JPH0786640A - 発光デバイス - Google Patents
発光デバイスInfo
- Publication number
- JPH0786640A JPH0786640A JP26378393A JP26378393A JPH0786640A JP H0786640 A JPH0786640 A JP H0786640A JP 26378393 A JP26378393 A JP 26378393A JP 26378393 A JP26378393 A JP 26378393A JP H0786640 A JPH0786640 A JP H0786640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- adhesive
- lead frame
- sapphire substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半
導体層よりなる発光チップのその窒化物半導体層側を発
光観測面とする構造の発光デバイスにおいて、第一に電
極間ショートのない信頼性に優れた発光デバイスを実現
し、第二にその発光デバイスの外部量子効率を向上させ
る。 【構成】 サファイア基板１とリードフレーム３とが絶
縁性の接着剤４を介して接着されることにより、電極間
ショートをなくし、さらに接着剤４を透明とすることに
より、発光デバイスの外部量子効率を向上させる。
導体層よりなる発光チップのその窒化物半導体層側を発
光観測面とする構造の発光デバイスにおいて、第一に電
極間ショートのない信頼性に優れた発光デバイスを実現
し、第二にその発光デバイスの外部量子効率を向上させ
る。 【構成】 サファイア基板１とリードフレーム３とが絶
縁性の接着剤４を介して接着されることにより、電極間
ショートをなくし、さらに接着剤４を透明とすることに
より、発光デバイスの外部量子効率を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サファイア基板上にｐ
−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体を積層し
た発光チップが、リードフレームに載置されてなる発光
ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイスに関
する。
−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体を積層し
た発光チップが、リードフレームに載置されてなる発光
ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード、レーザーダイオード等
の発光デバイスの材料として、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半
導体（以下、窒化物半導体という。）が知られている。
一般に、それら窒化物半導体は透光性、および絶縁性基
板であるサファイア基板の上に積層されて発光チップと
される。窒化物半導体はｐ型結晶が得られにくいため、
従来その半導体を用いた発光チップは絶縁層であるｉ層
を発光層とするいわゆるＭＩＳ構造であった。しかし、
最近窒化物半導体をｐ型とする技術が開発され、ｐ−ｎ
接合が実現できるようになってきた（例えば、特開平２
−２５７６７９号公報、特開平３−２１８３２５号公
報、特開平５−１８３１８９号公報等）。
の発光デバイスの材料として、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、Ｉ
ｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半
導体（以下、窒化物半導体という。）が知られている。
一般に、それら窒化物半導体は透光性、および絶縁性基
板であるサファイア基板の上に積層されて発光チップと
される。窒化物半導体はｐ型結晶が得られにくいため、
従来その半導体を用いた発光チップは絶縁層であるｉ層
を発光層とするいわゆるＭＩＳ構造であった。しかし、
最近窒化物半導体をｐ型とする技術が開発され、ｐ−ｎ
接合が実現できるようになってきた（例えば、特開平２
−２５７６７９号公報、特開平３−２１８３２５号公
報、特開平５−１８３１８９号公報等）。
【０００３】前記のように窒化物半導体はサファイア基
板の上に積層され、基板側から電極を取り出すことがで
きないため、その発光チップに形成される正、負一対の
電極は同一面側（サファイア基板と対向する側）に形成
される。発光チップは、サファイア基板側を発光観測面
とする状態、または窒化物半導体層側を発光観測面とす
る状態でリードフレームに載置される。
板の上に積層され、基板側から電極を取り出すことがで
きないため、その発光チップに形成される正、負一対の
電極は同一面側（サファイア基板と対向する側）に形成
される。発光チップは、サファイア基板側を発光観測面
とする状態、または窒化物半導体層側を発光観測面とす
る状態でリードフレームに載置される。
【０００４】サファイア基板側を発光観測面とする発光
デバイスでは、発光チップの窒化物半導体層側に設けら
れた正、負一対の電極は２つのリードフレーム上に跨る
ようにして載置され、リードフレームと電極とは銀ペー
スト等の導電性接着剤を介して電気的に接続されると共
に、発光チップがリードフレーム上に固定される。
デバイスでは、発光チップの窒化物半導体層側に設けら
れた正、負一対の電極は２つのリードフレーム上に跨る
ようにして載置され、リードフレームと電極とは銀ペー
スト等の導電性接着剤を介して電気的に接続されると共
に、発光チップがリードフレーム上に固定される。
【０００５】一方、窒化物半導体側を発光観測面とする
発光デバイスでは、発光チップはサファイア基板側をリ
ードフレームと接着することにより一つのリードフレー
ム上に固定され、窒化ガリウム系化合物半導体層側の
正、負それぞれの電極はワイヤーボンディングによりそ
れぞれのリードフレームと電気的に接続される。
発光デバイスでは、発光チップはサファイア基板側をリ
ードフレームと接着することにより一つのリードフレー
ム上に固定され、窒化ガリウム系化合物半導体層側の
正、負それぞれの電極はワイヤーボンディングによりそ
れぞれのリードフレームと電気的に接続される。
【０００６】前者の発光デバイスは、窒化ガリウム系化
合物半導体の発光を有効に外部に取り出させるため、外
部量子効率が良いという利点がある反面、１チップを２
つのリードフレームに跨って載置しなければならないた
め、チップサイズが大きくなり、ウエハー１枚あたりに
とれるチップ数が少なくなるという欠点がある。
合物半導体の発光を有効に外部に取り出させるため、外
部量子効率が良いという利点がある反面、１チップを２
つのリードフレームに跨って載置しなければならないた
め、チップサイズが大きくなり、ウエハー１枚あたりに
とれるチップ数が少なくなるという欠点がある。
【０００７】一方、後者の発光デバイスは、一つのリー
ドフレーム上に一つの発光チップが載置できるため、チ
ップサイズを小さくできるという利点がある反面、窒化
物半導体に形成された電極、ボンディング時にできるボ
ール等によって、発光の一部が反射あるいは吸収されて
阻害されるため、外部量子効率が悪いという欠点があ
る。さらに、基板とリードフレームとを、前者の発光デ
バイス、または他の窒化物半導体以外の半導体、例えば
ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等の半導体材料を用いた発光デ
バイスにもされているように、発光チップを銀ペースト
等の不透光性の導電性材料でリードフレームに接着する
と、発光が銀ペーストに吸収されてしまい、外部量子効
率が低下する。さらに後者の発光デバイスにおいて、そ
の発光チップがｐ−ｎ接合界面を有している場合、接着
剤の種類により、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間でショ
ートしやすいという問題がある。具体的には、チップを
固定する際に多用されている銀ペースト等の導電性材料
では、導電性材料がｐ−ｎ接合界面にまで回り込み、電
極をショートさせてしまう恐れがある。
ドフレーム上に一つの発光チップが載置できるため、チ
ップサイズを小さくできるという利点がある反面、窒化
物半導体に形成された電極、ボンディング時にできるボ
ール等によって、発光の一部が反射あるいは吸収されて
阻害されるため、外部量子効率が悪いという欠点があ
る。さらに、基板とリードフレームとを、前者の発光デ
バイス、または他の窒化物半導体以外の半導体、例えば
ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等の半導体材料を用いた発光デ
バイスにもされているように、発光チップを銀ペースト
等の不透光性の導電性材料でリードフレームに接着する
と、発光が銀ペーストに吸収されてしまい、外部量子効
率が低下する。さらに後者の発光デバイスにおいて、そ
の発光チップがｐ−ｎ接合界面を有している場合、接着
剤の種類により、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間でショ
ートしやすいという問題がある。具体的には、チップを
固定する際に多用されている銀ペースト等の導電性材料
では、導電性材料がｐ−ｎ接合界面にまで回り込み、電
極をショートさせてしまう恐れがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】特に、後者の構造の発
光デバイスは、前者の発光デバイスに比して発光チップ
全体をカップ形状の反射鏡の中に納めることが容易であ
り、生産性にも優れているため実用的である。さらに、
ｐ−ｎ接合を有する窒化物半導体よりなる発光チップ
は、ＭＩＳ構造の発光チップよりも発光出力、発光効率
とも抜群に優れているため、現在、その発光チップを後
者の構造として実用化することが最も求められている。
光デバイスは、前者の発光デバイスに比して発光チップ
全体をカップ形状の反射鏡の中に納めることが容易であ
り、生産性にも優れているため実用的である。さらに、
ｐ−ｎ接合を有する窒化物半導体よりなる発光チップ
は、ＭＩＳ構造の発光チップよりも発光出力、発光効率
とも抜群に優れているため、現在、その発光チップを後
者の構造として実用化することが最も求められている。
【０００９】従って、本発明はこのような事情を鑑み成
されたもので、その目的とするところは、ｐ−ｎ接合を
有する窒化物半導体よりなる発光チップの窒化物半導体
層側を発光観測面とする構造の発光デバイスにおいて、
まず第一に電極間、あるいはｐ−ｎ接合間ショートのな
い信頼性に優れた発光デバイスを実現することにあり、
第二にその発光デバイスの外部量子効率を向上させるこ
とにある。
されたもので、その目的とするところは、ｐ−ｎ接合を
有する窒化物半導体よりなる発光チップの窒化物半導体
層側を発光観測面とする構造の発光デバイスにおいて、
まず第一に電極間、あるいはｐ−ｎ接合間ショートのな
い信頼性に優れた発光デバイスを実現することにあり、
第二にその発光デバイスの外部量子効率を向上させるこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の発光デバイス
は、サファイア基板上に、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリ
ウム系化合物半導体を積層した発光チップが、リードフ
レームに載置されてなる発光デバイスにおいて、前記サ
ファイア基板と前記リードフレームとが絶縁性の接着剤
を介して接着されていることを特徴とする。
は、サファイア基板上に、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリ
ウム系化合物半導体を積層した発光チップが、リードフ
レームに載置されてなる発光デバイスにおいて、前記サ
ファイア基板と前記リードフレームとが絶縁性の接着剤
を介して接着されていることを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の発光デバイスにおいて、発光チップの
サファイア基板とリードフレームとを絶縁性の接着剤で
接着することにより、接着剤がｐ−ｎ接合界面にまで回
り込んでも、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間をショート
させることがない。さらにその接着剤が透明である場合
には、発光チップから発する光を透過できるので外部量
子効率が向上する。さらにまた、接着剤にその接着剤の
材料よりも熱伝導率の良い絶縁性のフィラー（充填剤）
を混入させることにより、接着剤の絶縁性を保持すると
共に、熱伝導率がよくなり、発光チップの発熱をリード
フレームに伝えることができる。
サファイア基板とリードフレームとを絶縁性の接着剤で
接着することにより、接着剤がｐ−ｎ接合界面にまで回
り込んでも、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間をショート
させることがない。さらにその接着剤が透明である場合
には、発光チップから発する光を透過できるので外部量
子効率が向上する。さらにまた、接着剤にその接着剤の
材料よりも熱伝導率の良い絶縁性のフィラー（充填剤）
を混入させることにより、接着剤の絶縁性を保持すると
共に、熱伝導率がよくなり、発光チップの発熱をリード
フレームに伝えることができる。
【００１２】
【実施例】図１に本発明の発光デバイスの一構造を表す
断面図を示す。この図は窒化物半導体発光チップよりな
るＬＥＤの構造を示す図であり、サファイア基板１の上
に、ｎ型窒化物半導体層２ａと、ｐ型窒化物半導体層２
ｂとを積層した発光チップを、カップ形状のリードフレ
ーム３のカップの底に載置し、サファイア基板１とリー
ドフレーム３とを接着剤４で接着した構造としている。
なお１０は、それぞれｎ型層２ａとｐ型層２ｂに形成さ
れたオーミック電極である。また、チップ全体は樹脂に
よりレンズ状にモールドされているが、樹脂は図示しな
い。
断面図を示す。この図は窒化物半導体発光チップよりな
るＬＥＤの構造を示す図であり、サファイア基板１の上
に、ｎ型窒化物半導体層２ａと、ｐ型窒化物半導体層２
ｂとを積層した発光チップを、カップ形状のリードフレ
ーム３のカップの底に載置し、サファイア基板１とリー
ドフレーム３とを接着剤４で接着した構造としている。
なお１０は、それぞれｎ型層２ａとｐ型層２ｂに形成さ
れたオーミック電極である。また、チップ全体は樹脂に
よりレンズ状にモールドされているが、樹脂は図示しな
い。
【００１３】発光チップは、例えばダイボンダー等の自
動機器を用いてリードフレーム３上に載置、接着され
る。この際、図１に示すように、接着剤４が発光チップ
のサファイア基板１とリードフレーム３との間からはみ
出し、発光チップの側面にまで回り込んで、ｐ−ｎ接合
界面にまで達しても、接着剤４が絶縁性であるため、電
極間、あるいはｐ−ｎ接合間のショートが発生せず、Ｌ
ＥＤの信頼性が向上する。特に、チップ厚さが２００μ
ｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍである場合、絶縁
性の接着剤で接着すると非常に好ましい。なぜなら、発
光チップは、ｐ−ｎ接合を有する窒化物半導体の厚さが
せいぜい数μｍ〜十数μｍ、サファイア基板の厚さが８
０μｍ以上〜数百μｍで、ほとんどがサファイア基板の
厚さで占められている。従って、チップ厚さが２００μ
ｍよりも厚いと、接着剤が回り込んでもｐ−ｎ接合界面
にまで達しにくくなり、特に接着剤が絶縁性である必要
がなくなってしまうからである。
動機器を用いてリードフレーム３上に載置、接着され
る。この際、図１に示すように、接着剤４が発光チップ
のサファイア基板１とリードフレーム３との間からはみ
出し、発光チップの側面にまで回り込んで、ｐ−ｎ接合
界面にまで達しても、接着剤４が絶縁性であるため、電
極間、あるいはｐ−ｎ接合間のショートが発生せず、Ｌ
ＥＤの信頼性が向上する。特に、チップ厚さが２００μ
ｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍである場合、絶縁
性の接着剤で接着すると非常に好ましい。なぜなら、発
光チップは、ｐ−ｎ接合を有する窒化物半導体の厚さが
せいぜい数μｍ〜十数μｍ、サファイア基板の厚さが８
０μｍ以上〜数百μｍで、ほとんどがサファイア基板の
厚さで占められている。従って、チップ厚さが２００μ
ｍよりも厚いと、接着剤が回り込んでもｐ−ｎ接合界面
にまで達しにくくなり、特に接着剤が絶縁性である必要
がなくなってしまうからである。
【００１４】次に、接着剤４が透明であればさらに好ま
しい。絶縁性かつ透明の接着剤を使用することにより、
窒化物半導体（２ａ、２ｂ）のリードフレーム側への発
光はサファイア基板１、接着剤４を透過して、さらにリ
ードフレーム３の表面Ａ（この図の場合はカップの底
面）、カップの側面に到達して発光観測面側に反射され
る。さらに接着剤４が絶縁性、かつ透明であれば、発光
チップの発光を損失させることがなく、またｐ層とｎ層
とをショートさせる心配もないので、接着剤４を多く使
用できることにより、発光チップの接着力も強化でき、
発光デバイスの信頼性が格段に向上する。なお本発明に
おいて、透明とは必ずしも無色透明を意味するものでは
なく、窒化物半導体の発光を透過すれば、最初から着色
されて透光性とされているもの、後に述べるフィラーに
よって着色されて透光性とされているものも包含する。
しい。絶縁性かつ透明の接着剤を使用することにより、
窒化物半導体（２ａ、２ｂ）のリードフレーム側への発
光はサファイア基板１、接着剤４を透過して、さらにリ
ードフレーム３の表面Ａ（この図の場合はカップの底
面）、カップの側面に到達して発光観測面側に反射され
る。さらに接着剤４が絶縁性、かつ透明であれば、発光
チップの発光を損失させることがなく、またｐ層とｎ層
とをショートさせる心配もないので、接着剤４を多く使
用できることにより、発光チップの接着力も強化でき、
発光デバイスの信頼性が格段に向上する。なお本発明に
おいて、透明とは必ずしも無色透明を意味するものでは
なく、窒化物半導体の発光を透過すれば、最初から着色
されて透光性とされているもの、後に述べるフィラーに
よって着色されて透光性とされているものも包含する。
【００１５】また、前記接着剤４が透明かつ絶縁性であ
る場合、サファイア基板と対向するリードフレーム表面
Ａを鏡面状とすることにより、発光を減衰させずに効率
的に反射させることができる。図１では内部が鏡面状の
カップを設け、そのカップの底部に発光チップを載置し
て、カップの側面、底面で発光を観測面側に反射させて
いるが、例えば平面ディスプレイのように、特別なカッ
プを設けていない発光デバイスにおいては、例えば金、
銀等の腐食されにくい金属を、発光チップを接着するリ
ードフレーム表面にメッキすることにより鏡面状とでき
る。またこれとは別に、カップの側面または底面、カッ
プを設けていない場合にはリードフレームの接着面を白
色にしても、発光を反射させることができる。白色にす
るには例えばアルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、硫酸バリウム等、可視光の反射率が高い白色粉末を
塗布することにより実現できる。
る場合、サファイア基板と対向するリードフレーム表面
Ａを鏡面状とすることにより、発光を減衰させずに効率
的に反射させることができる。図１では内部が鏡面状の
カップを設け、そのカップの底部に発光チップを載置し
て、カップの側面、底面で発光を観測面側に反射させて
いるが、例えば平面ディスプレイのように、特別なカッ
プを設けていない発光デバイスにおいては、例えば金、
銀等の腐食されにくい金属を、発光チップを接着するリ
ードフレーム表面にメッキすることにより鏡面状とでき
る。またこれとは別に、カップの側面または底面、カッ
プを設けていない場合にはリードフレームの接着面を白
色にしても、発光を反射させることができる。白色にす
るには例えばアルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、硫酸バリウム等、可視光の反射率が高い白色粉末を
塗布することにより実現できる。
【００１６】以上のような効果が得られる接着剤４の材
料として、最も好ましくは、例えばエポキシ樹脂系、ユ
リア樹脂系、アクリル樹脂系、シリコン樹脂系の接着
剤、低融点ガラス等を使用することができ、これらの材
料は絶縁性であり、さらに透明でもあり、ＬＥＤにおい
ては、発光チップを封止する樹脂モールドの溶融温度
（数十〜百数十度以下）にも耐える。これらの材料の他
にまた、絶縁性の接着剤であれば、不透明な材料を使用
しても、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間ショートの問題
は解決できる。
料として、最も好ましくは、例えばエポキシ樹脂系、ユ
リア樹脂系、アクリル樹脂系、シリコン樹脂系の接着
剤、低融点ガラス等を使用することができ、これらの材
料は絶縁性であり、さらに透明でもあり、ＬＥＤにおい
ては、発光チップを封止する樹脂モールドの溶融温度
（数十〜百数十度以下）にも耐える。これらの材料の他
にまた、絶縁性の接着剤であれば、不透明な材料を使用
しても、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間ショートの問題
は解決できる。
【００１７】図２は、本発明の他の実施例にかかる発光
デバイスの発光チップのみの構造を示す断面図であり、
同一符号は図１と同一部材を示す。この図では、接着剤
４の中に接着剤の材料よりも熱伝導率の高い絶縁性のフ
ィラー（充填材）６が混入されていることを示してい
る。このフィラー６が混入されていることにより、接着
剤４単独で発光チップを接着するよりも接着剤４の熱伝
導率が向上し、発光チップの発熱を有効に外部に逃がす
ことができる。通常、窒化物半導体よりなるチップは発
熱すると、発光効率が低下する傾向にあるので、フィラ
ー６を混入させると、チップの発熱がフィラー６、リー
ドフレーム３を通じて外部へ放熱され、チップの温度上
昇が緩和され、発光効率の低下を防ぐことができる。こ
のフィラーを混入させる場合、接着剤４が絶縁性であれ
ば、透明であっても不透明であっても上記効果を得るこ
とができる。フィラー６の材料は使用する接着剤４の材
質によって適宜選択することができるが、例えばアルミ
ナ、シリカ、酸化マグネシウム、酸化チタン等の粉末材
料を好ましく使用することができる。
デバイスの発光チップのみの構造を示す断面図であり、
同一符号は図１と同一部材を示す。この図では、接着剤
４の中に接着剤の材料よりも熱伝導率の高い絶縁性のフ
ィラー（充填材）６が混入されていることを示してい
る。このフィラー６が混入されていることにより、接着
剤４単独で発光チップを接着するよりも接着剤４の熱伝
導率が向上し、発光チップの発熱を有効に外部に逃がす
ことができる。通常、窒化物半導体よりなるチップは発
熱すると、発光効率が低下する傾向にあるので、フィラ
ー６を混入させると、チップの発熱がフィラー６、リー
ドフレーム３を通じて外部へ放熱され、チップの温度上
昇が緩和され、発光効率の低下を防ぐことができる。こ
のフィラーを混入させる場合、接着剤４が絶縁性であれ
ば、透明であっても不透明であっても上記効果を得るこ
とができる。フィラー６の材料は使用する接着剤４の材
質によって適宜選択することができるが、例えばアルミ
ナ、シリカ、酸化マグネシウム、酸化チタン等の粉末材
料を好ましく使用することができる。
【００１８】また、図３も同じく本発明の他の実施例に
係る発光デバイスの発光チップの構造を示す断面図であ
るが、この図では、リードフレーム３と対向するサファ
イア基板１表面に、金属薄膜５を形成して、サファイア
基板１と接合した金属薄膜５面を鏡面状としている。こ
のようにして鏡面を形成すると、金属薄膜とサファイア
基板との界面（即ち、金属薄膜５の表面）で、窒化物半
導体の発光を反射させることができる。金属薄膜５を形
成するには、例えば蒸着、スパッタ等の方法を用い、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ等の材料を好ましく用いることができ
る。これらの材料よりなる薄膜を研磨、ポリッシングし
たサファイア基板１表面のほぼ全面に形成することによ
り、金属薄膜のサファイア基板界面、つまり発光観測面
側のサファイア基板を鏡面状とすることができ、有効に
発光を反射させることができる。さらに、接着剤４が透
明であれば、金属薄膜５で発光チップの側面に反射され
る光を透過させることができる。
係る発光デバイスの発光チップの構造を示す断面図であ
るが、この図では、リードフレーム３と対向するサファ
イア基板１表面に、金属薄膜５を形成して、サファイア
基板１と接合した金属薄膜５面を鏡面状としている。こ
のようにして鏡面を形成すると、金属薄膜とサファイア
基板との界面（即ち、金属薄膜５の表面）で、窒化物半
導体の発光を反射させることができる。金属薄膜５を形
成するには、例えば蒸着、スパッタ等の方法を用い、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ等の材料を好ましく用いることができ
る。これらの材料よりなる薄膜を研磨、ポリッシングし
たサファイア基板１表面のほぼ全面に形成することによ
り、金属薄膜のサファイア基板界面、つまり発光観測面
側のサファイア基板を鏡面状とすることができ、有効に
発光を反射させることができる。さらに、接着剤４が透
明であれば、金属薄膜５で発光チップの側面に反射され
る光を透過させることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の発光デバイスは、その発光チッ
プのサファイア基板と、リードフレームとを絶縁性の接
着剤で接着固定しているため、ダイボンドの際、接着剤
が発光チップの側面を回り込んでｐ−ｎ接合界面にまで
達しても、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間がショートす
ることがないので高い信頼性を得ることができる。
プのサファイア基板と、リードフレームとを絶縁性の接
着剤で接着固定しているため、ダイボンドの際、接着剤
が発光チップの側面を回り込んでｐ−ｎ接合界面にまで
達しても、電極間、あるいはｐ−ｎ接合間がショートす
ることがないので高い信頼性を得ることができる。
【００２０】さらに、前記接着剤が透明であれば、窒化
物半導体のサファイア基板側を透過する光は、減衰する
ことが少なくリードフレーム面に到達する。発光を観測
面側に反射させるカップの底に発光チップが載置されて
いれば、発光はチップの側面に回り込んだ接着剤をも透
過して、そのカップで反射される。従って、発光デバイ
スの外部量子効率が向上する。
物半導体のサファイア基板側を透過する光は、減衰する
ことが少なくリードフレーム面に到達する。発光を観測
面側に反射させるカップの底に発光チップが載置されて
いれば、発光はチップの側面に回り込んだ接着剤をも透
過して、そのカップで反射される。従って、発光デバイ
スの外部量子効率が向上する。
【００２１】また、接着剤に接着剤の材料よりも熱伝導
率のよい絶縁性のフィラーを混入すれば、発光チップの
放熱がよくなり、発光効率の低下を防ぐことができる。
率のよい絶縁性のフィラーを混入すれば、発光チップの
放熱がよくなり、発光効率の低下を防ぐことができる。
【００２２】さらに接着剤が透明である場合には、リー
ドフレーム面を鏡面とすることにより、透過光を発光観
測面側に反射させて、発光デバイスの外部量子効率を向
上させることができる。好ましくは発光チップが載置さ
れるリードフレームにカップを設けると、リードフレー
ムとサファイア基板との接着面で散乱した光、透明な接
着剤を透過してカップ底部に到達する光等を集光して、
効率よく発光を外部に取り出すことができる。また、リ
ードフレームと接着するサファイア基板面に金属薄膜を
形成して、その金属薄膜を反射鏡としても、サファイア
基板の側面を包囲している接着剤は透明であるため、発
光チップ側面から出る光を妨げることはない。
ドフレーム面を鏡面とすることにより、透過光を発光観
測面側に反射させて、発光デバイスの外部量子効率を向
上させることができる。好ましくは発光チップが載置さ
れるリードフレームにカップを設けると、リードフレー
ムとサファイア基板との接着面で散乱した光、透明な接
着剤を透過してカップ底部に到達する光等を集光して、
効率よく発光を外部に取り出すことができる。また、リ
ードフレームと接着するサファイア基板面に金属薄膜を
形成して、その金属薄膜を反射鏡としても、サファイア
基板の側面を包囲している接着剤は透明であるため、発
光チップ側面から出る光を妨げることはない。
【図１】 本発明の一実施例に係る発光デバイスの構造
を示す模式断面図。
を示す模式断面図。
【図２】 本発明の他の実施例に係る発光デバイスの発
光チップのみの構造を示す模式断面図。
光チップのみの構造を示す模式断面図。
【図３】 本発明の他の実施例に係る発光デバイスの発
光チップのみの構造を示す模式断面図。
光チップのみの構造を示す模式断面図。
１・・・・サファイア基板 ２ａ・・・ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ２ｂ・・・ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ３・・・・リードフレーム ４・・・・接着剤 ５・・・・金属薄膜 ６・・・・フィラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 修二 徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化 学工業株式会社内 (72)発明者 岸 明人 徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化 学工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 サファイア基板上にｐ−ｎ接合を有する
窒化ガリウム系化合物半導体を積層した発光チップが、
リードフレームに載置されてなる発光デバイスにおい
て、 前記サファイア基板と前記リードフレームとが絶縁性の
接着剤を介して接着されていることを特徴とする発光デ
バイス。 - 【請求項２】 前記接着剤は透明であることを特徴とす
る請求項１に記載の発光デバイス。 - 【請求項３】 前記接着剤には、その接着剤の材料より
も熱伝導率が大きい絶縁性のフィラーが混入されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光
デバイス。 - 【請求項４】 前記リードフレームには発光チップの光
を発光観測面側に反射させるカップが設けられており、
そのカップの底部に前記発光チップが載置されているこ
とを特徴とする請求項２または請求項３に記載の発光デ
バイス。 - 【請求項５】 前記サファイア基板と接着されるリード
フレーム表面が鏡面状、または白色とされていることを
特徴とする請求項２または請求項３に記載の発光デバイ
ス。 - 【請求項６】 前記リードフレームに接着されるサファ
イア基板表面のほぼ全面に金属薄膜が形成されており、
前記サファイア基板と接合した金属薄膜表面が鏡面状と
されていることを特徴とする請求項２または請求項３に
記載の発光デバイス。 - 【請求項７】 前記発光チップの厚さが２００μｍ以下
であることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26378393A JPH0786640A (ja) | 1993-06-17 | 1993-10-21 | 発光デバイス |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14638293 | 1993-06-17 | ||
| JP18169393 | 1993-07-22 | ||
| JP5-181693 | 1993-07-22 | ||
| JP5-146382 | 1993-07-22 | ||
| JP26378393A JPH0786640A (ja) | 1993-06-17 | 1993-10-21 | 発光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786640A true JPH0786640A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=27319173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26378393A Pending JPH0786640A (ja) | 1993-06-17 | 1993-10-21 | 発光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786640A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298313A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
| JP2000216441A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
| JP2002026382A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| WO2003034508A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| JP2004056075A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2005191138A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| JP2007281260A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを用いた発光素子収納用パッケージ及びリフレクターに用いるレンズ |
| JP2008251604A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2008300665A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2009033081A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
| US7550777B2 (en) | 2003-01-10 | 2009-06-23 | Toyoda Gosei, Co., Ltd. | Light emitting device including adhesion layer |
| JP2010177711A (ja) * | 1997-11-19 | 2010-08-12 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ |
| JP2011243709A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | 発光モジュール及びこれを備えた照明装置 |
| US8158990B2 (en) | 2006-10-05 | 2012-04-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device using GaN LED chip |
| US8399903B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-03-19 | Epistar Corporation | LED lamps |
| WO2013073181A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | パナソニック株式会社 | 発光モジュールおよびこれを用いたランプ |
| JP2014140072A (ja) * | 2014-04-16 | 2014-07-31 | Rohm Co Ltd | 発光素子モジュール |
| KR20150140039A (ko) * | 2014-06-05 | 2015-12-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US9312462B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-04-12 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
| JP2019165122A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP26378393A patent/JPH0786640A/ja active Pending
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298313A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
| JP2010177711A (ja) * | 1997-11-19 | 2010-08-12 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ |
| US8779460B2 (en) | 1997-11-19 | 2014-07-15 | Epistar Corporation | Light source unit |
| US8592856B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-11-26 | Epistar Corporation | LED lamps |
| US8399903B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-03-19 | Epistar Corporation | LED lamps |
| JP2000216441A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
| JP2002026382A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP4571731B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2010-10-27 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| WO2003034508A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| US7301175B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| US7390684B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-24 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2004056075A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| US8030665B2 (en) | 2002-07-08 | 2011-10-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7378334B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-05-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7105857B2 (en) | 2002-07-08 | 2006-09-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
| US7550777B2 (en) | 2003-01-10 | 2009-06-23 | Toyoda Gosei, Co., Ltd. | Light emitting device including adhesion layer |
| JP2005191138A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| JP2007281260A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを用いた発光素子収納用パッケージ及びリフレクターに用いるレンズ |
| US8455886B2 (en) | 2006-10-05 | 2013-06-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device using GaN LED chip |
| US8158990B2 (en) | 2006-10-05 | 2012-04-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device using GaN LED chip |
| JP2008251604A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2008300665A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| US7872277B2 (en) | 2007-07-25 | 2011-01-18 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device |
| JP2009033081A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
| US9312462B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-04-12 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
| JP2011243709A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | 発光モジュール及びこれを備えた照明装置 |
| JPWO2013073181A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2015-04-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光モジュールおよびこれを用いたランプ |
| EP2660887A4 (en) * | 2011-11-15 | 2015-06-03 | Panasonic Ip Man Co Ltd | LIGHT-EMITTING MODULE AND LAMP THEREWITH |
| WO2013073181A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | パナソニック株式会社 | 発光モジュールおよびこれを用いたランプ |
| US9423118B2 (en) | 2011-11-15 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting module and lamp using same |
| JP2014140072A (ja) * | 2014-04-16 | 2014-07-31 | Rohm Co Ltd | 発光素子モジュール |
| KR20150140039A (ko) * | 2014-06-05 | 2015-12-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| JP2019165122A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| US10763403B2 (en) | 2018-03-20 | 2020-09-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
| US11316080B2 (en) | 2018-03-20 | 2022-04-26 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
| US11715819B2 (en) | 2018-03-20 | 2023-08-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0786640A (ja) | 発光デバイス | |
| KR100853064B1 (ko) | 복합발광소자 | |
| US5798536A (en) | Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| KR101028965B1 (ko) | 장벽층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR100710102B1 (ko) | 발광 장치 | |
| JP3130292B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| US8207552B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| KR100985452B1 (ko) | 발광 장치 | |
| JP3399440B2 (ja) | 複合発光素子と発光装置及びその製造方法 | |
| US20070228386A1 (en) | Wire-bonding free packaging structure of light emitted diode | |
| US20040188696A1 (en) | LED power package | |
| JP2006245032A (ja) | 発光装置およびｌｅｄランプ | |
| JP3632507B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP3985332B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4114557B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2001217461A (ja) | 複合発光素子 | |
| JP3253265B2 (ja) | チップ型発光素子 | |
| JPH0964421A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
| JP3238326B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP3911839B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2006073618A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
| JP3286221B2 (ja) | 発光デバイス | |
| KR100447413B1 (ko) | 반도체 발광장치 | |
| JPH11121797A (ja) | チップ型半導体発光装置 | |
| KR102133904B1 (ko) | 발광 다이오드 유전체 거울 |