JP2015216355A - 波長変換部材およびその製造方法 - Google Patents

波長変換部材およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015216355A
JP2015216355A JP2015039039A JP2015039039A JP2015216355A JP 2015216355 A JP2015216355 A JP 2015216355A JP 2015039039 A JP2015039039 A JP 2015039039A JP 2015039039 A JP2015039039 A JP 2015039039A JP 2015216355 A JP2015216355 A JP 2015216355A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wavelength conversion
phosphor ceramic
conversion member
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015039039A
Other languages
English (en)
Inventor
宏中 藤井
Hironaka Fujii
宏中 藤井
真広 白川
Masahiro Shirakawa
真広 白川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2015039039A priority Critical patent/JP2015216355A/ja
Priority to CN201580021247.4A priority patent/CN106233476A/zh
Priority to US15/303,782 priority patent/US20170037312A1/en
Priority to KR1020167029217A priority patent/KR20160148536A/ko
Priority to PCT/JP2015/060518 priority patent/WO2015163110A1/ja
Priority to EP15782700.7A priority patent/EP3136453A4/en
Priority to TW104112919A priority patent/TW201541670A/zh
Publication of JP2015216355A publication Critical patent/JP2015216355A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62218Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining ceramic films, e.g. by using temporary supports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • C04B35/634Polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638Removal thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87Ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/3222Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Abstract

【課題】耐熱性に優れた波長変換部材を簡易にかつ工業的に製造できる方法、および、その方法により製造された波長変換部材を提供すること。【解決手段】波長変換部材1の製造方法は、基材4と、基材4の上に基材4の厚み方向と直交する方向に間隔を隔てて配置されている複数の蛍光体セラミックス素子5とを備える素子配置基材11を用意する工程、複数の蛍光体セラミックス素子5を、無機物を含有する硬化性層6に埋没させる工程、硬化性層6を硬化させて、被覆層7を得る工程、ならびに、少なくとも1つの蛍光体セラミックス素子5を含むように、被覆層7および基材4を厚み方向に切断する工程、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、波長変換部材およびその製造方法、詳しくは、波長変換部材の製造方法、および、それにより製造される波長変換部材に関する。
発光ダイオード装置は、一般的に、基板の表面に実装され、青色光を発光するLED(発光ダイオード素子)と、青色光を黄色光に変換でき、LEDの上に設けられる蛍光体層と、LEDを封止する封止層とを備えている。そのような発光ダイオード装置は、封止層に封止されるLEDから発光され、蛍光体層を透過した青色光と、蛍光体層において青色光の一部が波長変換された黄色光との混色によって、白色光を発光する。
このような発光ダイオード装置を製造する方法として、以下の方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
すなわち、まず、透明封止層に凹部に設け、その凹部に硬化性の蛍光体組成物をポッティングにより注入し、硬化させることによって、透明封止層と蛍光体層とを備えた波長変換シートを作製し、次いで、波長変換シートの蛍光体層の表面にLEDを埋設する方法が提案されている。
特開2013−187227公報
しかるに、発光ダイオード装置や半導体レーザー装置などの半導体発光装置では、ハイパワー(高出力)の光源が装備される場合がある。そのようなハイパワーの光を波長変換シートにて波長変換する場合、波長変換シートには高度の耐熱性が必要となる。そこで、波長変換シートに、耐熱性に優れる蛍光体セラミックスを用いることが検討されている。
しかしながら、蛍光体セラミックスは、蛍光体を高温(例えば、1000℃以上)にて焼結するため、特許文献1の方法のように、蛍光体組成物をポッティングし、硬化させることにより形成できないという不具合がある。
本発明の目的は、波長変換部材を簡易にかつ工業的に製造できる方法、および、その方法により製造され、耐熱性に優れた波長変換部材を提供することにある。
本発明の波長変換部材の製造方法は、基材と、前記基材の上に前記基材の厚み方向と直交する方向に間隔を隔てて配置されている複数の蛍光体セラミックス素子とを備える素子配置基材を用意する工程、前記複数の蛍光体セラミックス素子を、無機物を含有する硬化性層に埋没させる工程、前記硬化性層を硬化させて、被覆層を得る工程、ならびに、少なくとも1つの前記蛍光体セラミックス素子を含むように、前記被覆層および前記基材を厚み方向に切断する工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の波長変換部材の製造方法では、前記硬化性層が、セラミックスインク、または、無機酸化物粒子および金属粒子の少なくとも1種の無機粒子ならびに硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物から形成されることが好適である。
また、本発明の波長変換部材の製造方法では、前記基材が、易剥離性シートであることが好適である。
本発明の波長変換部材は、上記の製造方法により得られることを特徴としている。
本発明の波長変換部材の製造方法では、蛍光体セラミックス素子と、その表面を被覆する被覆層とを備える波長変換部材を簡易かつ工業的に製造することができる。
本発明の製造方法によって得られる本発明の波長変換部材は、耐熱性に優れている。
図1A〜図1Eは、本発明の波長変換部材の一実施形態を製造する方法を説明する断面工程図であって、図1Aは、グリーンシートを用意する工程、図1Bは、グリーンシートを焼成する工程、図1Cは、蛍光体セラミックス層を基材に配置する工程、図1Dは、蛍光体セラミックス層の一部を掻き取る工程、図1Eは、素子配置基材を得る工程、を示す。 図2F〜図2Jは、図1A〜図1Eに引き続き、本発明の波長変換部材の一実施形態を製造する方法を説明する断面工程図であって、図2Fは、素子配置基材を、硬化性層と対向配置する工程、図2Gは、蛍光体セラミックス素子を硬化性層に埋没させる工程、図2Hは、硬化性層を硬化させる工程、図2Iは、被覆層および基材を切断する工程、図2Jは、波長変換部材を得る工程、を示す。 図3は、図1Eの工程における平面図を示す。 図4は、本発明の波長変換部材の一実施形態を備える波長変換放熱部材の断面図を示す。 図5A〜図5Dは、本発明の波長変換部材の他の実施形態(蛍光体セラミックス素子が平面視円形状である形態)を製造する方法を説明する断面工程図であって、図5Aは、耐熱性基板を用意する工程、図5Bは、グリーン体を形成する工程、図5Cは、グリーン体を焼成する工程、図5Dは、蛍光体セラミックス素子を再配置する工程、を示す。 図6は、図5Dの工程における平面図を示す。
図1A〜図2Jを参照して、波長変換部材1の製造方法を説明する。
なお、図1A〜図1Eの紙面上下方向を「上下方向」(第1方向、厚み方向)とし、紙面上側が上側であり、紙面下側が下側である。また、図1A〜図1Eの紙面左右方向を「幅方向」(第2方向、左右方向、第1方向に直交する方向)とし、紙面右方向が右側であり、図1A〜図1Eの紙面左方向が左側である。また、図1A〜図1Eの紙厚方向を「前後方向」(第3方向、第1方向および第2方向に直交する方向)とし、図1A〜図1Eの紙厚手前が前側であり、図1A〜図1Eの紙厚奥側が後側である。図1A〜図1E以外の図面についても、図1A〜図1Eの方向を基準する。
波長変換部材1の製造方法は、グリーンシート2を用意する工程、グリーンシート2を焼成する工程、蛍光体セラミックス層3を基材4に配置する工程、蛍光体セラミックス層3の一部を掻き取る工程、蛍光体セラミックス素子5が配置された素子配置基材11を得る工程、素子配置基材11を、硬化性層6と対向配置する工程、蛍光体セラミックス素子5を硬化性層6に埋没させる工程、硬化性層6を硬化させる工程、被覆層7および基材4を切断する工程、および、波長変換部材1を得る工程を備える。
まず、図1Aに示すように、グリーンシート2を用意する(用意工程)。グリーンシート2は、例えば、蛍光体材料、バインダー樹脂および溶媒を含むスラリーを、離型シート8の上面に塗布および乾燥させることにより、形成する。
蛍光体材料としては、後述する蛍光体を構成する原材料であって、例えば、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、さらには、それらに他の元素を賦活させたものなどから適宜選択して調製される。
バインダー樹脂は、グリーンシート2の作製に用いられる公知のバインダー樹脂を使用すればよく、例えば、アクリル系ポリマー、ブチラール系ポリマー、ビニル系ポリマー、ウレタン系ポリマーなどが挙げられる。好ましくは、アクリル系ポリマーが挙げられる。
バインダー樹脂の含有割合は、蛍光体材料とバインダー樹脂との合計体積量に対して、例えば、5体積%以上、好ましくは、20体積%以上であり、また、80体積%以下、好ましくは、60体積%以下である。
溶媒としては、例えば、水、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、トルエン、プロピオン酸メチル、メチルセルソルブなどの有機溶媒が挙げられる。
溶媒の含有割合は、スラリーにおいて、例えば、1〜30質量%である。
スラリーには、必要に応じて、分散剤、可塑剤、焼結助剤などの公知の添加剤を含有することができる。
そして、上記成分を上記割合で配合し、ボールミルなどで湿式混合することにより、スラリーを調製する。
次いで、スラリーを、ドクターブレード、グラビアコータ、ファウンテンコータ、キャストコータ、スピンコータ、ロールコータなどの公知の塗布方法により離型シート8の上面に塗布し、乾燥することにより、グリーンシート2を形成する。
離型シート8としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどのポリエステルフィルム、例えば、ポリカーボネートフィルム、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムなどのポリオレフィンフィルム、例えば、ポリスチレンフィルム、例えば、アクリルフィルム、例えば、シリコーン樹脂フィルム、フッ素樹脂フィルムなどの樹脂フィルムなどが挙げられる。さらに、例えば、銅箔、ステンレス箔などの金属箔も挙げられる。好ましくは、樹脂フィルム、さらに好ましくは、ポリエステルフィルムが挙げられる。
離型シート8の表面には、離型性を高めるため、必要により離型処理が施されている。
離型シート8の厚みは、例えば、取扱性、コストの観点から、例えば、10〜200μmである。
このようにして得られるグリーンシート2は、蛍光体セラミックス層3(蛍光体セラミックスプレート)の焼結前セラミックスであって、平面視略矩形状の平板形状に形成されている。
なお、グリーンシート2は、所望の厚みを得るために、複数(複層)のグリーンシート2を熱ラミネートによって積層することにより形成することもできる。
グリーンシート2の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、30μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。
次いで、図1Bに示すように、グリーンシート2を焼成する(焼成工程)。
焼成温度は、例えば、1300℃以上、好ましくは、1500℃以上であり、また、例えば、2000℃以下、好ましくは、1800℃以下である。
焼成時間は、例えば、1時間以上、好ましくは、2時間以上であり、また、例えば、24時間以下、好ましくは、5時間以下である。
焼成は、常圧下で実施してもよく、また、減圧下または真空下で実施してもよい。好ましくは、減圧下または真空下で実施する。
上記焼成(本焼成)の前に、バインダー樹脂や分散剤などの有機成分を熱分解および除去するために、電気炉を用いて、空気中、例えば、600〜1300℃で予備加熱し、脱バインダー処理を実施してもよい。
また、焼成における昇温速度は、例えば、0.5〜20℃/分である。
これにより、蛍光体セラミックス層3を得る。
このようにして得られる蛍光体セラミックス層3は、平面視略矩形状の平板形状に形成されている。
蛍光体セラミックス層3の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。
次いで、図1Cに示すように、蛍光体セラミックス層3を基材4に配置する(基材配置工程)。具体的には、蛍光体セラミックス層3を基材4の上面の略中央部に配置する。
基材4としては、ブレード(後述)の掻き取り性、および、波長変換部材1に対する基材4の剥離性の観点から、好ましくは、易剥離性シートが挙げられる。易剥離性シートは、例えば、加熱などにより容易に剥離できる熱剥離シートから形成されている。
熱剥離シートは、支持層と、支持層の上面に積層された粘着層とを備えている。
支持層は、例えば、ポリエステルなどの耐熱性樹脂から形成されている。
粘着層は、例えば、常温(25℃)において、粘着性を有し、加熱時に、粘着性が低減する(あるいは、粘着性を失う)熱膨張性粘着剤などから形成されている。
熱剥離シートは、市販品を用いることができ、具体的には、リバアルファシリーズ(登録商標、日東電工社製)などを用いることができる。
熱剥離シートは、支持層によって、蛍光体セラミックス層3(ひいては、波長変換部材1)を、粘着層を介して確実に支持しながら、加熱による粘着層の粘着性の低下に基づいて、波長変換部材1から剥離される。
また、基材4は、例えば、ポリオレフィン(具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン)、エチレン・酢酸ビニル共重合体(EVA)などのビニル重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などの樹脂材料などから形成されていてもよい。また、基材は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料などから形成することもできる。
基材4の厚みは、例えば、10〜1000μmである。
これにより、基材4と、基材4の上面に設けられる蛍光体セラミックス層3とを備えるセラミックス積層体9を得る。
次いで、図1Dに示すように、蛍光体セラミックス層3の一部を除去する(除去工程)。具体的には、ブレードとしてのダイシングブレード10を用いて、蛍光体セラミックス層3の一部を掻き取る。
ダイシングブレード10は、公知または市販のダイシング装置に使用される円盤状の回転刃である。ダイシングブレード10の先端(下端)は、切断方向に沿う方向(図1Dでは、紙厚方向である前後方向)に投影したときに、上下方向に延びる略矩形状(板状)に形成されている。すなわち、切断面が略矩形状となるように形成されている。
ダイシングブレード10の先端における幅方向長さXは、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、例えば、2.0mm以下、好ましくは、1.0mm以下である。
この工程では、まず、図1Dに示すように、蛍光体セラミックス層3の一部を前後方向に沿って掻き取る。
具体的には、セラミックス積層体9を、切断方向が前後方向となるように、ダイシング装置内に配置する。続いて、ダイシングブレード10の移動時に、ダイシングブレード10の先端(下端)が蛍光体セラミックス層3と接触し、かつ、基材4を貫通しないように、ダイシングブレード10またはセラミックス積層体9の配置を調整する。すなわち、ダイシングブレード10の先端が基材4の上面に到達し、かつ、基材4の下面に到達しないように、ダイシングブレード10またはセラミックス積層体9の上下方向位置を調整する。続いて、ダイシングブレード10を高速回転させながら、切断方向に沿う前後方向に移動させる。
これにより、ダイシングブレード10(先端周辺)と接触する部分の蛍光体セラミックス層3を、前後方向に沿って、基材4から掻き取る。すなわち、蛍光体セラミックス層3は、略矩形状に掻き取られる。掻き取られた部分では、基材4の上面が露出する。
この前後方向の掻き取りを、図1Dの仮想線に示すように、所望の間隔(すなわち、所望の蛍光体セラミックス素子5の幅方向長さ)を隔てて、繰り返し実施する。
次いで、上記と同様にして、ダイシングブレード10を高速回転させながら、切断方向が幅方向に沿うように移動させることにより、蛍光体セラミックス層3の一部を幅方向に沿って掻き取る。この幅方向の掻き取りを所望の間隔を隔てて、繰り返し実施する。
すなわち、図3に示すように、蛍光体セラミックス層3を格子状に掻き取る。
このようにして、図1Eおよび図3に示すように、基材4と、基材4の上面に格子状に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子5とを備える素子配置基材11を得る。
なお、上記工程では、蛍光体セラミックス層3を固定し、ダイシングブレード10を移動することにより、蛍光体セラミックス層3の一部を掻き取っているが、例えば、高速回転するダイシングブレード10の位置を固定し、ダイシングブレード10に対し、セラミックス積層体9をX−Yステージなどによって前後方向または幅方向に移動させることにより、蛍光体セラミックス層3の一部を掻き取ることもできる。
蛍光体セラミックス素子5のそれぞれは、断面視略矩形状および平面視略矩形状に形成されている。
蛍光体セラミックス素子5の幅方向長さYは、例えば、0.2mm以上、好ましくは、1mm以上であり、また、例えば、10mm以下、好ましくは、5mm以下である。蛍光体セラミックス素子5の前後方向長さは、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、3mm以下である。
複数の蛍光体セラミックス素子5の幅方向間隔および前後方向間隔は、ダイシングブレード10の先端の幅方向長さXと同一である。
次いで、図2Fに示すように、素子配置基材11を、硬化性層6と対向配置する(対向配置工程)。具体的には、まず、硬化性層6が離型シート8aの上に設けられた硬化性層シート20を用意する。硬化性層シート20は、離型シート8aの上面に、無機物を含有する硬化性組成物を、離型シート8aの上に、公知の方法で塗布することにより製造する。
硬化性組成物としては、無機物を含有し、硬化性を備えるものであれば限定されず、例えば、セラミックスインク、硬化性樹脂および無機粒子を含有する硬化性樹脂組成物、アルカリ金属ケイ酸塩および無機粒子を含有するケイ酸塩水溶液が挙げられる。
セラミックスインクは、例えば、無機物のセラミックスと、オルガノポリシロキサンなどのバインダーと、溶媒とを含有し、低温(例えば、120〜180℃)で硬化(固化)する。セラミックスインクにおける無機物としては、例えば、二酸化珪素、二酸化チタン、チタン酸カリウムなどの白色顔料などが挙げられる。溶媒としては、ブチルジグリコールエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテルなどのエーテルが挙げられる。なお、分散性の観点から、好ましくは、白色顔料は表面処理がなされている。
セラミックスインクとしては、市販品を用いることができ、具体的には、株式会社アイン社製のセラミックスインク(RGタイプ、ANタイプ、UVタイプ、SDタイプ)などが挙げられる。
硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂としては、例えば、硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。好ましくは、硬化性シリコーン樹脂が挙げられる。
硬化性シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応硬化型シリコーン樹脂、付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
付加反応硬化型シリコーン樹脂は、例えば、主剤となるエチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンと、架橋剤となるオルガノハイドロジェンシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物から構成される。付加反応硬化型シリコーン樹脂は、通常、主剤(エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサン)を含有するA液と、架橋剤(オルガノハイドロジェンシロキサン)を含有するB液との2液として提供される。そして、主剤(A液)と架橋剤(B液)とを混合して混合液を調製し、混合液から被覆層7を形成する工程において、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンとオルガノハイドロジェンシロキサンとが加熱などにより付加反応することにより、付加反応硬化型シリコーン樹脂が硬化して、シリコーンエラストマー(硬化体)を形成する。
付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、市販品(商品名:KER−2500、信越化学工業社製、商品名:LR−7665、旭化成ワッカー社製など)を用いることができる。
無機粒子を構成する無機物としては、例えば、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸複合酸化物(例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム)などの無機酸化物、例えば、銀、アルミニウムなどの金属などが挙げられる。光反射性、放熱性の観点から、好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、銀が挙げられ、長期耐熱性の観点から、より好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムが挙げられ、さらに好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウムが挙げられる。
無機粒子の平均粒子径(平均最大長さ)は、例えば、0.1〜50μmである。
硬化性樹脂組成物としては、好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムおよび銀からなる群から選択される少なくとも1種から構成される無機粒子、ならびに、硬化性シリコーン樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよびチタン酸バリウムからなる群から選択される少なくとも1種から構成される無機粒子、ならびに、硬化性シリコーン樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、さらに好ましくは、酸化チタンおよび酸化アルミニウムの少なくとも1種から構成される無機粒子、ならびに、硬化性シリコーン樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられる。
ケイ酸塩水溶液に含まれるアルカリ金属ケイ酸塩としては、例えば、ケイ酸ナトリウム(水ガラス)などが挙げられる。
硬化性組成物における無機物の含有割合(固形分量)は、例えば、30質量%以上、好ましくは、40質量%以上、さらに好ましくは、60質量%以上であり、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下である。硬化性組成物におけるバインダーまたは硬化性樹脂の含有割合(固形分量)は、例えば、10質量%以上、好ましくは、20質量%以上であり、例えば、70質量%以下、好ましくは、60質量%以下、さらに好ましくは、40質量%以下である。
硬化性組成物としては、好ましくは、セラミックスインク;無機酸化物粒子および金属粒子の少なくとも1種の無機粒子ならびに硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、セラミックスインク;無機酸化物粒子および硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、さらに好ましくは、セラミックスインクが挙げられる。これにより、被覆層7の放熱性、反射性を向上させることができる。
離型シート8aは、離型シート8と同様である。
硬化性組成物の塗布方法としては、印刷、ディスペンサなどの公知の塗布方法が挙げられる。
硬化性層6の厚みは、例えば、80μm以上、好ましくは、90μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下である。
次いで、蛍光体セラミックス素子5が硬化性層6と向かい合うように、素子配置基材11を硬化性層シート20とを間隔を隔てて厚み方向に対向配置する。
次いで、図2Gに示すように、蛍光体セラミックス素子5を硬化性層6に埋没させる(埋没工程)。具体的には、素子配置基材11を下側に移動させて、硬化性層シート20に押圧する。
これにより、蛍光体セラミックス素子5の表面(下面および側面)が、硬化性層6に被覆される。これとともに、蛍光体セラミックス素子5から露出していた基材4の表面(下面)が、硬化性層6に被覆される。
圧力は、例えば、0.03MPa以上、好ましくは、0.1MPa以上であり、また、例えば、2MPa以下、好ましくは、0.5MPa以下である。
これにより、基材4と、基材4の下に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子5と、複数の蛍光体セラミックス素子5の下面および側面を被覆するように、基材4の下に形成された硬化性層6と、硬化性層6の下に配置された離型シート8aとを備える硬化性層−素子積層体12を得る。
なお、素子配置基材11を硬化性層シート20と対向配置する工程と、蛍光体セラミックス素子5を硬化性層6に埋没する工程とは、連続する一つの工程として実施することができる。
次いで、図2Hに示すように、硬化性層6を硬化させる(硬化工程)。具体的には、硬化性層−素子積層体12を加熱して、硬化性層6を硬化(固化)させる。
加熱温度は、例えば、100℃以上、好ましくは、120℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、180℃以下である。
加熱時間は、例えば、0.5時間以上、好ましくは、1時間以上であり、また、例えば、12時間以下、好ましくは、6時間以下である。
また、必要に応じて、加熱硬化の前に、例えば、50〜100℃、1〜10時間の条件下で、乾燥工程を実施することもできる。
これにより、硬化性層6が加熱硬化され、被覆層7が形成される。
すなわち、基材4と、基材4の下に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子5と、複数の蛍光体セラミックス素子5の下面および側面を被覆するように、基材4の下に形成された被覆層7と、被覆層7の下に配置された離型シート8aとを備える被覆層−素子積層体13を得る。
次いで、図2Iに示すように、1つの蛍光体セラミックス素子5を含むように、被覆層7および基材4を厚み方向に切断する(切断工程)。すなわち、複数の蛍光体セラミックス素子5に切り分けて、蛍光体セラミックス素子5を個片化(個別化)する。
具体的に、互いに隣接する蛍光体セラミックス素子5の間において、厚み方向に沿って、幅狭ブレード19を用いて、基材4、被覆層7および離型シート8aを、ダイシングにより切断加工する。
幅狭ブレード19は、ダイシングブレード10よりも幅が狭いブレードであって、公知または市販のダイシング装置に使用される円盤状の回転刃である。幅狭ブレード19は、切断方向に沿う方向(図2Iでは、紙厚方向である前後方向)に投影したときに、上下方向に延びる略矩形状(板状)に形成されている。
幅狭ブレード19の幅方向長さZは、ダイシングブレード10の幅方向長さXよりも狭く、例えば、Xの80%以下、好ましくは、60%以下であり、また、例えば、10%以上、好ましくは、30%以上である。具体的には、例えば、0.01mm以上、好ましくは、0.05mm以上であり、また、例えば、1.5mm以下、好ましくは、0.8mm以下である。
この切断工程では、被覆層−素子積層体13をダイシング装置内に配置する。続いて、基材4、被覆層7および離型シート8aを厚み方向に切断するように、幅狭ブレード19または被覆層−素子積層体13の配置を調整する。すなわち、幅狭ブレード19の先端が、基材4および被覆層7を貫通して離型シート8aの下面に到達するように、幅狭ブレード19または被覆層−素子積層体13の上下方向位置を調整する。そして、上記除去工程と同様にして、幅狭ブレード19を高速回転させながら、互いに隣接する蛍光体セラミックス素子5の間を、前後方向および幅方向に(すなわち格子状に)移動させて、基材4、被覆層7および離型シート8aを切断加工する。
これにより、図2Jに示すように、基材4と、個別化された蛍光体セラミックス素子5と、被覆層7と、離型シート8aとを備える基材積層波長変換部材14を得る。
次いで、図2Jの仮想線に示すように、基材4および離型シート8aを剥離することにより、個別化された蛍光体セラミックス素子5と、被覆層7とを備える波長変換部材1を得る。
蛍光体セラミックス素子5は、基材4の下面の平面視略中央に設けられ、蛍光体のセラミックス(焼成体)から形成されている。
蛍光体セラミックスに含有される蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr,Ca)SiO;Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu(バリウムオルソシリケート(BOS))などのシリケート蛍光体、例えば、YAl12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、TbAl12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN:Eu、CaSiN:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
被覆層7は、蛍光体セラミックス素子5の表面を被覆するように、基材4の下面に設けられている。具体的には、蛍光体セラミックス素子5の表面(下面および側面)、ならびに、基材4の下面(蛍光体セラミックス素子5が配置されている面を除く)を被覆するように、基材4の下面に設けられている。
被覆層7の厚み(図2Jにおける蛍光体セラミックス素子5の下面から離型シート8aの上面までの距離T)は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。
被覆層7の側面の幅(図2Jにおける蛍光体セラミックス素子5の側面から被覆層7の外側表面までの距離W)は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。
被覆層7は、上記したように、無機物を含有する組成物から形成されている。
被覆層7は、好ましくは、放熱層および反射層としての役割を有している。
被覆層7の熱伝導率は、0.20W/m・Kを超過し、好ましくは、1.0W/m・K以上、さらに好ましくは、3.0W/m・K以上であり、また、例えば、30.0W/m・K以下でもある。熱伝導率は、キセノンフラッシュアナライザー(NETZSCH社製 LFA447により求められる。
被覆層7の反射率は、例えば、80%以上、好ましくは、90%以上であり、また、例えば、100%以下である。反射率は、紫外可視分光光度計(「V670」、日本分光社製)を用いて、波長450nmの光の反射を測定することにより求められる。
この波長変換部材1は、例えば、車載灯具、高天井吊下げ灯具、道路灯具、演芸灯具などの高出力の光源を備える遠方照射向けの半導体発光装置(例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置)などに用いられる。
具体的には、図4に示すように、半導体発光装置15は、光源16と、波長変換放熱部材17とを備えている。
光源16は、発光ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)などが挙げられる。
波長変換放熱部材17は、光源16から間隔を隔てて対向配置され、波長変換部材1と放熱部材18とを備えている。
放熱部材18は、波長変換部材1の被覆層7の表面(下面)に設けられている。放熱部材18は、平面視略矩形状の平板状に形成されており、下面には、放熱性を向上させるための複数の凸部が下側に向かって設けられている。放熱部材18は、例えば、ヒートシンクであり、例えば、アルミニウム、銅などの熱伝導性金属やAlNなどのセラミックス材料から形成されている。放熱部材18によって、波長変換部材1において生じる熱を外部に放熱することができる。
波長変換放熱部材17は、まず、基材積層波長変換部材14の離型シート8aを剥離し、露出する被覆層7の表面に、公知の熱伝導性接着剤層(図示せず)を介して放熱部材18を接着させ、次いで、加熱などにより、基材4を被覆層7および蛍光体セラミックス素子5から剥離することにより得られる。
そして、このような波長変換部材1では、蛍光体層が蛍光体セラミックス素子5から形成されているため、耐熱性および放熱性に優れる。
また、蛍光体セラミックス素子5を被覆する被覆層7が、無機物を含有しているため、蛍光体セラミックス素子5において生じる熱を被覆層7を介して外部に効率よく伝導でき、放熱性に優れる。また、蛍光体セラミックス素子5にて拡散・放射される光を効率よく反射することもできる。
また、このような波長変換部材1の製造方法では、個片化された蛍光体セラミックス素子5を備え、耐熱性、放熱性および反射性に優れる波長変換部材1を簡易かつ工業的に製造することができる。
(変形例)
以降の各図において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図1A〜図1Eおよび図3の実施態様では、蛍光体セラミックス層3の一部をダイシングブレード10を用いて掻き取ることにより、平面視略矩形状の素子配置基材11を作製しているが、例えば、図5A〜図5Dおよび図6に示すように、印刷方法によって、平面視略円形状の素子配置基材11を作製することもできる。
具体的には、まず、図5Aに示すように、耐熱性基板21を用意する。
耐熱性基板21は、焼成時の高温によって変形しない基板であり、公知または市販のものを用いることができる。
次いで、図5Bに示すように、スクリーン印刷などの印刷方法により、平面視略円形状および断面視略矩形状のグリーン体2aを耐熱性基板21の上に形成する。
グリーン体2aを構成する組成物は、上記した無機物を含有する硬化性組成物である。
次いで、図5Cに示すように、グリーン体2aを焼成する。これにより、耐熱性基板21の上に設けられる複数の蛍光体セラミックス素子5を得る。
次いで、図5Dおよび図6に示すように、蛍光体セラミックス素子5を、基材4の上に再配置する。具体的には、複数の蛍光体セラミックス素子5を耐熱性基板21から剥離し、基材4の上に、幅方向および前後方向に間隔を隔てて配置する。これにより、素子配置基材11を得る。
図5A〜図5Dの実施形態では、印刷方法によりグリーン体2aを作製するため、平面視略円形状、平面視略矩形状などの所望のパターンの蛍光体セラミックス素子5を形成することができる。また、蛍光体セラミックス層3を掻き取る必要がないため、蛍光体材料の歩留まりを向上することができる。
一方、図1A〜図1Eの実施形態では、基材4の上で、複数の蛍光体セラミックス素子5を形成するため、複数の蛍光体セラミックス素子5の再配置を必要としない。そのため、波長変換部材1を効率よく円滑に製造することができる。
なお、図2Iでは、1つの蛍光体セラミックス素子5を含むように、基材4、被覆層7および離型シート8aを切断しているが、例えば、2つ以上の蛍光体セラミックス素子5を含むように、基材4、被覆層7および離型シート8aを切断することもできる。
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
酸化イットリウム粒子(純度99.9%、日本イットリウム社製)11.34g、酸化アルミニウム粒子(純度99.9%、住友化学社製)8.577g、および、酸化セリウム粒子0.087gからなる蛍光体材料の粉末を調製した。
調製した蛍光体材料の粉末20gと、水溶性バインダー樹脂(「WB4101」、Polymer Inovations,Inc社製)とを、固形分の体積比率が60:40となるように混合し、さらに蒸留水を加えてアルミナ製容器に入れ、直径3mmのジルコニアボールを加えて24時間、ボールミルにより湿式混合することで、蛍光体の原料粒子のスラリーを調製した。
次いで、調製したスラリーを、離型シートとしてのPETフィルム8上に、ドクターブレード法によりテープキャスティングして乾燥することにより、厚み75μmのグリーンシート2を形成した(図1A参照)。その後、グリーンシート2をPETフィルム8から剥離し、グリーンシート2を20mm×20mmのサイズに切り出した。切り出したグリーンシート2を2枚作製し、この2枚のグリーンシート2をホットプレスを用いて熱ラミネートすることにより、グリーンシート積層体2を作製した。
次いで、作製したグリーンシート積層体2を、電気マッフル炉にて、大気中、1℃/分の昇温速度で1200℃まで加熱し、バインダー樹脂などの有機成分を分解除去する脱バインダー処理を実施した。その後、高温真空炉にグリーンシート積層体2を移し、約10−3Torr(約0.13Pa)の減圧下で、5℃/分の昇温速度で1750℃まで加熱し、その温度で3時間焼成することで、厚み120μmの、YAl12:Ceからなる蛍光体セラミックス層3(蛍光体セラミックスプレート)を作製した(図1B参照)。
次いで、蛍光体セラミックス層3を、ダイシング装置(商品名「ダイシングソー」、DISCO社製)のダイシングフレームに設置された熱剥離シート4(基材、商品名「リバアルファ31950」、日東電工社製)の粘着層面(上面)に貼着して、セラミックス積層体9を得た(図1C参照)。
次いで、先端が断面視略矩形状のダイシングブレード10(先端の幅X:0.4mm)の上下方向位置を、ダイシングブレード10の先端が熱剥離シート4の上面と一致するように、調整した。
次いで、ダイシングブレード10を高速回転させながら、幅方向の間隔(Y)および前後方向の間隔のそれぞれが3.0mmとなるように、ダイシングブレード10をセラミックス積層体9に対して相対移動させることにより、蛍光体セラミックス層3の一部を格子状に掻き取った(図1D参照)。
これにより、熱剥離シート4の上に、複数の蛍光体セラミックス素子5(3.0mm×3.0mm)が、前後方向および幅方向に0.4mmの間隔を隔てて格子状に整列配置された素子配置基材11を得た(図1Eおよび図3参照)。
次いで、硬化性層6の材料としてセラミックスインク(商品名「RG12−22」、白色、株式会社アイン製)を準備し、離型シートとしてのPETフィルム8a上に、ドクターブレードにて塗布し、厚み220μmの硬化性層6を形成した。
そして、蛍光体セラミックス素子5が硬化性層6と向かい合うように、素子配置基材11を硬化性層シート20とを間隔を隔てて厚み方向に対向配置した(図2F参照)。
次いで、素子配置基材11を下側に移動させ、硬化性層6に0.3MPaの圧力にて押圧することにより、蛍光体セラミックス素子5を硬化性層6に埋没させた(図2G参照)。
次いで、90℃で5時間乾燥させた後に、150℃で2時間加熱硬化させることにより、被覆層7を形成した。これにより、被覆層−素子積層体13を得た(図2H参照)。
次いで、ダイシング装置内に被覆層−素子積層体13を配置した。その後、先端が断面視略矩形状の幅狭ブレード19(先端の幅Z:0.2mm)を用いて、蛍光体セラミックス素子5間の幅方向中央および前後方向中央を、熱剥離シート4、被覆層7および離型シート8aの厚み方向に貫通するように切断した(図2I参照)。すなわち、3.2mm×3.2mmのサイズとなるように被覆層−素子積層体13を切断した。これにより、蛍光体セラミックス素子5を個片化し、基材積層波長変換部材14を得た。
次いで、得られた基材積層波長変換部材14から、PETフィルム8aを剥離し、次いで、熱剥離シート4を200℃で剥離した。これにより、1つの蛍光体セラミックス素子5(3.0mm×3.0mm、厚み120μm)および被覆層7(3.2mm×3.2mm、側面幅W:0.1mm、厚みT:100μm)を備える波長変換部材1を作製した(図2J参照)。
1 波長変換部材
3 蛍光体セラミックス層
4 基材
5 蛍光体セラミックス素子
6 硬化性層
7 被覆層
11 素子配置基材

Claims (4)

  1. 基材と、前記基材の上に前記基材の厚み方向と直交する方向に間隔を隔てて配置されている複数の蛍光体セラミックス素子とを備える素子配置基材を用意する工程、
    前記複数の蛍光体セラミックス素子を、無機物を含有する硬化性層に埋没させる工程、
    前記硬化性層を硬化させて、被覆層を得る工程、ならびに、
    少なくとも1つの前記蛍光体セラミックス素子を含むように、前記被覆層および前記基材を厚み方向に切断する工程
    を備えることを特徴とする、波長変換部材の製造方法。
  2. 前記硬化性層が、セラミックスインク、または、無機酸化物粒子および金属粒子の少なくとも1種の無機粒子ならびに硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物から形成されることを特徴とする、請求項1に記載の波長変換部材の製造方法。
  3. 前記基材が、易剥離性シートであることを特徴とする、請求項1または2に記載の波長変換部材の製造方法。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法により得られることを特徴とする、波長変換部材。
JP2015039039A 2014-04-23 2015-02-27 波長変換部材およびその製造方法 Pending JP2015216355A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015039039A JP2015216355A (ja) 2014-04-23 2015-02-27 波長変換部材およびその製造方法
CN201580021247.4A CN106233476A (zh) 2014-04-23 2015-04-02 波长转换构件及其制造方法
US15/303,782 US20170037312A1 (en) 2014-04-23 2015-04-02 Wavelength conversion member and production method thereof
KR1020167029217A KR20160148536A (ko) 2014-04-23 2015-04-02 파장 변환 부재 및 그 제조 방법
PCT/JP2015/060518 WO2015163110A1 (ja) 2014-04-23 2015-04-02 波長変換部材およびその製造方法
EP15782700.7A EP3136453A4 (en) 2014-04-23 2015-04-02 Wavelength conversion member and method for producing same
TW104112919A TW201541670A (zh) 2014-04-23 2015-04-22 波長變換構件及其製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014089577 2014-04-23
JP2014089577 2014-04-23
JP2015039039A JP2015216355A (ja) 2014-04-23 2015-02-27 波長変換部材およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015216355A true JP2015216355A (ja) 2015-12-03

Family

ID=54332278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015039039A Pending JP2015216355A (ja) 2014-04-23 2015-02-27 波長変換部材およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20170037312A1 (ja)
EP (1) EP3136453A4 (ja)
JP (1) JP2015216355A (ja)
KR (1) KR20160148536A (ja)
CN (1) CN106233476A (ja)
TW (1) TW201541670A (ja)
WO (1) WO2015163110A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199757A (ja) * 2016-04-26 2017-11-02 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102971268B (zh) 2010-05-04 2017-06-06 E·I·内穆尔杜邦公司 包含铅‑碲‑锂‑氧化物的厚膜浆料以及它们在半导体装置制造中的用途
US10886437B2 (en) * 2016-11-03 2021-01-05 Lumileds Llc Devices and structures bonded by inorganic coating

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7682850B2 (en) * 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
US8481977B2 (en) * 2006-03-24 2013-07-09 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
CN101878540B (zh) * 2007-11-29 2013-11-06 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP2011511325A (ja) * 2008-02-08 2011-04-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光学素子及びその製造方法
JP5395097B2 (ja) * 2009-01-13 2014-01-22 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび灯具ユニット
JP5566785B2 (ja) * 2010-06-22 2014-08-06 日東電工株式会社 複合シート
JP5766411B2 (ja) * 2010-06-29 2015-08-19 日東電工株式会社 蛍光体層および発光装置
US20120081000A1 (en) * 2010-10-05 2012-04-05 Power Data Communications Co., Ltd. Led encapsulation process and shield structure made thereby
JP5286393B2 (ja) * 2011-07-29 2013-09-11 シャープ株式会社 発光素子、発光装置および発光素子の製造方法
JP6033557B2 (ja) 2012-03-06 2016-11-30 日東電工株式会社 封止シート、および、それを用いた発光ダイオード装置の製造方法
EP2876673A4 (en) * 2012-07-17 2015-11-18 Nitto Denko Corp METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COATED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199757A (ja) * 2016-04-26 2017-11-02 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US10115875B2 (en) 2016-04-26 2018-10-30 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP3136453A4 (en) 2017-09-27
US20170037312A1 (en) 2017-02-09
KR20160148536A (ko) 2016-12-26
WO2015163110A1 (ja) 2015-10-29
EP3136453A1 (en) 2017-03-01
TW201541670A (zh) 2015-11-01
CN106233476A (zh) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015163109A1 (ja) 波長変換部材およびその製造方法
WO2015163108A1 (ja) 波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置
JP5511524B2 (ja) 光半導体用封止シート
JP5989268B2 (ja) 蛍光体セラミックス、封止光半導体素子、回路基板、光半導体装置および発光装置
TWI749058B (zh) 光學半導體元件覆蓋用薄片
US20140339582A1 (en) Resin sheet laminate, method for manufacturing the same and method for manufacturing led chip with phosphor-containing resin sheet
JP2012222319A (ja) 蛍光反射シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
TW201401576A (zh) 密封層被覆半導體元件、其製造方法及半導體裝置
JP2016213451A (ja) 蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法
JP2017143236A (ja) セラミックスプレート、その製造方法および光半導体装置
WO2015163110A1 (ja) 波長変換部材およびその製造方法
WO2017221606A1 (ja) 蛍光体層付光半導体素子およびその製造方法
WO2015140854A1 (ja) 波長変換素子の製造方法
WO2017221608A1 (ja) 蛍光体層シート、および、蛍光体層付光半導体素子の製造方法
WO2016178397A1 (ja) 蛍光体層-封止層付光半導体素子の製造方法
WO2016132890A1 (ja) 蛍光体セラミックス、封止光半導体素子、回路基板、光半導体装置および発光装置
WO2017221607A1 (ja) 蛍光体層付光半導体素子
WO2016132888A1 (ja) 蛍光体セラミックスの製造方法
WO2017138180A1 (ja) セラミックスプレート、その製造方法および光半導体装置
JP2015073140A (ja) 発光ダイオード装置
TW202209701A (zh) 光學半導體元件覆蓋用薄片