KR101181112B1 - 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 - Google Patents
발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101181112B1 KR101181112B1 KR1020050101771A KR20050101771A KR101181112B1 KR 101181112 B1 KR101181112 B1 KR 101181112B1 KR 1020050101771 A KR1020050101771 A KR 1020050101771A KR 20050101771 A KR20050101771 A KR 20050101771A KR 101181112 B1 KR101181112 B1 KR 101181112B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- emitting diode
- light emitting
- resin
- conductive metal
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
본 발명은 기설정된 깊이와 길이로 상부면에 평행하게 들어가고 외측으로 돌출된 형태의 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 상부 일측으로부터 측면을 따라 상기 웨이퍼의 기설정된 하측 면의 일측까지 도포된 전도성 금속층; 상기 웨이퍼의 상부 중앙부분에서 상기 전도성 금속층과 접촉하여 플립 본딩된 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩 위에 도포된 수지; 및 상기 웨이퍼의 하측면에 도포된 금속층 표면의 하나 이상의 일측에 형성된 전기 전도성의 페이스트로 이루어진 패드를 포함하는 발광 다이오드에 관한 것이다.
표면 실장, 발광 다이오드, 스크린 프린팅
Description
도 1은 종래의 LED모듈을 도시한 예시도.
도 2는 종래의 COB구조의 LED모듈을 예시적으로 도시한 단면도.
도 3a는 본 발명에 따라 구비된 단결정 실리콘 웨이퍼의 단면을 예시적으로 도시한 단면도.
도 3b는 본 발명에 따라 식각 공정을 거쳐서 형성된 실리콘 구조물(SIOB) 단일 셀의 단면을 예시적으로 도시한 단면도.
도 3c는 본 발명에 따라 증착 공정을 거쳐서 형성된 금속 배선을 예시적으로 도시한 단면도.
도 3d는 본 발명에 따라 플립 본딩(Flip Bonding) 방식을 이용하여 LED 칩을 부착한 상태를 도시한 단면도.
도 3e는 본 발명에 따라 스크린 프린팅 방식을 이용한 형광체의 도포 상태를 도시한 단면도.
도 3f는 본 발명에 따라 스크린 프린팅 방식을 이용한 전기 전도성 페이스트(Paste) PAD 형을 도시한 단면도.
도 4a는 본 발명에 따라 형광체의 도포를 위한 스크린 프린팅 방식을 설명하 기 위한 예시도.
도 4b는 본 발명에 따라 전기 전도성 페이스트의 도포를 위한 스크린 프린팅 방식을 설명하기 위한 예시도.
도 5는 본 발명에 따라 절단(Sawing) 후의 발광 다이오드를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명에 따라 절단한 후의 발광 다이오드를 PCB상에 적용한 예시도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
30: 웨이퍼 31: 금속 배선
32: LED 칩 33: 수지
34: 페이스트 35: 패드
40: 공극 41: 스퀴즈
42, 43: 스크린 마스크 45: 척(chuck)
60: 솔더 61: PCB 랜드
62: PCB
본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광 다이오드 칩을 대면적으로 분할하는 개별 패키지 또는 개별 패키지 모듈, 및 칩을 직접 PCB(Printed Circuit Board)상에 본딩(Bonding)하여 에폭시 또는 실리콘 등의 투명 물질로 보호막을 형성하는 COB(Chip on Board)에서 광속량을 높이기 위한 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 LED(Light-Emitting Diode) 모듈은 도 1에 도시된 바와 같이, 적색 LED(2), 녹색 LED(3), 및 청색 LED(4)에 해당하는 각각의 LED 칩(chip)을 모듈 회로기판(1)상에서 하나의 독립된 패키지(package)속에 탑재하여, 렌즈 형태로 에폭시로 몰딩한 개별 소자를 모듈화한 것을 예로 들 수 있다.
또는, 도 2에 도시된 바와 같이 SIOB(Silicon Optical Bench: 실리콘 광학 벤치)(27)의 서브마운트(Submount) 상에 LED(28)를 플립 본딩하거나 LED 칩을 직접 PCB(이하, 금속 PCB를 포함)에 다이 본딩(Die Bonding)하고 와이어 본딩(Wire Bonding)하여 전기적 연결을 한 COB(Chip On Bonding) 구조를 예시로 들 수 있다.
독립된 단품 패키지를 모듈형태로 구성하는 방식은 칩을 일단 단일 패키지 형태로 제작한 이후, 다시 PCB에 본딩을 하여야 하는 복잡하고 긴 공정을 거쳐야 하므로 필연적으로 생산비의 비중은 증가할 수 밖에 없다. 무엇보다도 고출력(고휘도) 적용에 있어서 가장 중요한 요소인 열방출 측면에서 볼 때, 발열부인 LED에서 외부 환경으로 열을 방출하는 주요 경로는 단품 패키지 내부의 금속성 리드 프레임과 PCB 금속부의 구조적 결합부분이므로, 단품 패키지 형태의 모듈은 방출열의 경로가 길어 열방출 효율이 제작 비용에 비해 낮아질 수 있다.
종래의 COB 방식의 경우는 단품 패키지 모듈형태의 단점을 일부 개선한 방식으로서 종래의 방식에 비해 간단한 공정과 저렴한 제작 비용, 짧아진 열 방출경로 등의 장점이 있으나, 역시 와이어 본딩과 다이 본딩을 거쳐야 하며 LED의 발열에 의한 열적 피로, 기계적 응력 발생으로 기인한 단선 등의 결점 사항을 가지고 있다. 이런 결점은 최근 LED 시장이 고출력 응용부분으로 가고 있는 추세로 볼 때 시급히 해결해야 할 당면 과제이다. 또한, COB 모듈 공정중 발생한 불량품은 다시 활용하기가 어렵다는 단점이 있다.
본 발명은 종래의 모듈화 기술들의 단점인 복잡하고 긴 공정, 비싼 제작 비용, 열적 신뢰성 문제 등을 해결할 수 있는 발광다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 접합성(Solderability)을 향상시킨 발광다이오드를 제공하여 생산, 유통중 발생 가능한 손상을 방지한다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼를 기설정된 형태로 식각하는 식각 단계; 상기 웨이퍼의 상부 일측으로부터 측면을 따라 상기 웨이퍼의 기설정된 하측 면의 일측까지 전도성 금속을 도포하는 금속 도포단계; 상기 웨이퍼의 상기 전도성 금속과 접촉하여 발광 다이오드 칩을 플립 본딩하는 플립 본딩 단계; 상기 발광 다이오드 칩 위에 수지를 도포하는 수지 도포 단계; 및 상기 웨이퍼의 하측면에 도포된 금속 표면의 하나 이상의 일측에 전기 전도성의 페이스트(Paste)로 이루어진 패드를 형성하는 패드 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 기설정된 깊이와 길이로 상부면에 평행하게 들어가고 외측 으로 돌출된 형태의 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 상부 일측으로부터 측면을 따라 상기 웨이퍼의 기설정된 하측 면의 일측까지 도포된 전도성 금속층; 상기 웨이퍼의 상부 중앙부분에서 상기 전도성 금속층과 접촉하여 플립 본딩된 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩 위에 도포된 수지; 및 상기 웨이퍼의 하측면에 도포된 금속층 표면의 하나 이상의 일측에 형성된 전기 전도성의 페이스트로 이루어진 패드를 포함하는 발광 다이오드에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따라 발광 다이오드를 제조하는 과정을 도시하는 도면이다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 예를 들어, 웨이퍼(30)를 광리소그래피(photo-lithography)기술과 에칭(etching)을 수행하여, 도 3b의 위측에 도시된 바와 같은 상면도와 이 상면도를 A-A선을 따라 절단한 예컨대, 도 3b 아래 측의 단면도와 같은 경사진 형태의 단면을 가지게 된다.
이런 단면을 형성하기 위해 이용되는 에칭 방법에는 대표적으로 습식에칭인 이방성 습식에칭(anisotropy wet-etching)을 들 수 있고, 이 이방성 습식에칭의 에칭 용액(Etching Solution)으로는 KOH(potassium hydroxide)를 사용하는데 이는 다른 이방성 습식 식각 용액에 비해 식각 속도가 빠르고 가격이 저렴하며 결정 방향성 의존특성이 우수하다. 마스크로는 실리콘 산화막(Silicon Dioxide)를 사용한다.
이어서, 도 3b에 도시된 단면을 가진 웨이퍼(30)를 고진공(5×10-5 ~ 1×10-7torr)상태의 챔버에 장착하고, e-빔(Beam)을 이용한 증착(Evaporation) 기술을 이용하여 예를 들어, Al, Au와 같이 전도성을 가진 금속(31)을 도 3c에 도시된 바와 같이 기설정된 시간 동안 1 ～2 ㎛의 두께로 웨이퍼(30) 단면상에 도포하며, 이어서 웨이퍼(30) 반대 면에 대해서도 동일한 두께로 도포를 수행한다.
금속(31)을 웨이퍼(30) 단면상에 도포한 후, 도 3d에 도시된 LED 칩(32) 하부에 형성된 Au 스터드(stud)(도시되지 않음)를 이용하여 LED 칩(32)을 웨이퍼(30) 단면상에 도포된 금속(31)상에 플립 본딩한다. 이렇게 플립 본딩을 이용하면, 리드 프레임이 없어 전체 사이즈가 줄어들므로 소형화와 경량화에 유리하고, 칩 밑면에 입,출력 단자가 있어 종래의 와이어 방식의 패키지 경우보다 우수한 전기적 특성을 가지게 된다.
도포된 금속(31)상에 LED 칩(32)을 플립 본딩한 후, 도 3e에 도시된 바와 같이 LED 칩(32)을 포함한 공간을 수지(33)로 채우고 수지(33)의 상측면을 평평하게 형성한다.
이런 도포를 구현하기 위해서, 종래에 널리 사용되는 공압 방식의 디스펜싱(Dispensing) 방식이 아닌 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식을 사용할 수 있다. 스크린 프린팅 방식은 종래의 공압 방식의 디스펜싱 방식에 비해 짧은 시간에 많은 면적을 도포할 수 있으며 설비 투자비용이 적다.
도 4a에 도시된 바와 같이 각 웨이퍼(30) 단면상에 두께가 예컨대, 50㎛인 스크린 마스크(42)를 다수 형성하고, 웨이퍼 척(chuck)(45) 상에 웨이퍼(30)를 장착하며 진공 펌프를 이용하여 공극(40)을 통해 진공 흡입함으로써, 이 스크린 마스크(42)를 고정 압착한다. 이후, 스퀴즈(squeeze)(41)를 이용하여 각 스크린 마스크(42) 사이에 수지(33)를 채우도록 한다. 구체적으로, 스퀴즈(41)는 스크린 마스크(42)의 상측면을 따라 기설정된 방향으로 액상의 수지(33)를 문지르면서 이동하고, 따라서 액상의 수지(33)는 각각의 스크린 마스크(42) 사이에 채워진다.
또한, 수지(33)는 형광체를 소정 몰비율로 혼합하여 형성할 수 있으며 스퀴즈(41)에 의해 각각의 스크린 마스크(42) 사이에 채워진다. 여기서, 형광체의 종류, 수지, 및 혼합 몰비율에 따라서 여러 가지 발광색을 구현할 수 있고, 형광체는 가넷계 형광체 또는 실리케이트 계열의 형광체를 사용할 수 있다.
각각의 스크린 마스크(42) 사이에 액상의 수지(33)가 채워진 후, 기설정된 온도로 어닐링을 수행하여 수지(33)가 경화(cure)되게 하고, 수지(33)의 표면이 웨이퍼(30)의 상부 표면과 동일하게 평평해지도록 한다.
공극(40)을 통한 진공 흡입을 해제하고 스크린 마스크(42)를 제거한 후, 도 4b에 도시된 바와 같이 웨이퍼(30)를 위아래로 반전시켜 웨이퍼 척(45)에 장착하며, 웨이퍼(30) 상측 면에 패드(35)로 형성될 페이스트(34)를 도포하기 위한 스크린 마스크(43)를 형성하여 배열한다.
여기서, 페이스트를 이용하는 이유는 땜납과 같은 리플로 솔더(Reflow Solder)와 패드(35) 사이의 접착성 등이 고려되어야 하는데, 일반적인 증착 방식으로 금속 패드를 형성하였을 경우에는 수 ㎛ 이상의 두께 구현이 어려우므로 만족할 만한 경도 및 접착력 등을 기대하기는 어렵기 때문이다.
따라서, 본 발명에서는 짧은 시간 내에 수십 ㎛ 이상의 두께로 형성이 가능하고 전기 전도성을 가진 페이스트로 이루어진 패드(35)를 형성한다. 페이스트를 이용하면 전술한 패드의 접착력에 관한 문제점을 보완할 수 있을 뿐만 아니라, 전기적 안정도 기대할 수 있다.
스크린 마스크(43)를 형성하여 배열한 후, 웨이퍼 척(45)의 공극(44)에 연결된 진공 펌프를 이용하여 진공 흡입함으로써 스크린 마스크(43)를 고정 압착한다. 이후, 스퀴즈(41)를 이용하여 각 스크린 마스크(43) 사이에 페이스트(34)를 채우도록 한다. 구체적으로, 스퀴즈(41)는 스크린 마스크(43)의 상측면을 따라 기설정된 방향으로 액상의 페이스트(34)를 문지르면서 이동하고, 따라서 액상의 페이스트(34)는 각각의 스크린 마스크(43) 사이에 채워진다.
각각의 스크린 마스크(43) 사이에 액상의 페이스트(34)가 채워진 후, 기설정된 온도로 가열하여 페이스트(34)가 경화(cure)되고 표면이 평평해지도록 한다. 이어서, 스크린 마스크(43)를 제거하여, 도 3f와 같은 형태의 패드(35)를 구현한다.
이와 같이 발광다이오드를 구현한 후, 도 5에 도시된 바와 같이 절단(sawing)을 수행하여 각각의 발광다이오드를 분리한다. 이렇게 분리된 발광다이오드를 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이 PCB(Printed Circuit Board)(62)에서 금속성 재질의 PCB 랜드(61)에 솔더(60)를 이용하여 부착하여, 발광 기능을 실행하게 된다.
본 발명에 따른 발광다이오드는 도 6에 도시된 PCB 이외에도, 고출력 응용을 위한 구리 등을 사용한 금속 PCB, 양면 PCB 등에 부착되어 COB 구조로 이용될 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명은 전도성 페이스트를 이용하여 패드를 형성하고 전극이 웨이퍼 바닥면으로 확장되어 웨이퍼 레벨 패키징을 가능하게 함으로써, 저렴한 제작단가와 간단한 공정 등의 장점을 실현할 수 있다.
본 발명에 따른 발광다이오드에 의해 발열에 의한 열적 피로 및 기계적 응력 발생으로 기인한 단선을 해소할 수 있다.
Claims (13)
- 웨이퍼를 식각하여, 기설정된 깊이 및 길이를 갖는 오목부와 측면을 형성하는 식각 단계;상기 웨이퍼의 오목부부터 상기 측면을 따라 상기 웨이퍼의 기설정된 하측 면의 일측까지 전도성 금속을 도포하는 금속 도포단계;상기 웨이퍼의 오목부에 상기 전도성 금속과 접촉하도록 발광 다이오드 칩을 플립 본딩하는 플립 본딩 단계;상기 플립 본딩 단계 후, 상기 발광 다이오드 칩 위에 수지를 도포하는 수지 도포 단계; 및상기 수지 도포 단계 후, 상기 웨이퍼의 하측면에 도포된 상기 전도성 금속의 표면의 하나 이상의 일측에 전기 전도성의 페이스트(Paste)로 이루어진 패드를 형성하는 패드 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 오목부의 측면 및 상기 측면은 경사진 형태의 단면을 갖는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속 도포단계에서 상기 전도성 금속은 Al, Au, Cu를 포함하는 전도성 금속 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 도포 단계 및 상기 전도성 페이스트로 이루어진 패드를 형성하는 패드 형성 단계는, 스퀴즈를 이용하여 형성하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 수지는 형광체를 포함하며, 상기 형광체는 가넷계 형광체 또는 실리케이트계 형광체인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 도포 단계는상기 수지를 도포하기 위한 다수의 스크린 마스크를 상기 발광 다이오드 칩이 위치하지 않는 상기 웨이퍼의 상부 표면에 장착하는 스크린 마스크 장착단계;스퀴즈(squeeze)를 이용하여 형광체를 혼합한 수지를 상기 스크린 마스크 사이에 도포하는 스크린 프린팅 단계; 및기설정된 온도로 가열하여 상기 수지를 경화시키고 상기 스크린 마스크를 제거하는 스크린 마스크 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패드 형성 단계는상기 페이스트를 도포하기 위한 스크린 마스크를 상기 웨이퍼의 하측 면에 도포된 금속 표면 이외의 부분에 장착하는 스크린 마스크 장착 단계;스퀴즈를 이용하여 상기 페이스트를 상기 스크린 마스크 사이에 도포하는 스크린 프린팅 단계; 및기설정된 온도로 어닐링하여 상기 페이스트를 경화시키고 상기 스크린 마스크를 제거하는 스크린 마스크 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 기설정된 깊이와 길이를 갖는 오목부 및 외측으로 돌출된 측면을 갖는 웨이퍼;상기 웨이퍼의 오목부부터 상기 측면을 따라 상기 웨이퍼의 기설정된 하측 면의 일측까지 도포된 전도성 금속층;상기 웨이퍼의 오목부에 상기 전도성 금속층과 플립 본딩된 발광 다이오드 칩;상기 발광 다이오드 칩 위에 도포된 수지; 및상기 웨이퍼의 하측면에 도포된 상기 전도성 금속층의 표면의 하나 이상의 일측에 형성된 전기 전도성의 페이스트로 이루어진 패드를 포함하는 발광 다이오드.
- 제 9 항에 있어서,상기 전도성 금속층은 Al, Au, Cu를 포함하는 전도성 금속 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 9 항에 있어서,상기 수지는 소정 몰비율의 형광체가 혼합되며,상기 형광체는 가넷계 형광체 또는 실리케이트계 형광체인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 9 항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 하측 면에 배치된 패드를 구비한 발광 다이오드;랜드를 갖는 기판; 및상기 기판의 랜드에 상기 발광 다이오드의 패드를 부착하는 솔더를 포함하며,상기 발광 다이오드는,기설정된 깊이와 길이를 갖는 오목부 및 외측으로 돌출된 측면을 갖는 웨이퍼;상기 웨이퍼의 오목부부터 상기 측면을 따라 상기 웨이퍼의 기설정된 하측 면의 일측까지 도포된 전도성 금속층;상기 웨이퍼의 오목부에 상기 전도성 금속층과 플립 본딩된 발광 다이오드 칩;상기 발광 다이오드 칩 위에 도포된 수지; 및상기 웨이퍼의 하측면에 도포된 금속층 표면의 하나 이상의 일측에 형성된 전기 전도성의 페이스트로 이루어진 상기의 패드를 포함하는 발광 다이오드 모듈.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050101771A KR101181112B1 (ko) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 |
| US11/586,648 US8343784B2 (en) | 2005-10-27 | 2006-10-26 | Light emitting diode device, manufacturing method of the light emitting diode device and mounting structure of the light emitting diode device |
| JP2006293060A JP5134229B2 (ja) | 2005-10-27 | 2006-10-27 | 発光ダイオード素子、発光ダイオード素子の製造方法、及び発光ダイオード素子の固着構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050101771A KR101181112B1 (ko) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070045461A KR20070045461A (ko) | 2007-05-02 |
| KR101181112B1 true KR101181112B1 (ko) | 2012-09-14 |
Family
ID=37996925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050101771A KR101181112B1 (ko) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8343784B2 (ko) |
| JP (1) | JP5134229B2 (ko) |
| KR (1) | KR101181112B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180019044A (ko) * | 2016-08-15 | 2018-02-23 | 주식회사 에스제이하이테크 | 투명 엘이디 디스플레이 패널 및 이를 이용한 디지털 사이니지 시스템 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101383357B1 (ko) * | 2007-08-27 | 2014-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101417003B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2014-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR20090058878A (ko) * | 2007-12-05 | 2009-06-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 액정 표시장치 |
| DE102008019667A1 (de) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung |
| WO2011060319A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Uni-Light Llc | Led thermal management |
| US20120282767A1 (en) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Method for producing a two-sided fan-out wafer level package with electrically conductive interconnects, and a corresponding semiconductor package |
| KR101811689B1 (ko) * | 2011-07-06 | 2017-12-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 이용되는 페이스트 도포장치 |
| KR102221598B1 (ko) * | 2014-06-16 | 2021-03-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| DE102016111790A1 (de) * | 2016-06-28 | 2017-12-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen |
| KR102333800B1 (ko) * | 2019-07-23 | 2021-12-03 | (주)라이타이저 | 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 csp 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 픽셀 csp |
| KR102262748B1 (ko) * | 2019-07-31 | 2021-06-09 | (주)라이타이저 | 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 |
| EP3944304A1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-26 | Nexperia B.V. | A semiconductor device and a method of manufacture |
| CN112928105B (zh) * | 2021-02-02 | 2022-10-25 | 华南理工大学 | 一种具有台阶电极的rgb器件及制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349347A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2001345482A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | 蛍光表示装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120229A (ja) | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Rohm Co Ltd | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品 |
| US5587342A (en) * | 1995-04-03 | 1996-12-24 | Motorola, Inc. | Method of forming an electrical interconnect |
| JP3145959B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2001-03-12 | 東レエンジニアリング株式会社 | 電子部品の樹脂封止方法 |
| JP2001185640A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | 表面実装型パッケージ及び電子部品並びに電子部品の製造方法 |
| US6600231B2 (en) | 2000-05-11 | 2003-07-29 | Mitutoyo Corporation | Functional device unit and method of producing the same |
| JP4555504B2 (ja) | 2000-05-11 | 2010-10-06 | 株式会社ミツトヨ | 機能デバイスユニット及びその製造方法 |
| JP3926239B2 (ja) | 2001-08-31 | 2007-06-06 | 大日本印刷株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
| KR20040021951A (ko) | 2002-09-06 | 2004-03-11 | 럭스피아 주식회사 | 백색 발광다이오드 |
| JP2005158957A (ja) | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| US7495322B2 (en) | 2003-05-26 | 2009-02-24 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP4123105B2 (ja) | 2003-05-26 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
| JP2005044865A (ja) | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Casio Comput Co Ltd | 半導体パッケージ装置及びその製造方法 |
| JP4896383B2 (ja) | 2003-09-25 | 2012-03-14 | パナソニック株式会社 | Ｌｅｄ光源およびその製造方法 |
| US7397177B2 (en) | 2003-09-25 | 2008-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | LED lamp and method for manufacturing the same |
| CN1677702A (zh) | 2004-03-29 | 2005-10-05 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光二极管 |
| JP2005285925A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ |
| US7411225B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-08-12 | Lg Electronics Inc. | Light source apparatus |
-
2005
- 2005-10-27 KR KR1020050101771A patent/KR101181112B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-10-26 US US11/586,648 patent/US8343784B2/en active Active
- 2006-10-27 JP JP2006293060A patent/JP5134229B2/ja active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349347A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2001345482A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | 蛍光表示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180019044A (ko) * | 2016-08-15 | 2018-02-23 | 주식회사 에스제이하이테크 | 투명 엘이디 디스플레이 패널 및 이를 이용한 디지털 사이니지 시스템 |
| KR101947113B1 (ko) * | 2016-08-15 | 2019-02-12 | 주식회사 에스제이하이테크 | 투명 엘이디 디스플레이 패널 및 이를 이용한 디지털 사이니지 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007123905A (ja) | 2007-05-17 |
| US8343784B2 (en) | 2013-01-01 |
| KR20070045461A (ko) | 2007-05-02 |
| JP5134229B2 (ja) | 2013-01-30 |
| US20070099325A1 (en) | 2007-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101181112B1 (ko) | 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 | |
| CN104716247B (zh) | 发光装置 | |
| JP5759413B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
| US20090114937A1 (en) | Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method | |
| EP2479810B1 (en) | Light-emitting device package and method of manufacturing the same | |
| US20140120641A1 (en) | Flip chip light emitting device package and manufacturing method thereof | |
| US10667345B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting device packages, light-emitting device package strip, and light-emitting device package | |
| US8017964B2 (en) | Light emitting device | |
| JP2007227919A (ja) | 発光ダイオードパッケージの製造方法 | |
| KR20130143061A (ko) | 와이어 본드 프리 다이를 사용한 가요성 led 디바이스 | |
| JP5294902B2 (ja) | 表面実装型発光素子の製造方法 | |
| US20160064630A1 (en) | Flip chip led package | |
| US8415703B2 (en) | Semiconductor chip assembly with post/base/flange heat spreader and cavity in flange | |
| US20150200336A1 (en) | Wafer level contact pad standoffs with integrated reflector | |
| JP2014130959A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| WO2004102685A1 (en) | Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof | |
| JP6769881B2 (ja) | 凹面を有するチップスケールパッケージ型発光素子およびその製造方法 | |
| CN217882285U (zh) | 一种激光半导体芯片封装结构和电子设备 | |
| KR101273045B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| US11757080B2 (en) | Multi-sided light-emitting circuit board and manufacturing method thereof | |
| KR100529710B1 (ko) | 플립칩 패키징 방법 및 이를 이용한 발광다이오드의패키징 구조 | |
| CN115621833A (zh) | 一种激光半导体芯片封装结构、封装方法和电子设备 | |
| JP2012216657A (ja) | 樹脂成形フレーム及び光半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150806 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160805 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170804 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180809 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190812 Year of fee payment: 8 |