JP2008300665A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【構成】リードフレーム20上にダイボンディング部材13で発光素子10が固定されている。発光素子10はシリコーン樹脂22で封止されており、さらにその上からエポキシ樹脂24で封止されている。ダイボンディング部材13は脂環式エポキシ化合物を硬化剤で硬化させた脂環式エポキシ樹脂に酸化チタンが分散されている。
【選択図】図1
Description
したがって、本発明の発光装置は、変色の原因物質が酸化分解されやすく、変色の原因物質が酸化分解され、発光装置の光度を維持できることができる。
また、シリコーン封止部はポリジメチルシロキサンからなることがこのましい。メチル系シリコーン樹脂は、耐光性や耐熱性に優れているからである。
さらに、エポキシ封止部は脂環式エポキシ樹脂からなることが好ましい。脂環式エポキシ樹脂は化学的耐久性に優れており、光照射による変色に対して、強い抵抗力を有するからである。
また、III族窒化物系化合物半導体は任意のドーパントを含むものであっても良い。n型不純物として、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、セレン(Se)、テルル(Te)、カーボン(C)等を用いることができる。p型不純物として、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、ベリリウム(Be)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)等を用いることができる。なお、p型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことができるが必須ではない。
III族窒化物系化合物半導体層はMOCVD(有機金属気相成長)法により形成される。素子を構成する全ての半導体層を当該MOCVD法で形成する必要はなく、分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド系気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレーティング法等を併用することが可能である。
発光素子の構成としては、MIS接合、PIN接合やpn接合を有したホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができる。発光層として量子井戸構造(単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造)を採用することもできる。かかるIII族窒化物系化合物半導体発光素子として、主たる光受発光方向(電極面)を光デバイスの光軸方向にしたフェイスアップタイプや主たる光受発光方向を光軸方向と反対方向にして反射光を利用するフリップチップタイプを用いることができる。
(実施例1)
実施例1の発光装置は、図1に示すように、砲弾型LED1であり、発光素子10は457.5〜460nmnmの波長領域の発光ダイオードであり、リードフレーム20の先端に設けられたカップ状部20aにエポキシ樹脂からなるダイボンディング部材13を用いてマウントされている。このエポキシ樹脂は、下記組成からなるエポキシペーストを加熱硬化させたものである。
・3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート
(ADC) 40重量部
・メチル−ヘキサハイドロフタル酸無水物(MHHPA) 49重量部
・ルチル型酸化チタン 1重量部
発光素子10のn電極10a及びp電極10bは、それぞれワイヤ11及び12によりリードフレーム20及び21にワイヤボンディングされている。さらに、カップ状部20aにはシリコーン樹脂22が充填されている。このシリコーン樹脂22は、以下の組成のものである。
・ジメチルシロキサン 89.5重量%
・ビニルシロキサン 0.4重量%
・Si−H基含有ケイ素化合物 1.0重量%
さらにシリコーン樹脂22の上から、エポキシ樹脂24が砲弾形状にシリコーン樹脂部22を封止している。このエポキシ樹脂24は、以下の組成のエポキシ接着剤を加熱硬化させたものである。シリコーン樹脂22がシリコーン封止部であり、エポキシ樹脂24がエポキシ封止部である。
・3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート
(ADC) 30重量部
・ビスフェノールA 70重量部
・4−メチルシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸無水物 100重量部
先端にカップ状部20aが設けられたリードフレーム20及びリードフレーム21を用意し、図2に示すように、エポキシペーストによってカップ形状部20aに発光素子10を固定する。さらに、図3に示すように、カップ状部20aにシリコーン樹脂22を充填し、加熱硬化させて、LED本体26を得る。さらに、シリコーン樹脂22の上からエポキシ樹脂24を砲弾型形状に型成形して、図1に示す実施例1の発光装置1が完成する。
試験例1の発光装置は、発光素子をマウントするためのダイボンディング剤として、以下の組成のものを用いた。
・ジメチルシロキサン 90重量%
・Si−H基含有ケイ素化合物 7重量%
・Si−CH=CH2基含有ケイ素化合物 3重量%
・ルチル型酸化チタン 上記3成分の合計を100重量部として、20重量部
その他は実施例1の発光装置と同様であり、説明を省略する。
(試験例2)
試験例2の発光装置は、ダイボンディング剤として試験例1と同様のダイボンディング剤を用いた。その他については、実施例2と同様であり、説明を省略する。
比較例1の発光装置は、発光素子をマウントするためのダイボンディング剤に酸化チタンを添加していない。その他は実施例1の発光装置と同様であり、説明を省略する。
比較例2の発光装置は、発光素子をマウントするためのダイボンディング剤に酸化チタンを添加していない。その他は試験例1の発光装置と同様であり、説明を省略する。
比較例3の発光装置は、発光素子をマウントするためのダイボンディング剤に酸化チタンを添加しておらず、以下の組成のダイボンディング剤を用いた。その他は実施例1の発光装置と同様であり、説明を省略する。
・3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート
(ADC) 54重量部
・ビスフェノールA 46重量部
・メチル−ヘキサハイドロフタル酸無水物(MHHPA) 100重量部
比較例4では、比較例3において用いたダイボンディング剤100重量部に対し、ルチル型酸化チタンを1重量部添加したものをダイボンディング剤として用いた。他の条件は比較例3と同様であり、説明を省略する。
(耐久試験1)
実施例1及び実施例2並びに試験例1及び試験例2の発光装置について、長時間の耐久試験(25°C 30mA)を行い、光度の変化を調べた。その結果、図4に示すように、実施例1、2及び試験例1、2の発光装置は、100時間までほとんど光度の低下は生じなかった。さらに、長時間の耐久試験を行ったところ、実施例1では100時間を超えて1000時間程度までは、徐々に相対光度が低下し、相対光度が最大で0.80まで、実施例2では0.62まで下がり、それ以降は回復に転じた。これは、光の照射によって変色性物質が生じるものの、更なる光照射によって変色性物質が酸化チタン触媒によって分解されて退色するからであると考えられる。一方、試験例1及び試験例2については、1000を超えても相対光度はほとんど変化しなかった。
比較例1及び比較例3の発光装置について、長時間の耐久試験を行い、光度の変化を調べた。その結果、図5に示すように、ビスフェノールAを含有するダイボンディング剤を用いた比較例3は、ビスフェノールAを含まず脂環式エポキシ樹脂をバインダー成分とする比較例1よりも、変色の程度が大きかった。
比較例4の発光装置について、25°C 30mA 及び100°C 30mAの条件で長時間の耐久試験を行い、光度の変化を調べた。その結果、図6に示すように発光時間とともに光度は低下し、25°Cの条件下では1000時間で相対光度が0.43と大きく低下した。さらに、100°Cの条件下では、僅か100時間の発光により0.46と大幅に低下した。さらに長期間発光を継続させると光度が逆に上昇した。これは、光の照射によって変色性物質が生じるものの、更なる光照射によって変色性物質が分解されて退色するからであると考えられる。
20…リードフレーム(基板)
13…ダイボンディング部材
10…発光素子
22、24…樹脂封止部(22…シリコーン封止部、24…エポキシ封止部)
Claims (5)
- 基板上にダイボンディング部材で固定された発光素子と、該発光素子を透明樹脂で封止する樹脂封止部とを備えた発光装置において、
前記ダイボンディング部材は脂環式エポキシ化合物を硬化剤で硬化させた脂環式エポキシ樹脂に酸化チタンが分散されてなることを特徴とする発光装置。 - 樹脂封止部は、発光素子をシリコーン樹脂で封止するシリコーン封止部と、シリコーン封止部をさらにエポキシ樹脂で封止するエポキシ封止部とからなることを特徴とする請求項1項記載の発光装置。
- シリコーン封止部はメチル系シリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
- エポキシ封止部は脂環式エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項2又は3記載の発光装置。
- 酸化チタンはアナターゼ型酸化チタンであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の発光装置。
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