JPH10163383A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH10163383A JPH10163383A JP31896996A JP31896996A JPH10163383A JP H10163383 A JPH10163383 A JP H10163383A JP 31896996 A JP31896996 A JP 31896996A JP 31896996 A JP31896996 A JP 31896996A JP H10163383 A JPH10163383 A JP H10163383A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止を行う際における要素部材の移動を
無くし、要素部材を所定の位置に位置決めした状態で同
じ構造の半導体装置を簡単に作ることができる構造にし
た樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金線６で結線されたリードフレーム２と
半導体素子５を樹脂封止する封止樹脂部７を上下２つの
封止樹脂部７Ａ，７Ｂとに分けて下側の封止樹脂部７Ａ
を先に形成し、この下側の封止樹脂部７Ａを封止金型内
にセットするとともに、封止金型内で下側の封止樹脂部
７Ａ上にリードフレーム２と半導体素子５を位置決め
し、かつ金線６で結線し、その後、封止金型により下側
封止樹脂部７Ａ上に上側封止樹脂部７Ｂを、リードフレ
ーム２と半導体素子５と金線６を封入させて形成した。
無くし、要素部材を所定の位置に位置決めした状態で同
じ構造の半導体装置を簡単に作ることができる構造にし
た樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金線６で結線されたリードフレーム２と
半導体素子５を樹脂封止する封止樹脂部７を上下２つの
封止樹脂部７Ａ，７Ｂとに分けて下側の封止樹脂部７Ａ
を先に形成し、この下側の封止樹脂部７Ａを封止金型内
にセットするとともに、封止金型内で下側の封止樹脂部
７Ａ上にリードフレーム２と半導体素子５を位置決め
し、かつ金線６で結線し、その後、封止金型により下側
封止樹脂部７Ａ上に上側封止樹脂部７Ｂを、リードフレ
ーム２と半導体素子５と金線６を封入させて形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
製造装置の構造及びその製造方法に関するものである。
製造装置の構造及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の樹脂封止型半導体装置の
一例を示す概略断面図である。図８において、この半導
体装置１は、リードフレーム２の一部であるダイパッド
３上に接着材４を介して半導体素子５を搭載するととも
に、リードフレーム２と半導体素子５との間を金線６等
で結線し、これを図示せぬ封止金型内にセットし、さら
に封止金型内に注入される樹脂材７（以下、「封止樹脂
部７」と言う）によりリードフレーム２、半導体素子
５、及びボンディングワイヤとしての金線６等、全てを
一括封止した構造になっている。図９は、従来の樹脂封
止型半導体装置の他の例を示す概略断面図である。図９
において図８と同一符号を付したものは図８と同一のも
のを示している。そして、この半導体装置１は、ダイパ
ッド３の下側に当接させて放熱板９を設けて放熱効果を
向上させた構造になっている。
一例を示す概略断面図である。図８において、この半導
体装置１は、リードフレーム２の一部であるダイパッド
３上に接着材４を介して半導体素子５を搭載するととも
に、リードフレーム２と半導体素子５との間を金線６等
で結線し、これを図示せぬ封止金型内にセットし、さら
に封止金型内に注入される樹脂材７（以下、「封止樹脂
部７」と言う）によりリードフレーム２、半導体素子
５、及びボンディングワイヤとしての金線６等、全てを
一括封止した構造になっている。図９は、従来の樹脂封
止型半導体装置の他の例を示す概略断面図である。図９
において図８と同一符号を付したものは図８と同一のも
のを示している。そして、この半導体装置１は、ダイパ
ッド３の下側に当接させて放熱板９を設けて放熱効果を
向上させた構造になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示した従来の半導体装置の構造及びその製造方法では、
図１０に示すように封止金型内に封止樹脂部７用の樹脂
材が注入されるとき、その注入圧力によってダイパッド
３が封止金型内で動き、金線６のエッジショートを引き
起こす問題点があった。これは図９に示した放熱板９を
内蔵させてなる構造の半導体装置１の場合でも同じであ
る。また、図９に示した放熱板９を内蔵させてなる構造
の半導体装置１の場合では、上記問題点に加えて、図１
１に示すように放熱板９も動いてダイパッド３より離
れ、安定した放熱効果が期待できないと言う問題点もあ
った。さらに、図８及び図９に示した何れの半導体装置
の構造及びその製造方法でも、封止金型内において、そ
の上下の部分での樹脂材の流れに速度差が出やすい。そ
して、この速度の違いによって未充填の部分やボイド等
が発生したりすることがあり、製品の信頼性を低下させ
る問題点があった。
示した従来の半導体装置の構造及びその製造方法では、
図１０に示すように封止金型内に封止樹脂部７用の樹脂
材が注入されるとき、その注入圧力によってダイパッド
３が封止金型内で動き、金線６のエッジショートを引き
起こす問題点があった。これは図９に示した放熱板９を
内蔵させてなる構造の半導体装置１の場合でも同じであ
る。また、図９に示した放熱板９を内蔵させてなる構造
の半導体装置１の場合では、上記問題点に加えて、図１
１に示すように放熱板９も動いてダイパッド３より離
れ、安定した放熱効果が期待できないと言う問題点もあ
った。さらに、図８及び図９に示した何れの半導体装置
の構造及びその製造方法でも、封止金型内において、そ
の上下の部分での樹脂材の流れに速度差が出やすい。そ
して、この速度の違いによって未充填の部分やボイド等
が発生したりすることがあり、製品の信頼性を低下させ
る問題点があった。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は樹脂封止を行う際における要素部
材の移動を無くし、要素部材が所定の位置に保持された
状態で同じ構造の半導体装置を簡単に作ることができる
構造にした樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提
供することにある。さらに、他の目的は、以下に説明す
る内容の中で順次明らかにして行く。
のであり、その目的は樹脂封止を行う際における要素部
材の移動を無くし、要素部材が所定の位置に保持された
状態で同じ構造の半導体装置を簡単に作ることができる
構造にした樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提
供することにある。さらに、他の目的は、以下に説明す
る内容の中で順次明らかにして行く。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次の技術手段を講じたことを特徴とする。
すなわち、ボンディングワイヤで結線されたリードフレ
ームと半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体
装置において、前記樹脂封止する封止樹脂部を上下２つ
の封止樹脂部とに分けて前記上または下側の封止樹脂部
の一方を先に形成し、この先に形成された前記上または
下側の封止樹脂部を封止金型内にセットするとともに、
前記封止金型内で前記上または下側の封止樹脂部上に前
記リードフレームと前記半導体素子を位置決めし、その
後、前記封止金型により前記上または下側封止樹脂部上
に前記下または上側封止樹脂部を、前記リードフレーム
と前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封入させ
て形成してなるようにしたものである。
するために、次の技術手段を講じたことを特徴とする。
すなわち、ボンディングワイヤで結線されたリードフレ
ームと半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体
装置において、前記樹脂封止する封止樹脂部を上下２つ
の封止樹脂部とに分けて前記上または下側の封止樹脂部
の一方を先に形成し、この先に形成された前記上または
下側の封止樹脂部を封止金型内にセットするとともに、
前記封止金型内で前記上または下側の封止樹脂部上に前
記リードフレームと前記半導体素子を位置決めし、その
後、前記封止金型により前記上または下側封止樹脂部上
に前記下または上側封止樹脂部を、前記リードフレーム
と前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封入させ
て形成してなるようにしたものである。
【０００６】これによれば、下または上側の封止樹脂部
の上または下面に半導体素子及びボンディングワイヤの
全てとリードフレームの一部をセットし、この後から上
側封止樹脂部を形成しているので、封止樹脂部を形成す
るときに、半導体素子やボンディングワイヤ等が簡単に
動いたりするようなことがなくなる。これにより、位置
出し精度が良く、かつボンディングワイヤのエッジショ
ートの発生を無くした、信頼性の高い半導体装置を簡単
に得ることができる。また、半導体素子は上または下側
における封止樹脂部の上面または下面に位置決めて配置
することができるので、従来構造で使用していたダイパ
ッドを無くすことも可能になり、半導体素子の大きさ毎
に、この半導体素子に合った大きさのダイパッドを持つ
リードフレームを用意していたのに対して、半導体素子
の大きさが変わっても同じリードフレームを使用するこ
とが可能になる等、汎用化が可能となる。
の上または下面に半導体素子及びボンディングワイヤの
全てとリードフレームの一部をセットし、この後から上
側封止樹脂部を形成しているので、封止樹脂部を形成す
るときに、半導体素子やボンディングワイヤ等が簡単に
動いたりするようなことがなくなる。これにより、位置
出し精度が良く、かつボンディングワイヤのエッジショ
ートの発生を無くした、信頼性の高い半導体装置を簡単
に得ることができる。また、半導体素子は上または下側
における封止樹脂部の上面または下面に位置決めて配置
することができるので、従来構造で使用していたダイパ
ッドを無くすことも可能になり、半導体素子の大きさ毎
に、この半導体素子に合った大きさのダイパッドを持つ
リードフレームを用意していたのに対して、半導体素子
の大きさが変わっても同じリードフレームを使用するこ
とが可能になる等、汎用化が可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる形態は、本発明の好適な具体例であるから技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの形態に限られるものでもないもの
である。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる形態は、本発明の好適な具体例であるから技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの形態に限られるものでもないもの
である。
【０００８】図１は本発明の好ましい実施の第１の形態
として示す樹脂封止型半導体装置の断面図である。な
お、図１において図８及び図９と同一符号を付したもの
は図８及び図９と同一のものを示している。そして、図
１において、この半導体装置１は、封止樹脂部７が下側
封止樹脂部７Ａと上側封止樹脂部７Ｂとの二つに分けら
れており、この２つの封止樹脂部７Ａと７Ｂを別に形成
している。図２は、この図１に示す半導体装置１を形成
する工程の流れ図を示すものである。そこで、図２に示
す流れ図と共に図１に示す半導体装置の構造を工程順に
説明すると、まず、封止樹脂部７において、図２の
（ａ）に示すように下側封止樹脂部７Ａが図示せぬ封止
金型Ａを使用して作られ、これが予め用意される。次い
で、図２の（ｂ）に示すように下側封止樹脂部７Ａが図
示せぬ封止金型Ｂの中にセットされる。続いて、下側封
止樹脂部７Ａの上面１０上にリードフレーム２がセット
されるとともに、半導体素子５が接着材４を介して取り
付けられ、さらにリードフレーム２と半導体素子５との
間が金線６で結線される。なお、接着材４としては、熱
硬化性あるいは熱可塑性接着材、または絶縁性の両面接
着テープ等が使用される。その後、封止金型Ｂの中に樹
脂材を注入すると図２の（ｃ）に示すように、下側封止
樹脂部７Ａと一体化された上側封止樹脂部７Ｂが形成さ
れ、半導体素子５及び金線６の全てとリードフレーム２
の一部を一括封止した図１に示す半導体装置１が完成す
る。
として示す樹脂封止型半導体装置の断面図である。な
お、図１において図８及び図９と同一符号を付したもの
は図８及び図９と同一のものを示している。そして、図
１において、この半導体装置１は、封止樹脂部７が下側
封止樹脂部７Ａと上側封止樹脂部７Ｂとの二つに分けら
れており、この２つの封止樹脂部７Ａと７Ｂを別に形成
している。図２は、この図１に示す半導体装置１を形成
する工程の流れ図を示すものである。そこで、図２に示
す流れ図と共に図１に示す半導体装置の構造を工程順に
説明すると、まず、封止樹脂部７において、図２の
（ａ）に示すように下側封止樹脂部７Ａが図示せぬ封止
金型Ａを使用して作られ、これが予め用意される。次い
で、図２の（ｂ）に示すように下側封止樹脂部７Ａが図
示せぬ封止金型Ｂの中にセットされる。続いて、下側封
止樹脂部７Ａの上面１０上にリードフレーム２がセット
されるとともに、半導体素子５が接着材４を介して取り
付けられ、さらにリードフレーム２と半導体素子５との
間が金線６で結線される。なお、接着材４としては、熱
硬化性あるいは熱可塑性接着材、または絶縁性の両面接
着テープ等が使用される。その後、封止金型Ｂの中に樹
脂材を注入すると図２の（ｃ）に示すように、下側封止
樹脂部７Ａと一体化された上側封止樹脂部７Ｂが形成さ
れ、半導体素子５及び金線６の全てとリードフレーム２
の一部を一括封止した図１に示す半導体装置１が完成す
る。
【０００９】したがって、この第１の形態の構造及び方
法によれば、下側封止樹脂部７Ａの上面１０に半導体素
子５及び金線６の全てとリードフレーム２の一部をセッ
トし、この後から上側封止樹脂部７Ｂを形成しているの
で、封止樹脂部７を形成するときに、半導体素子５や金
線６等が簡単に動いたりするようなことがなくなる。こ
れにより、位置出し精度が良く、かつ金線６のエッジシ
ョートの発生を無くした、信頼性の高い半導体装置１を
簡単に得ることができる。また、半導体素子５は下側封
止樹脂部７Ａの上面に位置決めて配置することができる
ので、従来構造で使用していたダイパッドを無くすこと
が可能になり、半導体素子の大きさ毎に、この半導体素
子に合った大きさのダイパッドを持つリードフレーム２
を用意していたのに対して、半導体素子５の大きさが変
わっても同じリードフレーム２を使用することが可能に
なる等、汎用化が可能となり、コストを下げて安価に提
供することが可能になる。
法によれば、下側封止樹脂部７Ａの上面１０に半導体素
子５及び金線６の全てとリードフレーム２の一部をセッ
トし、この後から上側封止樹脂部７Ｂを形成しているの
で、封止樹脂部７を形成するときに、半導体素子５や金
線６等が簡単に動いたりするようなことがなくなる。こ
れにより、位置出し精度が良く、かつ金線６のエッジシ
ョートの発生を無くした、信頼性の高い半導体装置１を
簡単に得ることができる。また、半導体素子５は下側封
止樹脂部７Ａの上面に位置決めて配置することができる
ので、従来構造で使用していたダイパッドを無くすこと
が可能になり、半導体素子の大きさ毎に、この半導体素
子に合った大きさのダイパッドを持つリードフレーム２
を用意していたのに対して、半導体素子５の大きさが変
わっても同じリードフレーム２を使用することが可能に
なる等、汎用化が可能となり、コストを下げて安価に提
供することが可能になる。
【００１０】さらに第１の形態の場合では、下側封止樹
脂部７Ａにリードフレーム２、半導体素子５、金線６等
を内蔵させた構造を開示したが、図３に示すように下側
封止樹脂部７Ａに凹部１５を設けておき、これを封止金
型内にセットし、さらに凹部１５内に接着材４を介して
半導体素子５を取り付けるとともに、リードフレーム２
及び金線６をセットし、その後、上側封止樹脂部７Ｂを
成形するようにしても良いものである。
脂部７Ａにリードフレーム２、半導体素子５、金線６等
を内蔵させた構造を開示したが、図３に示すように下側
封止樹脂部７Ａに凹部１５を設けておき、これを封止金
型内にセットし、さらに凹部１５内に接着材４を介して
半導体素子５を取り付けるとともに、リードフレーム２
及び金線６をセットし、その後、上側封止樹脂部７Ｂを
成形するようにしても良いものである。
【００１１】図４は本発明の好ましい実施の第２の形態
として示す樹脂封止型半導体装置の断面図である。な
お、図４において、図１及び図２と同一符号を付したも
のは図１及び図２と同一のものを示している。そして、
この第２の形態は、下側封止樹脂部７Ａの上面１０に、
半導体素子５が配置される部分の外側をぐるりと一周回
った状態にして溝１１を設けた構造にしたものであっ
て、それ以外の構造及び製造工程は図１及び図２に示し
た第１の形態の場合と同じである。また、第２の形態の
構造の場合では、溝１１を設けて、上下の封止樹脂部７
Ａ，７Ｂが重なり合った境界部分、すなわち上下の封止
樹脂界面における面積を大きくしたものである。この面
積を大きくした理由についてさらに説明すると、上下の
封止樹脂界面は最も水分の浸入し易い部分であり、この
界面の面積を大きくすると、それだけ半導体装置１の内
部に水分が浸入する経路が長くなり、半導体素子５の近
傍における吸湿を防止できる。これにより、基板実装時
の熱ストレスによる半導体素子５の表面及び近傍におけ
る水分の気化膨張による剥離等の防止ができ、半導体装
置としての高い信頼性が得られる。なお、この第２の形
態の場合では、溝１１を設けた場合について説明した
が、溝１１に変えて、連続した凸部を設けても良いもの
である。
として示す樹脂封止型半導体装置の断面図である。な
お、図４において、図１及び図２と同一符号を付したも
のは図１及び図２と同一のものを示している。そして、
この第２の形態は、下側封止樹脂部７Ａの上面１０に、
半導体素子５が配置される部分の外側をぐるりと一周回
った状態にして溝１１を設けた構造にしたものであっ
て、それ以外の構造及び製造工程は図１及び図２に示し
た第１の形態の場合と同じである。また、第２の形態の
構造の場合では、溝１１を設けて、上下の封止樹脂部７
Ａ，７Ｂが重なり合った境界部分、すなわち上下の封止
樹脂界面における面積を大きくしたものである。この面
積を大きくした理由についてさらに説明すると、上下の
封止樹脂界面は最も水分の浸入し易い部分であり、この
界面の面積を大きくすると、それだけ半導体装置１の内
部に水分が浸入する経路が長くなり、半導体素子５の近
傍における吸湿を防止できる。これにより、基板実装時
の熱ストレスによる半導体素子５の表面及び近傍におけ
る水分の気化膨張による剥離等の防止ができ、半導体装
置としての高い信頼性が得られる。なお、この第２の形
態の場合では、溝１１を設けた場合について説明した
が、溝１１に変えて、連続した凸部を設けても良いもの
である。
【００１２】図５は本発明の好ましい実施の第３の形態
として示す樹脂封止型半導体装置の構造とその工程の流
れ図を示したものである。なお、図５において、図１及
び図２と同一符号を付したものは図１及び図２と同一の
ものを示している。そして、この第３の形態は、第１の
形態の構造に対して、下側封止樹脂部７Ａ内に予め熱伝
導率の良い放熱板９をインサートさせたものを用意して
いる。なお、放熱板９は、下側封止樹脂部７Ａを形成す
るときに、図示せぬ封止金型内に上下の部分９ａ，９ｂ
が接した状態でセットされ、下側封止樹脂部７Ａが成形
された状態では上下の部分９ａ，９ｂが外部に露出され
た状態になっている。
として示す樹脂封止型半導体装置の構造とその工程の流
れ図を示したものである。なお、図５において、図１及
び図２と同一符号を付したものは図１及び図２と同一の
ものを示している。そして、この第３の形態は、第１の
形態の構造に対して、下側封止樹脂部７Ａ内に予め熱伝
導率の良い放熱板９をインサートさせたものを用意して
いる。なお、放熱板９は、下側封止樹脂部７Ａを形成す
るときに、図示せぬ封止金型内に上下の部分９ａ，９ｂ
が接した状態でセットされ、下側封止樹脂部７Ａが成形
された状態では上下の部分９ａ，９ｂが外部に露出され
た状態になっている。
【００１３】さらに詳述すると、この第３の形態として
示す半導体装置１は、第１の形態で説明した場合と同様
に、図５の（ａ）に示すように放熱板９を内蔵させた下
側封止樹脂部７Ａが別に作られて、これが用意される。
次いで、図５の（ｂ）に示すように下側封止樹脂部７Ａ
が図示せぬ封止金型Ｂの中にセットされる。続いて、下
側封止樹脂部７Ａの上面１０上にリードフレーム２がセ
ットされるとともに、上面１０に露出している放熱板９
の上面９ａに接着材４を介して半導体素子５が取り付け
られ、さらにリードフレーム２と半導体素子５との間が
金線６で結線される。その後、封止金型Ｂを、この中に
樹脂材を注入可能な状態にセットした後、樹脂材を注入
すると図５の（ｃ）に示すように、下側封止樹脂部７Ａ
と一体化された上側封止樹脂部７Ｂが形成され、半導体
素子５及び金線６の全てとリードフレーム２の一部を一
括封止した半導体装置１が完成する。
示す半導体装置１は、第１の形態で説明した場合と同様
に、図５の（ａ）に示すように放熱板９を内蔵させた下
側封止樹脂部７Ａが別に作られて、これが用意される。
次いで、図５の（ｂ）に示すように下側封止樹脂部７Ａ
が図示せぬ封止金型Ｂの中にセットされる。続いて、下
側封止樹脂部７Ａの上面１０上にリードフレーム２がセ
ットされるとともに、上面１０に露出している放熱板９
の上面９ａに接着材４を介して半導体素子５が取り付け
られ、さらにリードフレーム２と半導体素子５との間が
金線６で結線される。その後、封止金型Ｂを、この中に
樹脂材を注入可能な状態にセットした後、樹脂材を注入
すると図５の（ｃ）に示すように、下側封止樹脂部７Ａ
と一体化された上側封止樹脂部７Ｂが形成され、半導体
素子５及び金線６の全てとリードフレーム２の一部を一
括封止した半導体装置１が完成する。
【００１４】図６は本発明の好ましい実施の第４の形態
として示す樹脂封止型半導体装置の構造とその工程の流
れ図を示したものである。なお、図６において、図１乃
至図５と同一符号を付したものは図１乃至図５と同一の
ものを示している。そして、この第４の形態は、第３の
形態の構造及び製造方法と基本的には同じである。異な
る点は、放熱板９を内蔵させた下側封止樹脂部７Ａを成
形するときの製造方法に違いがある。すなわち、この第
４の形態の場合では、下側封止樹脂部７Ａを成形する
際、封止金型内に樹脂材が注入されている後から放熱板
９を底面側に向かって放し、その後は自重で沈降するよ
うにしたものである。このように、自重で沈降させた場
合では放熱板９と上下封止樹脂界面（半導体素子接着
面）１６との間に樹脂材７ｃを介在させて、放熱板９と
上下封止樹脂界面（半導体素子接着面）１６との間隔の
制御が簡単にでき、放熱性の向上が図れる。
として示す樹脂封止型半導体装置の構造とその工程の流
れ図を示したものである。なお、図６において、図１乃
至図５と同一符号を付したものは図１乃至図５と同一の
ものを示している。そして、この第４の形態は、第３の
形態の構造及び製造方法と基本的には同じである。異な
る点は、放熱板９を内蔵させた下側封止樹脂部７Ａを成
形するときの製造方法に違いがある。すなわち、この第
４の形態の場合では、下側封止樹脂部７Ａを成形する
際、封止金型内に樹脂材が注入されている後から放熱板
９を底面側に向かって放し、その後は自重で沈降するよ
うにしたものである。このように、自重で沈降させた場
合では放熱板９と上下封止樹脂界面（半導体素子接着
面）１６との間に樹脂材７ｃを介在させて、放熱板９と
上下封止樹脂界面（半導体素子接着面）１６との間隔の
制御が簡単にでき、放熱性の向上が図れる。
【００１５】図７は本発明の好ましい実施の第５の形態
として示す樹脂封止型半導体装置の構造とその工程の流
れ図を示したものである。なお、図７において、図１乃
至図６と同一符号を付したものは図１乃至図６と同一の
ものを示している。そして、この第５の形態は、上側封
止樹脂部７Ｂを下側封止樹脂部７Ａよりも先に形成する
ものである。さらに詳述すると、まず封止樹脂部７にお
いて、図７の（ａ）に示すように上側封止樹脂部７Ｂ
が、図示せぬ封止金型Ｂを使用して、リードフレーム
２、半導体素子５及び金線６を内蔵させて作られ、これ
が予め用意される。すなわち、ここでは、接着材４によ
り半導体素子５をダイパッド３上に搭載し、金線６で結
線したリードフレーム２を封止金型Ｂの下型の上にセッ
トし、この下型の上に上型を重ね、さらに樹脂材を注入
してリードフレーム２、半導体素子５及び金線６を内蔵
させた上側封止樹脂部７Ｂを形成する。その際、ダイパ
ッド３は、図示しないが封止金型Ｂの下型側より吸着ノ
ズル等により吸着させ、樹脂封入時の圧力によるシフト
及び樹脂バリの発生を防止する。次いで、下側封止樹脂
部７Ａ用の封止金型Ａに樹脂界面を下側に向けてセット
し、封止金型Ａ内に樹脂材を注入して下側封止樹脂部７
Ａを形成する。すると、図７の（ｂ）に示すように、上
側封止樹脂部７Ｂと一体化された下側封止樹脂部７Ａが
形成され、半導体素子５及び金線６の全てとリードフレ
ーム２の一部を一括封止した半導体装置１が完成する。
として示す樹脂封止型半導体装置の構造とその工程の流
れ図を示したものである。なお、図７において、図１乃
至図６と同一符号を付したものは図１乃至図６と同一の
ものを示している。そして、この第５の形態は、上側封
止樹脂部７Ｂを下側封止樹脂部７Ａよりも先に形成する
ものである。さらに詳述すると、まず封止樹脂部７にお
いて、図７の（ａ）に示すように上側封止樹脂部７Ｂ
が、図示せぬ封止金型Ｂを使用して、リードフレーム
２、半導体素子５及び金線６を内蔵させて作られ、これ
が予め用意される。すなわち、ここでは、接着材４によ
り半導体素子５をダイパッド３上に搭載し、金線６で結
線したリードフレーム２を封止金型Ｂの下型の上にセッ
トし、この下型の上に上型を重ね、さらに樹脂材を注入
してリードフレーム２、半導体素子５及び金線６を内蔵
させた上側封止樹脂部７Ｂを形成する。その際、ダイパ
ッド３は、図示しないが封止金型Ｂの下型側より吸着ノ
ズル等により吸着させ、樹脂封入時の圧力によるシフト
及び樹脂バリの発生を防止する。次いで、下側封止樹脂
部７Ａ用の封止金型Ａに樹脂界面を下側に向けてセット
し、封止金型Ａ内に樹脂材を注入して下側封止樹脂部７
Ａを形成する。すると、図７の（ｂ）に示すように、上
側封止樹脂部７Ｂと一体化された下側封止樹脂部７Ａが
形成され、半導体素子５及び金線６の全てとリードフレ
ーム２の一部を一括封止した半導体装置１が完成する。
【００１６】したがって、この第５の形態の構造及び方
法によれば、上型封止樹脂部７Ｂ内にリードフレーム
２、半導体素子５及び金線６を内蔵させて一体化すると
きに、封止金型Ｂの下型の上にリードフレーム２、半導
体素子５及び金線６をセットするので、封止樹脂の注入
によって半導体素子５等が動くのを防ぐことができる。
また、上側封止樹脂部７Ｂを成形するときに、吸着ノズ
ル等により吸着しているので、樹脂バリの発生を押さえ
ることができる。さらに、上下封止樹脂流れの速さの違
いによる未充填及びボイドの発生を防止できる。
法によれば、上型封止樹脂部７Ｂ内にリードフレーム
２、半導体素子５及び金線６を内蔵させて一体化すると
きに、封止金型Ｂの下型の上にリードフレーム２、半導
体素子５及び金線６をセットするので、封止樹脂の注入
によって半導体素子５等が動くのを防ぐことができる。
また、上側封止樹脂部７Ｂを成形するときに、吸着ノズ
ル等により吸着しているので、樹脂バリの発生を押さえ
ることができる。さらに、上下封止樹脂流れの速さの違
いによる未充填及びボイドの発生を防止できる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
下または上側の封止樹脂部の上または下面に半導体素子
及びボンディングワイヤーの全てとリードフレームの一
部をセットし、この後から上側封止樹脂部を形成してい
るので、封止樹脂部を形成するときに、半導体素子や金
線等が簡単に動いたりするようなことがなくなり、位置
出し精度が良く、かつ金線のエッジショートの発生を無
くした信頼性の高い半導体装置を簡単に得ることができ
る。また、半導体素子は上または下側における封止樹脂
部の上面または下面に位置決めて配置することができる
ので、従来構造で使用していたダイパッドを無くすこと
が可能になる。さらに、ダイパッドを無くした場合に
は、従来構造では半導体素子の大きさ毎に、この半導体
素子に合った大きさのダイパッドを持つリードフレーム
を用意していたのに対して、本発明の場合では半導体素
子の大きさが変わっても同じリードフレームを使用する
ことが可能になる等、汎用化が可能になる。これによ
り、コストを下げて安価に提供することができる。
下または上側の封止樹脂部の上または下面に半導体素子
及びボンディングワイヤーの全てとリードフレームの一
部をセットし、この後から上側封止樹脂部を形成してい
るので、封止樹脂部を形成するときに、半導体素子や金
線等が簡単に動いたりするようなことがなくなり、位置
出し精度が良く、かつ金線のエッジショートの発生を無
くした信頼性の高い半導体装置を簡単に得ることができ
る。また、半導体素子は上または下側における封止樹脂
部の上面または下面に位置決めて配置することができる
ので、従来構造で使用していたダイパッドを無くすこと
が可能になる。さらに、ダイパッドを無くした場合に
は、従来構造では半導体素子の大きさ毎に、この半導体
素子に合った大きさのダイパッドを持つリードフレーム
を用意していたのに対して、本発明の場合では半導体素
子の大きさが変わっても同じリードフレームを使用する
ことが可能になる等、汎用化が可能になる。これによ
り、コストを下げて安価に提供することができる。
【図１】本発明の第１の形態装置として示す樹脂封止型
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の形態装置の構造と製造工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】本発明の第１の形態装置の変形例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図４】本発明の第２の形態装置として示す樹脂封止型
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の第３の形態装置の構造と製造工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図６】本発明の第４の形態装置の構造と製造工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図７】本発明の第５の形態装置の構造と製造工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図８】従来装置の第１の例を説明するための図であ
る。
る。
【図９】従来装置の第２の例を説明するための図であ
る。
る。
【図１０】従来装置の第１の例での問題点を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図１１】従来装置の第２の例での問題点を説明するた
めの図である。
めの図である。
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ５ 半導体素子 ６ 金線（ワイヤボンディングワイヤ） ７ 封止樹脂部 ７Ａ 下側封止樹脂部 ７Ｂ 上側封止樹脂部 ９ 放熱板 １１ 溝 １５ 凹部
Claims (9)
- 【請求項１】 ボンディングワイヤで結線されたリード
フレームと半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半
導体装置において、 前記樹脂封止する封止樹脂部を下側の封止樹脂部と上側
の封止樹脂部で形成するとともに、 前記上または下側の封止樹脂部上に前記リードフレーム
と前記半導体素子を位置決めし、その後、前記上または
下側の封止樹脂部上に前記下または上側の封止樹脂部を
形成してなる、 ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体素子が位置決めされた前記上
または下側の封止樹脂部上に、前記半導体素子の位置決
め部の外側を一周囲んで溝または凸部を設けてなる請求
項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記封止樹脂部内で一面側が前記半導体
素子と接触しているとともに、他面側が前記封止樹脂部
の外側に表出してなる放熱板を内蔵してなる請求項１に
記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 ボンディングワイヤで結線されたリード
フレームと半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半
導体装置において、 前記樹脂封止する封止樹脂部を下側封止樹脂部と上側封
止樹脂部で形成するとともに、 前記下側封止樹脂部上に前記リードフレームと前記半導
体素子を位置決めし、その後、前記下側封止樹脂部上に
前記上側封止樹脂部を形成してなる、 ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 ボンディングワイヤで結線されたリード
フレームと半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半
導体装置の製造方法において、 前記樹脂封止する封止樹脂部を上下２つの封止樹脂部と
に分けて前記上または下側の封止樹脂部の一方を先に形
成し、 この先に形成された前記上または下側の封止樹脂部を封
止金型内にセットするとともに、 前記封止金型内で前記上または下側の封止樹脂部上に前
記リードフレームと前記半導体素子を位置決めし、 その後、前記封止金型により前記上または下側封止樹脂
部上に前記下または上側封止樹脂部を、前記リードフレ
ームと前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封入
させて形成する、 ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記上側封止樹脂部内に前記リードフレ
ームと前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを内蔵
させて先に樹脂成形するようにした請求項５に記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記半導体素子をダイパッド上に配置
し、前記ダイパッドを吸着ノズル等で吸着しながら樹脂
材を注入するようにした請求項６に記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記下側封止樹脂部内に前記リードフレ
ームと前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを内蔵
させて先に樹脂成形するようにした請求項５に記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記封止樹脂部内で一面側が前記半導体
素子と対向する面側に配置するとともに、他面側を前記
封止樹脂部の外側に表出させた状態にして放熱板を内蔵
させて成形するようにしてなる請求項５に記載の樹脂封
止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31896996A JPH10163383A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31896996A JPH10163383A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163383A true JPH10163383A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18105022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31896996A Pending JPH10163383A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163383A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183279A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子のパッケージおよびその製造方法 |
| JP2007081442A (ja) * | 1998-10-05 | 2007-03-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子のパッケージおよびその製造方法 |
| JP2008041755A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Nippon Inter Electronics Corp | 絶縁型大電力用半導体装置の製造方法 |
| JP2015126168A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP31896996A patent/JPH10163383A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183279A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子のパッケージおよびその製造方法 |
| JP2007081442A (ja) * | 1998-10-05 | 2007-03-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子のパッケージおよびその製造方法 |
| JP2008041755A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Nippon Inter Electronics Corp | 絶縁型大電力用半導体装置の製造方法 |
| JP2015126168A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
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