CN104900783A - 芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 - Google Patents
芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104900783A CN104900783A CN201510245273.7A CN201510245273A CN104900783A CN 104900783 A CN104900783 A CN 104900783A CN 201510245273 A CN201510245273 A CN 201510245273A CN 104900783 A CN104900783 A CN 104900783A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- flip
- fluorescent coating
- fluorescent
- adhesive tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 75
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 73
- -1 vinylsiloxane Chemical class 0.000 claims description 52
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 35
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 34
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 31
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 28
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 23
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 21
- 125000002462 isocyano group Chemical group *[N+]#[C-] 0.000 claims description 21
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 21
- RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N tetrasiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH3] RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- SLJFKNONPLNAPF-UHFFFAOYSA-N 3-Vinyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1C(C=C)CCC2OC21 SLJFKNONPLNAPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 17
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 17
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 11
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 11
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 8
- XQSFXFQDJCDXDT-UHFFFAOYSA-N hydroxysilicon Chemical compound [Si]O XQSFXFQDJCDXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 4
- 238000003490 calendering Methods 0.000 claims description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LMVLVUPTDRWATB-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-ol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCO LMVLVUPTDRWATB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HIHIPCDUFKZOSL-UHFFFAOYSA-N ethenyl(methyl)silicon Chemical compound C[Si]C=C HIHIPCDUFKZOSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 14
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 9
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004643 material aging Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法，包括如下步骤：在固晶定位光罩(1)的上表面临时固定UV固化胶带(2-1)，在UV固化胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片(3)，用荧光胶膜(4)覆盖住倒装芯片，抽真空、加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，再进行UV照射使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片(5)。本发明方法简化了工艺流程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，提高生产效率，成品率和大幅度降低生产成本。完全避免了荧光粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。
Description
技术领域
本发明涉及一种芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法。
背景技术
半导体照明技术是21世纪最具有发展前景的高科技领域之一，而发光二极管(LightEmitting Diode，以下简称LED)是其核心技术。LED是一类能直接将电能转化为光能的发光元件，由于它具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色纯、结构牢固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积少和成本低等一系列特性，因而得到了广泛的应用和突飞猛进的发展。
随着功率型白光LED制造技术的不断完善，其发光效率、亮度和功率都有了大幅度提高。为了制造出高性能、高功率型白光LED器件，对芯片制造技术、荧光粉制造技术和散热技术要求很高。LED芯片封装材料的性能和封装工艺对其发光效率、亮度以及使用寿命也将产生显著影响。从芯片制造、封装材料研究和封装工艺的角度来讲，延长LED的寿命和增强出光效率重点需要解决的关键问题是：芯片制作和封装工艺。
目前，LED白光芯片的制备一般需要进行很多工艺步骤才能完成，例如清洗支架芯片、固晶、烘烤固化、焊线、点胶(含荧光粉)、烘烤固化、测试分拣等，其中点胶和烘烤固化是封装步骤过程中的至关重要步骤。
其中，LED封装步骤是LED白光芯片的制备过程中至关重要的步骤。LED封装一般采用点胶工艺和分阶段固化工艺，这就意味着LED封装厂家必须将封装胶的A组分和B组分准确称重，并且添加一定比例的荧光粉，混合均匀后，经过脱泡，灌入点胶器中，经过点胶设备，进行点胶。该封装工艺存在很多弊病，例如所用的封装胶粘度大，不容易混合均匀；混合后的胶不容易脱泡，导致封装胶体内含有气泡，造成封装芯片容易产生残次品；荧光粉比重大于封装胶，所以荧光粉在封装胶内容易产生沉降，造成封装LED的色温和显色指数变化大，这就要求对完成封装的LED芯片必须经过测试分筛，才能使用，所以目前的生产路线长，效率低，批次稳定性差；此外，封装厂家必须在短时间内完成非常繁琐使用过程，而且混合后的封装胶使用时间特别短，一般仅仅8个小时。超过使用时间后，混合胶粘度升高，不再适宜点胶，这造成封装胶浪费。此外，目前的工艺路线只能单颗制造，存在生产路线长、成本高、效率低和批次稳定性差的严重问题。
总之，现有LED芯片封装过程容易产生残次品，而且工艺路线长、点胶时间长、成品率低，以及生产效率低下，从而导致生产成本高。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法。
芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法，包括如下步骤：
用下方法之一种进行：
1)在固晶定位光罩1的上表面临时固定UV固化胶带2-1，在UV固化胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3，用荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，再进行UV照射使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5；
2)在透明支撑物的上表面临时固定UV固化胶带2-1，使用高精度电脑程控定位的排片机，吸取倒装芯片3，在预设定坐标程序控制下，将倒装芯片3按阵列固定在UV固化胶带的上表面；用荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除透明支撑物，再进行UV照射使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5；
3)在固晶定位光罩1的上表面临时固定热剥离胶带2-2，在热剥离胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3；用荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，去除热剥离胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5；
4)或在透明支撑物的上表面临时固定热剥离胶带2-2，使用高精度电脑程控定位的排片机，吸取倒装芯片3，在预设定坐标程序控制下，将倒装芯片3按阵列固定在热剥离胶带的上表面；用荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除透明支撑物，去除热剥离胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5。
荧光胶膜优选远程激发荧光膜或粘性荧光胶膜。
粘性荧光胶膜用下述方法制成：
(1)按质量称取：100份乙烯基硅橡胶，5-50份气相二氧化硅，2-50份乙烯基硅油，1-50份甲基乙烯基MQ硅树脂，0.1-3份羟基硅油，5-250份LED荧光粉，混合得混合物1；
所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.001％-15％、粘度为3000-200000mPa.s；
所述甲基乙烯基MQ硅树脂的乙烯基含量为0.1％-15％、粘度为5000-200000mPa.s，
所述羟基硅油的粘度范围为10-50mPa.s；
(2)按质量称取：0.00005～0.001份抑制剂，1～5份增粘剂，3.0×10-4～1.5×10-3份卡式铂金催化剂，氢含量为0.1％-1.6％、粘度为5-500mPa.s的甲基含氢硅油，使所述甲基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物1中乙烯基摩尔数的1.1-5倍；
(3)将步骤(2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼均匀得混合物2，将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。
乙烯基硅橡胶优选分子量为40-80万、乙烯基含量为0.04-1.1％乙烯基甲基硅橡胶，或分子量为20-80万的苯含量为4％-25％的乙烯基苯基硅橡胶。
气相二氧化硅优选HL-150，HL-200，HL-200H，HL-300，HL-380，HB-215，HB-615，HB-620，HB-630，HB-135和HB-139中的至少一种。
LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少两种。
抑制剂优选1-乙炔-1-环已醇、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇中的至少一种。
增粘剂优选γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(乙氧甲氧基)硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基甲基二甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。
增粘剂还可以选含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷升温至40～60℃，在3～5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.1～0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60～80℃反应2～3小时；所述1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比＝1:(0～3):(0～3):(0～3)，并且，2≤b+c+d≤4；所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10～50ppm。
增粘剂还可以为为含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将高含氢硅油升温至40～60℃，在3～5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.1～0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60～80℃反应2～3小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比＝1:(0～0.3):(0～0.3):(0～0.3)，并且，b+c+d≥0.1；所述氯铂酸的添加量为e、b、c和d总量的10～50ppm；所述高含氢硅油为粘度25℃时22-28mm2/s，含氢质量为1％-1.6％。
本发明的优点：
本发明方法为芯片级封装的倒装LED白光芯片制备方法，以芯片级封装完成封装芯片的生产。本发明的芯片级封装的倒装LED白光芯片制备的方法，简化了工艺流程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种芯片级封装的倒装LED白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯片耐高低温冲击，耐回流焊，长时间使用不老化。折光系数1.40～1.43，硬度与柔韧性适中。
附图说明
图1为本发明的方法的工艺流程图。图中：1固晶定位光罩，2-1UV固化胶带，2-2热剥离胶带，3倒装芯片，4荧光胶膜，芯片级封装的倒装LED白光芯片5。
图2为粘性荧光胶膜的制备过程示意图。其中11挤出机，12纸质离型膜，13粘性荧光胶膜，14PET离型膜，15压延辊，16自由垂直张力杆，17带有离型膜的粘性荧光胶膜，18张力可调收卷辊
图3为封装后切割前的倒装LED白光芯片的仰视照片。
图4为封装后切割后的倒装LED白光芯片的仰视照片。
图5为封装后切割后的倒装LED白光芯片的俯视照片。
具体实施方式
本发明中所述的芯片级封装是指Chip Scale Package(CSP)，它是新一代的芯片封装技术，封装体尺寸相比芯片尺寸不大于120％，且功能完整的封装元件。CSP器件的优势在于单个器件的封装简单化，小型化，尽可能降低每个器件的物料成本。由倒装芯片实现的芯片级白光LED封装即白光芯片，可直接贴装于印刷线路板上，省去支架或基板，工艺上节省了固晶、打线、点胶封装等步骤，大大的简化了LED产业链的生产环节，方便下游客户应用，并极大地节省成本。
本发明中所述的固晶定位光罩1为在玻璃基板带有黑色定位标记，为固晶过程提供精确定位，利用该定位光罩可以按照要求精确放置晶圆和芯片。
本发明中所述的排片机为北京中电科电子科装备有限公司DB-6208T排片机，DB-6208排片机或者其他公司的排片机。排片机可以在高精度电脑程控定位，吸取倒装芯片3，在预设定坐标程序控制下，将倒装芯片3按阵列固定在UV固化胶带或热剥离胶带的上表面上。
透明支撑物是指无色透明玻璃板，透明有机玻璃板，透明聚苯乙烯板，透明聚对苯二甲酸乙二醇酯板，透明聚聚碳酸酯板等。
本发明中所述的LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少一种。YAG荧光粉为YAG YG538荧光粉(弘大贸易股份有限公司)，英特美型号为YAG-01,YAG-02,YAG-1A，YAG-2A,YAG-04,YAG-05和YAG-06，杭州萤鹤光电材料有限公司型号为YH-Y538M，YH-Y558M，YH-Y565M。
氮化物荧光粉为MPR-1003/D(三菱化学(中国)商贸有限公司)、YH-C625E荧光粉(杭州萤鹤光电材料有限公司)、YH-C630E和YH-C630荧光粉(杭州萤鹤光电材料有限公司),迪诺系列(DINO)氮化物型号为DAM3028A,DAM3028,DAM3058,暖白高显色单粉,氮化物高显红粉型号为R-610,R-620,R-630,R-640,R-650,R-655,R-670。
硅酸盐系荧光粉为G2762-10(兰博光电(苏州)科技有限公司)、G2762-15(兰博光电(苏州)科技有限公司)、德国默克硅酸盐荧光粉型号为SGA515-100、SGA521-100、SGA530-100、SGA 540-100、SGA 550-100、SGA560-100、SGA580-100、SGA600-100和SGA605-100。
下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷升温至40℃，在5小时内滴加由1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60℃反应3小时，得到增粘剂；所述1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷、1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比＝1:1:1:1，并且，b+c+d＝3；所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的50ppm。
实施例2
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷升温至60℃，在3小时内滴加由1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.1wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80℃反应2小时，得到增粘剂；所述1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷、1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比＝1:0.5:0.5:1，并且，b+c+d＝2；所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10ppm。
实施例3
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷升温至50℃，在4小时内滴加由1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.3wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在70℃反应2.5小时，得到增粘剂；所述1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷、1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比＝1:3:0.5:0.5，并且，b+c+d＝4；所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的30ppm。
实施例4
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷升温至50℃，在4小时内滴加由乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为0.3wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在70℃反应2.5小时，得到增粘剂；所述1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷与乙烯基三甲氧基硅烷依次用a和c表示，所述a:c的摩尔比＝1:3，并且，c＝3；所述氯铂酸的添加量为a和c总量的30ppm。
实施例5
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷升温至40℃，在5小时内滴加由1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.1wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60℃反应3小时，得到增粘剂；所述1，3，5，7‐四甲基环四硅氧烷、1，2‐环氧‐4‐乙烯基环己烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b和d表示，所述a:b:d的摩尔比＝1:1:3，并且，b+d＝4；所述氯铂酸的添加量为a、b和c总量的50ppm。
实施例6
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷升温至40℃，在5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为0.1wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60℃反应3小时；所述1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用a、b和c表示，所述a:b:c的摩尔比＝1:1:3；并且，b+c＝4；所述氯铂酸的添加量为a、b和c总量的10ppm。
实施例7
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷升温至60℃，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80℃反应2小时；所述1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比＝1:0.5:0.5:1；b+c+d＝2；所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的50ppm。
实施例8
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷升温至60℃，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80℃反应2小时；所述1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用a、b、c表示，所述a:b:c的摩尔比＝1:1.5:1.5；所述氯铂酸的添加量为a、b、c总量的15ppm。
实施例9
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将高含氢硅油升温至60℃，在5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80℃反应3小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比＝1:0.3:0.3:0.3，并且，b+c+d＝0.9；所述氯铂酸的添加量为e、b、c和d总量的10ppm；所述高含氢硅油为粘度25℃时28mm2/s，含氢质量为1.6％。
实施例10
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将高含氢硅油升温至40℃，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80℃反应3小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、b和d表示，e:b:d的摩尔比＝1:0.1:0.1，并且，b+d＝0.2；所述氯铂酸的添加量为e、b和d总量的50ppm；所述高含氢硅油为粘度25℃时22mm2/s，含氢质量为1％。
实施例11
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将高含氢硅油升温至50℃，在4小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为0.1wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60℃反应2小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用e、b、c表示，e:b:c的摩尔比＝1:0.1:0.5，并且，b+c＝0.6；所述氯铂酸的添加量为e、b、c总量的30ppm；所述高含氢硅油为粘度25℃时25mm2/s，含氢质量为1.2％。
实施例12
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将高含氢硅油升温至50℃，在4小时内滴加由乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.2wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在70℃反应2.5小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、c和d表示，e:c:d的摩尔比＝1:0.3:0.2，并且，c+d＝0.5；所述氯铂酸的添加量为e、c和d总量的40ppm；所述高含氢硅油为粘度25℃时28mm2/s，含氢质量为1.6％。
实施例13
增粘剂(含有环氧基和异氰基改性增粘剂)的制备：氮气保护下，将高含氢硅油升温至60℃，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.4wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在75℃反应2.5小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比＝1:0.03:0.03:0.04，并且，b+c+d＝0.1；所述氯铂酸的添加量为e、b、c和d总量的20ppm；所述高含氢硅油为粘度25℃时28mm2/s，含氢质量为1％。
实施例14
粘性荧光胶膜制备：
(1)按表1所示称取：乙烯基硅橡胶，气相二氧化硅，乙烯基硅油，甲基乙烯基MQ硅树脂，羟基硅油，LED荧光粉，混合得混合物1；
(2)按表2所示称取：抑制剂，增粘剂，卡式铂金催化剂，甲基含氢硅油；
(3)将步骤(2)的各组份加入到混合物1中，在室温下，经捏合机混炼均匀得混合物2，将混合物2挤出，经过图2中示意过程，将混合物2夹于纸质离型膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)离型膜之间，再经过压延，控制压延辊的间隙，制得带有离型膜的粘性荧光胶膜见表3。
本实施例的捏合机也可以用双辊开炼机或密炼机替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
本实施例的所用荧光粉，也可以用其他厂家的其他型号荧光粉替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
本实施例的所用乙烯基硅橡胶，也可以用其他厂家的其他型号乙烯基硅橡胶替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
本实施例的所用气相二氧化硅，也可以用其他厂家的其他型号气相二氧化硅替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
本实施例的所用乙烯基硅油，也可以用其他厂家的其他型号乙烯基硅油替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
本实施例的所用甲基乙烯基MQ硅树脂，也可以用其他厂家的其他型号甲基乙烯基MQ硅树脂替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
本实施例的所用羟基硅油，也可以用其他厂家的其他型号羟基硅油替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
表1粘性荧光胶膜的混合物1的组成，(表中括号内的数为质量份数)
LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少两种，YAG荧光粉选自：YG538、YH-Y558M、YAG-01、YAG-04、YH-Y565M，还可以选本系列中的其它型号YAG荧光粉。
Y1：质量比为8：1的YAG荧光粉中的YG538和氮化物荧光粉中的MPR-1003/D
Y2：质量比为12：1的YAG荧光粉中的YH-Y558M和氮化物荧光粉中的YH-C630
Y3：质量比为15：1的YAG荧光粉中的YAG-01和氮化物荧光粉中的YH-C625E
Y4：质量比为10：1：2的YAG荧光粉中的YAG-04，氮化物荧光粉中的DAM3028A，硅酸盐系荧光粉为G2762-15
Y5：质量比为5：1：5的YAG荧光粉中的YH-Y565M，氮化物荧光粉中的R-610，硅酸盐系荧光粉为G2762-10。
氮化物荧光粉选自：MPR-1003/D、YH-C630、YH-C625E、DAM3028A，还可以选本系列中的其它型号氮化物荧光粉。硅酸盐系荧光粉选G2762-10，还可以选本系列中的其它型号硅酸盐荧光粉。
各实施例的所用荧光粉，也可以用其他厂家的其他型号荧光粉替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。本实施例的所用荧光粉中各种荧光粉的比例，也可以用其他比例替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同，只是所发出光色温有所不同。
表2.步骤(2)的各组份(表中的数为质量份数)
表3.将表2的各组份加入到混合物1中制备得到的粘性荧光胶膜
实施例15
芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法(见图1)，包括如下步骤：
在固晶定位光罩1的上表面临时固定UV固化胶带2-1，在UV固化胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3，将荧光胶膜4覆盖住倒装芯片(先将带有离型膜的粘性荧光胶膜剥离掉离型膜)，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热(80-170℃，加热0.5-8小时，其中：实施例15-1～实施例15-9加热至80℃，加热0.5小时，然后在120℃，加热4小时；实施例15-10～实施例15-12加热至80℃，加热8小时；实施例15-13和实施例15-14加热至100℃，加热6小时；实施例15-15～实施例15-20加热至120℃，加热4小时；实施例15-21～实施例15-23加热至140℃，加热2小时；实施例15-24和实施例15-25加热至170℃，加热0.5小时)使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，再进行UV照射(UV照射是50瓦-1000瓦紫外UV灯，照射距离10厘米-50厘米，照射时间为5秒-30分钟，其中：实施例15-1～实施例15-5采用50瓦紫外UV灯，照射距离10厘米，照射时间为30分；实施例15-6～实施例15-15采用500瓦紫外UV灯，照射距离30厘米，照射时间为5分，实施例15-16～实施例15-25采用1000瓦紫外UV灯，照射距离50厘米，照射时间为5秒)使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5见表4。
带有离型膜的粘性荧光胶膜的制备如图2所示。
对本发明所制备的芯片级封装的倒装LED白光芯片的性能进行检测，实验结果见表4，检测结果表明，热固化完全，UV固化胶带剥离完全，得到表面光滑的封装芯片。封装胶膜和芯片没有开裂，芯片发光部分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1.40～1.43，硬度与柔韧性适中。经红墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装芯片通过冷热冲击实验。死灯率为零，确保合格率100％。经过色温检测，发现每个实施例1000个封装芯片的色温最大误差不超过1.5％，说明可以同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需要分拣就可以使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数(显色指数变化小于0.3％)。
这些实验结果说明本发明方法所述的芯片级封装的倒装LED白光芯片制备方法，以芯片级封装完成封装芯片的生产。本发明的芯片级封装的倒装LED白光芯片制备的方法，简化了工艺流程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种芯片级封装的倒装LED白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯片耐高低温冲击，耐回流焊，长时间使用不老化。
实施例16
芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法(见图1)，包括如下步骤：
在固晶定位光罩1的上表面临时固定热剥离胶带2-2，在热剥离胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3，用荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，抽真空，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上。在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，去除热剥离胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5见表4。
对本发明所制备的芯片级封装的倒装LED白光芯片的性能进行检测，实验结果见表4，检测结果表明，热固化完全，UV固化胶带剥离完全，得到表面光滑的封装芯片。封装胶膜和芯片没有开裂，芯片发光部分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1.40～1.43，硬度与柔韧性适中。经红墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装芯片通过冷热冲击实验。死灯率为零，确保合格率100％。经过色温检测，发现每个实施例1000个封装芯片的色温最大误差不超过1.5％，说明可以同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需要分拣就可以使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数(显色指数变化小于0.4％)。
这些实验结果说明本发明方法所述的芯片级封装的倒装LED白光芯片制备方法，以芯片级封装完成封装芯片的生产。本发明的芯片级封装的倒装LED白光芯片制备的方法，简化了工艺流程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种芯片级封装的倒装LED白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯片耐高低温冲击，耐回流焊，长时间使用不老化。
具体固化条件、热固化评价及外观评价等见表4。
表4：
表4中的固化条件(℃/h)以80/0.5,120/4为例，表示为80℃维持0.5h后再在120℃维持4h。
表4中所述UV固化胶带(2-1)为UV膜(昆山禹森光电有限公司)、UV胶带(昆山禹森光电有限公司)、晶圆切割胶带(昆山禹森光电有限公司)、UV固化胶带(昆山禹森光电有限公司)、UV固化保护膜(日本格林开思茂光电科技股份有限公司)、UV固化膜(日本格林开思茂光电科技股份有限公司)、UV保护膜(日本格林开思茂光电科技股份有限公司),UDT-1025MC、UDT-1325D和UDT-1915MC(立承德科技(深圳)有限公司)，UDT-1025和UDT-1325(日本东洋化学DENKA ADTECSCO.,LTD.)。
所述的热剥离胶带(2-2)选自热剥离胶带(深圳德固赛诺技术有限公司，深圳市一中科技有限公司,也可以选用：日东电工NITTO DENKO Corporation(型号为NWS-W320H和NWS—Y5V)，韩国Fine Technology Co.,Ltd.(型号为VGF-303D)。
实施例17
在透明支撑物的上表面临时固定UV固化胶带2-1，(图1所示，用透明支撑物替换图1的固晶定位光罩1)使用高精度电脑程控定位的排片机，吸取倒装芯片3，在预设定坐标程序控制下，将倒装芯片3按阵列固定在UV固化胶带的上表面；用荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除透明支撑物，再进行UV照射使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5；
实施例17-1至17-5的透明支撑物分别为无色透明玻璃板，透明有机玻璃板，透明聚苯乙烯板，透明聚对苯二甲酸乙二醇酯板，透明聚聚碳酸酯，实施例17-6至17-25的透明支撑物为无色透明玻璃板。
实施例17-1至17-25使用的粘性荧光胶膜依次与表4中的实施例14-1至14-25相同，UV固化胶带、固化条件(℃/h)也依次相同，所获得的芯片级封装的倒装LED白光芯片5的热固化评价、红墨水实验、冷热冲击实验、死灯率、批次差异也依次相同。
实施例18
在透明支撑物的上表面临时固定热剥离胶带2-2，使用高精度电脑程控定位的排片机，吸取倒装芯片3，在预设定坐标程序控制下，将倒装芯片3按阵列固定在热剥离胶带的上表面；用荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除透明支撑物，去除热剥离胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片5。
实施例18-1至18-5的透明支撑物分别为无色透明玻璃板，透明有机玻璃板，透明聚苯乙烯板，透明聚对苯二甲酸乙二醇酯板，透明聚聚碳酸酯，
实施例18-1至18-5使用的粘性荧光胶膜依次与表4中的实施例16-1至16-5相同，热剥离胶带、固化条件(℃/h)也依次相同，所获得的芯片级封装的倒装LED白光芯片5的热固化评价、红墨水实验、冷热冲击实验、死灯率、批次差异也依次相同。
实施例19
以远程激发荧光膜(纳晶科技股份有限公司)代替实施例15-1中的粘性荧光胶膜，其他过程制备同实施例15，得到封装芯片，经热固化、外观检查、红墨水实验评价、冷热冲击实验、死灯率检测等，发现热固化完全，但是封装不完全，有局部漏光，而且红墨水实验有部分封装芯片不合格，死灯率较高10％。说明远程激发荧光膜对芯片粘附性能略差。
实施例20
以远程激发荧光膜(纳晶科技股份有限公司)代替实施例16-1中的粘性荧光胶膜，其他过程制备同实施例16，得到封装芯片，经热固化、外观检查、红墨水实验评价、冷热冲击实验、死灯率检测等，发现热固化完全，但是封装不完全，有局部漏光，而且红墨水实验有部分封装芯片不合格，死灯率较高10％。说明远程激发荧光膜对芯片粘附性能略差。
芯片级封装的倒装LED白光芯片制备的热固化评价，观察固化是否完全，评价热固化性能。
对芯片级封装的倒装LED白光芯片外观进行评价，通过显微镜观察评价表面光滑程度、统计分析荧光胶膜和芯片间有无封装胶开裂。如果表面光滑、无开裂说明封装效果良好。
对热固化后本发明的封装胶经行红墨水实验，煮沸24小时，评价其粘附性能。如果有红墨水渗漏，则不合格。
热固化后本发明的封装胶折光指数测定。
芯片色温测试采用Led色温测试仪测定。
冷热冲击采用冷热冲击实验箱，温度范围为-40度-200度，经过50个高低温循环后，观察封装胶和芯片是否有开裂，如果没有就为通过。
死灯率是指封装后的Led芯片通电点亮，每百个芯片中不能点亮的比例为死灯率。
批次之间差异(批次稳定性)是指按照相同操作过程，制备出20批次，检测封装效果和色温等。
Claims (10)
1.芯片级封装的倒装LED白光芯片的制备方法，其特征是包括如下步骤：
用下方法之一种进行：
1)在固晶定位光罩(1)的上表面临时固定UV固化胶带(2-1)，在UV固化胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片(3)，用荧光胶膜(4)覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，再进行UV照射使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片(5)；
2)在透明支撑物的上表面临时固定UV固化胶带(2-1)，使用高精度电脑程控定位的排片机，吸取倒装芯片(3)，在预设定坐标程序控制下，将倒装芯片(3)按阵列固定在UV固化胶带的上表面；用荧光胶膜(4)覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除透明支撑物，再进行UV照射使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片(5)；
3)在固晶定位光罩(1)的上表面临时固定热剥离胶带(2-2)，在热剥离胶带的上表面按固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片(3)；用荧光胶膜(4)覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，去除热剥离胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片(5)；
4)或在透明支撑物的上表面临时固定热剥离胶带(2-2)，使用高精度电脑程控定位的排片机，吸取倒装芯片(3)，在预设定坐标程序控制下，将倒装芯片(3)按阵列固定在热剥离胶带的上表面；用荧光胶膜(4)覆盖住倒装芯片，在真空条件下，使得荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上，在常压下，加热使荧光胶膜固化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除透明支撑物，去除热剥离胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光芯片(5)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述荧光胶膜为远程激发荧光膜或粘性荧光胶膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征是所述粘性荧光胶膜用下述方法制成：
(1)按质量称取：100份乙烯基硅橡胶，5-50份气相二氧化硅，2-50份乙烯基硅油，1-50份甲基乙烯基MQ硅树脂，0.1-3份羟基硅油，5-250份LED荧光粉，混合得混合物1；
所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.001％-15％、粘度为3000-200000mPa.s；
所述甲基乙烯基MQ硅树脂的乙烯基含量为0.1％-15％、粘度为5000-200000mPa.s，
所述羟基硅油的粘度范围为10-50mPa.s；
(2)按质量称取：0.00005～0.001份抑制剂，1～5份增粘剂，3.0×10-4～1.5×10-3份卡式铂金催化剂，氢含量为0.1％-1.6％、粘度为5-500mPa.s的甲基含氢硅油，使所述甲基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物1中乙烯基摩尔数的1.1-5倍；
(3)将步骤(2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼均匀得混合物2，将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述乙烯基硅橡胶是分子量为40-80万、乙烯基含量为0.04-1.1％乙烯基甲基硅橡胶，或分子量为20-80万的苯含量为4％-25％的乙烯基苯基硅橡胶。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述气相二氧化硅为HL-150，HL-200，HL-200H，HL-300，HL-380，HB-215，HB-615，HB-620，HB-630，HB-135和HB-139中的至少一种。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少两种。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述抑制剂为1-乙炔-1-环已醇、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇中的至少一种。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述增粘剂为γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(乙氧甲氧基)硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基甲基二甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。
9.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷升温至40～60℃，在3～5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.1～0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60～80℃反应2～3小时；所述1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比＝1:(0～3):(0～3):(0～3)，并且，2≤b+c+d≤4；所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10～50ppm。
10.根据权利要求3所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将高含氢硅油升温至40～60℃，在3～5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0.1～0.5wt％氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60～80℃反应2～3小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比＝1:(0～0.3):(0～0.3):(0～0.3)，并且，b+c+d≥0.1；所述氯铂酸的添加量为e、b、c和d总量的10～50ppm；所述高含氢硅油为粘度25℃时22-28mm2/s，含氢质量为1％-1.6％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510245273.7A CN104900783B (zh) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510245273.7A CN104900783B (zh) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104900783A true CN104900783A (zh) | 2015-09-09 |
| CN104900783B CN104900783B (zh) | 2017-12-12 |
Family
ID=54033318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510245273.7A Active CN104900783B (zh) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104900783B (zh) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105449054A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-03-30 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | Led芯片的精确定位方法 |
| CN105567105A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-11 | 天津德高化成光电科技有限责任公司 | 高折射率芯片级封装led白光芯片荧光胶膜及制备方法 |
| CN105826449A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-08-03 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 白光芯片的成型制备方法和系统 |
| CN106449900A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-22 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 用于led白光芯片的切割工艺和装置 |
| CN107731985A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-02-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片阵列排布的高精度定位方法 |
| CN108110094A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-01 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种氧化硅全包封led芯片及其制备方法 |
| WO2018148858A1 (zh) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 林立宸 | 一种无基板的封装体的制备方法及其应用 |
| CN109920740A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-06-21 | 河源创基电子科技有限公司 | 一种贴片式二极管的封装制备方法 |
| TWI712186B (zh) * | 2018-11-16 | 2020-12-01 | 吳裕朝 | 發光裝置封裝製程 |
| CN112266783A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-26 | 杭州数通光电有限公司 | 荧光胶体、高光效光源及高光效光源的制作方法 |
| CN112563396A (zh) * | 2019-09-25 | 2021-03-26 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构及制造方法 |
| CN113130456A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | Led芯片的装贴方法 |
| CN113218956A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-06 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种led灯珠的焊线评估方法 |
| CN114420821A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-04-29 | 厦门三安光电有限公司 | 一种led芯粒的包装方法及led芯粒包装结构 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102936414A (zh) * | 2012-08-27 | 2013-02-20 | 湖北环宇化工有限公司 | 高折光、高粘结性大功率led封装有机硅材料及其制备方法 |
| CN103834356A (zh) * | 2012-11-26 | 2014-06-04 | 中化蓝天集团有限公司 | 一种碳基白光发光材料封装胶 |
| CN104152103A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-11-19 | 郑州中原应用技术研究开发有限公司 | 一种加成型双组分导热灌封胶及其制备方法 |
| CN104380464A (zh) * | 2012-01-24 | 2015-02-25 | 柯立芝照明有限公司 | 包含波长转换材料的发光管芯及相关方法 |
| CN104393154A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-03-04 | 武汉大学 | 一种led芯片级白光光源的晶圆级封装方法 |
-
2015
- 2015-05-14 CN CN201510245273.7A patent/CN104900783B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104380464A (zh) * | 2012-01-24 | 2015-02-25 | 柯立芝照明有限公司 | 包含波长转换材料的发光管芯及相关方法 |
| CN102936414A (zh) * | 2012-08-27 | 2013-02-20 | 湖北环宇化工有限公司 | 高折光、高粘结性大功率led封装有机硅材料及其制备方法 |
| CN103834356A (zh) * | 2012-11-26 | 2014-06-04 | 中化蓝天集团有限公司 | 一种碳基白光发光材料封装胶 |
| CN104152103A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-11-19 | 郑州中原应用技术研究开发有限公司 | 一种加成型双组分导热灌封胶及其制备方法 |
| CN104393154A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-03-04 | 武汉大学 | 一种led芯片级白光光源的晶圆级封装方法 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105449054A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-03-30 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | Led芯片的精确定位方法 |
| CN105567105A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-11 | 天津德高化成光电科技有限责任公司 | 高折射率芯片级封装led白光芯片荧光胶膜及制备方法 |
| CN105567105B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-03-16 | 天津德高化成光电科技有限责任公司 | 高折射率芯片级封装led白光芯片荧光胶膜及制备方法 |
| CN105826449A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-08-03 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 白光芯片的成型制备方法和系统 |
| CN106449900A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-22 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 用于led白光芯片的切割工艺和装置 |
| WO2018148858A1 (zh) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 林立宸 | 一种无基板的封装体的制备方法及其应用 |
| CN107731985A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-02-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片阵列排布的高精度定位方法 |
| CN107731985B (zh) * | 2017-10-18 | 2019-08-06 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片阵列排布的高精度定位方法 |
| CN108110094A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-01 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种氧化硅全包封led芯片及其制备方法 |
| TWI712186B (zh) * | 2018-11-16 | 2020-12-01 | 吳裕朝 | 發光裝置封裝製程 |
| CN109920740A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-06-21 | 河源创基电子科技有限公司 | 一种贴片式二极管的封装制备方法 |
| CN112563396A (zh) * | 2019-09-25 | 2021-03-26 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构及制造方法 |
| TWI734346B (zh) * | 2019-09-25 | 2021-07-21 | 大陸商天津德高化成新材料股份有限公司 | 用於潮氣敏感的高色域背光應用的晶片級封裝結構及製造方法 |
| CN112563396B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-04-22 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种用于潮气敏感的高色域背光应用的芯片级封装结构及制造方法 |
| CN113130456A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | Led芯片的装贴方法 |
| CN113130456B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-09-06 | Tcl科技集团股份有限公司 | Led芯片的装贴方法 |
| CN114420821A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-04-29 | 厦门三安光电有限公司 | 一种led芯粒的包装方法及led芯粒包装结构 |
| CN112266783A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-26 | 杭州数通光电有限公司 | 荧光胶体、高光效光源及高光效光源的制作方法 |
| CN113218956A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-06 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种led灯珠的焊线评估方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104900783B (zh) | 2017-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104900783A (zh) | 芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 | |
| CN104893600B (zh) | 发光二极管快速封装粘性荧光胶膜及制备方法及应用 | |
| CN105567105B (zh) | 高折射率芯片级封装led白光芯片荧光胶膜及制备方法 | |
| CN107731996A (zh) | Led灯珠及其制备方法 | |
| CN102712756B (zh) | 有机硅树脂 | |
| CN104882529A (zh) | 一种cob型led芯片的快速封装方法 | |
| CN103534822A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| TWI551653B (zh) | 可固化之組成物 | |
| KR20120080141A (ko) | 경화성 조성물 | |
| TW201204787A (en) | Sealing material, solar cell module and light emitting diode | |
| CN102723424A (zh) | 一种led用荧光薄片的制备方法 | |
| TWI500660B (zh) | 可固化之組成物 | |
| CN105017773B (zh) | 发光二极管封装用有机聚硅氧烷组合物 | |
| CN102931320A (zh) | 白光led近似保形封装结构及其制备方法 | |
| KR101493131B1 (ko) | 오가노폴리실록산 | |
| KR20120080144A (ko) | 경화성 조성물 | |
| KR20120080143A (ko) | 경화성 조성물 | |
| KR20130058644A (ko) | 경화성 조성물 | |
| CN106159060A (zh) | 一种led封装工艺 | |
| US10276759B2 (en) | Process method using deformable organic silicone resin photoconverter to bond-package LED | |
| CN105018022B (zh) | 一种快速固化发光二极管灯丝封装胶及制备方法 | |
| CN101197412A (zh) | 白光发光二极管的封装方法 | |
| KR20120080142A (ko) | 경화성 조성물 | |
| CN103378270B (zh) | 一种led组件的制备方法及led组件 | |
| EP2878634B1 (en) | Curable composition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Preparation method of flip chip LED white light chip with chip level package Effective date of registration: 20220323 Granted publication date: 20171212 Pledgee: Tianjin Kerong Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: TECORE SYNCHEM, Inc. Registration number: Y2022120000011 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20230403 Granted publication date: 20171212 Pledgee: Tianjin Kerong Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: TECORE SYNCHEM, Inc. Registration number: Y2022120000011 |