TWI479010B - 磷光體和發光裝置 - Google Patents

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Description

磷光體和發光裝置
本發明主張關於2009年2月23日所申請的韓國專利案號10-2009-0014788的優先權，並在此以引用的方式併入本文中，以作為參考。
本發明是有關於一種磷光體以及一種發光裝置。
磷光體已與多種不同的發光裝置一起使用。
一般而言，磷光體被用來製造發光裝置，且磷光體覆蓋在藍光或近紫外光(near ultraviolet，near UV)發光二極體(Light Emitting Diode，LED)，以發出白光。
不過，在習知技術中，以氮化矽為主(siliconnitride-based)或是以氮氧化物為主(oxynitride-based)的磷光體應該都是在高溫及高壓的環境下所合成。此外，根據習知技術，磷光體粉末難以被粉碎，而未經加工的人工合成材料(即起始材料，starting material)又價格昂貴。因此，目前的習知技術存有限制，以至於不能在低成本的條件下簡單地製備磷光體。結果，造成含有這類磷光體的發光裝置的製造成本增加，也使得發光裝置的製造過程變的更加複雜。
本發明提供一種新穎的磷光體以及包括此磷光體的發光裝置。
本發明也提供一種低成本製備的磷光體以及包括此磷光體的發光裝置。
本發明另提供一種磷光體、一種包括此磷光體的發光裝置以及其形成的方法，以克服習知技術的限制與缺點。
在一實施例中，一磷光體的化學式表示為：Lx My Cz1 Nz2 :Aa ，其中L為鹼土金屬(alkaline earth metal)、過渡金屬(transition metal)、鋅、鎘、鋁、鎵、銦、鈦、鍺以及錫至少其中之一；M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一；而A為鹼稀土金屬(alkaline rare earth metal)以及過渡金屬至少其中之一，其中0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1。
在另一實施例中，一發光裝置包括：一發光二極體晶片、一支撑發光二極體晶片的基板、多個位於基板上方並電性連接發光二極體晶片的電極層、以及一被從發光二極體晶片所發出的光線而激發的磷光體。磷光體表示成化學式：Lx My Cz1 Nz2 :Aa ，其中L為鹼土金屬、過渡金屬、鋅、鎘、鋁、鎵、銦、鈦、鍺以及錫至少其中之一；M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一；而A為鹼稀土金屬以及過渡金屬至少其中之一，其中0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1。
在另一實施例中，一發光裝置包括：一發光二極體晶片、一支撑發光二極體晶片的基板、多個位於基板上方並電性連接發光二極體晶片的電極層、以及一被來自發光二極體晶片所發出的光線而激發的磷光體，其中磷光體包括一化學式為Lx My Cz1 Nz2 :Aa 的第一磷光體，而L為鹼土金屬、過渡金屬、鋅、鎘、鋁、鎵、銦、鈦、鍺以及錫至少其中之一；M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一；且A為鹼稀土金屬以及過渡金屬至少其中之一，其中0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1，而一第二磷光體包括以矽酸鹽為主(silicate-based)的磷光體、以硫化物為主(sulfide-based)的磷光體以及以氮化物(nitride)為主的磷光體的任何其中之一。
雖然本發明以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，所作更動與潤飾之等效替換，仍為本發明之專利保護範圍內。
以下所提及之內容將詳細說明本發明所揭露的技術方案以及所附圖式中的例子。
在這些圖式中，每一膜層(layer)的厚度或尺寸可能會被誇大、省略或以簡圖說明，以方便、清晰地顯示圖式。此外，每個元件的尺寸不一定依照真實的尺寸來呈現。
圖1是本發明一實施例之發光裝置的結構示意圖。
請參閱圖1，一發光裝置包括一發光二極體晶片110、一基板120、二個或二個以上的導電構件130、一導線140、一密封層/構件(sealing layer/member)150以及一磷光體151。基板120支撑發光二極體晶片110。這些導電構件130在電性上彼此分開，以提供電源給發光二極體晶片110。導線140能使發光二極體晶片110與導電構件130電性連接。密封層150最好是由無色或有色的透光樹脂(light transmission resin)所形成，而此透光樹脂模封(molding)發光二極體晶片110。舉例而言，密封層150能封裝(encapsulating)配置在基板120上的發光二極體晶片110、導線140、磷光體151以及部分導電構件130。磷光體151可以分散(dispersed)在整個密封層150中，或是局部分散在密封層150中。磷光體151能完全覆蓋或局部覆蓋發光二極體晶片110。
圖2是本發明一實施例之另一種發光裝置的結構示意圖。
請參閱圖2，一發光裝置包括一發光二極體晶片110、一基板120、二個或二個以上的電極層131、一導線140、一密封層/構件150以及一磷光體151。基板120支撑發光二極體晶片110。這些電極層131在電性上彼此分開，以提供電源給發光二極體晶片110。導線140能使發光二極體晶片110電性連接電極層131。密封層150最好是由無色或有色的透光樹脂所形成，而此透光樹脂模封發光二極體晶片110。舉例而言，密封層150覆蓋發光二極體晶片110、導線140、磷光體151以及部分電極層131。磷光體151可以被分散在整個密封層150中，或是分散在部分密封層150中。磷光體151能完全覆蓋或局部覆蓋發光二極體晶片110。
在圖2所述之發光裝置的例子中，發光二極體晶片110是透過導線140而電性連接其中一個電極層131。發光二極體晶片110直接與另一個電極層131接觸，因而能電性連接於另一個電極層131。
雖然在圖1與圖2所舉例的結構中，發光二極體晶片110是透過導線140而連接電極層131(或導電構件130)，但非用以限定本發明。舉例來說，當發光二極體晶片110是以覆晶(flip-chip)技術來裝設時，發光二極體晶片110可以不需要透過導線140來電性連接電極層131(或導電構件130)。
此外，雖然在圖1與圖2所舉例的結構中，磷光體151是配置在密封層150內(或是分布在密封層150各處)，但非用以限定本發明。舉例來說，磷光體151可以被分離膜(separate film)或分離膜板(separate plate)所承載，因而配置在分離結構(separate structure)。
也就是說，圖1與圖2所示的發光裝置應被認為僅為一種圖示的舉例說明，因此不應理解為限制本發明的專利範圍。本發明涵蓋使用上述磷光體的任何類型的發光裝置。
請參閱圖1與圖2，發光裝置包括被供給電源的發光二極體晶片110以及配置在一光線行進路徑上的磷光體151，其中此光線是由發光二極體晶片110所發出。從發光二極體晶片110所發射的第一光線會激發磷光體151，以產生第二光線。
舉例而言，以氮化鎵為主(GaN-based)的發光二極體晶片，其所發出的光線具有一落在約380至500奈米(nm)之間波長範圍的發光峰值(light emitting peak)，而此發光二極體晶片可以作為發光二極體晶片110。在其他的實施例中，不同類型的發光二極體晶片，例如雷射二極體(Laser Diode，LD)或表面發光二極體(surface emitting diode)也可以作為發光二極體晶片110。
雖然在以上實施例中，是將磷光體應用於發光二極體晶片，以製造出發光裝置，但也可以用無機電致發光裝置(non-organic electroluminescent device)或有機電致發光裝置(organic electroluminescent device)來取代發光二極體，以作為光源。
本實施例的發光裝置包括一能發出光線的光源、一用來支撐光源的基板以及一模封光源的密封層。密封層150最好是由透光樹脂所形成。舉例而言，密封層可以是由環氧樹脂(epoxy resin)、矽樹脂(silicon resin)、尿素樹脂(urea resin)、丙烯酸酯樹脂(acryl resin，又稱為壓克力)以及聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)至少其中之一所形成。密封層可以具有一單層或多層結構。其他除本實施例以外的磷光體可以混入於磷光體151中。這些技術特徵可以應用於圖1與圖2中的發光裝置。
本發明提供一種用於發光裝置之覆蓋磷光體的組成物(coasting phosphor composition)，其包含磷光體(例如磷光體151)以及透明樹脂(transparent resin)。舉例而言，圖1與圖2的發光裝置可包括覆蓋磷光體的組成物。覆蓋磷光體的組成物可在重量百分比約1：2至1：10之間混合而成。
【以青色(cyan)為主的磷光體、製備以青色為主的磷光體之方法及使用以青色為主的磷光體來製造發光裝置之方法】
「以青色為主的磷光體」
在圖1與圖2中，被來自發光二極體晶片110的光線所激發的磷光體可以採用以下以青色為主的磷光體。
青色為主的磷光體為滿足以下化學式(1)的磷光體：
Lx My Cz1 Nz2 :Aa ...................................化學式　(1)
其中L為鹼土金屬、過渡金屬、鋅、鎘、鋁、鎵、銦、鈦、鍺以及錫至少其中之一；M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一；而A為鹼稀土金屬以及過渡金屬至少其中之一，其中0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1。
舉例而言，鹼土金屬可包括鈹、鎂、鈣、鍶、鋇以及鐳至少其中之一。過渡金屬可包括銅、銀、金、鈧、釔、鑭、鈦、鋯、釩、錳以及鉭至少其中之一。鹼稀土金屬可包括銪與鈰至少其中之一。
在化學式(1)中，本發明的磷光體151可以被光源(例如發光二極體晶片110)所發出的光線而激發，以發出第二光線。根據從光源所發出的光線之中心波長(center wavelength)，第二光線具有約在520奈米至680奈米之間波長範圍的發光峰值。
「製備以青色為主的磷光體之方法」
本發明一實施例之以青色為主的磷光體可以是由以下流程製備而成。
根據本實施例，製備以青色為主的磷光體之方法包括：
(a)　溼混合(wet-mixing)一預定量的鹼土金屬氧化物、鹵化物(halide)、碳酸鹽(carbonate)、氮化物以及過渡金屬氧化物至少其中之一，一預定量的三聚氰胺(melamine)、鹼土金屬或過渡金屬作為活化劑(active agent)，而在溶劑的影響下，鹵化物，例如是氟化銨(NH4 F)、氯化銨(NH4 Cl)、氟化鋇(BaF2 )、氯化鋇(BaCl2 )、氟化鋇(CaF2 )以及氟化鎂(MgF2 )，作為助溶劑(flux)，以乾燥混合物(mixture)約30分鐘至24小時；
(b)　將步驟(a)之後所得到的混合物置放於反應器內，並且注入惰性氣體(inert gas)約30分鐘至5小時，使得反應器內的真空環境之壓力從大約1×10-1 至1×10-10 atm上升至大氣壓力；
(c)　進行步驟(b)之後，在溫度約為500℃至1500℃下，加熱約1小時至48小時來還原出生成混合物(resultant mixture)，並氰化(cyanizing)生成混合物；
(d)　粉碎並分類在步驟(c)中所得到的磷光體，以得到具有預定尺寸的磷光體粉末；以及
(e)　清潔在步驟(d)中所得到的磷光體粉末，以移除未反應的材料。
在步驟(a)中，每一材料的使用量可以適當地被調整成滿足上述化學式(1)條件的化學計量比率(stoichiometric ratio)。
在步驟(b)中，維持充足真空的環境以大幅減少步驟(a)中所得到的混合物與氧氣之間化學反應的發生。另一方面，也可以一開始就注入惰性氣體而不需要維持真空環境。不過，在這種條件下，磷光體的晶體會產生不完全，以至於降低發光效率(light emitting efficiency)。另外，惰性氣體可以是氮氣或氬。
在步驟(c)中，熱處理還原過程(reducing heat-treatment process)可以是在充足的高溫下進行，以使化學反應能完全發生。在這方面，當熱處理的溫度約低於500℃，並在還原氣氛(reduction atmosphere)下，磷光體的晶體不會完全產生，以至於降低發光效率。當熱處理的溫度約高於1500℃時，會發生過度反應而降低輝度(luminance)或阻礙固態磷光體粉末產生。包括約2%至100%體積百分比的氨氣與氮氣的氣體混合物可以被用來作為熱處理還原過程中的還原氣體(reducing gas)，以氰化主體材料(host material)以及還原活性材料(active material)。
在步驟(d)中，最好是有必要進行粉碎和分類過程，以獲取具有所期望之輝度及尺寸的粉末，因為在步驟(c)中得到的磷光體可以在相對於高熱處理溫度下凝結(coagulated)。
在步驟(e)中，一種或多種能溶解未反應的材料之高分子溶劑，例如乙醇、丙酮以及高分子溶劑，可以用來移除這些未反應的材料。清潔過程可以包括步驟：將磷光體加入於高分子溶劑中，使磷光體與高分子溶劑混合，並且乾襙二者所產生的生成混合物，但非用以限定本發明。舉例而言，步驟(d)可以在步驟(e)之後進行。經由熱處理過程所得到的磷光體會包括相當少量的鹵素化合物(halogen compound)。當鹵素化合物未被移除時，在利用上述磷光體來製造發光裝置的情況下，防潮能力可能會惡化。
「製備以青色為主磷光體之方法的具體實施例1」
舉例來說，2.79公克的氯化鋇，0.42公克的氯化銪(EuCl3 )，以及19.22公克的三聚氰胺(C3 N6 H6 )放入丙酮中，並且進行約1小時的球磨過程，以將這些材料混合。混合物置放在50℃的乾燥機內，並且進行約1小時的乾燥流程，以將溶劑完全揮發掉。混合材料置放在反應器內，並且抽離反應器內的氧氣，使混合材料處在真空環境下約1小時，之後在真空環境下注入氮氣，直到反應器內的壓力上升至大氣壓力。含有約40%體積百分比的氨氣之氮氣混合物氣體在溫度約為800℃，加熱時間約3小時的條件下進行燒結(sintered)，期間維持混合物氣體的流量(flow)在5公升/分(L/m)。熱處理後的磷光體被粉碎，以分類出尺寸適合供發光裝置(例如圖1與圖2中的發光裝置)所使用的磷光體，其中磷光體粉末的尺寸約為20微米(μm)。由於分類出的磷光體含有未反應的材料，因此磷光體須置放在含有乙醇與丙酮二者大約依1：1比例混合而成的溶液中來進行約30分鐘的超音波清洗(ultrasonic-clean)，之後將清潔過的磷光體乾燥。如此，具有化學式Ba(CN)2 :Eu2+ ，且可作為磷光體151的磷光體得以形成。
「製備以青色為主磷光體之方法的具體實施例2」
在其他的實施例中，1.38公克的氰化鋅(Zn(CN)2 )、0.0069公克的氧化鈣(CaO)、0.026公克的氧化錳(MnO)以及19.39公克的三聚氰胺放入丙酮中，並且進行約1小時的球磨過程，以將這些材料混合。混合物置放在50℃的乾燥機內，並且進行約1小時的乾燥流程，以將溶劑完全揮發掉。混合材料置放在反應器內，並且抽離反應器內的氧氣，使混合材料處在真空環境下約1小時，之後在真空環境下注入氮氣，直到反應器內的壓力上升至大氣壓力。含有約50%體積百分比的氨氣之氮氣混合物氣體在溫度約為800℃，加熱時間約3小時的條件下進行燒結(sintered)，期間維持混合物氣體的流量(flow)在2公升/分(L/m)。熱處理後的磷光體被粉碎，以分類出尺寸適合供發光裝置所使用的磷光體，其中磷光體粉末的尺寸約為20微米。由於分類出的磷光體含有未反應的材料，因此磷光體須置放在含有乙醇與丙酮二者大約依1：1比例混合而成的溶液中來進行約30分鐘的超音波清洗(ultrasonic-clean)，之後將清潔過的磷光體乾燥。如此，具有化學式Zn(CN)2 :Mn2+ ，且可作為磷光體151的磷光體得以形成。
「使用以青色為主的磷光體來製造發光裝置之方法的實施例」
請參閱圖1與圖2，具有上述化學式(1)：Lx My Cz1 Nz2 :Aa 的磷光體能應用於以氮化鎵為主的發光二極體晶片110，以製造發光裝置，而發光二極體晶片110具有落在約380至500奈米之間波長範圍的發光峰值，其中L為鹼土金屬、過渡金屬、鋅、鎘、鋁、鎵、銦、鈦、鍺以及錫至少其中之一；M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一；而A為鹼稀土金屬以及過渡金屬至少其中之一，且0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1。
此外，磷光體151混入於由透光環氧樹脂所形成的密封層150中，以圍繞發光二極體晶片110。
磷光體151被藍光(其所具有的波長約為450奈米)激發而產生從發光二極體晶片110發出的第二光線，其中第二光線所具有的中心波長約在520奈米至680奈米之間。
「以青色為主的磷光體之發光特性」
在此採用二種青色為主的磷光體的例子來討論上述發光特性，圖3是本發明一實施例之包括一種具有化學式Ba(CN)2 :Eu2+ 的青色磷光體之發光裝置的發光光譜圖，而圖4是本發明一實施例之包括一種具有化學式Zn(CN)2 :Mn2+ 的青色磷光體之發光裝置的發光光譜圖。這些光譜圖同樣適用於圖1與圖2中發光裝置。
請參閱圖3，根據本發明一實施例，含有青色為主的磷光體的發光裝置會被具有約為450奈米之激態波長(excitation wavelength)的發光二極體晶片所激發，進而具有落在約520奈米至680奈米的發光峰值，其中青色為主的磷光體具有化學式Ba(CN)2 :Eu2+ ，並且透過上述例子1的青色為主磷光體之製備方法所製備。
請參閱圖4，根據本發明另一實施例，含有青色為主的磷光體的發光裝置會被具有約為450奈米之激態波長(excitation wavelength)的發光二極體晶片所激發，進而具有落在約520奈米至680奈米的發光峰值，其中青色為主的磷光體具有化學式Zn(CN)2 :Mn2+ ，並且透過上述具體實施例1的青色為主磷光體之製備方法所製備。
在一實施例中，以青色為主的磷光體可以發出波長寬度範圍從綠光至紅光的光線。
在一實施例中，發光裝置可以更包括一異質磷光體(heterophosphor)，其具有不同於上述青色為主的磷光體之發光峰值。舉例而言，異質磷光體可以包括以矽酸鹽為主的磷光體、以硫化物為主的磷光體以及以氮化物為主的磷光體至少其中之一，而這些磷光體能被來自發光二極體晶片所激發而發出綠光。
舉例而言，以矽酸鹽為主的磷光體可以是Sr2 SiO4 ：Eu磷光體，以硫化物為主的磷光體可以是SrGa2 S4 :Eu磷光體，而以氮化物為主的磷光體可以是β-SiAlON:Eu磷光體。
換句話說，本發明這些實施例的發光裝置可以包括以青色為主的磷光體、以矽酸鹽為主的磷光體、以硫化物為主的磷光體以及以氮化物為主的磷光體至少其中之一。
圖5是一實施例之發光裝置的發光光譜圖。在此，圖5的發光裝置可以是圖1或圖2的發光裝置。
請參閱圖5，發光裝置可以包括一發出藍光的發光二極體晶片。磷光體可以包括任何一種或多種以青色為主且發出紅光的磷光體、以矽酸鹽為主且所發出的光線具有落在約500至550奈米波長範圍之發光峰值的磷光體、以硫化物為主的磷光體、以及以氮化物為主並發出白光的磷光體。也就是說，本實施例之發光裝置的磷光體可以包括多個不同的磷光體，例如以上所述的磷光體。這些磷光體可以混合在一起或是彼此分層堆疊。
在一實施例中，發光裝置能發出激態光(excitation light)，其中藉由發光二極體晶片所發出大約為450奈米的峰值波長，第一磷光體具有大約為620奈米的峰值波長範圍(peak wavelength range)，並能發出激態光，而第二磷光體具有大約為530奈米的峰值波長。因此，發光裝置能發出白光。
如上所述，根據本發明多種不同的實施例，由於新穎的磷光體是在低溫及低壓環境下，並採用低價起始材料而合成，因此磷光體與此包含如本發明之磷光體的發光裝置一樣，能以相對低的成本合成而得。
在一實施例中，發光裝置可適用於一背光單元(backlight unit)、一照明裝置(lighting device)、一顯示裝置(display device)等。背光單元、照明裝置或顯示裝置包括一個或多個本發明的發光裝置以及多個附加的元件，其中這些元件廣泛地存在於習知背光單元、照明裝置或顯示裝置中。磷光體可以與發光二極體晶片分隔而配置。舉例而言，當發光裝置應用於照明裝置時，發光二極體晶片與磷光體可以被分離結構所承載，且可以彼此分離。
任何本專利說明書所提及的”一實施例”、”一種實施例”、”舉例的實施例”等，乃是意指：在本發明至少一個實施例中，包括以上所描述且與實施例有關的特定特性、結構或技術特徵。在本專利說明書中所出現的措辭並不全必然地用以敘述同一個實施例。而且，當描述與任何實施例有關的特定特性、結構或技術特徵時，乃是被認定為：本發明的專利申請範圍涵蓋本發明所屬技術領域中具有通常知識者依據以上至少一實施例，對上述特定特性、結構或技術特徵所做的改變。
雖然本發明以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，所作更動與潤飾之等效替換，仍為本發明之專利保護範圍內。
110．．．發光二極體晶片
120．．．基板
130．．．導電構件
131．．．電極層
140．．．導線
150．．．密封層、密封層/構件
151．．．磷光體
圖1是本發明一實施例之發光裝置的結構示意圖。
圖2是本發明一實施例之另一種發光裝置的結構示意圖。
圖3是本發明一實施例之包括一種具有化學式Ba(CN)2 :Eu2+ 的青色磷光體之發光裝置的發光光譜圖。
圖4是本發明一實施例之包括一種具有化學式Zn(CN)2 :Mn2+ 的青色磷光體之發光裝置的發光光譜圖。
圖5是本發明一實施例之發光裝置的發光光譜圖。
110．．．發光二極體晶片
120．．．基板
130．．．導電構件
140．．．導線
150．．．密封層、密封層/構件
151．．．磷光體

Claims (14)

  1. 一種磷光體，其一化學式表示為：Lx My Cz1 Nz2 ：Aa ，其中該化學式表示為：Ba(CN)2 ：Eu2+ 。
  2. 一種磷光體，其一化學式表示為：Lx My Cz1 Nz2 ：Aa ，其中該化學式表示為Zn(CN)2 ：Mn2+ 。
  3. 一種發光裝置，包括：一發光二極體晶片；一基板，支撐該發光二極體晶片；至少一電極或導電層，電性連接於該發光二極體晶片；以及一磷光體，被從該發光二極體晶片發出的光線所激發，其中該磷光體的化學式表示為：Lx My Cz1 Nz2 ：Aa ，以及其中該磷光體具有一化學式，其表示為：Ba(CN)2 ：Eu2+ 。
  4. 一種發光裝置，包括：一發光二極體晶片；一基板，支撐該發光二極體晶片；至少一電極或導電層，電性連接於該發光二極體晶片；以及一磷光體，被從該發光二極體晶片發出的光線所 激發，該磷光體的化學式表示為：Lx My Cz1 Nz2 ：Aa ，其中該磷光體具有一化學式，其表示為：Zn(CN)2 ：Mn2+ 。
  5. 一種發光裝置，包括：一發光二極體晶片；一密封層，圍繞該發光二極體晶片；一基板，支撐該發光二極體晶片；至少一電極或導電層，電性連接於該發光二極體晶片；以及一磷光體，被從該發光二極體晶片發出的光線所激發，其中該磷光體的化學式表示為：Lx My Cz1 Nz2 ：Aa ，其中該L為一鹼土金屬、一過渡金屬、鎘、鋁、鎵、銦、鍺以及錫至少其中之一，該M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一，以及該A為一鹼稀土金屬以及該過渡金屬至少其中之一，以及其中0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中該磷光體至少局部分散在該密封層中。
  7. 一種發光裝置，包括：一發光二極體晶片； 一基板，支撐該發光二極體晶片；至少一電極或導電層，電性連接於該發光二極體晶片；以及一磷光體，被從該發光二極體晶片發出的光線所激發，其中該磷光體的化學式表示為：Lx My Cz1 Nz2 ：Aa ，其中該L為一鹼土金屬、一過渡金屬、鎘、鋁、鎵、銦、鍺以及錫至少其中之一，該M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一，以及該A為一鹼稀土金屬以及該過渡金屬至少其中之一，其中0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1，以及其中該發光二極體晶片具有一落在380至500奈米之一波長範圍的一發光峰值。
  8. 一種顯示裝置，包括多個發光裝置，各該發光裝置為如申請專利範圍第3至7項任一項所述之發光裝置。
  9. 一種發光裝置，包括：一發光二極體晶片；一基板，支撐該發光二極體晶片；至少一電極或導電層，電性連接於該發光二極體晶片；以及一磷光體，被從該發光二極體晶片發出的光線所 激發，其中該磷光體包括：一第一磷光體，其一化學式表示為Lx My Cz1 Nz2 ：Aa ，其中該L為一鹼土金屬、一過渡金屬、鎘、鋁、鎵、銦、鍺以及錫至少其中之一；該M為硼、矽、磷、硫、氟、氯、碘以及硒至少其中之一；以及該A為一鹼稀土金屬以及該過渡金屬至少其中之一；其中0<x5，0y5，1z110，1z210，0<a1；以及一第二磷光體，包括一以矽酸鹽為主的磷光體、一以硫化物為主的磷光體以及一以氮化物為主的磷光體至少其中之一。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該發光二極體晶片具有一落在380至500奈米之一波長範圍的一發光峰值，該第一磷光體被從該發光二極體晶片發出的光線所激發，以發出一第一光線，而該第一光線具有一落在520至680奈米之一波長範圍的一發光峰值，以及該第二磷光體被從該發光二極體晶片發出的光線所激發，以發出一第二光線，而該第二光線具有一落在500至550奈米之一波長範圍的一發光峰值。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該鹼土金屬包括鈹、鎂、鈣、鍶、鋇以及鐳至少其中之一。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該過渡金屬包括鋅、銅、銀、金、鈧、釔、鑭、鈦、鋯、釩、錳以及鉭至少其中之一。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該第一磷光體具有一化學式，其表示為：Ba(CN)2 ：Eu2+ 或Zn(CN)2 ：Mn2+ 。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，更包括：一密封層，圍繞該發光二極體晶片，其中該第一磷光體以及該第二磷光體至少局部分散在該密封層中。
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