CN103378270B - 一种led组件的制备方法及led组件 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000001879 gelation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 18
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 8
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 3
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 101000608720 Helianthus annuus 10 kDa late embryogenesis abundant protein Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004643 material aging Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000584 ultraviolet--visible--near infrared spectrum Methods 0.000 description 1
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LED组件的制备方法以及由该方法制备得到的LED组件,包括以下步骤:S1、将荧光粉与氧化硅溶胶混合得到混合体系,然后将混合体系转入模具中进行凝胶化,脱模后得到荧光凝胶体;S2、对S1得到的荧光凝胶体进行煅烧,得到荧光玻璃;S3、将荧光玻璃粘贴于LED芯片上,得到所述LED组件。本发明提供的LED组件的制备方法,通过将荧光粉与氧化硅溶胶液相混合,得到氧化硅玻璃中均匀分散荧光粉的荧光玻璃,从而可制备得到具有良好出光一致性的LED组件。
Description
技术领域
本发明属于LED技术领域,尤其涉及一种LED组件的制备方法以及由该方法制备得到的LED组件。
背景技术
LED(发光二极管,LightEmittingDiode)是一种固态的半导体器件,可以直接将电转化为光。由于LED不含汞、体积小、寿命长、反应速度快、环保节能,并具有高色彩饱和度等特性,应用越来越广泛,尤其是白光LED,被认为是继白炽灯、荧光灯以后的第三代照明光源,被广泛应用于液晶投影装置、手机背光源、显示屏幕等。
商业化LED生产中,荧光粉材料是制约LED性能的重要环节。目前的LED产品,它的光学质量离不开LED芯片、光学透镜和荧光粉等。其中,LED荧光粉涂覆的不均,将导致色调漂移,出光不均等问题;封装用树脂材料易于老化,影响光学寿命和性能。
为了解决荧光粉涂覆不均和封装材料老化问题,CN101643315A、CN101696085A和CN101749642A均提出一种荧光粉玻璃,通过将荧光粉与玻璃(光学透镜)混合,制备成一体材料以解决荧光粉涂覆不均的问题,还能防止树脂封装的LED发生老化的问题。但是该方法中玻璃材料与荧光粉直接采用固相混匀方式,不利于荧光粉在玻璃材料中均匀分散;以及其模具成型温度较高,模具材料易于与荧光粉玻璃产生一系列副反应,从而引入杂质,影响光学性能。
发明内容
本发明解决了现有技术中LED制备方法中存在的荧光粉在玻璃材料中难以均匀分散、导致LED出光一致性较差的技术问题。
本发明提供了一种LED组件的制备方法,包括以下步骤:
S1、将荧光粉与氧化硅溶胶混合得到混合体系,然后将混合体系转入模具中进行凝胶化,脱模后得到荧光凝胶体;
S2、对S1得到的荧光凝胶体进行煅烧,得到荧光玻璃;
S3、将荧光玻璃粘贴于LED芯片上,得到所述LED组件。
本发明还提供了一种LED组件,所述LED组件由本发明提供的制备方法制备得到。
本发明提供的LED组件的制备方法,通过将荧光粉与氧化硅溶胶液相混合,使得荧光粉能均匀分散,经过凝胶化、煅烧后即可得到氧化硅玻璃中均匀分散荧光粉的荧光玻璃,然后将其粘贴于LED芯片上,即可得到LED组件,其具有良好的出光一致性。
具体实施方式
本发明提供了一种LED组件的制备方法,包括以下步骤:
S1、将荧光粉与氧化硅溶胶混合得到混合体系,然后将混合体系转入模具中进行凝胶化,脱模后得到荧光凝胶体;
S2、对S1得到的荧光凝胶体进行煅烧,得到荧光玻璃;
S3、将荧光玻璃粘贴于LED芯片上,得到所述LED组件。
本发明提供的LED组件的制备方法,通过将荧光粉与氧化硅溶胶液相混合,使得荧光粉能均匀分散,经过凝胶化、煅烧后即可得到氧化硅玻璃中均匀分散荧光粉的荧光玻璃,然后将其粘贴于LED芯片上,即可得到LED组件,其具有良好的出光一致性。
具体地,所述LED组件中荧光粉的用量在本领域的常用范围内即可,本发明没有特殊规定。优选情况下,以荧光粉组合物的总质量为基准,荧光粉的含量为0.1-5wt%,更优选为0.5-2wt%。
本发明中,所述荧光粉可采用现有技术中各种可用于LED的荧光粉,本发明没有特殊限定。例如,所述荧光粉可以选用钇铝石榴石荧光粉(YAG),但不局限于此。优选情况下,所述荧光粉的粒径为0.1-50μm,更优选为1-3μm。
本发明中,所述氧化硅溶胶可以直接采用商购产品,也可自己合成。例如,制备所述氧化硅溶胶的方法为:将二氧化硅分散于水中,在酸或碱性条件下形成稳定的溶胶,即所述氧化硅溶胶。其中,所述二氧化硅的粒径优选为5-100nm,更优选为10-30nm
根据本发明提供的制备方法,先将荧光粉与氧化硅溶胶混合均匀得到混合体系,然后即可转入模具中成型。混合体系在模具中成型的过程实际上为氧化硅溶胶脱水的过程,即发生凝胶化,凝胶化完成后脱模即得到荧光凝胶体。该荧光凝胶体中,荧光粉均匀分散于二氧化硅的网络结构中。优选情况下,步骤S1中,所述凝胶化的温度为室温至300℃,凝胶化的时间为0.5-24h。更优选情况下,所述凝胶化的温度为180-250℃,凝胶化的时间为0.5-8h。
根据本发明的方法,对脱模后的应该凝胶体进行高温煅烧,使氧化硅凝胶继续脱水,烧结完成后转化为石英玻璃,而荧光粉则均匀分布于该石英玻璃中。优选情况下,步骤S2中,所述煅烧的温度为800-1600℃,煅烧的时间为0.5-8h。更优选情况下,所述煅烧的温度为1100-1400℃,煅烧的时间为2-6h。
本发明中,步骤S2中,所述煅烧在气氛中进行。作为本发明的一种优选实施方式,所述气氛中含有氯气和惰性气体,有利于氧化硅凝胶脱水而形成致密的氧化硅玻璃。
本发明中,煅烧完成后,所述荧光玻璃能替代目前的LED组件中荧光粉树脂材料和封装硅胶材料,使LED组件结构和工艺都得到简化。本发明中,所述荧光玻璃的形状可根据实际需求,选择合适的模具即可,例如可以为球型、板型等各种形状,本发明没有特殊限定。
根据本发明的制备方法,最后直接将荧光玻璃粘贴于LED芯片上,即得到所述LED组件。所述LED芯片为现有LED中通用的各种芯片,例如可以为蓝光LED芯片或紫外光LED芯片。本发明中,由于荧光透镜一体成型,并直接粘贴于LED芯片表面,无需硅胶透镜密封,因此能简化工艺。所述粘贴所采用的粘胶为环氧胶或硅胶。
本发明还提供了一种LED组件,所述LED组件由本发明提供的制备方法制备得到。本发明提供的LED组件,结构和制备方法均非常简单,且具有良好的出光一致性。
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
(1)将40重量份的粒径为20nm的二氧化硅分散于60重量份去离子水中,滴加醋酸,至体系pH值为1,得到氧化硅溶胶。然后将0.1重量份粒径为5μm的YAG荧光粉分散于99.9重量份的氧化硅溶胶中,得到混合体系。
(2)将步骤(1)的混合体系转入模具中,先在室温下静置0.5h,然后升温至200℃加速凝胶化,1.5h后脱模,得到荧光凝胶体。
(3)将步骤(2)的荧光凝胶体转入通入氯气和氦气的煅烧炉中,1100℃下煅烧2h,冷却得到荧光玻璃。
(4)将步骤(3)的荧光玻璃采用环氧胶粘贴于蓝光LED芯片上,得到本实施例的LED组件S10。
实施例2
采用与实施例1相同的步骤制备本实施例的LED组件S20,不同之处在于:
步骤(1)中,将38重量份的粒径为50nm的二氧化硅分散于62重量份去离子水中,滴加醋酸,至体系pH值为1,得到氧化硅溶胶;将5重量份粒径为2μm的YAG荧光粉分散于95重量份的氧化硅溶胶中,得到混合体系;
步骤(2)中,室温下静置时间为1h,然后升温至180℃加速凝胶化,4h后脱模,得到荧光凝胶体;
步骤(3)中,煅烧炉内通入氯气和氦气的混合气体;煅烧温度为1100℃,煅烧时间为3h。
实施例3
采用与实施例1相同的步骤制备本实施例的LED组件S30,不同之处在于:
步骤(1)中,将0.5重量份粒径为10μm的YAG荧光粉分散于99.5重量份的氧化硅溶胶中,得到混合体系;
步骤(2)中,室温下静置时间为2h,然后升温至250℃加速凝胶化,1h后脱模,得到荧光凝胶体;
步骤(3)中,煅烧炉内通入氦气;煅烧温度为1400℃,煅烧时间为2h;
步骤(4)中,将荧光玻璃采用硅胶粘贴于蓝光LED芯片上,得到本实施例的LED组件S30。
实施例4
采用与实施例1相同的步骤制备本实施例的LED组件S40,不同之处在于:
步骤(1)中,将2重量份粒径为0.8μm的YAG荧光粉分散于98重量份的氧化硅溶胶中,得到混合体系;
步骤(2)中,室温下静置时间为2h,然后升温至100℃加速凝胶化,6h后脱模,得到荧光凝胶体;
步骤(3)中,煅烧温度为950℃,煅烧时间为8h;
步骤(4)中,将荧光玻璃采用环氧胶粘贴于紫外光LED芯片上,得到本实施例的LED组件S40。
实施例5
采用与实施例1相同的步骤制备本实施例的LED组件S50,不同之处在于:
步骤(1)中,将1.2重量份粒径为2μm的YAG荧光粉分散于98.8重量份的氧化硅溶胶中,得到混合体系;
步骤(2)中,室温下静置时间为2h,然后升温至300℃加速凝胶化,0.5h后脱模,得到荧光凝胶体;
步骤(3)中,煅烧温度为1600℃,煅烧时间为1.5h;
步骤(4)中,将荧光玻璃采用硅胶粘贴于紫外光LED芯片上,得到本实施例的LED组件S50。
对比例1
先将紫外光LED芯片固定于支架上连接电路,然后将实施例4步骤(1)配制的荧光粉组合物点胶涂覆在LED芯片上,然后150℃加热固化1h,固化完成后用透明塑料透镜密封,并在中间空隙内填充环氧树脂,加热150℃使硅胶固化1h,得到本对比例的LED组件DS10。
对比例2
将TEOS、乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)、乙醇、去离子水按摩尔比1:1:4:6混合,再加入1/3体积的甲酰胺,以硝酸为催化剂,pH值控制为3左右,剧烈搅拌下升温至60℃反应1h,最后加入占溶胶体系0.1wt%的径为5μm的YAG荧光粉,继续搅拌,反应至成胶时将产物封装至蓝光LED芯片上,室温下自然干燥,得到本对比例的LED组件DS20。
性能测试
采用杭州远方PMS-80型紫外-可见-近红外光谱分析系统,以高功率、芯片尺寸为1平方毫米、输入电流350毫安的条件下,对各LED组件S10-S50和DS10-DS20进行出光一致性测试,记录各LED组件的流明效率。测试结果如表1所示。
表1
。
从上表1的测试结果可以看出,采用本发明提供的制备方法制备得到的LED组件具有良好的流明效率,明显优于对比例的LED样品。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种LED组件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将荧光粉与氧化硅溶胶混合得到混合体系,然后将混合体系转入模具中进行凝胶化,脱模后得到荧光凝胶体;
S2、对S1得到的荧光凝胶体进行煅烧,得到荧光玻璃;
S3、将荧光玻璃粘贴于LED芯片上,得到所述LED组件。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,以荧光粉与氧化硅溶胶的总质量为基准,其中,荧光粉的含量为0.1-5wt%。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,以荧光粉与氧化硅溶胶的总质量为基准,其中荧光粉的含量为0.5-2wt%。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,制备所述氧化硅溶胶的方法为:将二氧化硅分散于水中,在酸或者碱的条件下形成稳定的氧化硅溶胶。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述二氧化硅的粒径为5-100nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述荧光粉为钇铝石榴石荧光粉;所述荧光粉的粒径为0.1-50μm。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述荧光粉的粒径为1-3μm。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述凝胶化的温度为室温至300℃,凝胶化的时间为0.5-24h;步骤S2中,所述煅烧的温度为800-1600℃,煅烧的时间为0.5-8h。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述煅烧在气氛中进行,所述气氛中含有氯气和惰性气体。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述LED芯片为蓝光LED芯片或紫外光LED芯片。
11.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述粘贴所采用的粘胶为环氧胶或硅胶。
12.一种LED组件,其特征在于,所述LED组件由权利要求1-11任一项所述的制备方法制备得到。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210123198.3A CN103378270B (zh) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 一种led组件的制备方法及led组件 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
CN201210123198.3A CN103378270B (zh) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 一种led组件的制备方法及led组件 |
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---|---|
CN103378270A CN103378270A (zh) | 2013-10-30 |
CN103378270B true CN103378270B (zh) | 2016-03-02 |
Family
ID=49463098
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
CN (1) | CN103378270B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104676299A (zh) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | 广东德豪润达电气股份有限公司 | 白光led光源组件及其生产方法 |
CN104409612B (zh) * | 2014-11-03 | 2017-06-16 | 东南大学 | 基于量子点的白光led器件的无机封装方法 |
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CN102002269A (zh) * | 2009-09-03 | 2011-04-06 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 白光发光二极管荧光粉涂覆液及其配制方法和涂布方法 |
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2012
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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"水溶性荧光黄掺杂硅溶胶的性能";黄静红;《江南大学学报》;20100430;第9卷(第2期);第228-231页 * |
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