CN117153994A - MiniLED显示模组的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 38
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DNUURYZWCQXQOR-UHFFFAOYSA-N [In][Ag][Pb] Chemical compound [In][Ag][Pb] DNUURYZWCQXQOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本申请提供一种Mini LED显示模组的制备方法,通过在膜层的第一表面形成包覆多个Mini LED芯片的硅胶层,以使多个Mini LED芯片可利用硅胶层进行批量转移。通过将包覆于硅胶层的多个Mini LED芯片的外露的电极焊接于目标基板的对应电极上,可完成多个Mini LED芯片的批量焊接。然后将多个Mini LED芯片批量封装于目标基板上,即完成Mini LED显示模组的制备。本申请所提供的Mini LED显示模组制备方法能够实现多个Mini LED芯片的批量转移、焊接和封装,从而使Mini LED芯片的装贴效率高。
Description
技术领域
本申请属于半导体照明技术领域,尤其涉及一种Mini LED显示模组的制备方法。
背景技术
MiniLED(MiniLight Emitting Diode,迷你发光二极管)显示技术是一种新型的高亮度和高分辨率显示技术,具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点,有着广阔的市场前景。
但是,由于Mini LED芯片相比于传统LED芯片尺寸更小,且在基板上密度更大,因此Mini LED芯片的转移难度更大。传统的转移方式会导致Mini LED贴装效率较低,从而局限了Mini LED的应用范围。
发明内容
本申请实施例提供一种Mini LED显示模组制备方法,能够解决Mini LED芯片装贴效率低的问题。
为实现上述目的,本申请提供如下技术方案:
一种Mini LED显示模组的制备方法,所述方法包括以下步骤:
提供Mini LED芯片模组,所述Mini LED芯片模组包括一膜层以及排列于所述膜层的多个Mini LED芯片,多个所述Mini LED芯片带有电极的第一表面与所述膜层的第一表面贴合;
在所述膜层的第一表面上形成硅胶层,所述硅胶层包覆多个所述Mini LED芯片;
去除所述膜层,使多个所述Mini LED芯片的第一表面外露;
将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极焊接于目标基板的对应电极上;
将多个所述Mini LED芯片封装于所述目标基板上,以得到Mini LED显示模组。
在一些实施例中,所述在所述膜层的第一表面上形成硅胶层的步骤包括:
在所述膜层的第一表面上涂覆液态硅胶,直至所述液态硅胶包覆多个所述MiniLED芯片的第二表面和侧面,所述Mini LED芯片的第二表面与所述Mini LED芯片的第一表面相对,所述Mini LED芯片的侧面与所述Mini LED芯片的第一表面和第二表面连接;
将所述液态硅胶进行固化,形成所述硅胶层。
在一些实施例中,所述在所述膜层的第一表面上涂覆液态硅胶,直至所述液态硅胶包覆多个所述Mini LED芯片的第二表面和侧面的步骤还包括:
提供治具,所述治具包括底壁及与所述底壁连接的侧壁,所述底壁及所述侧壁围合形成容纳空间;
将所述膜层固定于治具上,所述膜层的第二表面与所述治具的底壁贴合,所述膜层的第一表面以及所述多个Mini LED芯片位于所述容纳空间,所述膜层的第二表面与所述膜层的第一表面相对;
向所述容纳空间内喷涂所述液态硅胶,直至所述液态硅胶包覆多个所述Mini LED芯片的第二表面和侧面。
在一些实施例中,在将所述液态硅胶进行固化,形成所述硅胶层之后,还包括:
将所述膜层与所述治具分离。
在一些实施例中,所述固化所述液态硅胶的方式包括低温烘烤所述液态硅胶。
在一些实施例中,所述目标基板的电极上和/或多个所述Mini LED芯片的电极上具有锡球,所述将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极焊接于目标基板的对应电极上的步骤包括:
将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极与所述目标基板上的对应电极对齐;
加热以使所述锡球融化,以使多个所述Mini LED芯片的电极通过所述锡球焊接于所述目标基板上的对应电极上。
在一些实施例中,在将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极焊接于目标基板的对应电极上之前,还包括:
在所述目标基板上带有电极的一面涂覆一层助焊膏。
在一些实施例中,所述将多个所述Mini LED芯片封装于所述目标基板上的步骤包括:
将所述硅胶层融化后再固化,以使所述Mini LED芯片封装于所述目标基板上。
在一些实施例中,所述硅胶层为透明层,包括第一组份和第二组分,所述第一组份与所述第二组分均匀混合。
在一些实施例中,所述膜层为紫外膜。
本申请实施例提供的Mini LED显示模组的制备方法,通过在膜层的第一表面形成包覆多个Mini LED芯片的硅胶层,从而使多个Mini LED芯片可随着硅胶层的转移进行批量转移。通过将包覆于硅胶层的多个Mini LED芯片的外露的电极焊接于目标基板的对应电极上,可完成多个Mini LED芯片的批量焊接。然后将多个Mini LED芯片批量封装于目标基板上,即完成Mini LED显示模组的制备。本申请所提供的Mini LED显示模组制备方法能够实现多个Mini LED芯片的批量转移、焊接和封装,从而使Mini LED芯片的装贴效率高。此外,该方法步骤简单、消耗材料少,能够起到降低成本、环保的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对本领域技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的Mini LED显示模组的制备方法的流程图。
图2为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第一种结构示意图。
图3为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第二种结构示意图。
图4为本申请实施例中制备液态硅胶的示意图。
图5为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第三种结构示意图。
图6为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第四种结构示意图。
图7为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第五种结构示意图。
图8为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第六种结构示意图。
图9为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第七种结构示意图。
图10为本申请实施例Mini LED显示模组在制备过程中的第八种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
为了更完整地理解本申请及其有益效果,下面将结合附图来进行说明。其中,在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
本申请实施例提供一种Mini LED显示模组的制备方法。Mini LED芯片为一种芯片尺寸介于50~200μm之间的LED器件,相比传统显示模组,Mini LED显示模组具备更优良的显示效果,响应速度有着数量级的提升,显示屏幕可以更轻薄,并且功耗也大幅度降低。
示例性的,请参阅图1,图1为本申请实施例提供的Mini LED显示模组的制备方法的第一种流程图。Mini LED显示模组的制备方法包括步骤s1-s5:
步骤s1:提供MiniLED芯片模组,MiniLED芯片模组包括一膜层以及排列于膜层的多个MiniLED芯片,多个MiniLED芯片带有电极的第一表面与膜层的第一表面贴合。
其中,Mini LED芯片在膜层上的位置固定,例如可以在膜层的第一表面涂覆粘性材料,以使多个Mini LED芯片粘于膜层的第一表面;还可以在膜层上设置多个限位槽,该限位槽的底面例如可以与Mini LED芯片的第一表面形状相同,以使Mini LED芯片可与限位槽匹配,将Mini LED芯片卡入限位槽中,从而不易产生位移。膜层例如可以为紫外膜。多个Mini LED芯片例如可以根据实际需要以阵列形式排布于膜层,也可以不规则排布于膜层。
步骤s2:在膜层的第一表面上形成硅胶层,硅胶层包覆多个Mini LED芯片。
其中,硅胶层为固态透明层,其厚度至少包覆多个Mini LED芯片的第二表面和侧面,例如该硅胶层的厚度可以为0.2-0.5mm。其中Mini LED芯片的第二表面与第一表面相对,Mini LED芯片的侧面与Mini LED芯片的第一表面和第二表面连接。硅胶层的第一表面与膜层的第一表面贴合,与硅胶层的第一表面相对的硅胶层的第二表面可以为平整表面,也可以是不平整表面。
步骤s3:去除膜层,使多个Mini LED芯片的第一表面外露。
在一些实施例中,由于多个Mini LED芯片的第一表面与膜层的第一表面紧密贴合,因此在膜层的表面形成硅胶层时,该硅胶层无法包覆住多个Mini LED芯片的第一表面。从而,将膜层从硅胶层上揭下时,原本与膜层贴合的多个Mini LED芯片的第一表面则裸露于外界环境。由于Mini LED芯片的第一表面具有电极,因而Mini LED芯片的电极相对于硅胶层裸露于外界环境。
步骤s4:将包覆于硅胶层的多个Mini LED芯片的电极焊接于目标基板的对应电极上。
在一些实施例中,目标基板上设置有驱动电路及接触电极,在将目标基板与硅胶层贴合时,应将Mini LED芯片的电极与目标基板的对应电极对齐。焊接方式例如可以为低熔点合金焊接法,采用的焊接材料例如可以为金硅合金、金锡合金、铟铅银合金、铅锡银合金等;焊接的方式还可以为粘合法,例如用低温银浆、银泥、环氧树脂或导电胶等以粘合方式焊接芯片。
步骤s5:将多个MiniLED芯片封装于目标基板上,以得到Mini LED显示模组。
Mini LED芯片的封装方式例如可以为点胶、灌封、模压等。还可以直接将硅胶层融化后再次固化,从而将Mini LED芯片封装于目标基板上。封装的功能在于提供芯片足够的保护,防止芯片在空气中长期暴露或机械损伤而失效,以提高芯片的稳定性。
在实际应用中,通过在膜层的第一表面形成包覆多个Mini LED芯片的硅胶层,然后将膜层去除,可实现利用该硅胶层进行多个Mini LED芯片从膜层至目标基板的转移。通过将包覆于硅胶层的多个Mini LED芯片的外露的电极焊接于目标基板的对应电极上,即完成多个Mini LED芯片的焊接。然后将多个Mini LED芯片封装于目标基板上,即完成MiniLED显示模组的制备。本申请做提供的Mini LED显示模组制备方法能够实现Mini LED芯片的批量转移、焊接和封装,且步骤简单、消耗材料少,能够起到降低成本、环保的效果。
进一步的,本申请还提供一种实施例,该实施例的Mini LED芯片制备方法包括步骤f1-f9:
步骤f1:提供MiniLED芯片模组。MiniLED芯片模组包括膜层以及排列于膜层的多个锡球和MiniLED芯片。
示例性的,如图2所示。MiniLED芯片模组100包括膜层120以及排列于膜层120的多个锡球130和MiniLED芯片110。其中,膜层例如可以为UV膜。锡球130例如可以为熔点在150℃以下的锡铋合金。多个MiniLED芯片110包括带有电极的第一表面以及与该第一表面相对的第二表面。MiniLED芯片110第一表面的与锡球130贴合,锡球130与Mini LED芯片贴合面的相对面与膜层120的第一表面贴合。
步骤f2:提供一治具,然后将Mini LED芯片模组放入治具中。
示例性的,经步骤f2后形成如图3所示的结构。其中,治具140包括底壁141以及与底壁141连接的侧壁142,底壁141与侧壁142围设形成容纳空间143。治具140的底壁141的大小应至少能够覆盖膜层120的第二表面。治具140的侧壁142例如可以为垂直于治具140的底壁141。治具140的材料例如可以为玻璃纤维、亚克力等材质。膜层120的第二表面与第一表面相对,为远离锡球130的一面。将Mini LED芯片模组100放入治具后,膜层120的第二表面与治具140的底壁141贴合。膜层120的第一表面以及多个Mini LED芯片110位于容纳空间143内。
步骤f3:制备一种液态硅胶。
示例性的,如图4所示,图4为该液态硅胶的一种制备方法的示意图。该制备方法为:准备第一组份A和第二组分B。将第一组份A和第二组分B均匀混合后得到液态硅胶C。其中第一组份A、第二组分B均呈透明。液态硅胶C的特性例如可以是:经低温烘烤后可被固化为固态硅胶层,而后硅胶层被加热至90℃时即融化,继续被加热至150℃时再次固化。此外,液态硅胶C的粘度为3000cps-5000cps,呈透明,透光率在95%以上。
步骤f4:向治具内喷涂液态硅胶,直至液态硅胶完全包覆膜层上的多个Mini LED芯片和锡球的外露的表面。
示例性的,经步骤f4后形成如图5所示的结构。其中,液态硅胶C包覆膜层120的第一表面、Mini LED芯片110的第二表面与侧面以及锡球130原本外露于容纳空间143的表面。
步骤f5:将液态硅胶进行固化,形成硅胶层,然后将膜层与治具分离,得到硅胶层与Mini LED芯片模组的组合结构。
其中,液态硅胶的固化方式例如可以为将治具140连带其容纳空间143内的液态硅胶C和Mini LED芯片模组100放入真空烤箱中烘烤,烘烤温度例如可以为90℃。烘烤完成后,形成硅胶层150。示例性的,经步骤f5后形成如图6所示的结构。硅胶层150包覆膜层120的第一表面、Mini LED芯片110的第二表面与侧面以及锡球130原本外露于容纳空间143的表面。硅胶层150的厚度例如可以为0.2-0.5mm。
步骤f6:去除膜层,使多个锡球原本与膜层贴合的表面外露。
示例性的,经步骤f6后形成如图7所示的结构。其中,多个锡球130原本与膜层120贴合的表面外露。硅胶层150仍包覆膜层120的第一表面、Mini LED芯片110的第二表面与侧面以及锡球130原本外露于容纳空间143的表面。
步骤f7:提供目标基板,目标基板的第一表面上设有与包覆于硅胶层的多个MiniLED芯片的电极位置对应的电极。
示例性的,如图8所示,图8为本方案所提供的实施例中一种目标基板160的结构示意图。其中,目标基板160上还设置有驱动电路。在一些实施例中,目标基板160的电极上也贴合有锡球130。在一些实施例中,目标基板160带有电极的第一表面还涂覆有一层助焊剂,助焊剂用于促进目标基板160与Mini LED芯片110的焊接。
步骤f8:将包覆于硅胶层的多个Mini LED芯片的电极与目标基板上的对应电极对齐后,加热以使锡球融化,以使多个Mini LED芯片的电极通过锡球焊接于目标基板上的对应电极上。
示例性的,经步骤f8后形成如图9所示的结构。多个Mini LED芯片110上贴合的锡球130与目标基板160上贴合的锡球130经加热后融化,从而融合在一起且与多个Mini LED芯片110的电极、目标基板160上的电极均相连。因此,多个Mini LED芯片110的电极通过锡球130焊接于目标基板160上的对应电极上。
步骤f9:将硅胶层融化后再固化,以使多个Mini LED芯片封装于目标基板上,从而得到Mini LED显示模组。
其中,将硅胶层融化后再固化的方式例如可以是将硅胶层加热到90℃使其融化,然后继续加热至150℃使其固化。示例性的,经步骤f9后形成如图10所示的结构。由于硅胶层150融化后变为液态产生形变,可在重力作用下将多个Mini LED芯片110、锡球130密封于目标基板160带有电极的第一表面。然后再次使硅胶层固化,则得到了Mini LED显示模组。
在一个优选的实施例中,通过将多个Mini LED芯片模组100放入治具140中,再向治具140中喷涂液态硅胶C,可对液态硅胶C进行塑形,从而可以顺利的使液态硅胶C达到包覆多个Mini LED芯片110的第二表面和侧面的效果;通过对液态硅胶C进行固化得到硅胶层150,以使多个Mini LED芯片110被包覆于硅胶层150,从而可随硅胶层150转移至目标基板160上,实现多个Mini LED芯片110的批量转移;通过将多个Mini LED芯片110上的电极与目标基板160上的对应电极对齐,然后将电极上贴合的锡球130融化,以使多个Mini LED芯片110焊接于目标基板160上,实现多个Mini LED芯片110的批量焊接;通过将硅胶层150融化后再次固化,以使多个Mini LED芯片110被硅胶层150封装于目标基板160上,实现多个MiniLED芯片110的批量封装,得到Mini LED显示模组。因此,本申请实施例提供的Mini LED显示模组的制备方法能够实现多个Mini LED芯片批量转移、焊接及封装,制备效率高。此外,还有步骤简单,耗材少的优点,能够实现降低成本,环保节约的效果。
以上对本申请实施例所提供的Mini LED显示模组的制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
提供Mini LED芯片模组,所述Mini LED芯片模组包括一膜层以及排列于所述膜层的多个Mini LED芯片,多个所述Mini LED芯片带有电极的第一表面与所述膜层的第一表面贴合;
在所述膜层的第一表面上形成硅胶层,所述硅胶层包覆多个所述Mini LED芯片;
去除所述膜层,使多个所述Mini LED芯片的第一表面外露;
将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极焊接于目标基板的对应电极上;
将多个所述Mini LED芯片封装于所述目标基板上,以得到Mini LED显示模组。
2.根据权利要求1所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,所述在所述膜层的第一表面上形成硅胶层的步骤包括:
在所述膜层的第一表面上涂覆液态硅胶,直至所述液态硅胶包覆多个所述Mini LED芯片的第二表面和侧面,所述Mini LED芯片的第二表面与所述Mini LED芯片的第一表面相对,所述Mini LED芯片的侧面与所述Mini LED芯片的第一表面和第二表面连接;
将所述液态硅胶进行固化,形成所述硅胶层。
3.根据权利要求2所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,所述在所述膜层的第一表面上涂覆液态硅胶,直至所述液态硅胶包覆多个所述Mini LED芯片的第二表面和侧面的步骤还包括:
提供治具,所述治具包括底壁及与所述底壁连接的侧壁,所述底壁及所述侧壁围合形成容纳空间;
将所述膜层固定于治具上,所述膜层的第二表面与所述治具的底壁贴合,所述膜层的第一表面以及所述多个Mini LED芯片位于所述容纳空间,所述膜层的第二表面与所述膜层的第一表面相对;
向所述容纳空间内喷涂所述液态硅胶,直至所述液态硅胶包覆多个所述Mini LED芯片的第二表面和侧面。
4.根据权利要求3所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,在将所述液态硅胶进行固化,形成所述硅胶层之后,还包括:
将所述膜层与所述治具分离。
5.根据权利要求2所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,所述固化所述液态硅胶的方式包括低温烘烤所述液态硅胶。
6.根据权利要求1所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,所述目标基板的电极上和/或多个所述Mini LED芯片的电极上具有锡球,所述将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极焊接于目标基板的对应电极上的步骤包括:
将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极与所述目标基板上的对应电极对齐;
加热以使所述锡球融化,以使多个所述Mini LED芯片的电极通过所述锡球焊接于所述目标基板上的对应电极上。
7.根据权利要求1-6任一项所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,在将包覆于所述硅胶层的多个所述Mini LED芯片的电极焊接于目标基板的对应电极上之前,还包括:
在所述目标基板上带有电极的一面涂覆一层助焊膏。
8.根据权利要求1-6任一项所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,所述将多个所述Mini LED芯片封装于所述目标基板上的步骤包括:
将所述硅胶层融化后再固化,以使所述Mini LED芯片封装于所述目标基板上。
9.根据权利要求1-6任一项所述的Mini LED显示模组的制备方法,其特征在于,所述硅胶层为透明层,包括第一组份和第二组分,所述第一组份与所述第二组分均匀混合。
10.根据权利要求1-6任一项所述的Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,所述膜层为紫外膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210981957.3A CN117153994A (zh) | 2022-08-16 | 2022-08-16 | MiniLED显示模组的制备方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202210981957.3A CN117153994A (zh) | 2022-08-16 | 2022-08-16 | MiniLED显示模组的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117153994A true CN117153994A (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=88897469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210981957.3A Pending CN117153994A (zh) | 2022-08-16 | 2022-08-16 | MiniLED显示模组的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117153994A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117352608A (zh) * | 2023-12-06 | 2024-01-05 | 江西省昌大光电科技有限公司 | 矩阵式led模组封装方法及其封装系统 |
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2022
- 2022-08-16 CN CN202210981957.3A patent/CN117153994A/zh active Pending
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