JP5421205B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、発光装置に関するものである。
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）発光装置は、主に励起光源としてのＬＥＤチップと蛍光体との組み合わせから構成され、その組み合わせによって様々な色の発光色を実現することができる。
白色光を放出する白色ＬＥＤ発光装置には、紫外から青色領域の波長の光を放出するＬＥＤチップと蛍光体との組み合わせが用いられることが一般的である。例えば、青色光を放出するＬＥＤチップと、そのＬＥＤから放出される光を吸収して発光する蛍光体混合物との組み合わせが挙げられる。この場合、蛍光体としては主に青色の補色である黄色の光を放出する蛍光体が使用され、全体として擬似白色光を放出する発光装置として使用されている。その他にも青色光を放出するＬＥＤチップ、緑色ないし黄色系蛍光体、および赤色系蛍光体の組み合わせが用いられた３波長型白色ＬＥＤ発光装置も開発されている。
赤色蛍光体の一つとして３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎが知られている。また、前記赤色蛍光体とイットリウム・アルミニウム・ガーネット系（ＹＡＧ）黄色蛍光体と青色系半導体発光素子が組み合わされた白色ＬＥＤ発光装置も提案されている（例えば、特許文献１参照）。白色ＬＥＤ発光装置に用いられる蛍光体には、励起光源であるＬＥＤチップから放出される光の吸収が大きく、かつ効率よく可視光を発光することが求められている。照明用途やディスプレイのバックライト用途を目的とする場合には、物体の見え方を示す演色性や豊かな色相を表現する色域などの特性などの観点から２種類以上の蛍光体を有する発光装置が望ましい。
さらに、近年ＬＥＤ発光装置の輝度をより高めることが要求されており、高出力型ＬＥＤ発光装置が注目されるようになってきた。高出力型ＬＥＤ発光装置は従来のＬＥＤ発光装置と比較して、投入電力が一般的に大きい。この結果、高出力型ＬＥＤ発光装置は、短時間駆動でもＬＥＤチップ近傍の温度が上昇する傾向が強い。このような温度上昇が起こると、一般的に蛍光体層中の蛍光体の発光特性が変化する。特に、白色ＬＥＤ発光装置の場合には、蛍光体の発光強度の低下した結果、発光装置からの発光の輝度低下や、ＬＥＤチップと蛍光体の発光強度とのバランスが崩れることによる、発光装置から放出される光の色ずれなどの問題が起きてしまうことがあった。
特開２００３−１０１０８１号公報
本発明は、駆動中に温度が上昇しやすいＬＥＤ発光装置においても、色ずれが少なく、優れた発光特性を有する発光装置を提供することを目的とする。
本発明の実施形態にかかる発光装置は、４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する発光素子と、前記発光素子上に形成された蛍光体層とを具備するものである。この発光装置の連続駆動時における前記発光素子のジャンクション温度は１００℃以上２００℃以下である。また、前記蛍光体層は、下記一般式（Ａ）：
（Ｍｇ１−ｘ，ＡＥｘ）ａ（Ｇｅ１−ｙ，Ｓｎｙ）ｂＯｃＨＡｄ：ｚＭｎ （Ａ）
（式中、ＡＥはＣａ、またはＳｒからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素であり、
ＨＡはＦ、またはＣｌからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素であり、
２．５４≦ａ≦４．４０、
０．８０≦ｂ≦１．１０、
３．８５≦ｃ≦７．００、
０≦ｄ≦２．００、
０≦ｘ≦０．０５、
０≦ｙ≦０．１０、および
０＜ｚ≦０．０３
である）
で表され、前記発光素子から放出される光を吸収して６５０ｎｍ以上６６５ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する光を放出する蛍光体を含む。
本発明の実施形態に用いられる赤色蛍光体の発光スペクトル。 本発明の実施形態に用いられる赤色蛍光体の温度変化に伴う発光スペクトル。 本発明の実施形態に用いられる赤色蛍光体の発光ピーク強度の温度変化を表すグラフ図。 本発明の実施形態に用いられる赤色蛍光体の温度変化に伴う励起スペクトル。 本発明の一実施形態にかかる発光装置の断面図。 本発明の他の実施形態にかかる発光装置の断面図。 本発明の実施形態に用いられる発光素子の拡大断面図。 本発明の他の実施形態にかかる発光装置の断面図。 実施例１の白色ＬＥＤ発光装置の発光スペクトル。 比較例１の白色ＬＥＤ発光装置の発光スペクトル。
以下、本発明の実施形態を説明する。以下に示す実施態は、技術思想を具体化するための蛍光体および発光装置の例を示すものであり、以下の例示に限定されるものではない。
また、特許請求の範囲に示される部材は、本願明細書に記載された実施形態に特定されるものではない。特に実施形態に記載されている構成部品の大きさ、材質、形状、その配置等は本発明の範囲を限定する趣旨ではなく、説明例に過ぎない。本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して、同一の部材で複数の要素を兼用してもよく、逆に同一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することも可能である。
本発明者は、特定の蛍光体が、温度上昇に伴う発光スペクトルの特異性を有することを見出した。この特定の蛍光体は、下記一般式（Ａ）：
（Ｍｇ１−ｘ，ＡＥｘ）ａ（Ｇｅ１−ｙ，Ｓｎｙ）ｂＯｃＨＡｄ：ｚＭｎ （Ａ）
（式中、ＡＥはＣａ、またはＳｒからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素であり、
ＨＡはＦ、またはＣｌからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素であり、
２．５４≦ａ≦４．４０、
０．８０≦ｂ≦１．１０、
３．８５≦ｃ≦７．００、
０≦ｄ≦２．００、
０≦ｘ≦０．０５、
０≦ｙ≦０．１０、および
０＜ｚ≦０．０３
である）
で表され、４２０ｎｍを超え５００ｎｍ以下の波長領域の光で励起することによって、６５０ｎｍ以上６６５ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する光を放出する。ここで主発光ピークの半値幅は３０ｎｍ以内である。蛍光体の発光スペクトルは、発光ピークが４００ｎｍの近紫外領域ＬＥＤや４６０ｎｍ青色領域ＬＥＤ等によって蛍光体を励起し、例えばＩＭＵＣ−７０００Ｇ型分光光度計（商品名、大塚電子株式会社製）により測定して、得ることができる。
なお、本明細書における温度特性は、以下のように定義する。まず、基準値として、室温（２５℃）において、青色領域ＬＥＤから近紫外領域ＬＥＤ等によりサンプルを励起し、発光スペクトルを測定する。この際の発光スペクトルピーク強度を（Ｉ０）とする。次に、室温より高い任意の温度において、発光スペクトルを測定し、その際の発光スペクトルピーク強度を（Ｉ１）とする。これらのピーク強度の比率（ΔＩ＝Ｉ１／Ｉ０）を、温度特性とする。一般に、温度が上昇するとピーク強度は小さくなり、ΔＩは小さくなるが、ピーク強度の変化が小さいほど、つまりΔＩが１に近いほど、温度特性の良好な蛍光体、または発光装置である。
温度特性が良好な蛍光体は、ジャンクション温度が高くなりやすい高出力型ＬＥＤと組み合わせて発光装置とした場合であっても、発光特性が良好で色ずれが少なく、優れた発光特性を有する発光装置を得ることが可能となる。
本発明の実施形態に用いられるのは、発光ピーク波長が４２０ｎｍを超え、５００ｎｍ以下の波長の光を発光する発光素子、例えばＬＥＤチップである。この発光素子から放出される光は、後述する蛍光体を励起する。本発明においては、従来使われている発光素子に比較して、発熱の多い発光素子を用いる。具体的には、連続駆動時にジャンクション温度が１００℃以上２００℃以下となるものである。発光素子のジャンクション温度は、投入電力と白色ＬＥＤ発光装置の熱抵抗とから求めることができる。
発光装置の輝度を上昇させるために、最も容易な方法は発光素子により大きな電力を投入し、発光素子から放出される光、およびその光により励起された蛍光体から放出される光を多くする方法である。したがって、今後、ＬＥＤ発光装置の高輝度化が要求されるのに伴い、投入する電力が大きくなると予想される。一方、現在用いられている多くのＬＥＤチップの接合保証温度は１２５℃であり、通常、連続駆動時の温度は１００℃以下である。これは、従来の蛍光体を用いた場合には、発光素子に投入する電力量を大きくした場合、発光素子およびそれに接触している蛍光体の温度が上昇し、発光効率が高くならないためである。
一方、実施形態による発光装置は、特定の蛍光体を用いることで従来よりも高い温度であっても高い発光効率を維持することを可能としたものであり、具体的には連続駆動時におけるジャンクション温度が１００℃以上２００℃以下である発光素子が用いられる。このような発光素子は、従来の発光装置には用いても十分な発光効率が得られなかったものである。ジャンクション温度が１００℃以上の発光素子に投入される電力は、通常１Ｗ以上である。上記の通り、高出力型ＬＥＤの高輝度化が要求されるのに伴い、投入する電力が大きくなることが予想され、ジャンクション温度の保証値が上がる可能性もあるが、ＬＥＤチップへの負担を極力少なくするためには熱抵抗を出来る限り低減することが望ましい。現在、白色ＬＥＤ発光装置の熱抵抗は４０℃／Ｗ程度であるが、本発明の実施形態にかかる発光装置はある程度の温度上昇を伴うほうが良好な発光特性が得られるために熱抵抗は２０℃／Ｗ以上であることが好ましい。
上述したとおり実施形態による発光装置は、従来の発光装置とは異なって、連続駆動した際に高温に保持される。具体例として、２５℃の環境温度において、熱抵抗３４℃／Ｗ、ジャンクション温度１４０℃の半導体発光素子に電力３Ｗ相当の電流を投入するＬＥＤ発光装置が挙げられる。また、５０℃の環境温度において、熱抵抗３０℃／Ｗ、ジャンクション温度１８５℃の半導体発光素子に電力２．５Ｗ相当の電流を注入したＬＥＤ発光装置なども一実施形態である。
発光装置における発光素子は、通常、支持部材に支持される。この支持部材は外部との電気的接続を保つ機能を備えることもできる。このような電気的接続を実現できる支持部材として、絶縁性のフレーム材の表面に配線パターンを設けたものや、金属からなる支持部材を用いることができる。特に、支持部材のフレーム材はセラミックスを用いると、高い熱伝導率を実現することができるので好ましい。実施形態による発光素子は駆動により容易に温度上昇する。この結果、発光素子周辺が必要以上の高温に保持されると発光素子の劣化が顕著になり、溶解や変形が起こることがある。このような場合に、熱伝導率の高い支持部材を用いることにより、放熱性を上げて発光素子等が過剰に高温になることを防ぐことができる。セラミックスとしては、例えば、窒化アルミニウム、および酸化アルミニウム（アルミナ）等を用いることができる。なかでも、窒化アルミニウムは熱伝導率１．７０（Ｗ／ｃｍ・℃）の絶縁物であり、パターニングが可能である。このため、マルチチップ方式の発光装置の作製が可能となるので好ましい。また、支持部材として、銅（Ｃｕ）を用いることもできる。銅は熱伝導率３．９４（Ｗ／ｃｍ・℃）と非常に熱伝導率が高いことから、高出力型ＬＥＤ発光装置に用いる支持部材に最も適したもののひとつである。
発光素子は、例えばはんだ接合等の金属接合によって支持部材に接合されることが好ましい。金属接合を行なうことによって、ＬＥＤチップと支持部材との接着強度が高められる。
本発明の実施形態にかかる発光装置は、上述したような発光素子と、その上に配置された蛍光体層とを具備する。蛍光体層は、蛍光体が分散された樹脂層から構成することができる。蛍光体層に用いられる樹脂は特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂を用いることができる。シリコーン樹脂は光による変色が少なく、また放熱性も良好で、発光装置の過度の温度上昇を抑制できるので好ましい。
本発明の実施形態において、蛍光体層に含有される蛍光体の少なくとも一部は、下記一般式（Ａ）で表わされる組成の蛍光体である。
（Ｍｇ１−ｘ，ＡＥｘ）ａ（Ｇｅ１−ｙ，Ｓｎｙ）ｂＯｃＨＡｄ：ｚＭｎ （Ａ）
ここで、ＡＥはＣａ、またはＳｒからなる少なくとも１種類以上の元素であり、好ましくはＣａであり、ＨＡはＦ、またはＣｌからなる少なくとも１種類以上の元素である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘ、ｙ、およびｚは、発光効率を高く維持するために、下記の関係を満たす。
２．５４≦ａ≦４．４０、好ましくは３．４７≦ａ≦４．２６
０．８０≦ｂ≦１．１０、好ましくは０．９５≦ｂ≦１．００
３．８５≦ｃ≦７．００、好ましくは４．０２≦ｃ≦６．８７
０≦ｄ≦２．００、好ましくは０≦ｄ≦０．８３、
０≦ｘ≦０．０５、好ましくは０≦ｘ≦０．０４、
０≦ｙ≦０．１０、好ましくは０．０２≦ｙ≦０．０８、
０＜ｚ≦０．０３、好ましくは０．０１≦ｚ≦０．０２
ここで、ａ、ｂ、またはｃが上記の範囲外であると発光効率が低下してしまうので好ましくない。また、ｗ、ｘ、またはｙが上記範囲外であると発光強度が低下してしまい、好ましくない。この原因は明確ではないが、これらのパラメーターが範囲外であると、蛍光体の基本的な結晶構造やＭｎ４＋周辺の結晶性が維持できないためであると推測されている。
このような蛍光体のうち、特に好ましいのは下記一般式（Ｂ）で示されるものである。
（Ｍｇ１−ｘ’，ＡＥｘ’）ａ’（Ｇｅ１−ｙ’，Ｓｎｙ’）ｂ’Ｏｃ’，Ｃｌｄ’：ｚ’Ｍｎ （Ｂ）
ここで、ＡＥはＣａおよびＳｒから選択される少なくとも一種であり、
３．５≦ａ’≦４．４、好ましくは３．９≦ａ’≦４．２、
０．８≦ｂ’≦１．１、好ましくは０．９≦ｂ’≦１．０、
５．５≦ｃ’≦７．０、好ましくは５．５≦ｃ’≦６．９
０＜ｄ’≦０．４１、好ましくは０＜ｄ’≦０．２５、
０＜ｘ’≦０．０５、好ましくは０＜ｘ’≦０．０４、
０＜ｙ’≦０．１０、
０＜ｚ’≦０．０３
である。
このような好ましい蛍光体の具体例として、（Ｍｇ０．９６，Ｃａ０．０４）３．９（Ｇｅ０．９０，Ｓｎ０．１０）１．０Ｏ６．２，Ｃｌ０．１５：０．０２Ｍｎ、（Ｍｇ０．９５，Ｓｒ０．０５）４．３（Ｇｅ０．９０，Ｓｎ０．１０）１．０Ｏ６．９，Ｃｌ０．３５：０．０２Ｍｎなどが挙げられる。これらの蛍光体は、特に発光強度が高く、実施態様による発光装置を照明用途などにおいて用いるのに特に有効である。
本発明の実施形態にかかる蛍光体は、Ｍｎを含有する。したがって、前記一般式（Ａ）におけるｚは０より大きい。Ｍｎが含有されない場合（ｚ＝０）には、紫外から青色領域に発光ピークを有する光で励起しても発光（スペクトル）は得ることができない。さらに、Ｍｎの含有量が多すぎる場合には、濃度消光現象が生じて、蛍光体の発光強度が弱くなるので、ｚの上限は０．０３に規定されている。
この蛍光体は、前記した発光素子から放出される光によって励起され、赤色から深赤色の光を放出する。放出される光の発光スペクトルは、６５０ｎｍ以上６６５ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する。そして、その主発光ピークの半値幅は一般に２０ｎｍ以下である。
また、本発明の蛍光体は基本的な結晶構造としてＭｇＯ６単位格子が八面体ＧｅＯ６単位格子と４面体ＧｅＯ４単位格子と結びついている結晶構造を有しているとの報告があり、付活剤であるＭｎは、得られる発光スペクトルから上記八面体の（Ｍｇ，Ｃａ）サイト、及び（Ｇｅ，Ｓｎ）サイトを置換していると考えられる。ただし、その割合を正確に求めることは一般に困難である。本発明による実施形態においては、蛍光体中に含有されているＭｎ濃度として定義している。
蛍光体に含まれる各元素の含有量の分析は任意の方法で行うことができる。例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎなどの金属元素は、ＩＣＰ発光分光法にて分析を行なうことができる。具体的には蛍光体をアルカリ融解し、発光分光分析装置（例えばエスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社社製ＳＰＳ４０００（商品名）等）により分析を行なうことができる。また、非金属元素Ｏは、赤外吸収法にて分析を行なうことができる。具体的には蛍光体を不活性ガス融解し、例えばＴＣ−６００型酸素・窒素分析装置（商品名、ＬＥＣＯ社製）等により赤外吸収法にて分析を行なうことができる。非金属元素Ｆ、Ｃｌはイオンクロマトグラフ法にて分析を行うことができる。具体的には蛍光体を熱加水分解分離し、例えばＤＸ−１２０型イオンクロマトグラフィーシステム（商品名、日本ダイオネクス株式会社製）によりイオンクロマトグラフ法にて分析を行うことができる。
具体的には、実施形態による蛍光体は、次のような方法により製造することができる。出発原料としては、構成元素の酸化物、塩化物、炭酸塩化合物粉末などを用いることができる。構成元素の原料を所定量秤量し、ボールミル等で混合する。例えば、Ｍｎ原料としてはＭｎＣＯ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｎＦ２、ＭｎＣｌ２等、Ｍｇ原料としては（塩基性）炭酸マグネシウム（ｍＭｇＣＯ３・Ｍｇ（ＯＨ）２・ｎＨ２Ｏ）、ＭｇＯ、ＭｇＦ２、ＭｇＣｌ２等、Ｃａ原料としてはＣａＣＯ３、ＣａＯ、ＣａＦ２、ＣａＣｌ２、ＣａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ等、Ｓｒ原料としてはＳｒＣＯ３、ＳｒＯ、ＳｒＦ２、ＳｒＣｌ２、ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ等、Ｇｅ原料としてはＧｅＯ２等、Ｓｎ原料としてはＳｎＯ２等を用いることができる。酸化物原料、炭酸塩原料、塩化物原料は合成する化合物の組成比に合わせて調合する。混合は溶媒を使用しない乾式混合法やエタノール等の有機溶媒を使用した湿式混合を採用しても良い。
また、蛍光体合成のための高温焼成によるＦ、Ｃｌ源の揮散を考慮して、過剰量のＨＡ原料を用いるのが一般的である。このようなＨＡ原料として、フッ化アンモニウム、塩化アンモニウムなどのアンモニウムのハロゲン化物が挙げられる。さらに、アルカリ金属のフッ化物、塩化物や、アルカリ土類金属のフッ化物、塩化物を用いてもよい。これらのＨＡ原料は、結晶成長剤としても作用する。目的とした組成からのずれを防止するために、ＨＡ原料の添加量は、原料粉末全体の０．０１重量％以上０．３重量％以下程度とすることが好ましい。アルカリ金属やアルカリ土類金属のハロゲン化物を使用する場合はアルカリ金属やアルカリ土類金属が蛍光体中に固溶することや他の原料と反応し、異相を生成する可能性があるために０．１重量％以下とすることが好ましい。
こうした原料粉末を混合してなる混合原料を坩堝等の容器に収容し、熱処理を行って焼成品を得る。熱処理は、大気雰囲気、Ｎ２、Ａｒ雰囲気中で行なわれる。これは、ハロゲン元素の揮散防止、原料の吸湿性防止を行うと共に蛍光体の合成を促進するためである。Ｆ２、Ｃｌ２ガスやＨＦ、ＨＣｌガスを混合して使用することも可能であるが、熱処理施設や排ガス処理施設など高コストとなるために、大気雰囲気、Ｎ２、Ａｒ雰囲気中での熱処理が好ましい。熱処理の温度および時間は、一般に１０００℃〜１４００℃、０．５〜１０時間とすることができる。焼成温度が低すぎるたり、焼成時間が短すぎたりすると原材料が未反応のままとなり、蛍光体の発光強度は低下する。焼成温度が高すぎたり、焼成時間が長すぎたりすると原材料あるいは生成物の溶融する可能性や混合した原料の一部が揮散する可能性がある。また、得られた焼成品を粉砕して、再度容器に収容し、大気中、Ｎ２またはＡｒ雰囲気中で二次焼成することも出来る。二次焼成の際の粉砕方法は表面積が増大するのであれば特に規定されず、例えば一次焼成品の塊を、乳鉢等を用いて砕く方法などが採用される。また二次焼成の際には上記したハロゲン化物結晶成長剤を添加することもできる。
焼成後の蛍光体は発光装置などに適用する際、必要に応じて純水などを使用して洗浄等の後処理を施すことができる。
上述した合成方法により得られる本発明の実施形態にかかる一般式（Ａ）で表される蛍光体の例として、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：０．０１Ｍｎ［＝Ｍｇ４ＧｅＯ５．５Ｆ：０．０１Ｍｎ］蛍光体が挙げられる。この蛍光体を蛍光体Ｎｏ．１とする。この蛍光体を青色ＬＥＤから放出されるピーク波長４４２ｎｍの光で励起して、発光スペクトルを測定した。その結果は、図１に示す通りであった。図１より蛍光体Ｎｏ．１は発光スペクトルの主発光ピークが６５８ｎｍ付近に、第２発光ピークが６３０ｎｍ付近にあることがわかった。なお、ここで主発光ピークとは発光スペクトルのピーク強度が最も大きいピークを、第２発光ピークとはピーク強度が２番目に大きいピークをいう。
蛍光体Ｎｏ．１について、室温から２００℃までの温度範囲において温度変化にともなう発光強度の変化の評価を行なった。まず室温から２００℃まで温度調節の可能なホットプレート上に蛍光体を薄く広げた。薄く広げた蛍光体層を室温（約３０℃）から２００℃付近まで、３０℃から５０℃の間隔で温度を上昇させ、各温度において１〜３分放置後、青色ＬＥＤから放出されるピーク波長が約４４２ｎｍの光で励起し、蛍光体の発光スペクトルを測定した。室温から２００℃までの発光スペクトルの変化は図２に、室温における発光強度を基準とした発光ピーク強度の比は図３に示す通りであった。蛍光体Ｎｏ．１の主発光ピーク強度は２００℃までの温度上昇ではピーク強度は低下せず、１３０℃付近で室温のおよそ１．１８倍の強度となった。また、第２発光ピーク強度は１３０℃付近で室温のおよそ１．６６倍に、２００℃付近で室温のおよそ１．９６倍の強度となった。室温での発光効率と比較して１３０℃付近での発光効率はおよそ１．５倍も増加していた。
これまで３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ蛍光体に関する温度特性について検討した報告例はあった。しかし、それらはいずれもより短波長の光、例えば３６５ｎｍの光で励起した場合の温度特性を検討しており、より長波長の光による励起に関する検討例はなかった。しかしながら、一般式（Ａ）で表される蛍光体には、２つの励起帯が存在し、一つは短波長側に存在する４Ａ２→４Ｔ１に帰属される励起帯であり、もう一つは長波長側に存在する４Ａ２→４Ｔ１に帰属される励起帯である。すなわち、これまで報告されていた温度特性は上述した短波長側に存在する励起帯による温度特性のみであった。実施形態に用いられる発光素子から放出される光の波長域は、上述した長波長側の励起帯における波長範囲であり、従来の報告例とは異なった励起光を用いるものである。そして、図２および３に示された結果はこれまで報告されていた温度特性とは異なる励起・発光メカニズムによるものであり、このような知見は本発明者らによる新たな知見である。また、上述した長波長側の励起帯で励起されたときに、主発光ピークと第２発光ピーク強度の比率が温度によって変化するという発光スペクトルの特異性については知られておらず、これら知見も本発明者らによる新たな知見である。
４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する励起光により、このような良好な温度特性を示す原因の一つとして温度変化に対する励起スペクトル変化が考えられる。図４は室温から２００℃まで温度変化させた際の励起スペクトルの変化を示すものである。励起スペクトルは、加熱ステージ上にペレット化した蛍光体を設置し、乾燥窒素を流通しながら、ヒータによって温度を調節して、蛍光分光光度計にて測定した。蛍光分光光度計としては、例えばＳＰＥＸ Ｆｌｕｏｒｏｇ３−２２（商品名、ホリバ・ジョバンイボン社製）を用いることができる。励起スペクトルは蛍光体Ｎｏ．１の６５８ｎｍの発光波長について測定した。測定した励起スペクトルから、２５０ｎｍから４９０ｎｍ付近まで励起帯が存在することが確認された。前述したようにＭｎ４＋に起因する励起機構は一般的に４Ａ２→４Ｔ２遷移、または４Ａ２→４Ｔ１遷移で説明されているが、図４に示された３８０ｎｍ付近から４９０ｎｍ付近の励起スペクトルピークは長波長側の４Ａ２→４Ｔ２遷移と説明されている。そして、３８０ｎｍより短波長の励起帯が４Ａ２→４Ｔ１遷移に帰属される。図４に示すとおり、４Ａ２→４Ｔ２遷移に帰属される励起スペクトルピークは温度上昇と共に長波長側にシフトし、その半値幅も広がる傾向にある。このために、４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の特定の波長において励起スペクトル強度の温度変化をみると、温度上昇にともなって、励起スペクトル強度が大きくなる。この結果、温度が上昇すると発光強度が強くなるという、良好な温度特性が得られたと考えられる。一方、４Ａ２→４Ｔ１遷移に帰属される短波長側の励起帯は室温から２００℃までの温度変化で殆ど励起スペクトルはシフトしなかった。
図４に示される励起スペクトルの温度依存性から、４２０ｎｍを超え、５００ｎｍ以下の光で蛍光体を励起した場合に、１００℃以上２００℃以下の温度範囲で上記したような良好な発光特性を実現できることがわかる。
さらに、本発明により製造した蛍光体粒子の表面には、必要に応じて、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、シリカ、ケイ酸亜鉛、ケイ酸アルミニウム、カルシウムポリフォスフェート、シリコーンオイル、およびシリコーングリースから選択される少なくとも一種からなる表層材を塗布することもできる。ケイ酸亜鉛およびケイ酸アルミニウムは、例えばＺｎＯ・ｐＳｉＯ２（１≦ｐ≦４）、及びＡｌ２Ｏ３・ｑＳｉＯ２（１≦ｑ≦１０）でそれぞれ表わされる。表層材は蛍光体粒子表面が完全に覆われている必要はなく、その一部が露出していてもよい。蛍光体粒子の表面を表層材で覆うことにより、熱、湿度、紫外線等の外的要因からの劣化防止などの効果が得られる。さらに、蛍光体の分散性を調整することが可能となり、蛍光体層の設計を容易にすることができる。表層材は、材料を含む分散液または溶液中に蛍光体粒子を所定時間浸漬した後、加熱等により乾燥させることによって塗布することができる。蛍光体としての本来の機能を損なうことなく、表層材の効果を得るために、表層材は、存在する場合には、蛍光体粒子の０．１〜５％程度の体積割合で存在することが好ましい。
また、実施形態に用いられる蛍光体は使用する発光装置への塗布方法に応じて分級することもできる。蛍光体を白色ＬＥＤ発光装置に用いる場合には、分級して５μｍから５０μｍ程度の蛍光体粒子を用いることが好ましい。蛍光体の粒径が小さくなりすぎると、表面の非発光層の割合が増加し、発光強度が低下してしまう傾向にある。また、粒径が大きすぎると蛍光体層を塗布する際、蛍光体層塗布装置に蛍光体が目詰まりし作業効率や歩留りの低下が起こりやすく、出来上がった発光装置の色ムラの原因となることがある。
一般式（Ａ）により表される蛍光体は、赤色から深赤色の光を放出する蛍光体である。したがって、青色発光蛍光体や、緑色系蛍光体および黄色蛍光体と組み合わせて用いることにより、白色発光装置を得ることができる。
一般式（Ａ）により表される蛍光体と組み合わせて使用する蛍光体は発光装置の目的に合わせて変えることができる。例えば、青色波長領域の光源を使用する場合には、一般式（Ａ）により表される蛍光体に加えて、黄色系蛍光体と組み合わせることにより白色発光装置を提供することができる。また、色温度が低い白色発光装置を提供する際には、黄色蛍光体と組み合わせて発光効率と演色性を両立した発光装置を提供することもできる。
しかしながら、組み合わせる緑色、黄色蛍光体は温度特性の優れた蛍光体であることが好ましい。これは組み合わせた蛍光体の発光強度が温度に大きく依存する場合には、駆動時に発光素子から発生する熱により蛍光体の温度消光が生じてしまい、効率低下や、投入した電力に応じた色ずれが生じてしまうことがある。具体的には組み合わせる蛍光体の温度特性ΔＩが８０％以上のであることが望ましい。
白色発光装置を構成するために、一般式（Ａ）で表される蛍光体に組み合わされる青緑色、緑色、または黄色の光を放出する蛍光体（以下、第二の蛍光体という）は、５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有するものである。上述した条件満たす具体的な蛍光体として、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ等のケイ酸塩蛍光体、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ等のアルミン酸塩蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ等の硫化物蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｃａ， Ｓｒ）−αＳｉＡｌＯＮ等のアルカリ土類酸窒化物蛍光体などが挙げられる。なお、ここに例示された蛍光体に少量の元素などを添加しても、基本的な結晶構造に殆ど変化がなければ、同様の蛍光体とみなすことができる。
用いられる発光素子のピーク波長が４２０ｎｍ付近である場合、上記した第二の蛍光体に加えて青色の光を放出する蛍光体をさらに組み合わせることもできる。ここで青色の光を放出する蛍光体とは、４４０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する蛍光体である。好ましい青色系蛍光体として、例えば、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｂｒ）：Ｅｕ等のハロりん酸塩蛍光体、２ＳｒＯ・０．８４Ｐ２Ｏ５・０．１６Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ等のリン酸塩蛍光体、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ等のアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体などが挙げられる。
上記以外に橙色、または赤色の光を放出する蛍光体も必要に応じて併用することができる。
橙色、または赤色の光を放出する蛍光体としては（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ等のケイ酸塩蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓ：Ｅｕ等の硫化物蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）２Ｓｉ５（Ｏ、Ｎ）８：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ等の窒化物蛍光体などが挙げられる。実施形態による発光装置にこれらの蛍光体を併用することにより、効率だけでなく、照明用途での演色性や、バックライト用途での色域を更に改善することができる場合がある。ただし、一般式（Ａ）により表される蛍光体の発光色は赤色から深赤色であるために、その他の橙色または赤色の光を放出する蛍光体を組み合わせると、実施形態による効果が損なわれることがある。したがって、橙色または赤色の光を放出する蛍光体を併用する場合には、主発光ピーク波長が６４０ｎｍ以下の蛍光体を用いることが望ましい。
図５は、本発明の一実施形態にかかる発光装置の断面を示すものである。
図示する発光装置は、樹脂ステム５００はリードフレームを成形してなるリード５０１およびリード５０２と、これに一体成形されてなる樹脂部５０３とを有する。樹脂部２０３は、上部開口部が底面部より広い凹部５０５を有しており、この凹部の側面には反射面５０４が設けられる。
凹部５０５の略円形底面中央部には、発光チップ２０６がＡｇペースト等によりマウントされている。発光素子５０６としては、４２０ｎｍを超え、５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する発光素子を用いることができる。例えば、ＩｎＧａＮ系、ＧａＮ系等の半導体発光ダイオード等を用いることが可能である。発光チップ５０６の電極（図示せず）は、Ａｕなどからなるボンディングワイヤ５０７および５０８によって、リード５０１およびリード５０２にそれぞれ接続されている。なお、リード５０１および５０２の配置は、適宜変更することができる。
樹脂部５０３の凹部５０５内には、蛍光層５０７が配置される。この蛍光層５０７は、一般式（Ａ）により表される蛍光体、および必要に応じて第二の蛍光体を、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層５１１中に５ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の割合で分散することによって形成することができる。蛍光体は、有機材料である樹脂や無機材料であるガラスなど種々のバインダーによって、付着させることができる。
有機材料のバインダーとしては、上述したシリコーン樹脂の他にエポキシ樹脂、アクリル樹脂など耐光性に優れた透明樹脂が適している。無機材料のバインダーとしてはアルカリ土類ホウ酸塩等を使用した低融点ガラス等、粒径の大きな蛍光体を付着させるために超微粒子のシリカ、アルミナ等、沈殿法により得られるアルカリ土類リン酸塩等が適している。これらのバインダーは、単独でも２種以上を組み合わせて用いてもよい。
発光素子５０６としては、ｎ型電極とｐ型電極とを同一面上に有するフリップチップ型のものを用いることも可能である。この場合には、ワイヤの断線や剥離、ワイヤによる光吸収等のワイヤに起因した問題を解消して、信頼性の高い高輝度な半導体発光装置が得ることができる。また、発光素子５０６にｎ型基板を用いることもできる。具体的には、ｎ型基板の裏面にｎ型電極を形成し、基板上の半導体層上面にはｐ型電極を形成して、ｎ型電極またはｐ型電極をリードにマウントする。ｐ型電極またはｎ型電極は、ワイヤにより他方のリードに接続することができる。発光素子５０６のサイズ、凹部５０５の寸法および形状は、適宜変更することができる。
図６には、本発明の他の実施形態にかかる発光装置の断面図を示す。図示する発光装置は、樹脂ステム６００と、その上にマウントされた半導体発光素子６０６Ｆと、この半導体発光素子６０６Ｆを覆う封止体６１１とを有する。封止樹脂ステム６００は、リードフレームから形成されたリード６０１、６０２と、これと一体的に成型されてなる樹脂部６０３とを有する。リード６０１、６０２は、それぞれの一端が近接対向するように配置されている。リード６０１、６０２の他端は、互いに反対方向に延在し、樹脂部１０３から外部に導出されている。
樹脂部６０３には開口部６０５が設けられ、開口部の底面には、保護用ツェナー・ダイオード６０６Ｅが接着剤６０７によってマウントされている。保護用ツェナー・ダイオード６０６Ｅの上には、半導体発光素子６０６Ｆが実装されている。すなわち、リード６０１の上にダイオード６０６Ｅがマウントされている。ダイオード６０６Ｅからリード６０２にワイヤ６０９が接続されている。
半導体発光素子６０６Ｆは、樹脂部６０３の内壁面に取り囲まれており、この内壁面は光取り出し方向に向けて傾斜し、光を反射する反射面６０４として作用する。開口部６０５内に充填された封止体６１１は、蛍光体６１０を含有している。半導体発光素子６０６Ｆは、保護用ツェナー・ダイオード６０６Ｅの上に積層されている。蛍光体６１０として、一般式（Ａ）で表される蛍光体、および必要に応じて第二の蛍光体が用いられる。
以下に、発光装置の発光素子周辺部分について詳細に説明する。図７に示されるように、保護用ダイオード６０６Ｅは、ｎ型シリコン基板６５０の表面にｐ型領域６５２が形成されたプレーナ構造を有する。ｐ型領域６５２にはｐ側電極６５４が形成され、基板６５０の裏面にはｎ側電極６５６が形成されている。このｎ側電極６５６に対向して、ダイオード６０６Ｅの表面にもｎ側電極６５８が形成されている。こうした２つのｎ側電極６５６と６５８とは、ダイオード６０６Ｅの側面に設けられた配線層６６０によって接続される。さらに、ｐ側電極６５４およびｎ側電極６５８が設けられたダイオード６０６Ｅの表面には、高反射膜６６２が形成されている。高反射膜６６２は、発光素子６０６Ｆから放出される光に対して高い反射率を有する膜である。
半導体発光素子６０６Ｆにおいては、バッファ層６２２、ｎ型コンタクト層６２３、ｎ型クラッド層６３２、活性層６２４、ｐ型クラッド層６２５、およびｐ型コンタクト層６２６が、透光性基板６３８の上に順次積層されている。さらに、ｎ側電極６２７がｎ型コンタクト層６２３の上に形成され、ｐ側電極６２８がｐ型コンタクト層６２６の上に形成されている。活性層６２４から放出される光は、透光性基板６３８を透過して取り出される。
このような構造の発光素子６０６Ｆは、バンプを介してダイオード６０６Ｅにフリップ・チップ・マウントされている。具体的には、バンプ６４２によって、発光素子６０６Ｆのｐ側電極６２８がダイオード６０６Ｅのｎ側電極６５８に電気的に接続されている。また、バンプ６４４によって、発光素子６０６Ｆのｎ側電極６２７が、ダイオード６０６Ｅのｐ側電極６５４に電気的に接続されている。ダイオード６０６Ｅのｐ側電極６５４には、ワイヤ６０９がボンディングされ、このワイヤ６０９はリード６０２に接続されている。
図８には、砲弾型の発光装置の例を示す。半導体発光素子８０１は、リード８００’にマウント材５２を介して実装され、プレディップ材８０４で覆われる。ワイヤ８０３により、リード８００が半導体発光素子８０１に接続され、キャスティング材８０５で封入されている。プレディップ材８０４中には、一般式（Ａ）で表される蛍光体、および必要に応じて第二の蛍光体が含有される。
上述したように、本発明の実施形態にかかる発光装置、例えば白色ＬＥＤ発光装置は一般照明等だけでなく、カラーフィルターなどのフィルターと発光装置を組み合わせて使用される発光デバイス、例えば液晶用バックライト用の光源等としても最適である。具体的には、液晶のバックライト光源としても使用することができる。また、実施態様による発光装置を同一基板内に複数個配列した発光装置モジュールとすることもできる。特に照明等の用途に用いる場合、このようなモジュールは好ましい。ここで、実施形態による発光装置は駆動により発生する熱の影響を受けにくく、高温においても高い発光効率を実現できる。このために、発光装置の配置密度を高く、すなわち発光装置間の距離を短くして配置することができる。この結果、輝度の高い発光装置を実現できる。
以下、実施例および比較例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はその趣旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１および比較例１）
３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：０．０１Ｍｎ（＝Ｍｇ４ＧｅＯ５。５Ｆ：０．０１Ｍｎ）蛍光体（蛍光体Ｎｏ．１）と、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を混合し、シリコーン樹脂に分散させて樹脂混合物を調製した。蛍光体Ｎｏ．１の温度特性は図３に示したとおり、２００℃付近まで温度消光が見られなかった。一方、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体の室温に対する１８０℃での温度特性ΔＩは８０％であった。室温から１８０℃まで（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体の発光スペクトルの形状は殆ど変化が見られなかった。この樹脂混合物と発光素子と支持部材とを用いて、白色ＬＥＤ発光装置を作製した。発光素子は、連続駆動時のジャンクション温度が１４０℃であり、発光スペクトルのピーク波長が４４５ｎｍである。支持部材は、Ｃｕ製のカップ状で、側面内壁には光反射率の高いアルミナが塗布されており、外部との電気的接続を保つ機能を備えている。発光素子をＣｕ製支持部材の底面にはんだ接合して、さらに前記蛍光体を含む蛍光体層を形成させて、実施例１のフェイスアップ型白色ＬＥＤ発光装置を作製した。
この白色ＬＥＤ発光装置の熱抵抗は４０℃／Ｗであった。色温度は電球色に区分される２８００Ｋとなるように、蛍光体の混合割合を調整した。実施例１の白色ＬＥＤ発光装置を環境温度３５℃において、投入電力２．５Ｗで駆動し、発光スペクトルを測定した。図９に得られた発光スペクトル示す。
次に、実施例１の発光素子をジャンクション温度が１００℃であり、ピーク波長が４４５ｎｍの発光素子に変えた比較例１の発光装置を作成した。この発光装置の熱抵抗は４０℃／Ｗであった。使用した蛍光体及び調整した色温度は実施例１と同様とした。比較例１の白色ＬＥＤ発光装置を環境温度３５℃において、投入電力０．１Ｗで駆動して発光スペクトルを測定した。図１０に得られた発光スペクトルを示す。
図９と図１０を比較するとほぼ同形状の発光スペクトルが得られていることがわかる。しかし、実施例１と比較例１とでは発光素子への投入電力が異なるので、大きな投入電力で駆動した実施例１の発光スペクトルの強度の方が大きい。更に、装置の発光効率を比較すると比較例１の発光装置より、実施例１の発光装置の方がおよそ１．４倍高いことが見積もられた。ここで発光装置の発光効率は、蛍光体装置に蛍光体層を塗布する前の光出力（励起光Ｗ）を蛍光体層を塗布した後の光出力（光束―ｌｍ）で割った光−光変換効率（ｌｍ／励起光Ｗ）のことを示している。このような指標を用いたのは使用する発光素子の効率が異なる場合に、発光層の純粋な変換効率を見積もるためである。
比較例１の発光装置より、実施例１の発光装置の発光効率の方が優れていた原因として、発光素子に投入した電力の大小に伴う温度上昇の差によるものということができる。つまり実施形態による発光装置は駆動により温度上昇し、高温（１００℃以上２００℃以下）で駆動される場合に高い発光効率を示すことがわかる。
次に、蛍光体Ｎｏ．１と同様の製造方法により下記表１に示すような各構成元素の含有量を変化させた蛍光体Ｎｏ．２〜６の蛍光体を作製した。得られた蛍光体をＩＣＰ発光分光法により定量分析を実施した結果、ほぼ目標どおりの組成であることを確認した。
Figure 0005421205
さらに、下記表２に示すように発光素子と蛍光体Ｎｏ．２〜６とを組み合わせて、実施例２〜６の発光装置を作製した。比較例２〜６はそれぞれ実施例２〜６と同様の蛍光体を使用し、色温度もそれぞれ同じ色温度になるように調整し、投入電力を抑えた発光素子に変更した点だけが異なる発光装置とした。
Figure 0005421205
各白色ＬＥＤ発光装置を環境温度３５℃において、実施例２〜６は投入電力３．０Ｗで駆動し、発光装置の光−光変換効率（ｌｍ／励起光Ｗ）を見積もった。同様に比較例２〜６は環境温度３５℃において、投入電力０．１Ｗで駆動し、発光装置の光−光変換効率（ｌｍ／励起光Ｗ）を見積もった。比較例２〜６に対する実施例２〜６の変換効率比は表３に示すとおりであった。
Figure 0005421205
表３に示されるように、実施形態による発光装置においては、大きな投入電力に伴い、発光素子による蛍光体層の温度上昇が見込まれが、投入電力が小さいために蛍光層の温度はほぼ環境温度と考えられる比較例よりも優れた変換効率を示した。
（実施例８および比較例８）
実施例１の発光装置を３０ｍｍ×３０ｍｍのＡｌ基板に間隔５ｍｍで４個を直列に配線した発光デバイスを、同一Ａｌ基板内に間隔５ｍｍで各４列並列に配線した発光装置モジュールを作製した。これを実施例８の発光装置モジュールとする。また、比較例１の発光装置を用いて、実施例８と同様の構造を有する発光装置モジュールを作製した。これを比較例８の発光装置モジュールとする。
これら発光装置モジュールに配置されている各発光装置に投入電力が０．８Ｗとなるように投入電力を調整して、それぞれ発光効率を測定した。実施例８の発光装置モジュールの発光効率を比較例８の発光装置モジュールの発光効率と比較すると、実施例８の方がおよそ１．１倍高いことが見積もられた。比較例８の発光装置モジュールより、実施例８の発光装置モジュールの発光効率の方が優れていた原因として、発光装置の間隔が狭いことによりモジュールを構成する各発光装置の温度が上昇しても、実施形態による発光装置は発光効率の低下が起こりにくいためである。つまり実施形態による発光装置は駆動により温度上昇し、高温で駆動される場合に従来の発光装置に比較して高い発光効率を示すことがわかる。
本発明の実施形態にかかる発光装置は、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、パソコンや携帯電話機等のバックライト光源、信号機、照明スイッチ、車載用ストップランプ、各種センサーおよび各種インジケータ等、各種照明装置や各種表示装置などに利用することができる。
５００…樹脂ステム； ５０１…リード； ５０２…リード； ５０３…樹脂部
５０４…反射面； ５０５…凹部； ５０６…発光チップ
５０７…ボンディングワイヤ； ５０８…ボンディングワイヤ； ５０９…蛍光層
５１０…蛍光体； ５１１…樹脂層；
６００…樹脂ステム； ６０１…リード
６０２…リード； ６０３…樹脂部； ６０４…反射面； ６０５…開口部
６０６Ｅ…ツェナー・ダイオード； ６０６Ｆ…半導体発光素子； ６０７…接着剤
６０９…ボンディングワイヤ； ６１０…蛍光体； ６１１…封止体
６２２…バッファ層； ６２３…ｎ型コンタクト層； ６２４…活性層
６２５…ｐ型クラッド層； ６２６…ｐ型コンタクト層； ６２７…ｎ側電極
６２８…ｐ側電極； ６３２…ｎ型クラッド層； ６３８…透光性基板
６４２…バンプ； ６４４…バンプ； ６５０…ｎ型シリコン基板
６５２…ｐ型領域； ６５４…ｐ側電極； ６５６…ｎ側電極； ６５８…ｎ側電極
６６０…配線層； ６６２…高反射膜
８００、８００’…リード； ８０１…半導体発光素子； ８０２…マウント材
８０３…ボンディングワイヤ； ８０４…プレディップ材； ８０５…キャスティング材。

Claims (8)

  1. ４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する発光素子と、前記発光素子上に形成された蛍光体層とを具備する発光装置であって、前記発光素子に投入される電力が１Ｗ以上であり、前記発光装置の連続駆動時における前記発光素子のジャンクション温度が１００℃以上２００℃以下であり、前記蛍光体層が、下記一般式（Ａ）：
    （Ｍｇ１−ｘ，ＡＥｘ）ａ（Ｇｅ１−ｙ，Ｓｎｙ）ｂＯｃＨＡｄ：ｚＭｎ （Ａ）
    （式中、ＡＥはＣａ、またはＳｒからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素であり、
    ＨＡはＦ、またはＣｌからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素であり、 ２．５４≦ａ≦４．４０、
    ０．８０≦ｂ≦１．１０、
    ３．８５≦ｃ≦７．００、
    ０≦ｄ≦２．００、
    ０≦ｘ≦０．０５、
    ０≦ｙ≦０．１０、および
    ０＜ｚ≦０．０３
    である）
    で表され、前記発光素子から放出される光を吸収して６５０ｎｍ以上６６５ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する光を放出する蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
  2. 熱抵抗が２０℃／Ｗ以上である、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記発光素子を支持する支持部材をさらに具備し、前記発光素子が、金属接合により前記支持部材に接合されている、請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記支持部材が、金属、またはセラミックスからなるものである、請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記蛍光体層がシリコーン樹脂の硬化物からなり、前記蛍光体がその中に分散されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記蛍光体層が、前記一般式（Ａ）で示される蛍光体以外の、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する第二の蛍光体を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記第二の蛍光体の室温に対する発光強度の維持率が８０％以上である、請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記発光装置が白色光発光装置であり、その色温度は温白色、または電球色である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
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