JP2014220542A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. インコヒーレント光を発生させるための発光デバイスであって、
   基板、
   上面、下面、外側の側面、第一の発光部、第二の発光部、及び、半導体構造から光を集めるために配置された光抽出表面を備える前記基板に形成された且つ前記外側の側面から離れたものである前記半導体構造、並びに、
   第一の金属の導電体
   を備える、発光デバイスにおいて、
   前記第一の及び第二の発光部の各々は、前記基板上の下側の半導体層、前記下側の半導体層上の上側の半導体層、並びに、光を発生させるための前記下側の及び上側の半導体層の間における活性領域を備えると共に、
   前記第一の金属の導電体は、電的的に、前記第二の発光部の前記下側の半導体層と前記第一の発光部の前記上側の半導体層を接続すると共に、
   前記基板は、非半導体材料を備える、
   発光デバイス。
2. 請求項１に記載の発光デバイスであって、さらに、
   前記上面から前記半導体構造の中へと延びるトレンチ
   を備える、発光デバイス。
3. 請求項２に記載の発光デバイスにおいて、
   前記トレンチは、前記上面から前記基板の中へと延びると共に前記第二の発光部から前記第一の発光部を絶縁する、発光デバイス。
4. 請求項３に記載の発光デバイスであって、さらに
   前記トレンチ上の且つ前記第一の金属の導電体及び前記半導体構造の間における透明な誘電体
   を備える、発光デバイス。
5. 請求項２に記載の発光デバイスにおいて、
   前記光抽出表面は、傾斜した側壁を備える、発光デバイス。
6. 請求項２に記載の発光デバイスであって、さらに
   前記発光部の前記下側の半導体層に電圧を加えるための前記トレンチの下部における第二の金属の導電体
   を備える、発光デバイス。
7. 請求項６に記載の発光デバイスにおいて、
   前記第二の金属の導電体下の前記下側の半導体層は、前記下側の半導体層の全厚の５％よりも大きい厚さを有する、発光デバイス。
8. 請求項２に記載の発光デバイスにおいて、
   前記トレンチは、前記半導体構造の厚さの５０％を超える分だけ前記上面から前記半導体構造の中へと延びる、発光デバイス。
9. 請求項１に記載の発光デバイスにおいて、
   前記基板は、前記半導体構造において発生した光に対して透明なものである、発光デバイス。
10. 請求項１に記載の発光デバイスであって、さらに、
    前記活性領域から離れて５０ミクロン未満のものであるヒートシンク
    を備える、発光デバイス。