JP5680211B2 - 封止層被覆半導体素子および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1において、紙面上側を上側(第1方向一方側、厚み方向一方側)、紙面下側を下側(第1方向他方側、厚み方向他方側)、紙面左側を左側(第1方向に直交する第2方向一方側)、紙面右側を右側(第2方向他方側)、紙面手前側を前側(第1方向および第2方向に直交する第3方向一方側)、紙面奥側を後側(第3方向他方側)とする。具体的には、図1に記載された方向を基準とする。図2以降の図面の方向は、図1の方向に準じる。
配置工程では、半導体素子としてのLED2を支持台としての基板3の上に配置する。具体的には、LED2を基板3の上面に実装する。
封止工程では、図1Aに示すように、まず、封止シート4を用意し、その後、図1Bに示すように、封止シート4によって、LED2を封止する。
加熱工程は、封止工程の後に、封止層6を加熱して硬化させる工程である。加熱工程は、図2Cに示すように、封止シート4を、基板3に向けて、機械加圧しながら、第1温度で加熱する第1加熱工程、および、第1加熱工程の後に、封止シート4を、第1温度より高温の第2温度で加熱する第2加熱工程を備える。つまり、加熱工程は、異なる温度で封止シート4を2段階で加熱する2段階加熱工程である。
封止シート4を、基板3に向けて、機械加圧しながら、第1温度で加熱するには、図2Cの実線で示すように、例えば、ヒータ16が装備された平板9を備える熱プレス装置10(つまり、機械加熱−機械加圧装置10)、あるいは、平板9を備えるプレス装置10が装備されたプレス装置付乾燥機13(仮想線、流体加熱−機械加圧装置13)などの加熱−機械加圧装置が用いられる。なお、加熱−機械加圧装置は、封止層6を、静圧によって加圧するオートクレーブと異なり、物理的な接触によって、封止層6を加圧する加圧装置である。
第2加熱工程では、例えば、(1)封止シート4を、例えば、上記した基板3に向けて、機械加圧しながら、第2温度で加熱する。(1)の方法には、上記した機械加圧装置が用いられる。好ましくは、製造コストを削減するメリットから、第1加熱工程と同一の加熱−機械加圧装置(具体的には、機械加熱−機械加圧装置10や流体加熱−機械加圧装置13)によって、第2加熱工程を第1加熱工程に連続して実施することができる。
その後、LED装置1を、上記した加熱装置((1)の場合には、機械加圧装置、(2)の場合には、流体加熱−流体加圧装置、)から取り出し、続いて、LED装置1を常温まで冷却した後、剥離層5を封止層6から剥離する。
この方法によれば、第1加熱工程は、封止シート4を比較的低温の第1温度で加熱するので、封止層6は、剥離層5に密着しながら保形されるため、封止層6の変形を抑制することができる。
上記した第1実施形態では、図2Dに示すように、剥離層5を、第2加熱工程の後に、剥離しているが、例えば、図示しないが、剥離層5を、第1加熱工程と第2加熱工程との間、つまり、第1加熱工程の後で、第2加熱工程の前に、剥離することもできる。
上記した第1実施形態では、第1温度を定温に設定しているが、これに限定されず、例えば、第1温度が、温度範囲を有してもよく、具体的には、第1温度が、第2温度まで上昇する昇温温度範囲を有することもできる。
第2実施形態において、第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
配置工程では、図1Aに示すように、LED2を支持台としての支持シート12の上に配置する。
封止工程では、図1Aに示すように、まず、封止シート4を用意し、その後、図1Bに示すように、第1実施形態と同様にして、封止シート4によって、LED2を封止する。
第1実施形態と同様にして、図2Cに示すように、封止シート4を加熱する(2段階加熱工程)。
実装工程では、まず、図3Aの破線で示すように、封止層6を、LED2に対応して切断する。具体的には、封止層6を、厚み方向に沿って切断する。続いて、封止層被覆LED11を、粘着層15の上面から剥離する(LED剥離工程)。具体的には、粘着層15が活性エネルギー線照射剥離シートである場合には、活性エネルギー線を粘着層15に照射する。これによって、封止層被覆LED11を、LED2に対応して個片化する。
この方法では、変形が防止され、完全硬化した封止層6を備える封止層被覆LED11を基板3に実装することができるので、信頼性に優れるLED装置1を製造することができる。
第3実施形態において、第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図4Aに示すように、凹部7は、基板3の上面において、平面視矩形状に下方に向かって窪むように形成され、凹部7の周辺における基板3の凹部7以外の部分(周辺)によって四方(前後左右方向)を隙間なく取り囲まれている。
封止工程は、圧接工程(図4B参照)と、大気解放工程(図4C参照)とを備える。
圧接工程では、まず、封止シート4を用意する。封止層6の厚みH3は、図4Aに示すように、凹部7の深さH1に対して、例えば、50%以上、好ましくは、80%以上、より好ましくは、100%以上であり、また、例えば、900%以下、好ましくは、700%以下、より好ましくは、400%以下である。
押し込み量がプラスであると、圧接工程後の封止層6の厚み(H4−H2)が、圧接工程前の封止層6の厚みH3より薄くなるまで、封止層6が過度に押圧され、封止層6が凹部上面14と密着する。これに対し、押し込み量がマイナスであると、封止層6が、凹部上面14とは離間するように調整される。
大気解放工程は、図4Cに示すように、基板3と封止シート4とを大気圧雰囲気下に解放する工程である。
図5Dに示すように、第1実施形態と同様に、2段階加熱工程を実施する。
このLED装置1の製造方法によれば、圧接工程において、封止層6は、凹部上面14と離間するように圧接される。そのため、LED2の周囲の部材、具体的には、LED2が基板3にワイヤボンディング接続される場合には、封止層6が圧接されるときのワイヤに対する応力を低減することができる。
[配置工程]
複数のLEDを基板の上に配置した。LEDの厚みは、330μm、各LED間の間隔は、1.5mmであった。
[封止工程]
封止シートを用意した。
LEDが実装された基板と、封止シートの封止層とが、厚み方向に対向するように配置し、真空プレス機(型番CV200、ニチゴーモートン社製)の真空チャンバー内に投入した。
(第1加熱工程)
封止層によって封止されたLEDが実装された基板を、ヒータが装備された平板を備える熱プレス装置に設置した。予めヒータの温度を135℃(第1温度)に設定しており、平板によって、圧力0.5MPaで、10分、封止シートを下側に機械加圧しながら、封止シートを加熱した。
その後、封止シートおよび基板を熱プレス装置から取り出し、次いで、封止シートおよび基板を、乾燥炉に投入した。具体的には、乾燥炉の温度を150℃(第2温度)に予め設定しており、封止シートを2時間加熱した。これによって、封止層をCステージ化、つまり、完全硬化させた。
第1加熱工程における加熱時間(機械加圧時間)を10分から20分に変更した以外は、実施例1と同様に処理して、LED装置を製造した。
第1加熱工程における加熱時間(機械加圧時間)を10分から60分に変更した以外は、実施例1と同様に処理して、LED装置を製造した。
第1加熱工程における加熱時間(機械加圧時間)を10分から5分に変更した以外は、実施例1と同様に処理して、LED装置を製造した。
加熱工程において、2段階加熱工程に代えて、150℃の1段階加熱工程を実施し、また、1段階加熱工程を常圧で実施した以外は、実施例1と同様に処理して、LED装置を製造した。具体的には、乾燥炉を用い、乾燥炉内の温度を150℃に予め設定し、加熱時間を2時間10分(130分)に設定して、封止シートを無負荷で加熱した。
加熱工程において、2段階加熱工程に代えて、135℃の1段階加熱工程を実施し、また、1段階加熱工程を常圧で実施した以外は、実施例1と同様に処理して、LED装置を製造した。具体的には、乾燥炉を用い、乾燥炉内の温度を135℃に予め設定し、加熱時間を2時間10分(130分)に設定して、封止シートを無負荷で加熱した。
(圧縮弾性率)
実施例および比較例において、封止工程後、第1加熱工程後、および、第2加熱工程後の封止層の23℃における圧縮弾性率のそれぞれを測定した。圧縮弾性率は、JIS H 7902:2008の記載に準拠して測定される。
実施例および比較例において、得られたLED装置の封止層および剥離層における反りの有無を目視によって観察した。その結果を表1に示す。
実施例および比較例において、得られたLED装置の封止層の硬化状態を圧縮弾性率によって評価した。
Claims (6)
- 半導体素子を支持台の上に配置する配置工程、
剥離層と、前記剥離層の下に積層され、熱硬化性樹脂からなる完全硬化前の封止層とを備える封止シートの前記封止層によって、前記半導体素子を埋設して封止する封止工程、および、
前記封止工程の後に、前記封止層を加熱して硬化させる加熱工程を備え、
前記加熱工程は、
前記封止シートを、前記支持台に向けて、機械加圧しながら、第1温度で加熱する第1加熱工程、および、
前記第1加熱工程の後に、前記封止シートを、前記第1温度より高温の第2温度で加熱する第2加熱工程を備え、
前記第1加熱工程の後の前記封止層の23℃における圧縮弾性率が、1.20MPa以上であることを特徴とする、封止層被覆半導体素子の製造方法。 - 前記第2加熱工程では、前記封止シートを加圧することなく加熱することを特徴とする、請求項1に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
- 前記封止工程における前記封止層が、2段階熱硬化性樹脂組成物のBステージであることを特徴とする、請求項1に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
- 前記第1温度は、温度が前記第2温度まで上昇する昇温温度範囲を有することを特徴とする、請求項1に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。
- 前記支持台が、基板であり、
前記配置工程では、前記半導体素子を前記基板に実装することを特徴とする、請求項1に記載の封止層被覆半導体素子の製造方法。 - 封止層被覆半導体素子を製造する工程、および、
前記封止層被覆半導体素子を基板に実装する工程を備え、
前記封止層被覆半導体素子は、
半導体素子を支持台の上に配置する配置工程、
剥離層と、前記剥離層の下に積層され、熱硬化性樹脂からなる完全硬化前の封止層とを備える封止シートの前記封止層によって、前記半導体素子を埋設して封止する封止工程、および、
前記封止工程の後に、前記封止層を加熱して硬化させる加熱工程を備える封止層被覆半導体装置の製造方法によって製造され、
前記加熱工程は、
前記封止シートを、前記支持台に向けて、機械加圧しながら、第1温度で加熱する第1加熱工程、および、
前記第1加熱工程の後に、前記封止シートを、前記第1温度より高温の第2温度で加熱する第2加熱工程を備え、
前記第1加熱工程の後の前記封止層の23℃における圧縮弾性率が、1.20MPa以上であることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
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