TWI734346B - 用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構及製造方法 - Google Patents

用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構及製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明公開一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構，具有雙層封裝結構：內層為含KSF螢光粉的螢光膠膜；外層是含有無機填料的透明膠膜；首先倒裝LED晶片陣列於基板上，其次晶片五面真空保型貼合含KSF螢光粉的螢光膠膜，然後沿封裝體外立面切割底部膠膜，再將切割後的封裝體二次陣列於基板上，切割後的封裝體外面通過真空壓合封裝含微米級無機填料的有機矽透明膠膜，最後固化後進行CSP封裝體切割。本發明具有優異的抗潮氣性能和高硬度、導熱及抗光衰性能，可以用於大功率LED器件，提升成品CSP封裝體的整體性能。

Description

用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構及製造方法
本發明涉及一種背光領域，尤其是涉及一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構及製造方法。
隨著倒裝LED晶片級封裝（chip scale package, CSP）製造技術的日漸成熟，TFT-LCD（薄膜電晶體液晶顯示器）採用CSP（晶片級封裝）的白光LED作為背光發光元件逐漸成為主流，為追求高色域顯示效果，LED螢光粉採用半峰寬較窄的KSF氟化物螢光粉及ß-SiAlON螢光粉組合。KSF類螢光粉由於遇水會發生化學反應而變質，雖然螢光粉廠商有進行螢光粉表面鈍化處理，但針對長期可靠性要求，單純的進行KSF螢光粉的表面處理不能阻止水氣的進入，即採用普通的單層五面封裝結構不能達到保護KSF螢光粉的目的。所以，需要從結構設計上考慮將含KSF的封裝材料置於封裝體內層、且封裝製造過程中排除以水作為降溫介質的切割製程。
背光應用通常使用中大功率的LED CSP，晶片發出的藍光激發螢光粉時釋放大量的熱，而矽膠的導熱能力差，普通單層膠膜封裝的五面CSP在大功率點亮時，會出現裂膠問題，導致關於失效或者色座標變化，所以需要解決封裝體散熱問題。矽膠的硬度相對較低，封裝體表面容易劃傷，分選機操作性能不佳，所以需要提高封裝體的硬度。所以，開發一種抗潮氣、高硬度、耐熱的晶片級封裝LED尤為重要。
本發明的目的在於提供一種晶片級封裝結構及製造方法，屬於用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構及製造方法。
本發明的技術目的通過下述技術方案予以實現。
一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構（即晶片級封裝結構），具有雙層封裝結構：內層為含KSF螢光粉的螢光膠膜；外層是含有無機填料的透明膠膜。
螢光膠膜的厚度為30-70um，透明膠膜的厚度為50-80um。
晶片級封裝結構的製造方法包括以下步驟：（1）倒裝LED晶片陣列於基板上；（2）晶片五面真空保型貼合含KSF螢光粉的螢光膠膜；（3）沿封裝體外立面切割底部膠膜；（4）切割後的封裝體二次陣列於基板上；（5）切割後的封裝體外面通過真空壓合封裝含微米級無機填料的有機矽透明膠膜；（6）固化後進行晶片級封裝體切割。
含KSF螢光粉的螢光膠膜，按照下述步驟進行製備： 步驟1，按質量稱取：道康寧高折有機矽封裝樹脂A、B組分共20-99份，KSF螢光粉1-80份，β-SiAlON螢光粉1-80份，攪拌機混合均勻後得到混合物4；每一質量份為1g；優選道康寧高折有機矽封裝樹脂A、B組分共40-80份，KSF螢光粉10-40份，β-SiAlON螢光粉10-50份； 步驟2，將混合物4擠出或塗覆或壓延至離型膜上，形成厚度30-70um均勻的膠膜。
在含有無機填料的透明膠膜中，無機填料的質量百分比為1-60%（即無機填料質量/透明膠膜質量），優選10-60%。
無機填料為微米級無機填料，通式可以表示為M(1-x-y-z-u)+vAxByCzDuEvO0.5(1+x+2y+3z+3u)，其中M=Na，K；A=Mg、Ca、Sr、Zn；B=B、Al、Ga；C=Si、Ge、Sn；D=Zr、Ti；E=F、Cl；對各元素的含量，規定x<0.3；0.1<y<0.3；0.4<z<0.7；u<0.3；v<0.1，並且x+y+z+u-v>0.1，具體詳見申請人在先申請之中國專利案申請號2019104635590。
含有無機填料的透明膠膜即含微米級無機填料的透明膠膜，按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取市售成品高折有機矽封裝樹脂A、B組分(如道康寧OE-6650樹脂)共40-99份，1-60份微米級無機填料(兩者之和為100質量份)，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物1；步驟2，將混合物1擠出或者塗覆或者壓延至離型膜上，形成厚度50-80um均勻的有機矽透明膠膜。
含有無機填料的透明膠膜即含微米級無機填料的透明膠膜，還可以按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取：10-50份苯基乙烯基矽樹脂，1-60份微米級無機填料，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物2；所述苯基乙烯基矽樹脂的乙烯基含量為0.001重量%-15重量%、黏度為1000-200000mPa.s；步驟2，按質量稱取：0.00005~0.001份抑制劑，0.1~5份增黏劑，3.0×10-4~1.5×10-3份卡式鉑金催化劑，氫含量為0.1重量%-1.6重量%、黏度為5-20000mPa.s的苯基含氫矽油，使所述苯基含氫矽油中的Si-H摩爾數是混合物2中乙烯基摩爾數的1.01-5倍；步驟3，將步驟2的各個組分加入到混合物2(各個組分質量之和為100質量份)，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物3，將混合物3通過擠出或者壓延或者塗覆的方式製得厚度為50-80um的有機矽透明膠 膜。
本發明的晶片級封裝結構的製造方法，按照下述步驟進行：
步驟(1)，將倒裝LED晶片陣列於基板上，晶片通過耐200℃以上的高溫膠帶固定，LED晶片(或稱為LED晶片)數量為1-10000顆；在步驟(1)中，所用的倒裝LED晶片尺寸為3535、4040、4545或者其他尺寸的額定功率在1w以上的倒裝晶片。
步驟(2)，晶片五面真空保型貼合含KSF螢光粉的螢光膠膜12；在步驟(2)中，螢光膠膜是用道康寧A/B雙組份矽膠製備的，螢光粉添加量為5-80重量%(即螢光粉質量/螢光膠膜質量)，通過擠出或者壓延或者塗覆的方式，製備成30-70um厚度的薄膜。
步驟(3)，沿步驟(2)得到的封裝體的外立面切割底部膠膜；
步驟(4)，切割後的封裝體二次陣列於基板上封裝，通過耐200℃以上的高溫膠帶固定；
步驟(5)，陣列後的封裝體通過真空壓合封裝含微米級無機填料的(有機矽)透明膠膜；在步驟(5)中，所用的含微米級無機填料的(有機矽)透明膠膜可用市售的A/B雙組份矽膠，如道康寧OE-6650A/B，40-99份，1-60份微米級無機填料，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後通過擠出或者壓延或者塗覆的方式，製備成厚度為50-80um的有機矽透明膠膜。
步驟(6)，於150℃烤箱固化後進行CSP(chip scale package)封裝體的切割，形成單顆用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝光源。
在步驟(2)中螢光膠膜是一種熱熔材料，即一種有機矽樹脂半固化預聚物，其流變特性如下：由TA DHR流變儀，直徑D=25mm的椎板測試，震盪頻率1Hz，應變0.1%，測試溫度範圍為25℃-150℃，升溫速率為5℃/分，儲存模量Gˊ值為20-2000KPa、損耗模量為30-900KPa，凝膠點出現在7.2min；流變特性需滿足黏度6000-8000mPa.s，測試溫度為60°C，轉子旋轉速度20RPM。
與現有技術相比，本發明通過雙層封裝，將KSF螢光粉與矽膠預製成超薄螢光膠膜（30-70um）置於晶片表面而遠離封裝體表面，然後在外層用預製的含有微米級無機填料的透明螢光膠膜再次封裝，無機填料具有優異的防潮性能，充分保護KSF螢光粉免受水氣的影響，而且封裝過程中的前兩次切割製程均採用基於片狀刀具的“乾法”切割。這樣的結構優點是，首先內層超薄結構產生的熱量低而且更容易傳導至基板進行散熱，其次是外層膠膜中微米級的填料貢獻出優異的耐熱性能，從而使整體的封裝結構具有良好的耐熱性能，可用於大功率器件。而且外層膠膜中微米級的填料還增加了外層膠膜的硬度，使封裝後的CSP具有更高的硬度，避免劃傷而且易於分選機操作。
下面結合具體實施例進一步說明本發明的技術方案。本技術領域的人士可通過說明書中的內容輕易地瞭解本發明的優點。在進一步描述本發明具體實施方式之前，應理解，本發明的保護範圍並不局限於下述特定的實施例；下述實施例中未注明具體條件的實驗方法，通常按照常規條件，或者按照廠商所建議的條件。當實施例給出數值範圍時，應理解，除非本發明另有說明，每個數值範圍的兩個端點以及兩個端點之間任何一個數值均可選用。
圖1是現有技術中普通五面出光CSP的結構示意圖，倒裝晶片外部設置添加螢光粉的有機矽膠膜。本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構如圖2所示，其中含有KSF螢光粉的螢光膠膜12保型貼合在倒裝晶片11的四周，螢光膠膜12的厚度為30um、50um或70um，其中含有KSF和β-SiAlON的螢光粉組合13；最外層是含有微米級無機填料的有機矽透明膠層14，其中含有的微米級無機填料15具有抗潮氣性能，能充分保護內層KSF螢光粉不被破壞，厚度為80um。
本發明所使用的各成分物質如下： （1）螢光膠膜用膠水，LF-1112A、LF-1112B，THE DOW CHEMICAL COMPANY。 （2）KSF和β-SiAlON螢光粉，KR-3K01、GR-MW540K8SD，日本電氣化學株式會社。 （3）微米級無機填料，TLF-158,天津德高化成新材料股份有限公司。 （4）有機矽透明層所用膠水，OE-6650A、OE-6650B，THE DOW CHEMICAL COMPANY。 （5）倒裝晶片，F36A-CB，華燦光電股份有限公司。 （6）抗沉澱粉，DM-30，德山化工(浙江)有限公司。 （7）真空貼合機，VHP-200，日東精密回路技術（深圳）有限公司。 （8）排片機，LEDA.PNP M6500 MAPPING SORTER，日東精密回路技術（深圳）有限公司。 （9）鼓風乾燥箱，DHG-9070A，上海一恒科學儀器有限公司。 （10）精密劃片切割機，DS613，瀋陽和研科技有限公司。
以下實施例中測試用的螢光膠膜的組成如下：稱取LF-1112A膠水20重量份、LF-1112B膠水20重量份、KR-3K01螢光粉40總量份、GR-MW540K8SD螢光粉20重量份，混合均勻後，塗覆成厚度為30um的螢光膠膜。
以下實施例中測試用的含有微米級透明填料的有機矽透明膠膜的組成如下：稱取OE-6650A/B共39-98重量份，DM-30 1重量份，微米級無機填料1-60重量份，混合均勻後，塗覆成厚度為80um的透明膠膜。
以下實施例中測試用的CSP的製備方法如下：將倒裝F36A-CB用MPI排片機排列，然後將膠膜放於晶片上面用真空貼合機貼合在一起，放於股份乾燥箱中150℃烘烤2hrs後用精密劃片切割機進行切割，成為單顆CSP。
本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構如圖2所示，其最外層是含有微米級無機填料的有機矽透明膠層14，其中含有的微米級無機填料15具有抗潮氣性能，能充分保護內層KSF螢光粉不被破壞。表一為透明膠膜中微米級無機填料的添加量與吸水率的關係。吸水率測試方法如下：將預製的含有不同添加量的微米級無機填料的厚度為80um的透明膠膜裁切成50mm*20mm的長條，稱重M0 ，然後浸於沸水中煮1小時，然後取出用無塵紙吸乾膠膜表面水分，再稱重M1 ，然後帶入公式一求得沸水吸收率。測試結果顯示，不添加微米級無機填料的膠膜沸水吸收率最大，加入微米級無機填料的膠膜沸水吸收率隨著填料的含量增加而降低。
沸水吸收率=（M1 -M0 ）/M0 *100%  （公式）
表一  微米級無機填料的添加量與吸水率的關係
微米級無機填料的添加量 重量% 沸水吸收率 @100℃/1小時,%
0 0.104
10 0.065
20 0.061
30 0.056
40 0.050
50 0.040
60 0.036
本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構如圖2所示，其最外層是含有微米級無機填料的有機矽透明膠層14，其中含有的微米級無機填料15添加量在1-60重量%，可以增加有機矽膠膜的硬度至ShoreD70~ShoreD80，可以防止CSP劃傷且利於成品CSP的分選操作。將預製的含有不同添加量的微米級無機填料的厚度為80um的透明膠膜進行硬度測試，硬度的測試設備為ShoreD數顯邵氏硬度計，上海雙旭電子有限公司。表二為微米級無機填料的添加量與硬度的關係。硬度隨著微米級無機填料添加量的增加而增大。
表二  微米級無機填料的添加量與硬度的關係
微米級無機填料的添加量 重量% 硬度 ShoreD
0 69
1-10 70-71
11-20 71-73
21-30 73-75
31-40 75-77
41-50 77-79
51-60 79-80
本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構如圖2所示，其最外層是含有微米級無機填料的有機矽透明膠層14，其中含有的微米級無機填料15具有優異的導熱及抗光衰性能，可用於1W以上的大功率LED器件。以下熱阻測試設備為T3Ster熱阻測試儀，深圳市邁昂科技有限公司。表三為微米級無機填料的添加量與熱阻的關係，結果顯示，最外層透明層中微米級無機填料的添加量越大，熱阻越低，即產品的導熱性能越好。
表三  微米級無機填料的添加量與熱阻的關係
微米級無機填料的添加量 重量% 熱阻 ℃/W
0 5.941
10 5.750
20 5.542
30 5.280
40 4.983
50 4.511
60 3.814
本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構如圖2所示，其最外層是含有微米級無機填料的有機矽透明膠層14，其中含有的微米級無機填料15可以提升CSP成品的出光效率。表四為本發明雙層結構CSP（其中外層透明膠層中添加20%重量份微米級無機填料）與普通雙層結構CSP（即KSF螢光層與普通透明層封裝的CSP）進行遠場光學測試的對比結果，其中內層KSF螢光層完全相同。測試設備為LED626 分佈光度計，杭州遠方光電資訊股份有限公司。測試範圍為C0-180度，即測試-90度－90度的光強分佈資料，測試間隔為1.0度。測試結果顯示，本發明雙層結構CSP的光效更高，而且平均光強擴散角更大，即出光光型更好。
表四  本發明製備的雙層結構CSP與普通雙層結構CSP遠場光學測試的對比結果
遠場光學測試對比結果 普通雙層結構CSP 本發明雙層結構CSP
電學參數：
工作電流 30.00 mA 30.00 mA
工作電壓 2.678 V 2.645 V
光學參數：
總光通量 11.88 lm 12.18 lm
光效 147.9 lm/w 153.5 lm/w
擴散角依據： 按中心光強 　 　
平均光強擴散角θ（25%） 166.2° 168.6°
平均光強擴散角θ（50%） 140.5° 150.5°
平均光強擴散角θ（75%） 102.3° 112.9°
平均光強擴散角θ（50%） 140.5° 150.5°
本發明所述的如圖2中微米級無機填料15粒徑：D10為1-3um，D50為10-15um，D90為40-50um，D97為60-70um。粒徑過大時，預製的膠膜表面有螢光粉大顆粒造成的凸起，封裝成CSP後表面不光滑，嚴重的會影響CSP封裝體的色溫一致性；粒徑過小時，則對增加硬度、抗潮氣、耐熱等性能作用不明顯。
本發明所述的如圖2中微米級無機填料15的添加量在1-60重量%，優選10-50重量%添加量。因為添加量低於10%時，其對於抗潮氣、提高硬度、耐熱及抗光衰的作用不明顯；而添加量高於50%時，整個有機矽體系的黏度過高（＞50000mPa.s），預製成膜困難。
如圖2所示，倒裝晶片11四周保型貼合的含有KSF螢光粉的螢光膠膜12中，添加的KSF和β-SiAlON的螢光粉組合是DENKA日本電氣化學-上海大都(總公司)提供的。
本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的製造方法流程圖如圖3所示，其製作方法包括以下步驟： （1）將倒裝LED晶片陣列於基板上，晶片通過耐200℃以上的高溫膠帶固定； （2）晶片五面真空保型貼合含KSF螢光粉的螢光膠膜12； （3）沿封裝體的外立面切割底部膠膜； （4）切割後的封裝體二次陣列於基板上封裝體通過耐200℃以上的高溫膠帶固定； （5）陣列後的封裝體通過真空壓合封裝含微米級無機填料的有機矽透明膠膜； （6）於150℃烤箱固化後進行CSP（chip scale package）封裝體的切割，形成單顆用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝光源。
步驟（1）所用的倒裝LED晶片尺寸為3535、4040、4545或者其他尺寸的額定功率在1w以上的倒裝晶片。
步驟（2）所用的含KSF螢光粉的螢光膠膜是用道康寧A/B雙組份矽膠製備的，螢光粉添加量為5-80重量%，通過擠出或者壓延或者塗覆的方式，製備成30-70um厚度的薄膜。
步驟（5）所用的含微米級無機填料的有機矽透明膠膜可用市售的A/B雙組份矽膠，如道康寧OE-6650A/B ，40-99份，1-60份微米級無機填料，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後通過擠出或者壓延或者塗覆的方式，製備成厚度為50-80um的有機矽透明膠膜。
本發明製備的CSP產品與單層膠膜普通五面CSP封裝體以及含KSF螢光層與普通透明層的雙層封裝CSP產品做1000小時點亮老化測試，對比結果如表五所示。其中所用晶片都是55*55mil，點亮電壓為3V，電流1500mA。測試結果中CIE X和CIE Y的變化值ΔX和ΔY越小表示產品性能越好。點亮1000小時後置於100℃紅墨水中2小時，然後觀察封裝膠層是否有紅墨水滲入，若有，則表示性能差；若無，則表示性能好。測試結果是，普通單層五面CSP 和普通雙層結構CSP（即KSF螢光層與普通透明層封裝的CSP）表面封裝膠層中均有紅墨水滲入，而本發明雙層結構CSP（其中外層透明膠層中添加20%重量份微米級無機填料）的表面封裝層中沒有紅墨水。
表五  1000小時點亮老化測試對比資料
點亮時間/小時 ΔX（CIE X的變化） △Y（CIE Y的變化）
普通單層五面CSP 普通雙層結構CSP 本發明雙層結構CSP 普通單層五面CSP 普通雙層結構CSP 本發明雙層結構CSP
100 0.0016 0.0013 0.0010 0.0040 0.0035 0.0030
200 0.0020 0.0015 0.0012 0.0060 0.0040 0.0032
300 0.0028 0.0021 0.0015 0.0065 0.0043 0.0034
400 0.0043 0.0029 0.0019 0.0072 0.0047 0.0036
500 0.0089 0.0041 0.0025 0.0080 0.0051 0.0038
600 0.1042 膠裂 0.0055 0.0023 0.1100 膠裂 0.0065 0.0036
700 膠裂 0.0072 0.0027 膠裂 0.0083 0.0039
800 膠裂 0.1322 膠裂 0.0029 膠裂 0.1123 膠裂 0.0041
900 膠裂 膠裂 0.0031 膠裂 膠裂 0.0042
1000 膠裂 膠裂 0.0029 膠裂 膠裂 0.0039
由所述實例製備的CSP封裝體，抗潮氣性能、耐熱及抗光衰性能優異，而且有較高的硬度及出光效率，適合於對潮氣敏感的高色域背光應用。
根據本發明內容進行製程參數和材料的調整，均可實現本發明的晶片封裝結構，且表現出與本發明基本一致的性能。以上對本發明做了示例性的描述，應該說明的是，在不脫離本發明的核心的情況下，任何簡單的變形、修改或者其他本領域技術人員能夠不花費創造性勞動的等同替換均落入本發明的保護範圍。
1:倒裝晶片 2:添加螢光粉的有機矽膠膜 3:螢光粉顆粒 11:倒裝晶片 12:螢光膠膜 13:KSF和β-SiAlON的螢光粉組合 14:含有微米級無機填料的有機矽透明膠膜 15:微米級無機填料
圖1為普通五面出光CSP的結構示意圖； 圖2為本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的示意圖； 圖3為本發明用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的製造方法流程圖。
11:倒裝晶片
12:螢光膠膜
13:KSF和β-SiAlON的螢光粉組合
14:含有微米級無機填料的有機矽透明膠膜
15:微米級無機填料

Claims (10)

  1. 一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構，具有雙層封裝結構：內層為含KSF螢光粉的螢光膠膜，其特徵在於，外層是含有無機填料的透明膠膜；在含有無機填料的該透明膠膜中，該無機填料的質量百分比為1-60%，該無機填料為微米級無機填料，通式可以表示為：M(1-x-y-z-u)+vAxByCzDuEvO0.5(1+x+2y+3z+3u)，其中，M=Na、K；A=Mg、Ca、Sr、Zn；B=B、Al、Ga；C=Si、Ge、Sn；D=Zr、Ti；E=F、Cl；對各元素的含量，規定x<0.3；0.1<y<0.3；0.4<z<0.7；u<0.3；v<0.1，並且x+y+z+u-v>0.1，該螢光膠膜的厚度為30-70um，該透明膠膜的厚度為50-80um。
  2. 如請求項1所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構，其中在含有無機填料的該透明膠膜中，該無機填料的質量百分比為10-60%。
  3. 如請求項1所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構，其中含KSF螢光粉的該螢光膠膜，按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取：道康寧高折有機矽封裝樹脂A、B組分共20-99份，KSF螢光粉1-80份，β-SiAlON螢光粉1-80份，攪拌機混合均勻後得到混合物4；每一質量份為1g；優選道康寧高折有機矽封裝樹脂A、B組分共40-80份，KSF螢光粉10-40份，β-SiAlON螢光粉10-50份；及步驟2，將該混合物4擠出或塗覆或壓延至離型膜上，形成厚度30-70um均勻的膠膜。
  4. 如請求項1所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封 裝結構，其中含有無機填料的透明膠膜即含微米級無機填料的透明膠膜，按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取高折有機矽封裝樹脂A、B組分共40-99份，1-60份微米級無機填料，兩者之和為100質量份，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物1；及步驟2，將該混合物1擠出或者塗覆或者壓延至離型膜上，形成厚度50-80um均勻的有機矽透明膠膜。
  5. 如請求項1所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構，其中含有無機填料的該透明膠膜即含微米級無機填料的透明膠膜，按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取：10-50份苯基乙烯基矽樹脂，1-60份微米級無機填料，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物2；該苯基乙烯基矽樹脂的乙烯基含量為0.001重量%-15重量%、黏度為1000-200000mPa.s；步驟2，按質量稱取：0.00005~0.001份抑制劑，0.1~5份增黏劑，3.0×10-4~1.5×10-3份卡式鉑金催化劑，氫含量為0.1重量%-1.6重量%、黏度為5-20000mPa.s的苯基含氫矽油，使該苯基含氫矽油中的Si-H摩爾數是該混合物2中乙烯基摩爾數的1.01-5倍；及步驟3，將步驟2的各個組分加入到該混合物2，各個組分質量之和為100質量份，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物3，將該混合物3通過擠出或者壓延或者塗覆的方式製得厚度為50-80um的有機矽透明膠膜。
  6. 一種如請求項1所述之用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的製造方法，其特徵在於，按照下述步驟進行： 步驟(1)，將倒裝LED晶片陣列於基板上；步驟(2)，晶片五面真空保型貼合含KSF螢光粉的螢光膠膜；步驟(3)，沿步驟(2)得到的封裝體的外立面切割底部膠膜；步驟(4)，切割後的該封裝體二次陣列於基板上封裝；步驟(5)，切割後的該封裝體外面通過真空壓合封裝含微米級無機填料的有機矽透明膠膜；及步驟(6)，固化後進行晶片級封裝體切割，形成單顆用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝光源。
  7. 如請求項6所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的製造方法，其中在步驟(1)中，該倒裝LED晶片通過耐200℃以上的高溫膠帶固定，該倒裝LED晶片數量為1-10000顆，所用的該倒裝LED晶片尺寸為3535、4040、4545或者其他尺寸的額定功率在1w以上的倒裝晶片；在步驟(4)中，通過耐200℃以上的高溫膠帶固定該封裝體。
  8. 如請求項6所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的製造方法，其中在步驟(2)中，含KSF螢光粉的該螢光膠膜係按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取：道康寧高折有機矽封裝樹脂A、B組分共20-99份，KSF螢光粉1-80份，β-SiAlON螢光粉1-80份，攪拌機混合均勻後得到混合物4；每一質量份為1g；優選道康寧高折有機矽封裝樹脂A、B組分共40-80份，KSF螢光粉10-40份，β-SiAlON螢光粉10-50份；及步驟2，將該混合物4擠出或塗覆或壓延至離型膜上，形成厚度30-70um均勻的膠膜。
  9. 如請求項6所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的製造方法，其中在步驟(5)中，含微米級無機填料該透明膠膜係按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取高折有機矽封裝樹脂A、B組分共40-99份，1-60份微米級無機填料，兩者之和為100質量份，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物1；及步驟2，將將該混合物1擠出或者塗覆或者壓延至離型膜上，形成厚度50-80um均勻的有機矽透明膠膜。
  10. 如請求項6所述的一種用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構的製造方法，其中在步驟(5)中，含微米級無機填料的該透明膠膜係按照下述步驟進行製備：步驟1，按質量稱取：10-50份苯基乙烯基矽樹脂，1-60份微米級無機填料，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物2；該苯基乙烯基矽樹脂的乙烯基含量為0.001重量%-15重量%、黏度為1000-200000mPa.s；步驟2，按質量稱取：0.00005~0.001份抑制劑，0.1~5份增黏劑，3.0×10-4~1.5×10-3份卡式鉑金催化劑，氫含量為0.1重量%-1.6重量%、黏度為5-20000mPa.s的苯基含氫矽油，使該苯基含氫矽油中的Si-H摩爾數是該混合物2中乙烯基摩爾數的1.01-5倍；及步驟3，將步驟2的各個組分加入到該混合物2，各個組分質量之和為100質量份，經攪拌機、混煉機或者捏合機混合均勻後得混合物3，將該混合物3通過擠出或者壓延或者塗覆的方式製得厚度為50-80um的有機矽透明膠膜。
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