CN104393145A - 一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光led - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,包括倒装结构的蓝色晶片、陶瓷基板,其中,蓝色晶片固定在陶瓷基板上,蓝色晶片的外表面包覆有荧光胶体。本发明采用DPC陶瓷基板,DPC陶瓷基板的线路精准度和平整度较好,适合覆晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显著提升了散热效率,可以将晶片产生热量及时散发出去,有效降低了热阻;蓝色晶片为倒装结构,省去了金线封装环节,无金线封装技术保证了产品的高可靠性,还拥有低热阻、超薄封装等优点,更能发挥LED的优势;本发明器件功率可承受0.5A到1A的大电流,1A电流驱动时,亮度可达250lm左右;荧光胶体采用平面喷涂工艺,使得出光更加均匀,光的品质得到改善。

Description

—种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED
技术领域
[0001] 本发明涉及光电技术领域,特别是一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED。
背景技术
[0002] 据调查报告显示,全球智能手机出货数量至2014年将可超越10亿台规模,而估计每部智能手机配备f 2颗不等的Flash LED。
[0003] 庞大的手机市场需求是LED闪光灯发展的主要推动力。随着生活品质的不断提高,人们对于闪光灯像素的要求也越来越高,主要体现在两方面:一是闪光灯的亮度需要不断提升;二是光源从单一的单光谱向高显色的全光谱发展。传统的TOP LED器件,最大只能承受0.5-1W的功率,输入功率过大,PPA塑料导热性能差,容易黄化,引起较大的光衰。
发明内容
[0004] 本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,采用的晶片为倒装结构通过助焊剂固定在DPC陶瓷基板上,并实现电气连接,可承受:大电流、売度闻且有效提闻了散热效率。
[0005] 本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案:
根据本发明提出的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,包括倒装结构的蓝色晶片、陶瓷基板,其中,蓝色晶片固定在陶瓷基板上,蓝色晶片的外表面包覆有荧光胶体。
[0006] 作为本发明的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED进一步的优化方案,所述蓝色晶片的激发波长为452纳米〜460纳米。
[0007] 作为本发明的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED进一步的优化方案,所述蓝色晶片是通过助焊剂固定在陶瓷基板上。
[0008] 作为本发明的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED进一步的优化方案,所述荧光胶体包括胶粘剂和荧光粉。
[0009] 作为本发明的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED进一步的优化方案,所述荧光粉为峰值波长530纳米-545纳米的绿色荧光粉和峰值波长为615纳米-640纳米的红色荧光粉。
[0010] 作为本发明的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED进一步的优化方案,所述胶粘剂为环氧树脂或者硅胶或者环氧树脂与硅胶的混合物。
[0011] 作为本发明的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED进一步的优化方案,所述陶瓷基板为DPC陶瓷基板。
[0012] 本发明采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下技术效果:
(1)本发明采用DPC陶瓷基板,DPC陶瓷基板的线路精准度和平整度较好,适合覆晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显著提升了散热效率,可以将晶片产生热量及时散发出去,有效降低了热阻;
(2)本发明采用的蓝色晶片为倒装结构,省去了金线封装环节,相较于传统封装结构,无金线封装技术保证了产品的高可靠性,还拥有低热阻、超薄封装等优点,更能发挥LED的优势。此外,从理论上来说,降低了 LED成本,利于LED产品在市场的进一步普及;
(3)本发明器件功率可承受0.5A到IA的大电流,IA电流驱动时,亮度可达2501m左右,同时本发明荧光胶体采用平面喷涂工艺,使得出光更加均匀,光的品质得到改善。
附图说明
[0013] 图1是本发明封装结构示意图。
[0014]图中的标记解释为:①-蓝色晶片,②-陶瓷基板,③-荧光胶体。
具体实施方式
[0015] 下面结合附图对本发明的技术方案做进一步的详细说明:
如图1所示是本发明封装结构示意图,一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,包括倒装结构的蓝色晶片①、陶瓷基板②,其中,蓝色晶片①固定在陶瓷基板②上,蓝色晶片①的外表面包覆有荧光胶体③。
[0016] 所述蓝色晶片的激发波长为452纳米〜460纳米。所述蓝色晶片①是通过助焊剂固定在陶瓷基板②上,助焊剂实现了蓝色晶片①和陶瓷基板②的电气和机械连接。所述荧光胶体③包括胶粘剂和荧光粉。所述荧光粉为峰值波长530纳米-545纳米的绿色荧光粉和峰值波长为615纳米-640纳米的红色荧光粉。所述胶粘剂为环氧树脂或者硅胶或者环氧树脂与硅胶的混合物。所述陶瓷基板②为DPC陶瓷基板,显著提升了散热效率。
[0017] 本发明的制作方法为:将蓝色晶片①固定在陶瓷基板②上,再将荧光胶体③通过喷涂方式,包敷在陶瓷基板②表面,烘烤固化成形。
[0018] 本发明采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下技术效果:
(I)本发明采用DPC陶瓷基板,DPC陶瓷基板的线路精准度和平整度较好,适合覆晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显著提升了散热效率。
[0019] (2)本发明采用的蓝色晶片①为倒装结构,省去了金线封装环节。相较于传统封装结构,无金线封装技术保证了产品的高可靠性,还拥有低热阻、超薄封装等优点,更能发挥LED的优势。此外,从理论上来说,降低了 LED成本,利于LED产品在市场的进一步普及。
(3 )本发明器件功率可承受0.5A到IA的大电流,IA电流驱动时,亮度可达250Im左右。同时本发明荧光胶体③采用平面喷涂工艺,使得出光更加均匀,光的品质得到改善。
[0020] 显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本发明的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,其特征在于,包括倒装结构的蓝色晶片、陶瓷基板,其中,蓝色晶片固定在陶瓷基板上,蓝色晶片的外表面包覆有荧光胶体。
2.根据权利要求1所述的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,其特征在于,所述蓝色晶片的激发波长为452纳米〜460纳米。
3.根据权利要求1所述的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,其特征在于,所述蓝色晶片是通过助焊剂固定在陶瓷基板上。
4.根据权利要求1所述的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,其特征在于,所述荧光胶体包括胶粘剂和荧光粉。
5.根据权利要求4所述的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,其特征在于,所述荧光粉为峰值波长530纳米-545纳米的绿色荧光粉和峰值波长为615纳米-640纳米的红色荧光粉。
6.根据权利要求4所述的低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,其特征在于,所述胶粘剂为环氧树脂或者硅胶或者环氧树脂与硅胶的混合物。
7.根据权利要求1所述的一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光LED,其特征在于,所述陶瓷基板为DPC陶瓷基板。
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