JP2003249510A

JP2003249510A - 半導体封止方法

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Publication number: JP2003249510A
Application number: JP2002049542A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Dobashi; 美博土橋; Tadaharu Tomita; 忠治富田
Original assignee: Athlete FA Corp
Current assignee: Athlete FA Corp
Priority date: 2002-02-26
Filing date: 2002-02-26
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体に対して耐熱性、耐水性、電気的絶縁
性、耐化学性、物理的強度に優れ、しかも、封止後の厚
みを抑えた封止を行うこと。【解決手段】エポキシ樹脂でなる薄板状樹脂シート３
１にキャリア３２が貼付された封止材テープ３をその薄
板状樹脂シート３１側が基板１上に実装された半導体２
の表面に対向するようにして当該半導体２全面を覆うよ
うに被せたのちに、キャリア３２側から加熱して加圧
し、薄板状樹脂シート３１を軟化させて適度な粘性と粘
着力を持たせる。この粘性と粘着性を有した薄板状樹脂
シート３１を半導体２と基板１に接着させ、その加熱処
理が終了した後にその軟化した樹脂が硬化することで半
導体２を封止する。なお、加熱処理が終了したあと、キ
ャリア３２は薄板状樹脂シート３１から剥がす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板面上に実装さ
れた半導体チップなどの半導体を封止する半導体封止方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップなどの半導体を封止する方
法として、半導体を樹脂で封止する方法が従来より多数
提案され実用化されている。最も多く採用されている方
法が樹脂を滴下するポッティングであり、また時には、
型を利用したモールド方法も採用される。さらに、最近
では、シート状の樹脂等を使用する方法も提案されてい
る。

【０００３】シート状樹脂を使用する方法として、たと
えば、特開平９−１２９６５９号公報記載の技術（以
下、第１の従来技術という）が知られ、ガラスシートを
使用するものとして、特開平２−２５７６６２号公報記
載の技術（以下、第２の従来技術という）等が知られて
いる。また、モールド方式の半導体を封止する技術とし
ては、特開２００１−４４２２２号公報記載の技術（以
下、第３の従来技術という）等が知られている。

【０００４】第１の従来技術は、半導体封止用のシート
状樹脂の少なくとも片面の中央部を突出させることによ
って、内部ボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を
提供しようとするものである。第２の従来技術は、半導
体の上部および下部にそれぞれ熱硬化性樹脂を含浸させ
たガラス織布のプリプレグを少なくとも一層ずつ設けて
一体成形し、それによって、樹脂クラックをなくし、耐
湿性や信頼性を高めようとするものである。また、第３
の従来技術は、一面に複数の埋込型の電極となるポスト
を有するウエハの全面をモールド樹脂で封止する圧縮成
形装置であって、ウエハのポストの高さのバラツキによ
って樹脂の厚さにバラツキが生じるのを防ぐことを主な
目的とするものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した第１から第３
の従来技術は、それぞれの目的を達成するために特別の
工夫がなされたものであるが、近年の半導体の種類は多
岐にわたり、かつ、小型化（特に薄型化）が進んでいる
ため、その封止方法も薄型化等に対応できるものが必要
となってきている。

【０００６】たとえば、半導体の厚みが数μｍから数十
μｍ程度のきわめて薄いものに対して封止を行うには、
封止後の厚みもできるだけ薄く抑えることが要求され
る。また、１枚の基板上の広い実装領域に多数の半導体
が実装されているような場合にも、できるだけ封止後の
厚みを小さくした状態ですべての半導体全体をまとめて
封止することが要求される。しかも、耐水性、耐熱性、
電気的絶縁性に優れ、さらには、耐化学性や物理的強度
においても優れることも重要な課題である。

【０００７】しかし、このような要求や課題に対して
は、前述したそれぞれの従来技術では対応することがで
きない。すなわち、第１の従来技術では、シート状樹脂
の中央部分を突出させるように形成しているため、どう
しても全体が厚くなる。また、第２の従来技術では、粉
末状のシリカを有するガラスプリプレグ等を半導体チッ
プの上部と下部に配電して一体成形しているため、やは
りどうしても全体が厚くなる。さらに、第３の従来技術
は、モールド樹脂部分を貫通するようにポストを設ける
ものであること、および樹脂を型で所定の形状とするこ
とから、封止後の厚さは、やはりある程度の厚さとなっ
てしまう。

【０００８】そこで本発明は、特に、厚みのきわめて薄
い半導体を封止するに最適な半導体封止方法を提供する
ことを目的とし、封止の厚みを薄くするだけでなく、耐
水性、耐熱性、電気的絶縁性に優れ、さらには、耐化学
性や物理的強度においても優れた半導体封止方法を提供
することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明の半導体封止方法は、基板面上に実装された
半導体を封止材で覆ったのちに、その封止材を加熱する
ことで当該半導体を封止する半導体封止方法であって、
封止材として、形状が薄板状のシートで、加熱すること
によって粘性と粘着性を有する熱硬化性樹脂でなる薄板
状樹脂シートを用い、この封止材を基板上に実装された
半導体全面を覆うように被せたのちに加熱して、その薄
板状樹脂シートを軟化させて粘性と粘着力を持たせるこ
とで、その薄板状樹脂シートを半導体と基板面に接着さ
せ、その加熱処理後に上記軟化した薄板状樹脂シートが
硬化することで半導体を封止するようにしている。

【００１０】これによって、半導体は封止材により基板
面上に密封状態で封止させることができる。すなわち、
この封止材は、加熱されることで適度な粘性と粘着性を
有した状態となるので、それによって、基板面上に露出
する半導体全面を隙間なく包み込む状態とすることがで
き、耐水性、耐熱性、電気的絶縁性に優れ、さらには、
耐化学性や物理的強度においても優れた封止状態を得る
ことができる。

【００１１】しかも、本発明で用いられる封止材は、熱
硬化性樹脂を薄板状に成形したものを構成要素としてい
るので、封止材として安価なものとすることができる。
また、このように、熱硬化性樹脂を薄板状に成形するだ
けであるので、種々の形状や大きさの薄板状樹脂シート
として成形することができ、実装領域が広い範囲に渡る
場合や、複雑な形状の実装領域などにも、それぞれに応
じた形状や大きさの薄板状樹脂シートを用意することが
でき、汎用性に優れたものとなる。

【００１２】また、熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂とす
ると共に封止材をキャリアに貼着させた状態で半導体全
面を覆うようにするのが好ましい。

【００１３】このエポキシ樹脂は、適温で加熱すること
により適度な粘性と粘着性が得られる。ここでの適度な
粘性というのは、流動性があまり高くない適度な軟化状
態ということであり、それによって、封止すべき範囲外
に樹脂材がはみ出るといった不具合を防止できるととも
に、加熱処理を終了した後、短時間（数秒程度）で硬化
させることができ、生産性を向上させることができる。
また、適度な粘着性が得られることにより、接着性に優
れたものとなり、それによって確実な封止状態を長期間
保持することができる。さらにエポキシ樹脂は、耐水性
や電気的な絶縁性に優れるばかりでなく、ナトリウムを
通しにくい性質があり、塩分を嫌う半導体の封止に適し
た材料であるといえる。

【００１４】さらに、キャリアと共に半導体面を覆うよ
うにしているので、薄板状樹脂シートにホットプレート
等の加熱手段が直接に接触しなくなり、封止状態が良い
ものとなる。

【００１５】また、封止対象となる半導体は、その厚み
が５〜５０μｍの薄型の半導体であって、封止材として
の薄板状樹脂シートは、その厚みを当該半導体の厚みの
０．５倍以上で２倍以下とするのが好ましい。

【００１６】このように、厚みが５〜５０μｍの半導体
を主な封止対象とすると、シート状の封止材を使用する
ことで、簡単かつ確実に封止でき、シート状の封止材の
使用が好適なものとなる。しかも、薄板状樹脂シートの
厚みも半導体の厚みの０．５倍以上で２倍以下としてい
るので、封止処理後における基板面上から薄板状樹脂シ
ート表面までの厚みを極めて薄く抑えることができ、厚
みの少ない封止であると共に強度的にも十分な封止を行
うことができる。

【００１７】また、他の発明は、上述の各発明の半導体
封止方法に加え、封止対象となる半導体は、基板面上に
おいてある間隔を有して並べられた複数の半導体であっ
て、これら複数の半導体全体をひとまとめとしてこれら
複数の半導体全体を封止材で覆うように被せたのちに、
薄板状樹脂シートを加熱し、その薄板状樹脂シートを軟
化させて粘性と粘着力を持たせることで、その薄板状樹
脂シートをそれぞれの半導体およびこれらそれぞれの半
導体の実装領域内の基板面に接着させ、その加熱処理後
に軟化した薄板状樹脂シートが硬化することで、複数の
半導体全体を封止するようにしている。

【００１８】このように、１枚の基板上において、多数
の半導体が広い実装領域で実装されているような場合で
あっても、その実装領域内のすべての半導体群をひとま
とめとして封止することもでき、しかも、耐水性、耐熱
性、電気的絶縁性に優れ、さらには、耐化学性や物理的
強度においても優れた封止状態を得ることができる。ま
た、基板上に多数の半導体を実装する場合、その封止処
理した後に、基板を所定部分ごとに切り放して用いるこ
ともあるが、このような場合、本発明によれば、その切
り放したあとの切断面は、硬化した薄板状樹脂シートで
封止された状態となるので、個々の半導体が露出するこ
とはなく、それぞれの半導体の封止状態を適切に保持す
ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体封止方
法についての実施の形態の例を図面を参照しながら説明
する。

【００２０】まず、本発明の半導体封止方法の第１の実
施の形態として、基板上に実装された１つの半導体を封
止する場合について図１から図３により説明する。

【００２１】図１（Ａ）は、多層基板などの基板１上に
半導体チップなどの封止対象となる半導体２が実装され
ている状態を示す斜視図で、（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ
線矢視断面図である。ここで用いる半導体２は、その厚
みｔ０がこの例では５μｍ〜５０μｍ程度のきわめて薄
い半導体であるとする。また、図２（Ａ）は、半導体２
を封止するための封止材テープ３を示す斜視図で、
（Ｂ）は、この封止材テープ３をその長手方向に沿った
所定の長さで切断したものを取り出した側断面図であ
る。

【００２２】この封止材テープ３は、この図２（Ｂ）で
は、封止材となる熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂３
１でなる薄板状樹脂シート３１と、この薄板状樹脂シー
ト３１に剥離可能に貼付されたキャリア３２によって構
成されている。この封止材テープ３は、所定の幅を有し
た長い帯状にしたものを、その長さと幅を封止対象の大
きさに応じて必要な寸法に切断して使用できるようにす
ることができるようになっている。また、この封止材テ
ープ３は、エポキシ樹脂３１を薄板状樹脂シートとして
成形するだけであるので、様々な形状や大きさの薄板状
樹脂シートとして成形することができる。

【００２３】なお、この図２では、薄板状樹脂シート３
１にはキャリア３２が貼付されているが、封止材として
の役目は薄板状樹脂シート３１が果たすので、キャリア
３２はなくてもよい。ただし、封止処理を行う際、ホッ
トプレート（図示せず）などで薄板状樹脂シート３１を
加熱するが、そのとき、薄板状樹脂シート３１にホット
プレートが直接に接触しないようにキャリア３２を介在
させる方が好ましい。したがって、このキャリア３２は
熱伝導性がよく、しかも、熱により変形しない部材が用
いられる。

【００２４】また、薄板状樹脂シート３１の厚みｔ１
は、この実施の形態では封止対象となる半導体２の厚み
の０．５倍以上で、せいぜい２倍程度までの厚みとして
いる。たとえば、半導体２の厚みｔ０が１０μｍである
とすれば、薄板状樹脂シート３１の厚みｔ１は、５μｍ
から２０μｍとし、半導体２の厚みｔ０が３０μｍであ
るとすれば、薄板状樹脂シート３１の厚みｔ１は、１５
μｍから６０μｍとする。

【００２５】このように、薄板状樹脂シート３１の厚み
ｔ１を半導体２の厚みｔ０の２倍程度までに抑えるの
は、図３（Ｂ）に示す封止処理後の全体の厚み（基板１
の表面から封止材の表面つまり薄板状樹脂シート３１表
面までの厚みｔ３）をできるだけ抑えることが望ましい
からである。また、薄板状樹脂シート３１の厚さｔ１を
半導体２の厚みｔ０の０．５倍以上としているのは、半
導体２が、通常、上部四隅に鋭く突き出た角部を有して
いるため、その角部によって薄板状樹脂シート３１が破
られないようにするには、半導体２の厚みｔ０の０．５
倍以上は必要とされるためである。

【００２６】このような薄板状樹脂シート３を用いて半
導体２を封止する際は、まず図３（Ａ）に示すように、
キャリア３２を上側とし、薄板状樹脂シート３１が半導
体２側に対向するようにして半導体２を覆うように封止
材テープ３を被せる。その後、図示しないホットプレー
トなどで適度に加熱しながら多少の加圧力を与えること
によって半導体２を封止する。そして、加熱処理した後
に、キャリア３２を薄板状樹脂シート３１から剥がす。

【００２７】このときの加熱温度は、薄板状樹脂シート
３１が適度に軟化して、適正な粘性と粘着性が得られる
程度の温度とする。これは、薄板状樹脂シート３１の原
材料であるエポキシ樹脂は、加熱してもあまり粘性が高
くならない性質を有しているが、あまり温度を高くすれ
ば、たとえ、エポキシ樹脂であっても、その粘性がある
程度は低くなり、加熱処理によって軟化したエポキシ樹
脂が、封止すべき範囲からはみ出たり、加熱処理したあ
と、硬化するまでに時間がかかりすぎるなどの問題が発
生するためである。

【００２８】なお、ここで熱硬化性樹脂としてエポキシ
樹脂を用いるのは、エポキシ樹脂が耐水性や電気的な絶
縁特性に優れるほか、ナトリウムを通しにくいという化
学的な性質を有するからである。特に、半導体２は、塩
分の付着を嫌うのが一般的であるので、ナトリウムを通
しにくい性質は有効である。

【００２９】また、エポキシ樹脂は、適度な温度で加熱
すれば適度な粘性と粘着性が得られる。適度な粘性によ
って、基板１上に実装された半導体２全体を隙間なく包
み込むことができ、しかも、加熱処理の終了後、硬化す
るまでの時間をきわめて短時間（数秒程度）とすること
ができる。また、適度な粘着性が得られることにより、
接着性に優れたものとなり、それによって確実な封止状
態を長期間保持することができる。

【００３０】図３（Ｂ）は、このようにして封止された
状態を示すもので、キャリア３２はすでに剥がされた状
態が示されている。この図３（Ｂ）からもわかるよう
に、半導体２は、薄板状樹脂シート３１の原材料である
エポキシ樹脂により基板１上に密封状態で封止された状
態となる。すなわち、エポキシ樹脂は加熱されること
で、適度な粘性と粘着力を有した状態となるので、それ
によって、基板１上に露出している半導体２全面を隙間
なく包み込む状態となる。そして、加熱処理の終了した
後には、エポキシ樹脂は直ちに硬化するので、基板１上
に露出している半導体２の全面が硬化したエポキシ樹脂
で包みこまれた状態で封止される。

【００３１】以上説明したような半導体封止方法を用い
て半導体２を封止することによって、耐水性、耐熱性、
電気的な絶縁性に優れ、さらには、耐化学性や物理的強
度にも優れた封止状態を得ることができる。しかも、封
止処理後における基板１上から薄板状樹脂シート３１の
表面までの厚みｔ３（図３（Ｂ）参照）は、この実施の
形態では数十μｍ程度に抑えることができ、全体として
きわめて厚みの薄い封止を行うことができる。

【００３２】このように、第１の実施の形態の半導体封
止方法は、封止対象となる半導体２の厚みが少ない場合
に特に有効なものであり、半導体２の厚みｔ０としては
５μｍから５０μｍ程度までの封止に有効であり、特に
５〜３０μｍの厚さの半導体２に対し有効であるといえ
る。

【００３３】以上の説明は、基板１上に実装された１つ
の半導体２を封止する方法についてであったが、基板１
上に多数の半導体２が実装された状態のものを上述した
と同様の方法によって封止することもでき、これを第２
の実施の形態として以下に説明する。

【００３４】図４（Ａ）は、１枚の基板１上に多数の半
導体２がそれぞれ半導体間に所定の間隔を有して実装さ
れている状態を示す斜視図で、図４（Ｂ）は、（Ａ）の
Ａ−Ａ線矢視断面図であり、ここで用いる半導体２も前
述の第１の実施の形態と同様、その厚みｔ０が５μｍ〜
５０μｍ程度のきわめて薄い半導体であるとする。

【００３５】なお、１枚の基板１上に多数の半導体２を
実装する必要があることから、基板１上における多数の
半導体２の実装領域２０（図４（Ａ）において破線で示
す範囲内）は、たとえば縦方向の長さ×横方向の長さが
１００ｍｍ×２００ｍｍあるいは５０ｍｍ×１５０ｍｍ
というように比較的大きな面積が必要であるが、このよ
うな大きな面積の実装領域２０全体を封止する場合も、
前述の第１の実施の形態と同様に行うことができる。

【００３６】この第２の実施の形態における半導体封止
方法について、図５を参照しながら説明する。なお、こ
の第２の実施の形態で用いる封止材テープ３は、図２で
示したものと同じ構造を有するものであるとし、また、
この封止材テープ３を構成する薄板状樹脂シート３１の
厚みｔ１などは、半導体２の厚みｔ０に対して第１の実
施の形態で説明したと同様の関係を有するものであると
する。ただし、この第２の実施の形態で用いる封止材テ
ープ３の大きさとしては、図４で示すような、実装領域
２０全体を覆うことができるような寸法のものを用い
る。

【００３７】まず、図５（Ａ）に示すように、薄板状樹
脂シート３１にキャリア３２が貼付された状態のまま、
多数の半導体２の上方から薄板状樹脂シート３１側が半
導体２表面に対向するようにして、全ての半導体２をま
とめて覆うように被せたのち、図示しないホットプレー
トなどで適度に加熱しながらわずかな力圧力を与えるこ
とによって全ての半導体２を封止する。この場合も、加
熱処理が終了した後に、キャリア３２は薄板状樹脂シー
ト３１から剥がす。

【００３８】図５（Ｂ）は、このようにして封止された
状態を示すもので、キャリア３２は薄板状樹脂シート３
１から剥がされた状態が示されている。このように、基
板１上に実装されたそれぞれの半導体２は、薄板状樹脂
シート３１により基板１上に密封状態で封止される。す
なわち、薄板状樹脂シート３１の原材料であるエポキシ
樹脂は加熱されることで、前述したように、適度な粘性
と粘着性を有した状態となるので、それによって、基板
１上に実装された全ての半導体２を個々の半導体２ごと
に包み込む状態となるので、個々の半導体２はそれぞれ
がエポキシ樹脂で密封された状態となる。そして、加熱
処理の終了した後には、エポキシ樹脂は直ちに硬化する
ので、すべての半導体２が硬化したエポキシ樹脂で封止
される。

【００３９】以上説明したような半導体封止方法を用い
て半導体２を封止することによって、前述した第１の実
施の形態で説明した半導体２が１個である場合と同様、
耐水性、耐熱性、電気的な絶縁性さらには耐化学性、物
理的強度に優れた封止状態を得ることできる。しかも、
薄板状樹脂シート３１の厚みは、数十μｍ程度であるの
で、全体としてきわめて厚みの薄い封止を行うことがで
きる。

【００４０】すなわち、薄板状樹脂シート３１の厚み
は、半導体の厚みｔ０の半分程度か厚みｔ０よりもわず
かに厚い程度、すなわち、半導体２の厚みｔ０が１０μ
ｍ程度であるとすれば、薄板状樹脂シート３１の厚みも
５μｍからせいぜい２０μｍ程度であるので、封止処理
後における基板１上から薄板状樹脂シート３１表面まで
の厚みｔ３（図５（Ｂ）参照）は、最大でも数十μｍに
抑えることができ、全体としてきわめて厚みの薄い封止
を行うことができる。また、半導体２の厚みｔ０を５〜
５０μｍとし、薄板状樹脂シート３１の厚みｔ１を半導
体２の厚みｔ０の０．５倍以上で２倍以下とするのが、
封止強度や全体厚さの面で好ましいものとなる。

【００４１】また、この第２の実施の形態のように、基
板１上に多数の半導体２が実装される場合、半導体２を
実装して封止処理した後に、基板１を所定部分ごとに切
り放して用いることもある。図５において、たとえば、
破線ｘ１の部分で切り放す場合を考えると、その切断部
分も確実に封止状態が保たれている必要がある。

【００４２】本実施の形態では、この点についても考慮
されている。すなわち、図５（Ｂ）における破線ｘ１で
切断した場合、その切断後における基板１は、図６に示
すように、２つ基板１１，１２に切り分けられる。この
とき、これら２つの基板１１，１２のそれぞれの切断面
１１ａ，１２ａは、硬化したエポキシ樹脂で封止された
状態となっているので、半導体２が露出することはな
く、それぞれの半導体２の封止状態は適切に保持され
る。

【００４３】なお、上述の各実施の形態は、本発明の好
適な実施の形態の例であるが、これに限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々
変形実施可能である。たとえば、前述の各実施の形態で
は、封止対象となる半導体２は、その厚みが５〜５０μ
ｍ程度までに特に効果が得られるとして、５〜５０μｍ
程度の厚みを有する半導体を封止対象として説明した
が、それよりさらに厚みのある半導体や逆に５μｍ未満
の厚さの半導体においても適用できる。

【００４４】また、薄板状樹脂シート３１として、熱硬
化性樹脂であるエポキシ樹脂を示したが、熱硬化性のポ
リイミド樹脂やポリエチレンテレフタレートなどとして
も良い。また、封止材テープ３としては、キャリア３２
を有さない薄板状樹脂シート３１のみからなるテープと
しても良いが、この場合は封止材テープ３が封止材その
ものとなる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体封
止方法は、耐水性、耐熱性、電気的絶縁性さらには耐化
学性、物理的強度においても優れ、かつ、封止の厚みを
薄くすることが可能な半導体封止方法を提供することが
できる。

【００４６】また、他の発明の半導体封止方法によれ
ば、１枚の基板上において、多数の半導体が広い実装領
域に渡って実装されているような場合であっても、その
実装領域内のすべての半導体群をひとまとめとして封止
することもでき、しかも、その封止後の厚みを極めて薄
くすることができる。また、このように、基板上に多数
の半導体を実装する場合、その封止処理後に、基板を所
定部分ごとに切り放して用いることもあるが、このよう
な場合、その切り放したあとの切断面は、硬化したエポ
キシ樹脂で封止された状態となるので、個々の半導体が
露出することはなく、それぞれの半導体の封止状態を適
切に保持することができる。

【００４７】また、本発明で用いる封止材は、薄板状に
成形した熱硬化正樹脂を主な構成要素としているので、
封止材として安価なものとすることができる。また、こ
のように、熱硬化性樹脂を薄板状に成形するだけである
ので、種々の形状や大きさの薄板状樹脂シートとして成
形することができ、実装領域が広い範囲に渡る場合や、
複雑な形状の実装領域などにも、それぞれに応じた形状
や大きさの薄板状樹脂シートを用意することができ、汎
用性に優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体封止方法の第１の実施の形態に
おいて用いられる封止対象としての半導体の基板に対す
る実装状態を示す図であり、（Ａ）は斜視図で、（Ｂ）
は（Ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。

【図２】本発明の各実施の形態に係る半導体封止方法で
用いられる封止材の構成を説明する図であり、（Ａ）は
斜視図で、（Ｂ）は側断面図である。

【図３】本発明の半導体封止方法の第１の実施の形態の
封止工程を説明する図であり、（Ａ）は半導体上に封止
材を覆うように被せた状態を示す図で、（Ｂ）は（Ａ）
の状態から加熱処理して、キャリアを剥がした状態を示
す図である。

【図４】本発明の半導体封止方法の第２の実施の形態に
おいて用いられる封止対象としての多数の半導体の基板
に対する実装状態を示す図であり、（Ａ）は斜視図で、
（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。

【図５】本発明の半導体封止方法の第２の実施の形態の
封止工程を説明する図であり、（Ａ）は多数の半導体上
に封止材を覆うように被せた状態を示す図で、（Ｂ）は
（Ａ）の状態から加熱処理して、キャリアを剥がした状
態を示す図である。

【図６】図５（Ｂ）に示す封止処理状態において基板を
所定位置で切断した状態を示す図である。

【符号の説明】

１基板２半導体３封止材テープ３１薄板状樹脂シート（封止材）３２キャリア２０半導体の実装領域１１，１２切り分けられた基板１１ａ切り分けられた基板１１の切断面１２ａ切り分けられた基板１２の切断面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板面上に実装された半導体を封止材で
覆ったのちに、その封止材を加熱することで当該半導体
を封止する半導体封止方法であって、上記封止材として、形状が薄板状のシートで、加熱され
ることによって粘性と粘着性を有する熱硬化性樹脂でな
る薄板状樹脂シートを用い、この薄板状樹脂シートを上
記基板面上に実装された半導体全面を覆うように被せた
のちに加熱して、その薄板状樹脂シートを軟化させて粘
性と粘着力を持たせることで、その薄板状樹脂シートを
上記半導体と上記基板面に接着させ、その加熱処理後に
上記軟化した薄板状樹脂シートが硬化することで上記半
導体を封止することを特徴とする半導体封止方法。
【請求項２】前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であ
ると共に前記封止材をキャリアに貼着させた状態で前記
半導体全面を覆うようにしたことを特徴とする請求項１
記載の半導体封止方法。
【請求項３】前記封止対象となる半導体は、その厚み
が５〜５０μｍ以下の薄型の半導体であって、前記薄板
状樹脂シートは、その厚みが当該半導体の厚みの０．５
倍以上で２倍以下であることを特徴とする請求項１また
は２記載の半導体封止方法。
【請求項４】前記封止対象となる半導体は、前記基板
面上においてある間隔を有して並べられた複数の半導体
であって、これら複数の半導体全体をひとまとめとして
これら複数の半導体全体を前記封止材で覆うように被せ
たのちに、前記薄板状樹脂シートを加熱し、その薄板状
樹脂シートを軟化させて粘性と粘着力を持たせること
で、その薄板状樹脂シートを前記それぞれの半導体およ
びこれらそれぞれの半導体の実装領域内の基板面に接着
させ、その加熱処理後に前記軟化した薄板状樹脂シート
が硬化することで、前記複数の半導体全体を封止するこ
とを特徴とする請求項１，２または３記載の半導体封止
方法。