淀粉，DM-30，德山化工(浙江)有限公司。

(7)真空贴合机，VHP-200，日东精密回路技术(深圳)有限公司。

(8)排片机，LEDA.PNP M6500 MAPPING SORTER，日东精密回路技术(深圳)有限公司。

(9)鼓风干燥箱，DHG-9070A，上海一恒科学仪器有限公司。

(10)精密划片切割机，DS613，沈阳和研科技有限公司。

以下实施例中测试用的荧光胶膜的组成如下：称取LF-1112A胶水20重量份、LF-1112B胶水20重量份、KR-3K01荧光粉40总量份、GR-MW540K8SD荧光粉20重量份，混合均匀后，涂覆成厚度为30um的荧光胶膜。

以下实施例中测试用的含有微米级透明填料的有机硅透明胶膜的组成如下：称取OE-6650A/B共39-98重量份，DM-30 1重量份，微米级无机填料1-60份，混合均匀后，涂覆成厚度为80um的透明胶膜。)

以下实施例中测试用的CSP的制备方法如下：将倒装F36A-CB用MPI排片机排列，然后将胶膜放于芯片上面用真空贴合机贴合在一起，放于股份干燥箱中150℃烘烤2hrs后用精密划片切割机进行切割，成为单颗CSP。

本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构如图2所示，其最外层是含有微米级无机填料的有机硅透明胶层14，其中含有的微米级无机填料15具有抗潮气性能，能充分保护内层KSF荧光粉不被破坏。表一为透明胶膜中微米级无机填料的添加量与吸水率的关系。吸水率测试方法如下：将预制的含有不同添加量的微米级无机填料的厚度为80um的透明胶膜裁切成50mm*20mm的长条，称重M₀，然后浸于沸水中煮1小时，然后取出用无尘纸吸干胶膜表面水分，再称重M₁，然后带入公式一求得沸水吸收率。测试结果显示，不添加微米级无机填料的胶膜沸水吸收率最大，加入微米级无机填料的胶膜沸水吸收率随着填料的含量增加而降低。

沸水吸收率＝(M₁-M₀)/M₀*100％ (公式)

表一微米级无机填料的添加量与吸水率的关系

本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构如图2所示，其最外层是含有微米级无机填料的有机硅透明胶层14，其中含有的微米级无机填料15添加量在1-60重量％，可以增加有机硅胶膜的硬度至ShoreD70～ShoreD80，可以防止CSP划伤且利于成品CSP的分选操作。将预制的含有不同添加量的微米级无机填料的厚度为80um的透明胶膜进行硬度测试，硬度的测试设备为ShoreD数显邵氏硬度计，上海双旭电子有限公司。表二为微米级无机填料的添加量与硬度的关系。硬度随着微米级无机填料添加量的增加而增大。

表二微米级无机填料的添加量与硬度的关系。

本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构如图2所示，其最外层是含有微米级无机填料的有机硅透明胶层14，其中含有的微米级无机填料15具有优异的导热及抗光衰性能，可用于1W以上的大功率LED器件。以下热阻测试设备为T3Ster热阻测试仪，深圳市迈昂科技有限公司。表三为微米级无机填料的添加量与热阻的关系，结果显示，最外层透明层中微米级无机填料的添加量越大，热阻越低，即产品的导热性能越好。

表三微米级无机填料的添加量与热阻的关系

本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构如图2所示，其最外层是含有微米级无机填料的有机硅透明胶层14，其中含有的微米级无机填料15可以提升CSP成品的出光效率。表四为本发明双层结构CSP(其中外层透明胶层中添加20％重量份微米级无机填料)与普通双层结构CSP(即KSF荧光层与普通透明层封装的CSP)进行远场光学测试的对比结果，其中内层KSF荧光层完全相同。测试设备为LED626分布光度计，杭州远方光电信息股份有限公司。测试范围为C0-180度，即测试-90°—90度的光强分布数据，测试间隔为1.0度。测试结果显示，本发明双层结构CSP的光效更高，而且平均光强扩散角更大，即出光光型更好。

表四本发明制备的双层结构CSP与普通双层结构CSP远场光学测试的对比结果

本发明所述的如图2中微米级无机填料15粒径：D10为1-3um，D50为10-15um，D90为40-50um，D97为60-70um。粒径过大时，预制的胶膜表面有荧光粉大颗粒造成的凸起，封装成csp后表面不光滑，严重的会影响csp封装体的色温一致性；粒径过小时，则对增加硬度、抗潮气、耐热等性能作用不明显。

本发明所述的如图2中微米级无机填料15的添加量在1-60重量％，优选10-50重量％添加量。因为添加量低于10％时，其对于抗潮气、提高硬度、耐热及抗光衰的作用不明显；而添加量高于50％时，整个有机硅体系的粘度过高(＞50000mPa.s)，预制成膜困难。

如图2所示，倒装芯片11四周保型贴合的含有KSF荧光粉的荧光胶膜12中，添加的KSF和β-SiAlON的荧光粉组合是DENKA日本电气化学-上海大都(总公司)提供的。

本发明用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法流程图如图3所示，其制作方法包括以下步骤：

(1)将倒装LED芯片阵列于基板上，晶片通过耐200℃以上的高温胶带固定；

(2)芯片五面真空保型贴合含KSF荧光粉的荧光胶膜12；

(3)沿封装体的外立面切割底部胶膜；

(4)切割后的封装体二次阵列于基板上封装体通过耐200℃以上的高温胶带固定；

(5)阵列后的封装体通过真空压合封装含微米级无机填料的有机硅透明胶膜；

(6)于150℃烤箱固化后进行CSP(chip scale package)封装体的切割，形成单颗用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装光源。

步骤(1)所用的倒装LED芯片尺寸为3535、4040、4545或者其他尺寸的额定功率在1w以上的倒装芯片。

步骤(2)所用的含KSF荧光粉的荧光胶膜是用道康宁A/B双组份硅胶制备的，荧光粉添加量为5-80重量％，通过挤出或者压延或者涂覆的方式，制备成30-70um厚度的薄膜。

步骤(5)所用的含微米级无机填料的有机硅透明胶膜可用市售的A/B双组份硅胶，如道康宁OE-6650A/B，40-99份，1-60份微米级无机填料，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后通过挤出或者压延或者涂覆的方式，制备成厚度为50-80um的有机硅透明胶膜。

本发明制备的CSP产品与单层胶膜普通五面CSP封装体以及含KSF荧光层与普通透明层的双层封装CSP产品做1000小时点亮老化测试，对比结果如表五所示。其中所用晶片都是55*55mil，点亮电压为3V，电流1500mA。测试结果中CIE X和CIE Y的变化值ΔX和ΔY越小表示产品性能越好。点亮1000小时后置于100℃红墨水中2小时，然后观察封装胶层是否有红墨水渗入，若有，则表示性能差；若无，则表示性能好。测试结果是，普通单层五面CSP和普通双层结构CSP(即KSF荧光层与普通透明层封装的CSP)表面封装胶层中均有红墨水渗入，而本发明双层结构CSP(其中外层透明胶层中添加20％重量份微米级无机填料)的表面封装层中没有红墨水。

表五1000小时点亮老化测试对比数据

由所述实例制备的CSP封装体，抗潮气性能、耐热及抗光衰性能优异，而且有较高的硬度及出光效率，适合于对潮气敏感的高色域背光应用。

根据本发明内容进行工艺参数和材料的调整，均可实现本发明的芯片封装结构，且表现出与本发明基本一致的性能。以上对本发明做了示例性的描述，应该说明的是，在不脱离本发明的核心的情况下，任何简单的变形、修改或者其他本领域技术人员能够不花费创造性劳动的等同替换均落入本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构，具有双层封装结构：内层为含KSF荧光粉的荧光胶膜，其特征在于，外层是含有无机填料的透明胶膜；在含有无机填料的透明胶膜中，无机填料的质量百分数为1—60％，无机填料为微米级无机填料，通式表示为M_{(1-x-y-z-u)+v}A_xB_yC_zD_uE_vO_{0.5(1+x+2y+3z+3u)}，其中M＝Na或K；A＝Mg、Ca、Sr或Zn；B＝B、Al或Ga；C＝Si、Ge或Sn；D＝Zr或Ti；E＝F或Cl；对各元素的含量，规定x<0.3；0.1<y<0.3；0.4<z<0.7；u<0.3；v<0.1，并且x+y+z+u-v>0.1，荧光胶膜的厚度为30-70um，透明胶膜的厚度为50-80um。

2.根据权利要求1所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构，其特征在于，在含有无机填料的透明胶膜中，无机填料的质量百分数为10—60％。

3.根据权利要求1所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构，其特征在于，含KSF荧光粉的荧光胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取：道康宁高折有机硅封装树脂A、B组分共20-99份，KSF荧光粉1-80份，β-SiAlON荧光粉1-80份，搅拌机混合均匀后得到混合物4；每一质量份为1g；

步骤2，将混合物4挤出或涂覆或压延至离型膜上，形成厚度30-70um均匀的胶膜。

4.根据权利要求1所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构，其特征在于，含有无机填料的透明胶膜即含微米级无机填料的透明胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取市售成品高折有机硅封装树脂A、B组分共40-99份，1-60份微米级无机填料，两者之和为100质量份，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物1；

步骤2，将将混合物1挤出或者涂覆或者压延至离型膜上，形成厚度50-80um均匀的有机硅透明胶膜。

5.根据权利要求1所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构，其特征在于，含有无机填料的透明胶膜即含微米级无机填料的透明胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取：10-50份苯基乙烯基硅树脂，1-60份微米级无机填料，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物2；所述苯基乙烯基硅树脂的乙烯基含量为0.001重量％-15重量％、粘度为1000-200000mPa.s；

步骤2，按质量称取：0.00005～0.001份抑制剂，0.1～5份增粘剂，3.0×10-4～1.5×10-3份卡式铂金催化剂，氢含量为0.1重量％-1.6重量％、粘度为5-20000mPa.s的苯基含氢硅油，使所述苯基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物2中乙烯基摩尔数的1.01-5倍；

步骤3，将步骤2的各个组分加入到混合物2，各个组分质量之和为100质量份，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物3，将混合物3通过挤出或者压延或者涂覆的方式制得厚度为50-80um的有机硅透明胶膜。

6.一种如权利要求1所述的用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法，其特征在于，按照下述步骤进行：

步骤(1)将倒装LED芯片阵列于基板上；

步骤(2)，芯片五面真空保型贴合含KSF荧光粉的荧光胶膜；

步骤(3)，沿步骤(2)得到的封装体的外立面切割底部胶膜；

步骤(4)，切割后的封装体二次阵列于基板上封装；

步骤(5)，切割后的封装体外面通过真空压合封装含微米级无机填料的有机硅透明胶膜；

步骤(6)，固化后进行芯片级封装体切割，形成单颗用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装光源。

7.根据权利要求6所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法，其特征在于，在步骤(1)中，晶片通过耐200℃以上的高温胶带固定，LED芯片数量为1-10000颗，所用的倒装LED芯片尺寸为3535、4040、4545或者其他尺寸的额定功率在1w以上的倒装芯片。

8.根据权利要求6所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法，其特征在于，在步骤(2)中，含KSF荧光粉的荧光胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取：道康宁高折有机硅封装树脂A、B组分共20-99份，KSF荧光粉1-80份，β-SiAlON荧光粉1-80份，搅拌机混合均匀后得到混合物4；每一质量份为1g；

步骤2，将混合物4挤出或涂覆或压延至离型膜上，形成厚度30-70um均匀的胶膜。

9.根据权利要求6所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法，其特征在于，在步骤(4)中，通过耐200℃以上的高温胶带固定封装体。

10.根据权利要求6所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法，其特征在于，在步骤(5)中，含有无机填料的透明胶膜即含微米级无机填料的透明胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取市售成品高折有机硅封装树脂A、B组分共40-99份，1-60份微米级无机填料，两者之和为100质量份，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物1；

步骤2，将将混合物1挤出或者涂覆或者压延至离型膜上，形成厚度50-80um均匀的有机硅透明胶膜。

11.根据权利要求6所述的一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构的制造方法，其特征在于，在步骤(5)中，含有无机填料的透明胶膜即含微米级无机填料的透明胶膜，按照下述步骤进行制备：

步骤1，按质量称取：10-50份苯基乙烯基硅树脂，1-60份微米级无机填料，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物2；所述苯基乙烯基硅树脂的乙烯基含量为0.001重量％-15重量％、粘度为1000-200000mPa.s；

步骤2，按质量称取：0.00005～0.001份抑制剂，0.1～5份增粘剂，3.0×10-4～1.5×10-3份卡式铂金催化剂，氢含量为0.1重量％-1.6重量％、粘度为5-20000mPa.s的苯基含氢硅油，使所述苯基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物2中乙烯基摩尔数的1.01-5倍；

步骤3，将步骤2的各个组分加入到混合物2，各个组分质量之和为100质量份，经搅拌机、混炼机或者捏合机混合均匀后得混合物3，将混合物3通过挤出或者压延或者涂覆的方式制得厚度为50-80um的有机硅透明胶膜。

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