TWI751394B - 預成型載板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種預成型載板的製造方法包含形成複數個導電墊於陶瓷基板上。使用模具將封裝材料熱壓合成型於陶瓷基板上，以形成具有陣列的複數個開口的封裝結構，其中導電墊分別位於封裝結構的開口中，且封裝結構為一體成型。

Description

預成型載板及其製造方法

本案是有關於一種預成型載板及一種預成型載板的製造方法。

電子元件的封裝(Package)是指在生產電子產品的過程中，將各種電子元件，依需求而加以組裝及連接的製程。電子元件的封裝技術依所使用的材料可分為陶瓷封裝、金屬封裝及塑膠封裝三種類型。由於塑膠封裝具有成本低、製程簡單、適合自動化生產等優點，且隨著材料與製程技術的改善，其可靠度大幅提升，因此目前在產業應用上以塑膠封裝較為普遍。

一般來說，塑膠封裝的步驟依序為晶片切割(Dicing)、黏晶(Die mount)、銲線(Wire bond)、封膠(Mold)、剪切(Trim)、成形(Form)、印字(Mark)、電鍍(Electroplating)及檢驗(Inspection)等。然而，採用這種多步驟的製程方法進行電子元件的封裝常須付出大量的製程時間與成本，不利於生產。

本揭露之一技術態樣為一種預成型載板。

根據本揭露一實施方式，一種預成型載板包含陶瓷基板、封裝結構及複數個導電墊。封裝結構位於陶瓷基板上，且具有陣列的複數個開口，且封裝結構為一體成型。導電墊位於陶瓷基板上，且分別位於封裝結構的開口中。

在本揭露一實施方式中，預成型載板更包含位於陶瓷基板背對開口之表面上的複數個導電層。

在本揭露一實施方式中，導電墊包含銅層、鎳層與金層，且鎳層位於銅層與金層之間。

在本揭露一實施方式中，封裝結構圍繞導電墊，且導電墊分別從封裝結構的開口裸露。

在本揭露一實施方式中，封裝結構具有朝向開口的複數個側壁，且側壁與陶瓷基板夾鈍角。

在本揭露一實施方式中，封裝結構的材質包含環氧模壓樹脂(Epoxy molding compound,EMC)。

本揭露之一技術態樣為一種預成型載板的製造方法。

根據本揭露一實施方式，一種預成型載板的製造方法包含形成複數個導電墊於陶瓷基板上；使用模具將封裝材料熱壓合成型於陶瓷基板上，以形成具有陣列的複數個開口的封裝結構，其中導電墊分別位於封裝結構的開口中。

在本揭露一實施方式中，形成導電墊於陶瓷基板上是以電鍍的方式執行。

在本揭露一實施方式中，更包含形成複數個導電層於陶瓷基板背對開口的表面上。

在本揭露一實施方式中，模具具有陣列的複數個凸出部，且使用模具將封裝材料熱壓合成型於陶瓷基板上包含於模具內使用封裝材料射出成型封裝結構，使得封裝結構具有位置分別對應凸出部的開口；並移除模具。

在本揭露上述實施方式中，預成型載板是使用模具將封裝材料射出成型於陶瓷基板上，以形成位於陶瓷基板上一體成型的封裝結構，而陶瓷基板上的導電墊分別位於封裝結構的開口中且從開口裸露。利用此方法，可簡化後續的製程並降低生產時間與成本。此外，陶瓷基板上的導電墊分別位於封裝結構的開口中且從開口裸露，而開口中的導電墊可視為一組線路或導熱件提供設計者使用。在本揭露的預成型載板形成後，可沿封裝結構的相鄰開口之間裁切，之後才將電子元件電性連接於導電墊上。透過此方法可預先形成符合設計者需求的多變化及彈性化之預成型載板，方便設計者於後續將電子元件設置於切割後的預成型載板中，以製造出符合設計者預期的電子裝置。

100‧‧‧預成型載板

109‧‧‧表面

110‧‧‧陶瓷基板

111‧‧‧表面

120‧‧‧導電墊

122‧‧‧銅層

124‧‧‧鎳層

126‧‧‧金層

130‧‧‧封裝結構

131‧‧‧頂面

132‧‧‧開口

134‧‧‧側壁

140‧‧‧導電層

142‧‧‧銅層

144‧‧‧鎳層

146‧‧‧金層

200、200a‧‧‧電子裝置

210‧‧‧電子元件

219‧‧‧底面

220‧‧‧蓋體

S1~S2‧‧‧步驟

θ‧‧‧角度

d‧‧‧寬度

4-4‧‧‧線段

第1圖繪示根據本揭露一實施方式之預成型載板的製造方法的流程圖。

第2圖繪示以第1圖之製造方法形成之預成型載板的俯視 圖。

第3圖繪示第2圖之預成型載板的局部放大圖。

第4圖繪示第3圖之預成型載板沿線段4-4的剖面圖。

第5圖繪示根據本揭露一實施方式之切割後的預成型載板的俯視圖。

第6圖繪示第5圖切割後的預成型載板應用於電子裝置的剖面圖。

第7圖繪示第5圖切割後的預成型載板應用於電子裝置的剖面圖。

以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖繪示根據本揭露一實施方式之預成型載板100的製造方法的流程圖。預成型載板的製造方法包含下列步驟。首先在步驟S1中，形成複數個導電墊於陶瓷基板的表面上。接著在步驟S2中，使用模具將封裝材料熱壓合成型於陶瓷基板的表面上，以形成具有陣列的複數個開口的封裝結構，其中導電墊分別位於封裝結構的開口中。在以下敘述中，將以第2圖至第4圖說明利用上述各步驟所形成的預成型載板。

第2圖繪示以第1圖之製造方法形成之預成型載板100的俯視圖。在製造預成型載板100時，首先可提供陶瓷基板110，並在陶瓷基板110的表面111上形成導電墊120。在本實施方式中，導電墊120可採電鍍的方式形成在陶瓷基板110上，但並不以此為限。接著，使用模具將封裝材料熱壓合成型於陶瓷基板110的表面111上，以形成如第2圖具有複數個開口132的封裝結構130。利用上述步驟所形成的預成型載板100包含陶瓷基板110、導電墊120及封裝結構130。封裝結構130位於陶瓷基板110的表面111上，且具有陣列的開口132，且封裝結構130為一體成型。導電墊120位於陶瓷基板110的表面111上，且分別位於封裝結構130的開口132中。也就是說，開口132分別圍繞位於陶瓷基板110之表面111上的導電墊120，且導電墊120從開口132裸露。在本實施方式中，開口132的形狀可為方形、圓形或不規則形等各種形狀，但並不以此為限，可依設計者的需求而定。

由於所形成的封裝結構130為一體成型，且陶瓷基板110之表面111上的導電墊120分別位於封裝結構130的開口132中並從開口132裸露，因此使得開口132中的導電墊120可視為一組線路或導熱件提供設計者使用。此外，以此方法形成的封裝結構130不會破壞導電墊120(即線路或導熱件)的完整性，因此可在形成封裝結構130前，將導電墊120的形狀與圖案依設計者的需求形成於陶瓷基板110的表面111上。在本實施方式中，導電墊120可為數個區塊，而在其他實施方 式中，導電墊120可為完整的一個區塊，但均不用以限制本揭露。

在本實施方式中，預成型載板100是使用模具將封裝材料熱壓合於陶瓷基板110上，以形成位於陶瓷基板110的表面111上一體成型的封裝結構130，而陶瓷基板110的表面111上的導電墊120分別位於封裝結構130的開口132中且從開口132裸露。利用此方法，可簡化後續的製程並降低生產時間與成本。舉例來說，當沿相鄰的兩行開口132之間與相鄰的兩列開口132之間切割封裝結構130後，可形成複數個具有單一封裝結構130之開口132的子載板(可參見第5圖)。

在本實施方式中，封裝結構130的形成方式為使用射出成型的方式將封裝材料熱壓合於陶瓷基板110的表面111上。所使用的模具可具有複數個陣列的凸出部，且凸出部的位置分別對應封裝結構130期望形成開口132的位置。這樣的設計使封裝材料射出成型時，封裝材料經熱壓合所形成的封裝結構130可具有如第2圖所示之位置分別對應模具上的凸出部之陣列的開口132。也就是說，在移除模具之後，可讓導電墊120分別位於陣列的開口132中且從開口132裸露。在本實施方式中，由於凸出部的形狀對應至開口132的形狀，因此兩者應具有相同的形狀，且凸出部的形狀可為方形、圓形或不規則形等各種形狀，但並不用以限制本揭露，可依設計者的需求而定。

在本實施方式中，封裝結構130的材質可包含環氧壓模樹脂(Epoxy molding compound,EMC)，但並不用以 限制本揭露。環氧壓模樹脂具有固化收縮率小、耐腐蝕性高及抗紫外線等優點，且其熱膨脹係數低，因此即便在高溫下，環氧壓模樹脂依然可保持其穩定性。此外，以射出成型的方式形成環氧壓模樹脂的封裝結構130還具有製程簡單及成本低等優點。在本實施方式中，所形成之封裝結構130的顏色為黑色，因此可具有遮蔽光線的功能，但並不以此為限，可依設計者的需求決定封裝結構130的顏色。此外，封裝結構130還具有阻擋水氣的功能。

第3圖繪示第2圖之預成型載板100的局部放大圖，第4圖繪示第3圖之預成型載板100沿線段4-4的剖面圖。同時參閱第3圖與第4圖，在本實施方式中，導電墊120的形成是以電鍍的方式執行，且在陶瓷基板110的表面111上形成的導電墊120可包含三層，例如為銅層122、鎳層124與金層126，且鎳層124位於銅層122與金層126之間。在其他實施方式中，可依設計者的需求決定導電墊120的層數以及每一層之間的相對位置。此外，導電墊120的形狀可為方形、圓形或不規則形等各種形狀，但並不用以限制本揭露。

在本實施方式中，還可形成如第4圖所示之位於陶瓷基板110背對開口132之表面109上的複數個導電層140。導電層140可包含三層，例如為銅層142、鎳層144與金層146，且鎳層144位於銅層142與金層146之間，但並不用以限制本揭露，可依設計者的需求決定導電層140的層數以及每一層之間的相對位置。此外，導電層140的形狀可為方形、圓形或不規則形等各種形狀，且其寬度可大於導電墊120的寬 度，但並不用以限制本揭露。在本實施方式中，導電層140的形成是以電鍍的方式執行。由於導電層140的材質為金屬，因此導電層140除了具有散熱的功能外，還可提高預成型載板100之結構的機械強度。

此外，在利用模具形成位於陶瓷基板110之表面111上的封裝結構130後，可利用雷射等物理蝕刻的方式將殘留於陶瓷基板110之表面111上的開口132中多餘的封裝材料去除，但並不用以限制本揭露。在其他實施方式中，可利用如浸泡酸性溶液等濕式化學蝕刻的方式去除殘留於陶瓷基板110之表面111上的開口132中多餘的封裝材料。

在本實施方式中，封裝結構130具有朝向開口132的側壁134，且側壁134與陶瓷基板110的表面111之間夾角度θ，且角度θ為鈍角(例如在95度至125度之範圍中的鈍角)，也就是說，開口132的寬度d隨著開口132遠離陶瓷基板110而逐漸變大，但並不用以限制本揭露。

應瞭解到，已敘述過的元件連接關係、材料與功效將不再重複贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明根據本揭露一些實施方式之切割後的預成型載板100於電子裝置200、200a中的應用。

第5圖繪示根據本揭露一實施方式之切割後的預成型載板100的俯視圖。將封裝結構130一體成型於陶瓷基板110的表面111上後，可沿封裝結構130的相鄰開口132之間裁切，即可得到如第5圖所示之切割後的預成型載板100以供後續的製程使用。

第6圖繪示第5圖切割後的預成型載板100應用於電子裝置200的剖面圖。在切割後的預成型載板100的導電墊120上設置電子元件210，例如電子元件210與導電墊120電性連接，可形成如第6圖所示的電子裝置200。在本實施方式中，電子元件210可為發光二極體(Light-emitting diode,LED)晶片、半導體晶片或積體電路(Integrated circuit,IC)晶片，但並不用以限制本揭露。此外，當導電墊120為數個區塊，且電子元件210為發光二極體晶片時，可透過打線(Wire bonding)連接電子元件210與導電墊120之其中一者。

第7圖繪示第5圖切割後的預成型載板100應用於電子裝置200a的剖面圖。電子裝置200a與第6圖的電子裝置200不同的地方在於電子裝置200a具有位於封裝結構130之頂面131上的蓋體220。蓋體220覆蓋封裝結構130的開口132，即位於電子元件210的上方。在本實施方式中，蓋體220的底面219可接觸封裝結構130的頂面131。此外，蓋體220可為多種形狀，但並不用以限制本揭露。蓋體220可防止水氣進入電子裝置200a中，並可保護位於開口132中的電子元件210(如發光二極體晶片、半導體晶片或積體電路晶片等)。

在形成本揭露的預成型載板100後，可沿封裝結構130的相鄰開口132之間裁切，之後才將電子元件210電性連接於導電墊120上。透過此方法可預先形成符合設計者需求的多變化及彈性化之預成型載板100，接著經切割製程，後續才將電子元件210設置於切割後的預成型載板100中，以製造出 符合設計者預期的電子裝置200、200a，可有效降低製程時間與製造成本。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧預成型載板

110‧‧‧陶瓷基板

111‧‧‧表面

120‧‧‧導電墊

130‧‧‧封裝結構

131‧‧‧頂面

132‧‧‧開口

Claims (3)

1. 一種預成型載板的製造方法，包含：形成複數個導電墊於一陶瓷基板上；於形成該些導電墊至該陶瓷基板上之後以及於設置至少一電子元件於該些導電墊的至少一者上之前，使用一模具將一封裝材料熱壓合成型於該陶瓷基板上，以形成具有陣列的複數個開口的一封裝結構，其中該些導電墊分別位於該封裝結構的該些開口中；以及形成複數個導電層於該陶瓷基板背對該些開口的表面上，其中每一該些導電層的寬度大於每一該些導電墊的寬度。
2. 如請求項1所述的預成型載板的製造方法，其中形成該些導電墊於該陶瓷基板上是以電鍍的方式執行。
3. 如請求項1所述的預成型載板的製造方法，其中該模具具有陣列的複數個凸出部，且使用該模具將該封裝材料熱壓合成型於該陶瓷基板上包含：於該模具內使用該封裝材料射出成型該封裝結構，使得該封裝結構具有位置分別對應該些凸出部的該些開口；以及移除該模具。

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