CN113130456B - Led芯片的装贴方法 - Google Patents
Led芯片的装贴方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113130456B CN113130456B CN201911410623.5A CN201911410623A CN113130456B CN 113130456 B CN113130456 B CN 113130456B CN 201911410623 A CN201911410623 A CN 201911410623A CN 113130456 B CN113130456 B CN 113130456B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- film
- silica gel
- electrode
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 129
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 127
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 claims description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LED芯片装贴的方法，包括：提供一UV膜，所述UV膜上设置有LED芯片，所述LED芯片的第一电极与所述UV膜接触；在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理，所述双组份硅胶覆盖所述LED芯片；去除所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜；将所述LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上，使所述第一电极抵接所述第二电极后完成LED芯片的装贴。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种LED芯片的装贴方法。
背景技术
miniled又名“次毫米发光二极管”，是一种晶粒尺寸约在100微米-200微米的发光二极管(LED)，具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点。此外，miniled体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。
制作miniled显示屏时，需要将成千上万颗miniled芯片转移固晶。目前，将miniLED芯片贴装到基板上的方式通常有以下两种方式。第一种方法，如图1所示：先将一个发光像素单元中各颜色的miniled(如红、绿、蓝三色芯片，即RGBminiled芯片)经过一次封装以后，封装成miniLED基座(如红、绿、蓝miniLED基座，即RGB led PKG)，再通过SMT贴机贴装到基板上，最后通过回流焊的方式焊接到基板上。第一种方法，如图2所示：先将发光像素中各颜色的miniled(如红、绿、蓝三色Miniled芯片，即R,G,B miniled芯片)通过固晶机直接贴装到基板上，然后通过回流焊的方式焊接到基板上(COB)。通过上述两种方法在基板上贴装miniled芯片，贴装效率低。以RGB芯片为一组计算，通常贴装速度小于20K组/小时。而一台4K的显示器，像素点的数量为3840*2160＝8294.4K个像素点。所以按照这个速度，贴装一台4K显示器需要400个小时以上。因此，低贴装速度限制了miniled的应用范围，使得miniled只能局限在商用显示器，而不能进入消费电子类的显示器。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED芯片的装贴方法，旨在解决现有的miniled芯片批量装贴方法贴装效率低的问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明提供一种miniLED芯片的装贴方法，包括以下步骤：
提供一UV膜，所述UV膜上设置有LED芯片，所述LED芯片的第一电极与所述UV膜接触；
在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理，所述双组份硅胶覆盖所述LED芯片；
去除所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜；
将所述LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上，使所述第一电极抵接所述第二电极后完成LED芯片的装贴。
本发明提供的LED芯片的装贴方法，将设置在UV膜上的LED芯片固定在双组份硅胶上，并去取所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜。将LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上后，将LED芯片固定在基板上，实现LED芯片的批量装贴。该方法能够显著提高miniled芯片的装贴效率。以一台3840*2160＝8294.4K个像素点的4K显示器为例，按照本发明提供的miniled芯片批量装贴的方法，40个小时即可完成贴装。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术提供的第一种LED芯片贴装工艺流程示意图；
图2是现有技术提供的第二种LED芯片贴装工艺流程示意图；
图3是本发明实施例提供的LED芯片的装贴方法工艺流程图；
图4是本发明实施例提供的将双组份硅胶的两种成分混合形成双组份硅胶的示意图；
图5是本发明实施例提供的一表面设置有第一电极的LED芯片的UV膜的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的在所述UV膜上沉积所述双组份硅胶，使得所述双组份硅胶覆盖每一所述LED芯片，固化成膜后的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的所述所双组份硅胶进行固化处理并去除所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜的流程示意图；
图8是本发明实施例提供的将硅胶固态膜贴合至基板上的流程示意图；
图9是本发明实施例提供的将所述复合基板加热至T2保温处理前后的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中所述的重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
结合图3-9，本发明实施例提供了一种LED芯片的装贴方法，包括以下步骤，如如3所示：
S01.提供一UV膜，所述UV膜上设置有LED芯片，所述LED芯片的第一电极与所述UV膜接触；
S02.在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理，所述双组份硅胶覆盖所述LED芯片；
S03.去除所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜；
S04.将所述LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上，使所述第一电极抵接所述第二电极后完成LED芯片的装贴。
本发明实施例提供的LED芯片的装贴方法，将设置在UV膜上的LED芯片固定在双组份硅胶上，并去取所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜。将LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上后，将LED芯片固定在基板上，实现LED芯片的批量装贴。该方法能够显著提高miniled芯片的装贴效率。以一台3840*2160＝8294.4K个像素点的4K显示器为例，按照本发明提供的miniled芯片批量装贴的方法，40个小时即可完成贴装。
具体的，上述步骤S01中，如图5所示，提供一UV膜，所述UV膜上设置有LED芯片。其中，所述LED芯片为制备LED显示屏的常规LED芯片，且LED芯片按照LED显示屏中LED的预设排布在UV膜上。特别的，所述LED芯片为miniled芯片或microled芯片，此时，本发明实施例提供的装贴方法，可以更明显的提高装贴效率。
所述LED芯片设置有第一电极，所述第一电极在下述步骤S04与基板上的第二电极电性结合，并被LED芯片表面的双组份硅胶固封在基板表面。本发明实施例中，所述LED芯片的第一电极与所述UV膜接触，从而在下述步骤S03将UV膜解除时，所述LED芯片上的第一电极外露，进而与下述步骤S04中基板上的第二电极结合。该步骤可以自行完成，也可以要求提供LED芯片的LED晶圆厂在芯片分选时，将LED芯片直接排布在UV膜上。
上述步骤S02中，提供双组份硅胶，所述双组份硅胶作为转移LED芯片的转移介质，将设置在UV膜上的LED芯片转移并贴合至基板上。在完成LED芯片的转移、贴合后，所述双组份硅胶熔化并最终固定在LED芯片的表面，形成LED芯片的保护层。
如图4所示，本发明实施例提供的双组份硅胶，由两种硅胶成分(分别标记为A、B)组成，在使用之前，A、B两种组分分开装存。在使用时，先将A、B两种组分进行混合处理，得到待使用的双组份硅胶。将A、B两种组分进行混合处理后得到的双组份硅胶，初始状态为液态。在一些实施例中，将A、B两种组分进行混合处理后，进行真空脱泡处理，以排除液态硅胶中的气泡，以便在成膜步骤中，得到致密的膜层。进而在下述步骤S04中，得到致密的保护层，防止水氧渗透对LED芯片性能的影响。
本发明实施例提供的双组份硅胶，选自具有第一临界温度和第二临界温度的双组份硅胶，其中，所述第一临界温度标记为T1，所述第二临界温度标记为T2，且T1低于T2。具体的，所述双组份硅胶具有以下特性：在温度为T1时能够可逆地在固态和液态之间转化，且在温度高于T1时呈液态；当温度高于T2时，所述双组份硅胶呈固态，且不可逆转。即当所述双组份硅胶加热至T1时，所述双组份硅胶呈液态，但对加热至T1后的所述双组份硅胶进行降温处理后，所述双组份硅胶呈固态；当所述双组份硅胶的温度达T2时，所述双组份硅胶不可逆转地转变为固态。利用双组份硅胶的上述特性，可以将LED芯片批量转移并贴合至基板上，并具有优异的贴装效率。本发明实施例利用所述双组份硅胶“所述双组份硅胶在温度为T1时能够可逆地在固态和液态之间转化，且在温度高于T1时呈液态；当所述双组份硅胶的温度高于T2时，所述双组份硅胶呈固态，且不可逆转”的特性，实现LED芯片的装贴，特别是实现miniled芯片的批量装贴。
在一些实施例中，所述双组份硅胶的初始粘度为3000Pa·s～5000Pa·s。此处，所指的双组份硅胶的初始粘度是指将双组份硅胶的A、B两种组分进行混合处理后，得到的初始状态的双组份硅胶的粘度。当所述双组份硅胶的初始粘度在上述范围时，所述双组份硅胶具有较好的流动性，在下述步骤S02中可以有效覆盖在LED芯片和UV膜，形成均匀平整的固态膜。
由于所述双组份硅胶熔化并最终固定在LED芯片的表面，形成LED芯片的保护层。在一些实施例中，所述双组份硅胶的透光率大于等于95％，从而保证所述LED芯片发出的光可以正常发射出去。
在一些实施例中，所述双组份硅胶的初始粘度为3000Pa·s～5000Pa·s，且所述双组份硅胶的透光率为95％～100％。
在一些实施例中，所述LED芯片上的所述第一电极的熔点标记为Ti，此时，Ti、T1、T2满足：T1＜Ti≤T2。在这种情况下，可以使得在双组份硅胶为液态时，所述第一电极在加热过程中熔化，与基板上的第二电极融合，并最终在双组份硅胶不可逆的固化下完全固化，从而将LED芯片牢固结合在基板表面。在一些实施例中，所述第一电极选自含锡电极，包括但不限于锡电极、锡合金电极，其中，锡合金电极包括但不限于锡铋合金。
本发明实施例中，在所述UV膜上沉积所述双组份硅胶，使得所述双组份硅胶覆盖所述LED芯片。在所述UV膜上沉积所述双组份硅胶的方式没有严格限制，可以采用常规的溶液加工法，包括但不限于涂覆、印刷等方式。
如图6所示，在一些实施例中，将排布有到LED芯片的UV膜固定在冶具上，并使得设置有LED芯片的表面朝上。然后将所述双组份硅胶沉积在UV膜表面，并覆盖LED芯片。
在一些实施例中，在所述UV膜上沉积所述双组份硅胶，使得所述双组份硅胶覆盖所述LED芯片的步骤中，所述双组份硅胶的沉积量满足：固化后得到的硅胶膜的厚度为LED芯片厚度的2～8倍。此时，在没有沉积双组份硅胶的区域，所述硅胶固态膜的厚度至少为所述LED芯片的厚度的2倍；而在设置所述LED芯片的区域，所述硅胶固态膜的厚度至少高出所述LED芯片表面一个LED芯片的高度，从而在固化后，能够将LED芯片夹持，进而在下述步骤解除UV膜的过程中，UV膜能被顺利解除；同时，硅胶固态膜对LED芯片的固定不受影响。此外，当得到的硅胶膜的厚度为LED芯片厚度的2～8倍，在下述步骤S04中，双组份硅胶熔化后能够完全覆盖在LED芯片的表面，形成保护层。
在一些实施例中，在所述UV膜上沉积所述双组份硅胶的步骤中，所述LED芯片的厚度为70μm～80μm；且所述双组份硅胶膜的厚度为0.2mm～0.5mm。
本发明实施例在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理。在一些实施例中，在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理的步骤包括：在温度低于T2的条件下，将所述双组份硅胶进行真空固化处理。在一些实施例中，将所述双组份硅胶加热至T1以上且不到T2，然后降温固化成膜。即：在温度低于T2的条件下，将所述双组份硅胶加热至T1后，降温固化成膜。此时，得到的结构包括：UV膜；在UV膜一表面设置的LED芯片，其中，所述LED芯片的一表面设置有第一电极，且所述第一电极朝向所述UV膜；在所述LED芯片所在的UV膜表面形成的硅胶固态膜。
在一些实施例中，将所述双组份硅胶加热至T1以上且不到T2的步骤中，在所述UV膜上沉积所述双组份硅胶之后，置于温度设定为T1的真空烤箱中烘烤处理，然后降温处理，固化成膜。
在一些实施例中，在温度低于T2的条件下，将所述所双组份硅胶进行真空固化处理的步骤中，所述固化处理的方式为自然冷却。在冷却低于一定的温度，如低于室温(10℃～35℃)后，液态的双组份硅胶固化形成硅胶固态膜。
上述步骤S03中，去除所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜。在一些实施例中，如图7所示，在将所述双组份硅胶固化成膜后，通过UV处理去除所述UV膜，得到LED芯片结合到硅胶固态膜表面的LED芯片硅胶膜。
在一些实施例中，在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理；去除所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜的步骤，包括：将所述双组份硅胶加热使双组份硅胶熔化后，降温固化成膜；通过UV处理去除所述UV膜，得到LED芯片结合在硅胶膜上的LED芯片硅胶膜。
在一些实施例中，将排布有到LED芯片的UV膜固定在冶具上，并使得设置有LED芯片的表面朝上。然后将所述双组份硅胶沉积在UV膜表面，并覆盖LED芯片。在将所述双组份硅胶固化成膜后，先去除冶具；然后通过UV处理去除所述UV膜，得到结合有LED芯片的硅胶固态膜。
上述步骤S04中，提供待装贴LED芯片的基板，如线路板。所述基板的表面设置有第二电极，所述第二电极用于定位LED芯片，并通过LED芯片上的第一电极，实现LED芯片的固定以及两者之间的电性连接。因此，所述基板上的第二电极与所述LED芯片上的第一电极镜像对称。第二电极可以采用常规的电极材料，如金电极、银电极、铜电极、镍电极等。
在一些实施例中，所述基板中，至少在所述第二电极的表面覆盖有助焊胶。所述助焊胶具有一定的粘结性，当将所述LED芯片硅胶膜置于表面设置有第二电极的基板上时，可以起到一定的固定作用；同时，当电极表面特别是第二电极表面含有氧化层时，所述助焊胶可以去除电极特别是第二电极上的氧化层，实现第一电极和第二电极之间的电性连接。
本发明实施例中，如图8所示，将所述LED芯片硅胶膜置于表面设置有第二电极的基板上，且使得所述第一电极抵接所述第二电极，得到复合基板。
在一些实施例中，如图9所示，将所述LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上，使所述第一电极抵接所述第二电极，将所述LED芯片硅胶膜加热至温度高于T2并进行真空固化处理，硅胶固态膜先熔化再固化，将LED芯片与基板批量封装到一起，完成所述LED芯片的装贴。在一些实施例中，将所述复合基板基于烤箱中加热至温度高于T2，硅胶固态膜先熔化再固化。在一些实施例中，将所述复合基板基于真空烤箱中加热至温度高于T2，硅胶固态膜先熔化再固化。
在一些实施例中，所述第一电极的熔点标记为Ti，且T1＜Ti≤T2。在将所述复合基板加热高于T2的步骤中，第一电极熔化，并焊接在基板上的第二电极表面。
将将所述LED芯片硅胶膜加热至温度高于T2并进行真空固化处理的步骤中，将所述LED芯片硅胶膜加热至T2，保温处理30分钟～80分钟。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种LED芯片的装贴方法，包括以下步骤：
提供一表面设置有第一电极的LED芯片，所述第一电极的材料为熔点低于150℃的锡铋合金；按照LED显示屏中LED的预设排布，将所述LED芯片排布到UV膜上，且所述LED芯片上的电极朝向所述UV膜；提供T1为90℃、T2为150℃的双组份硅胶；其中，所述第一临界温度标记为T1，所述第二临界温度标记为T2，T1低于T2；所述双组份硅胶在温度为T1时能够可逆地在固态和液态之间转化，且在温度高于T1时呈液态；当所述双组份硅胶的温度高于T2时，所述双组份硅胶呈固态，且不可逆转；
在所述UV膜上沉积所述双组份硅胶，使得所述双组份硅胶覆盖每一所述LED芯片，将所述双组份硅胶加热至90℃后，降温处理，得到硅胶固态膜；所述硅胶固态膜的厚度为0.2mm～0.5mm；通过UV处理去除所述UV膜，得到结合有LED芯片、且LED芯片上的第一电极外露的硅胶固态膜，即LED芯片硅胶膜；
提供设置有第二电极的基板，且所述第二电极的排布与所述第一电极的排布镜像一致；将所述硅胶固态膜贴合至所述基板上，且使得所述第一电极和所述第二电极对齐贴合，得到复合基板；将所述复合基板加热至150℃保温50分钟～60分钟，完成所述LED芯片的批量装贴。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种LED芯片的装贴方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一UV膜，所述UV膜上设置有LED芯片，所述LED芯片的第一电极与所述UV膜接触；
在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理，所述双组份硅胶覆盖所述LED芯片；
去除所述UV膜，得到LED芯片硅胶膜；
将所述LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上，使所述第一电极抵接所述第二电极后完成LED芯片的装贴；所述基板上的第二电极与所述LED芯片上的第一电极镜像对称；
其中，所述双组份硅胶具有第一临界温度和第二临界温度，所述第一临界温度标记为T1，所述第二临界温度标记为T2，T1低于T2；所述双组份硅胶在温度为T1时能够可逆地在固态和液态之间转化，且在温度高于T1时呈液态；当温度高于T2时，所述双组份硅胶呈固态，且不可逆转。
2.如权利要求1所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理的步骤包括：
在温度低于T2的条件下，将所述双组份硅胶进行真空固化处理。
3.如权利要求2所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，所述真空固化处理的方法，包括：将所述双组份硅胶加热至T1以上且不到T2，然后降温固化成膜；和/或
去除所述UV膜的方法为：通过UV处理去除所述UV膜。
4.如权利要求2所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，将所述LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上，使所述第一电极抵接所述第二电极后完成LED芯片的装贴的方法为：将所述LED芯片硅胶膜置于设置有第二电极的基板上，使所述第一电极抵接所述第二电极，将所述LED芯片硅胶膜加热至温度高于T2并进行真空固化处理，完成LED芯片的装贴。
5.如权利要求4所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，将所述LED芯片硅胶膜加热至温度高于T2并进行真空固化处理的步骤中，将所述LED芯片硅胶膜加热至T2，保温处理30分钟～80分钟。
6.如权利要求1至5任一项所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，所述第一电极的熔点标记为Ti，且T1＜Ti≤T2。
7.如权利要求1至5任一项所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，所述第一电极为含锡电极。
8.如权利要求1至5任一项所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理的步骤中，所述双组份硅胶的沉积量满足：得到的双组份硅胶膜的厚度为LED芯片厚度的2～8倍。
9.如权利要求8所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，所述LED芯片的厚度为70μm～80μm；且所述双组份硅胶膜的厚度为0.2mm～0.5mm。
10.如权利要求1至5、9任一项所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，所述双组份硅胶的初始粘度为3000Pa·s～5000Pa·s；和/或
所述双组份硅胶的透光率大于等于95％。
11.如权利要求1至5、9任一项所述的LED芯片的装贴方法，其特征在于，所述基板中，至少在所述第二电极的表面覆盖有助焊胶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911410623.5A CN113130456B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | Led芯片的装贴方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911410623.5A CN113130456B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | Led芯片的装贴方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113130456A CN113130456A (zh) | 2021-07-16 |
| CN113130456B true CN113130456B (zh) | 2022-09-06 |
Family
ID=76770291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911410623.5A Active CN113130456B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | Led芯片的装贴方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113130456B (zh) |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593283A (zh) * | 2012-03-01 | 2012-07-18 | 溧阳通亿能源科技有限公司 | 一种高光效led封装制备方法 |
| CN103131190A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-06-05 | 广州市爱易迪新材料科技有限公司 | 一种led封装用的双组份自成型透镜硅胶及其封装工艺 |
| CN103881394A (zh) * | 2014-03-27 | 2014-06-25 | 广州市爱易迪新材料科技有限公司 | 一种led灯丝柱的自成型封装硅胶及其封装工艺 |
| CN104371618A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 上海联浪新材料科技有限公司 | 一种耐湿热、低光衰透明环氧led封装胶及其制备 |
| CN104485327A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-04-01 | 杭州杭科光电股份有限公司 | 一种led光源和led发光模组的制备方法 |
| CN104851961A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-08-19 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发光器件的芯片级封装方法及结构 |
| CN104900783A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-09 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 |
| CN105655261A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-06-08 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 倒装白光芯片的制备工艺 |
| CN105826449A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-08-03 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 白光芯片的成型制备方法和系统 |
| CN106047278A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-26 | 烟台德邦先进硅材料有限公司 | 一种高折射率耐黄变led封装硅胶 |
| CN106675505A (zh) * | 2015-11-09 | 2017-05-17 | 北京科化新材料科技有限公司 | 用于led封装的硅胶 |
| CN108913089A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-30 | 深圳天鼎新材料有限公司 | 双组份封装胶、其制备方法和使用方法以及应用 |
| CN109216532A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-15 | 上海悦威电子设备有限公司 | 一种紫外led石英透镜装配结构及方法 |
-
2019
- 2019-12-31 CN CN201911410623.5A patent/CN113130456B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593283A (zh) * | 2012-03-01 | 2012-07-18 | 溧阳通亿能源科技有限公司 | 一种高光效led封装制备方法 |
| CN103131190A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-06-05 | 广州市爱易迪新材料科技有限公司 | 一种led封装用的双组份自成型透镜硅胶及其封装工艺 |
| CN104371618A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 上海联浪新材料科技有限公司 | 一种耐湿热、低光衰透明环氧led封装胶及其制备 |
| CN103881394A (zh) * | 2014-03-27 | 2014-06-25 | 广州市爱易迪新材料科技有限公司 | 一种led灯丝柱的自成型封装硅胶及其封装工艺 |
| CN104485327A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-04-01 | 杭州杭科光电股份有限公司 | 一种led光源和led发光模组的制备方法 |
| CN104851961A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-08-19 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发光器件的芯片级封装方法及结构 |
| CN104900783A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-09 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 芯片级封装的倒装led白光芯片的制备方法 |
| CN106675505A (zh) * | 2015-11-09 | 2017-05-17 | 北京科化新材料科技有限公司 | 用于led封装的硅胶 |
| CN105655261A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-06-08 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 倒装白光芯片的制备工艺 |
| CN105826449A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-08-03 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 白光芯片的成型制备方法和系统 |
| CN106047278A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-26 | 烟台德邦先进硅材料有限公司 | 一种高折射率耐黄变led封装硅胶 |
| CN108913089A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-30 | 深圳天鼎新材料有限公司 | 双组份封装胶、其制备方法和使用方法以及应用 |
| CN109216532A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-15 | 上海悦威电子设备有限公司 | 一种紫外led石英透镜装配结构及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113130456A (zh) | 2021-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101241921B (zh) | 光学器件及其制造方法、以及摄像模块和内窥镜模块 | |
| KR100267874B1 (ko) | 상호접속부의형성방법및전자구조체 | |
| JPH08330460A (ja) | 電子デバイス用気密封止方法及びその構造 | |
| JPH10308465A (ja) | 半導体基板用の鋳造金属シール | |
| TW201246616A (en) | Method of light emitting diode die-bonding with magnetic field | |
| TW201232673A (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| CN208384933U (zh) | 一种微缩化led矩阵 | |
| JPH11150135A (ja) | 熱伝導性が良好な導電性ペースト及び電子部品 | |
| KR20090013167A (ko) | 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치 | |
| CN112967980A (zh) | 芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法 | |
| CN207781646U (zh) | 一种led芯片倒装焊接结构和led灯珠 | |
| CN103165794B (zh) | 光学半导体装置用基台、其制造方法以及光学半导体装置 | |
| WO2023000562A1 (zh) | 一种led贴膜屏及其制作方法 | |
| CN113130456B (zh) | Led芯片的装贴方法 | |
| CN110854109B (zh) | 一种正装led芯片的封装方法 | |
| CN117153994A (zh) | MiniLED显示模组的制备方法 | |
| CN110112126A (zh) | 显示器件和显示模组及其制造方法 | |
| JP3346695B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| CN216749944U (zh) | Led封装器件 | |
| JP2016039181A (ja) | モジュールの製造方法 | |
| CN114007342A (zh) | 一种背光源的制备方法 | |
| CN202042478U (zh) | 半导体元件封装及使用该封装的发光元件 | |
| JP2007123465A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置およびその製造方法 | |
| CN113130727B (zh) | Led芯片装贴方法 | |
| JP2004207539A (ja) | 電子部品収納用容器および電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd. Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District Applicant before: TCL Corp. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |